專利名稱：一種移出檢測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種檢測電路，尤其是涉及一種檢測設(shè)備或模塊是否發(fā)生分離的移出檢測電路。
背景技術(shù)：
在金融產(chǎn)品領(lǐng)域有些安全設(shè)備或模塊往往是非法攻擊的對象。不法分子會(huì)將這些安全設(shè)備或模塊拆走或更換成自己的非法設(shè)備，或者是拆走后 讀出設(shè)備里面的保密信息之后又裝回去，這都會(huì)對用戶或者金融機(jī)構(gòu)帶來極大的風(fēng)險(xiǎn)。中華人民共和國國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于2010年11月17日公開了授權(quán)公告號為CN201638305U的專利文獻(xiàn)，名稱是ー種用于自助銀行和自動(dòng)柜員機(jī)的智能監(jiān)控裝置。它包括ー個(gè)核心DSP處理芯片，通過兩個(gè)A/D接入兩路視頻，再外接ー個(gè)D/A，用以將視頻輸出到監(jiān)視器或者DVR上，四路傳感器輸入接ロ，用來外接各種傳感器；三路繼電器輸出接ロ，用來外接報(bào)警器和門鎖控制器；以太網(wǎng)接ロ，用來和報(bào)警中心通訊；RS232接ロ，用來和外部通訊。此裝置可以記錄破壞自動(dòng)柜員機(jī)的行為，但是如果有人將攝像機(jī)掩蓋然后進(jìn)行破壞則無法記錄，難以提供充分的保護(hù)，并且結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本大。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的設(shè)備保護(hù)監(jiān)控裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本大、對有針對性的行為難以防范的技術(shù)問題，提供ー種結(jié)構(gòu)簡單、可以記錄設(shè)備或者模塊被移動(dòng)的移出檢測電路。本實(shí)用新型針對上述技術(shù)問題主要是通過下述技術(shù)方案得以解決的ー種移出檢測電路，包括電源、MOS管Q7、MOS管Q8、MOS管Q9、電容C68及若干個(gè)電阻，MOS管Q8的漏極為節(jié)點(diǎn)A，M0S管Q9的柵極為節(jié)點(diǎn)B ；M0S管Q8的柵極連接設(shè)置端ロ，源極接地，漏極連接輸出端ロ ；電阻R40—端接電源正極，另一端連接設(shè)置端ロ ；電容C68和電阻R42并聯(lián)以后串聯(lián)在電源正極和節(jié)點(diǎn)A之間；M0S管Q7的漏極連接電源正極，柵極通過電阻R42連接節(jié)點(diǎn)A，源極通過電阻R43連接節(jié)點(diǎn)B ；M0S管Q9的漏極連接節(jié)點(diǎn)A，源極接地；電阻R45 —段連接節(jié)點(diǎn)B，另一端接地。移出檢測電路設(shè)置在需要監(jiān)控的設(shè)備或者模塊上，輸出端ロ與固定檢測設(shè)備的輸入端ロ連接。固定檢測設(shè)備可以通過輸入端ロ輸入的信號判斷被監(jiān)控設(shè)備或者模塊是否有被移出過。平時(shí)設(shè)置端ロ與固定檢測設(shè)備的“地”信號連接，此時(shí)輸出端ロ為高電平。當(dāng)設(shè)備或者模塊被移出后，設(shè)置端ロ懸空，輸出端ロ變?yōu)榈碗娖?，并且保持不變，及時(shí)設(shè)備再次被安裝回原位并且設(shè)置端ロ再次與固定檢測設(shè)備的“地”信號連接，輸出端ロ也一直保持低電平。固定檢測設(shè)備檢測到輸入端ロ電平變?yōu)榈碗娖揭院罂梢允乖O(shè)備停止工作或者報(bào)警，防止設(shè)備或者模塊被修改以后再安裝回原位帶來的安全隱患。作為優(yōu)選，節(jié)點(diǎn)A通過PNP型三極管Q13連接輸出端ロ，三極管Q13的基極和集電極都與節(jié)點(diǎn)A連接，發(fā)射極與輸出端ロ連接。三極管Ql3用于阻斷電流，減小電路的消耗。作為優(yōu)選，本實(shí)用新型的移出檢測電路還包括重置電路，所述重置電路包括MOS管QlI、電阻R48、電阻R49和電容C69 ；電阻R48 —端連接重置端ロ，另一端連接MOS管Qll的柵極；M0S管Qll漏極連接節(jié)點(diǎn)B，源極接地；電容C69 —端連接MOS管Qll的柵極，另ー端接地；電阻R49—端連接MOS管Qll的柵極，另一端接地。平時(shí)重置電路的重置端ロ輸入為低電平，當(dāng)輸出端ロ變?yōu)榈碗娖揭院?，可以通過在重置端ロ接入高電平使電路重置，輸出端ロ變?yōu)楦唠娖健２⑶抑刂枚衰黼[藏在設(shè)備或者模塊內(nèi)部難以被接觸到，防止被不法分子利用。作為優(yōu)選，所述MOS管Q8、MOS管Q9和MOS管Qll為增強(qiáng)型NMOS管；所述MOS管Q7為增強(qiáng)型PMOS管。作為優(yōu)選，所述電源為鋰電池。鋰電池也安裝在被監(jiān)控的設(shè)備或者模塊內(nèi)，使得移出檢測電路即使在沒有外加電源的情況下也可以長期工作。 本實(shí)用新型帶來的有益效果是，可以監(jiān)控設(shè)備或者模塊是否被移出原位置并在移出后保留移出狀態(tài)，可以防止模塊被修改以后放回原位還繼續(xù)工作；電路只用MOS管和電阻、電容搭建，形之有效，穩(wěn)定性高，解決了目前該功能要用處理器、集成電路并用軟件控制等較復(fù)雜的方法才能實(shí)現(xiàn)的現(xiàn)狀，減少的電路成本；電路占用面小，可以方便的集成到更復(fù)雜的系統(tǒng)中去，應(yīng)用簡便；低功耗，可以在無外部供電的情況下長期工作。

圖I是本實(shí)用新型的一種電路原理圖；圖中SET為設(shè)置端ロ，OUT為輸出端ロ，CLEAR為重置端ロ。
具體實(shí)施方式
下面通過實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)ー步具體的說明。實(shí)施例本實(shí)施例的ー種移出檢測電路，如圖I所示，包括電源、MOS管Q7、MOS管Q8、MOS管Q9、電容C68及若干個(gè)電阻，MOS管Q8的漏極為節(jié)點(diǎn)A，MOS管Q9的柵極為節(jié)點(diǎn)B ;M0S管Q8的柵極連接設(shè)置端ロ，源極接地；電阻R40 —端接電源正極，另一端連接設(shè)置端ロ ；電容C68和電阻R42并聯(lián)以后串聯(lián)在電源正極和節(jié)點(diǎn)A之間；M0S管Q7的漏極連接電源正極，柵極通過電阻R42連接節(jié)點(diǎn)A，源極通過電阻R43連接節(jié)點(diǎn)B ；M0S管Q9的漏極連接節(jié)點(diǎn)A，源極接地；電阻R45 —段連接節(jié)點(diǎn)B，另一端接地。節(jié)點(diǎn)A通過PNP型三極管Ql3連接輸出端ロ，三極管Q13的基極和集電極都與節(jié)點(diǎn)A連接，發(fā)射極與輸出端ロ連接。本實(shí)施例還包括重置電路，重置電路包括MOS管Ql I、電阻R48、電阻R49和電容C69 ；電阻R48 —端連接重置端ロ，另一端連接MOS管Qll的柵極；M0S管Qll漏極連接節(jié)點(diǎn)B，源極接地；電容C69 —端連接MOS管Qll的柵極，另一端接地；電阻R49 —端連接MOS管Qll的柵極，另一端接地。MOS管Q8、MOS管Q9和MOS管Qll為增強(qiáng)型NMOS管；MOS管Q7為增強(qiáng)型PMOS管。電源為鋰電池。移出檢測電路設(shè)置在需要監(jiān)控的設(shè)備或者模塊上，輸出端ロ與固定檢測設(shè)備的輸入端ロ連接。固定檢測設(shè)備可以通過輸入端ロ輸入的信號判斷被監(jiān)控設(shè)備或者模塊是否有被移出過。平時(shí)SET輸入“0”，CLEAR輸入“0”，使得Q8、Q11截止。節(jié)點(diǎn)A變?yōu)椤?”，Q7截止，節(jié)點(diǎn)B變?yōu)椤?”，Q9截止。節(jié)點(diǎn)A固定為“ 1”，這樣OUT輸出為“I”。當(dāng)設(shè)備或者模塊移出吋，SET輸入為“ I ”，Q8導(dǎo)通使得節(jié)點(diǎn)A為“0”，這樣Q7和Q9都導(dǎo)通。節(jié)點(diǎn)A固定為“0”，OUT輸出為“O”。此時(shí)，當(dāng)SET從“I”回到“O”使得Q8截止。但是由于上一歩使得Q7和Q9還是處于導(dǎo)通階段，因此，形成反饋將節(jié)點(diǎn)A的電平鎖定在“0”，OUT輸出還是為“O”。如果要想清除OUT輸出的“O”狀態(tài)，要將SET輸入“0”，同時(shí)CLEAR輸入“ I ”。這樣Qll導(dǎo)通，使得節(jié)點(diǎn)B為“0”，Q9截止。這樣平衡被破壞使得節(jié)點(diǎn)A返回“ 1”，0UT輸出也變成“ I”。清除后再將CLEAR設(shè)回“O”。固定檢測設(shè)備檢測到輸入端ロ電平變?yōu)榈碗娖揭院罂梢允乖O(shè)備停止工作或者報(bào)警，防止設(shè)備或者模塊被修改以后再安裝回原位帶來的安全隱患。本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對本實(shí)用新型精神作舉例說明。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，但并不會(huì)偏離本實(shí)用新型的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。盡管本文較多地使用了 MOS管、重置端ロ等術(shù)語，但并不排除使用其它術(shù)語的可能性。使用這些術(shù)語僅僅是為了更方便地描述和解釋本實(shí)用新型的本質(zhì)；把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本實(shí)用新型精神相違背的。權(quán)利要求1.ー種移出檢測電路，其特征在于，包括電源、MOS管Q7、M0S管Q8、M0S管Q9、電容C68及若干個(gè)電阻，MOS管Q8的漏極為節(jié)點(diǎn)A，M0S管Q9的柵極為節(jié)點(diǎn)B ；M0S管Q8的柵極連接設(shè)置端ロ，源極接地，漏極連接輸出端；電阻R40—端接電源正極，另一端連接設(shè)置端ロ ；電容C68和電阻R42并聯(lián)以后串聯(lián)在電源正極和節(jié)點(diǎn)A之間；M0S管Q7的漏極連接電源正極，柵極通過電阻R42連接節(jié)點(diǎn)A，源極通過電阻R43連接節(jié)點(diǎn)B ；M0S管Q9的漏極連接節(jié)點(diǎn)A，源極接地；電阻R45 —段連接節(jié)點(diǎn)B，另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種移出檢測電路，其特征在于，節(jié)點(diǎn)A通過PNP型三極管Q13連接輸出端ロ，三極管Q13的基極和集電極都與節(jié)點(diǎn)A連接，發(fā)射極與輸出端ロ連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的ー種移出檢測電路，其特征在于，還包括重置電路，所述重置電路包括MOS管QlI、電阻R48、電阻R49和電容C69 ；電阻R48 —端連接重置端ロ，另一端連接MOS管Qll的柵極；M0S管Qll漏極連接節(jié)點(diǎn)B，源極接地；電容C69 —端連接MOS管Qll的柵極，另一端接地；電阻R49 —端連接MOS管Qll的柵極，另一端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ー種移出檢測電路，其特征在于，所述MOS管Q8、M0S管Q9和MOS管Qll為增強(qiáng)型NMOS管；所述MOS管Q7為增強(qiáng)型PMOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ー種移出檢測電路，其特征在于，所述電源為鋰電池。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種移出檢測電路，旨在提供一種結(jié)構(gòu)簡單、成本低的移出檢測電路。它包括電源和移出狀態(tài)存儲(chǔ)電路。移出狀態(tài)存儲(chǔ)電路具有設(shè)置端口、輸出端口和重置端口。平時(shí)輸出端口輸出高電平，當(dāng)移出檢測電路離開原位置時(shí)輸出端口輸出低電平，并且即使設(shè)備被裝回原位也無法使輸出端口變?yōu)楦唠娖?。移出檢測電路設(shè)置在需要監(jiān)控的設(shè)備或者模塊上，輸出端口與固定檢測設(shè)備的輸入端口連接。固定檢測設(shè)備可以通過輸入端口輸入的信號判斷被監(jiān)控設(shè)備或者模塊是否有被移出過。本實(shí)用新型適用于所有需要監(jiān)控的設(shè)備或者模塊。
文檔編號G01D21/00GK202433032SQ20112056879
公開日2012年9月12日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者劉俐訓(xùn), 應(yīng)雪峰 申請人:東方通信股份有限公司, 杭州東信金融技術(shù)服務(wù)有限公司