專利名稱：檢測高壓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間的測試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及的是一種測試裝置，尤其涉及一種用于檢測高壓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間的測試裝置。
背景技術(shù)：
可控硅是一種電流控制型的雙極型半導(dǎo)體器件它要求門極驅(qū)動(dòng)單元類似于一個(gè)電流源，能向可控硅的門極提供一個(gè)特別陡直的尖峰電流脈沖，以保證在任何時(shí)刻均能可靠觸發(fā)可控硅。可控硅的門極觸發(fā)脈沖特性對可控硅的額定值和特性參數(shù)有非常強(qiáng)烈的影響，在正常使用中常采用強(qiáng)觸發(fā)方式，觸發(fā)脈沖電流幅值IG大于或等于10IGT，脈沖上升時(shí)間lys，為了保證器件可靠工作，IG必須遠(yuǎn)大于IGT。但在實(shí)際應(yīng)用中，許多用戶觸發(fā)脈沖電流幅值和脈沖上升時(shí)間遠(yuǎn)未能滿足上述要求。尤其在電機(jī)軟啟動(dòng)領(lǐng)域許多整機(jī)廠給出的觸發(fā)脈沖非常臨界，某些情況下竟無法讓可控硅元件開通，在中頻電源領(lǐng)域，逆變器件的觸發(fā)脈沖一般陡度較差，使可控硅處在導(dǎo)通與非導(dǎo)通的臨界狀態(tài)，或雖已導(dǎo)通，但導(dǎo)通延遲時(shí)間很長。本專利公開的是用于檢測高壓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間的測試裝置，采用此裝置，可以檢測出高壓可控硅在門極施加觸發(fā)信號的時(shí)候可控硅的導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間，從而了解可控硅的導(dǎo)通特性，以及觸發(fā)脈沖的給定是否能夠使可控硅在正常的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型專利公開一種檢測高壓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間的測試裝置，用于比較可控硅觸發(fā)脈沖與可控硅導(dǎo)通脈沖時(shí)電壓波形的延時(shí)，然后通過示波器直觀的進(jìn)行顯示。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的檢測高壓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間的測試裝置是由可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路、可控硅門極觸發(fā)信號接收電路、可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路、 可控硅導(dǎo)通信號接收電路組成，其特征是可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路與可控硅門極觸發(fā)信號接收電路電信號連接，可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路與可控硅導(dǎo)通信號接收電路電信號連接。本裝置采用LM393比較電路，當(dāng)可控硅觸發(fā)脈沖發(fā)送時(shí)比較電路開始工作，通過光纖發(fā)出脈沖信號，可控硅導(dǎo)通時(shí)比較電路也工作，通過光纖發(fā)出脈沖信號。再通過接收光纖將可控硅觸發(fā)信號、導(dǎo)通信號進(jìn)行對比，通過示波器可以看出兩信號的延遲時(shí)間。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)原理框圖圖2為可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路的原理圖圖3為可控硅門極觸發(fā)信號接收電路的原理圖圖4為可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路的原理圖圖5為可控硅導(dǎo)通信號接收電路的原理圖具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖1-5具體對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明如圖1所示為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)原理框圖，本裝置是由可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路、可控硅門極觸發(fā)信號接收電路、可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路、可控硅導(dǎo)通信號接收電路組成，可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路用光纖與可控硅門極觸發(fā)信號接收電路連接，可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路用光纖與可控硅導(dǎo)通信號接收電路連接?？煽毓栝T極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路和可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路分別通過光纖將信號傳給門極觸發(fā)信號接收電路和可控硅導(dǎo)通信號接收電路，然后通過示波器，就可以觀察到門極觸發(fā)信號以及導(dǎo)通信號的波形。如圖2所示為可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路的原理圖，DIN接可控硅的門極，當(dāng)有觸發(fā)信號傳送給可控硅時(shí)，光纖TX3會發(fā)出高脈沖，表明有觸發(fā)信號來觸發(fā)可控硅。如圖3所示為可控硅門極觸發(fā)信號接收電路的原理圖，用來接收可控硅門極觸發(fā)導(dǎo)通電路發(fā)送來的觸發(fā)信號，并用示波器查看波形，可控硅門極觸發(fā)導(dǎo)通電路發(fā)送的光信號被RXl接收后，經(jīng)三極管Q4放大，用示波器探頭檢測REl端，即可得到觸發(fā)脈沖波形。如圖4所示為可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路的原理圖，RIN接可控硅陽極，當(dāng)陽極電壓大于零時(shí)，U3B發(fā)出高電平信號，導(dǎo)通光纖發(fā)送器TX4，當(dāng)可控硅導(dǎo)通時(shí)，陽極電壓變?yōu)榱悖?U3B發(fā)出低電平信號，TX4不發(fā)送信號。如圖5所示為可控硅導(dǎo)通信號接收電路，用來接收可控硅導(dǎo)通電路發(fā)送來的導(dǎo)通信號，并用示波器查看波形，可控硅導(dǎo)通電路發(fā)送的光信號被RX2接收后，經(jīng)三極管Q5放大，用示波器探頭檢測RE2端，即可得到觸發(fā)脈沖波形。本裝置采用LM393比較電路，當(dāng)可控硅門極觸發(fā)脈沖信號發(fā)送時(shí)比較電路開始工作，通過光纖發(fā)出脈沖信號，可控硅導(dǎo)通時(shí)比較電路也工作，通過光纖發(fā)出脈沖信號。再通過接收光纖將可控硅觸發(fā)信號、導(dǎo)通信號進(jìn)行對比，通過示波器可以看出兩信號的延遲時(shí)間。當(dāng)可控硅門極未加觸發(fā)信號時(shí)，在示波器上顯示的觸發(fā)信號和導(dǎo)通信號都是低電平；當(dāng)可控硅門極施加觸發(fā)信號時(shí)，示波器上顯示的兩信號都會變?yōu)楦唠娖剑|發(fā)信號要比導(dǎo)通信號超前2-30微秒。通過比較，就可以看出可控硅的導(dǎo)通延遲時(shí)間以及觸發(fā)系統(tǒng)的
可靠性。本檢測高壓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間的測試裝置，其結(jié)構(gòu)簡單，性能可靠，可以廣泛用于高壓可控硅應(yīng)用企業(yè)和試驗(yàn)檢測單位。
權(quán)利要求1.檢測高壓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間的測試裝置，是由可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路、可控硅門極觸發(fā)信號接收電路、可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路、可控硅導(dǎo)通信號接收電路組成，其特征是可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路與可控硅門極觸發(fā)信號接收電路電信號連接， 可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路與可控硅導(dǎo)通信號接收電路電信號連接。
專利摘要本實(shí)用新型專利公開的是用于檢測高壓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間的測試裝置，采用此裝置，可以檢測出高壓可控硅在門極施加觸發(fā)信號的時(shí)候可控硅的導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間，從而了解可控硅的導(dǎo)通特性，以及觸發(fā)脈沖的給定是否能夠使可控硅在正常的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。本裝置是由可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路、可控硅門極觸發(fā)信號接收電路、可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路、可控硅導(dǎo)通信號接收電路組成，可控硅門極觸發(fā)信號導(dǎo)通電路和可控硅導(dǎo)通信號發(fā)送電路分別通過光纖將信號傳給門極觸發(fā)信號接收電路和可控硅導(dǎo)通信號接收電路，然后通過示波器，就可以觀察到門極觸發(fā)信號以及導(dǎo)通信號的波形。本裝置結(jié)構(gòu)簡單，性能可靠，可以廣泛用于高壓可控硅應(yīng)用企業(yè)和試驗(yàn)檢測單位。
文檔編號G01R31/26GK202171639SQ20112029047
公開日2012年3月21日 申請日期2011年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月11日
發(fā)明者何曉平, 劉志強(qiáng), 劉洋, 李超 申請人:哈爾濱九洲電氣股份有限公司