專利名稱：用于芯片安裝和介質(zhì)密封的帶槽結(jié)構(gòu)的制作方法
用于芯片安裝和介質(zhì)密封的帶槽結(jié)構(gòu)
背景技術(shù)：
圖I和2分別是現(xiàn)有技術(shù)雙差壓傳感器I的俯視圖和截面圖。壓カ傳感器I稱為雙差壓傳感器，因?yàn)槠浒▋蓚€(gè)獨(dú)立的差壓感測(cè)換能器芯片。每個(gè)換能器芯片是差壓傳感器。如本文使用的，術(shù)語“差壓傳感器”指的是測(cè)量或感測(cè)液體或氣體中存在的壓カ與參考?jí)毫?通常為環(huán)境壓力)相差的量的壓カ傳感器。圖I和圖2所示的裝置因而能夠測(cè)量兩個(gè)差壓，例如兩種不同液體上的壓カ或者沿流動(dòng)路徑的兩個(gè)差壓處的壓カ下降，且提供表示兩個(gè)測(cè)量壓カ和參考?jí)毫χg的差的兩個(gè)相應(yīng)輸出信號(hào)。壓カ傳感器I包括具有凹穴3的殼體2，凹穴3由包繞凹穴3的豎直側(cè)壁4形成或限定。凹穴3具有開ロ頂部和平面或大致平面底表面5。在圖2的截面圖中可見的兩個(gè)小端ロ 6從殼體2的外部底表面7如圖2所示“向上”通過平面底表面7延伸到凹穴3中。 傳感器領(lǐng)域熟知的兩個(gè)獨(dú)立壓阻式換能器(PRT)芯片8安裝在獨(dú)立的相應(yīng)支座9上。支座9安置在環(huán)繞每個(gè)端ロ 6的粘結(jié)劑50珠中。粘結(jié)劑50具有未固化液體狀態(tài)和大致固體固化狀態(tài)。未固化粘結(jié)劑涂覆到平面底表面5的頂部作為液珠。粘結(jié)劑50被涂覆使得其完全環(huán)繞兩個(gè)端ロ 6。PRT芯片預(yù)先附連到其上的支座9在粘結(jié)劑50固化之前放置在粘結(jié)劑50珠上。支座9因而下沉到未固化粘結(jié)劑50中。在固化時(shí)，粘結(jié)劑50將支座9機(jī)械地結(jié)合到平面底表面5。其還提供平面頂表面5和支座9之間的密封。粘性凝膠75部分地填充凹穴，基本上如圖所示。凝膠75保護(hù)PRT芯片，但是其還允許環(huán)境壓カ施加到PRT的面向上側(cè)面，即PRT的面向環(huán)境壓カ的側(cè)面。凝膠75是足夠粘性而柔性的，以允許環(huán)境空氣壓カ在PRT芯片8的頂側(cè)上施加向下的力。前述端ロ 6如圖所示向上傳送介質(zhì)，介質(zhì)的壓力在PRT芯片上施加向上的力。PRT芯片因而經(jīng)受兩個(gè)カ環(huán)境壓力和相應(yīng)端ロ 6內(nèi)的壓力。PRT測(cè)量這兩個(gè)壓力之間的差，因而稱為差壓傳感器。圖I和2所示的現(xiàn)有技術(shù)壓カ傳感器的問題在于端ロ 6的截面面積小。如果過多的粘性但是仍然為液體的粘結(jié)劑50涂覆到端ロ 6周圍，那么其可能滾動(dòng)到ー個(gè)或兩個(gè)端ロ 60中，部分或甚至完全阻塞端ロ或多個(gè)端ロ 6。一旦粘結(jié)劑50在端ロ 6內(nèi)固化，粘結(jié)劑50在不損壞裝置I的情況下不能容易地從端ロ 6去除。第二相關(guān)問題在于，雖然裝置I的許多使用者偏向于減小總體尺寸，但是減小裝置的總體尺寸往往増加粘結(jié)劑落入端ロ 6中的可能性。因而，減小裝置I的尺寸和在組裝期間使得端ロ 6沒有粘結(jié)劑50是有問題的。進(jìn)入端ロ的粘結(jié)劑溢流的問題可以通過増加端ロ 6和粘結(jié)劑50之間的空間或距離來解決，但是增加端ロ 6和粘結(jié)劑50之間的空間將需要増加裝置I的總體尺寸。不幸的是，電子器件(包括壓カ感測(cè))所有領(lǐng)域內(nèi)的趨勢(shì)是使得裝置更小而不是更大。具有兩個(gè)或更多獨(dú)立PRT且具有減小尺寸而還可以避免或消除粘結(jié)劑50阻塞壓カ端ロ 6的壓カ傳感器將是對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的改進(jìn)。另ー個(gè)制造過程益處在于，具有兩個(gè)PRT的單個(gè)PRT芯片60可以將8個(gè)結(jié)合墊減少為6個(gè)結(jié)合墊95，還將芯片的連接線的數(shù)量從8個(gè)減少為6個(gè)。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)的雙差壓傳感器的俯視 圖2是圖I所示的裝置的截面 圖3是雙差壓傳感器的優(yōu)選實(shí)施例的俯視圖，在單個(gè)芯片上具有兩個(gè)壓阻式換能器，芯片定位和安裝在凹槽中；
圖4是圖3所示的裝置的凹穴的視 圖5是圖3和圖4所示的裝置的截面 圖6是圖5所示的結(jié)構(gòu)的俯視圖，沿截面線6-6截?。?
圖7是圖5所不的凹穴的俯視 圖8是與單差壓傳感器一起使用的殼體的截面圖，示出了在組裝支座和芯片之前的殼
體；
圖9是單差壓傳感器的可選實(shí)施例，還示出了從凹槽底部向上延伸的突起；
圖10是圖9所示的裝置的俯視圖，示出了突起可以位于凹槽內(nèi)的示例；
圖11是可選實(shí)施例的截面圖，示出了凹槽具有梯形截面；
圖12是圖11所示的截面的俯視 圖13示出了組裝步驟，包括將液體粘結(jié)劑添加到凹槽中，使得其完全環(huán)繞端口 ；
圖14是圖13所示的結(jié)構(gòu)的俯視 圖15是優(yōu)選雙差壓傳感器的截面圖，示出了將粘性凝膠添加到凹穴中；以及 圖16是圖15所示的單個(gè)PRT芯片的俯視圖，沒有示出保護(hù)性鈍化層。
具體實(shí)施例方式圖3是雙差壓傳感器10的俯視圖。圖4是壓力傳感器10的內(nèi)部的放大等角投影圖。圖3示出了壓力傳感器10包括在其中形成有兩個(gè)壓阻式換能器的單個(gè)硅芯片60。芯片60安裝在噴射模制塑料殼體15中形成的凹穴20內(nèi)。芯片60結(jié)合到支座，支座在圖3中看不到，但是安置在殼體15的底表面25中形成的槽或凹槽內(nèi)。在圖3中看不到的凹槽完全環(huán)繞兩個(gè)獨(dú)立端口(在圖3中也看不到)。安置在凹槽內(nèi)的支座還環(huán)繞兩個(gè)端口。兩個(gè)壓力入口端口 12和14從殼體15的一側(cè)延伸且將加壓流體(液體或氣體)傳送到相應(yīng)壓力端口 35和40 (在圖3或圖4中看不到)。圖4是在殼體15內(nèi)形成的凹穴20的內(nèi)側(cè)的放大圖。由于其尺寸因而在圖4中看不到的兩個(gè)PRT在獨(dú)立的相應(yīng)薄隔膜65和70中形成，其本身在單個(gè)硅芯片60中形成。芯片60及其包括的PRT (在相應(yīng)隔膜65和70中形成)安置在由豎直側(cè)壁22限定的凹穴20的底部，側(cè)壁22從凹穴20的平面底表面25向上延伸。PRT和專用集成電路74 (ASIC)之間的電連接通過從硅芯片60延伸到ASIC 74的小導(dǎo)線72變得可能。導(dǎo)線72的端部附連到結(jié)合墊95，結(jié)合墊95在硅芯片60和ASIC 74兩者上。導(dǎo)線72從ASIC 74延伸到電連接到外部功率源的引線框83。如圖3所示，第二凹穴80在殼體15中形成以提供到引線框83的通路，引線框83從連接器端口 86內(nèi)延伸且提供至第一凹穴20內(nèi)的ASIC 74的電連接。所謂的片狀電容器82或chip caps連接在引線框83之間以有助于抑制電磁干擾(EMI)。電容器82被電子器件領(lǐng)域的技術(shù)人員稱為“chip caps”。圖5是圖4所示的殼體15的截面圖，沿第一凹穴20截取。噴射模制塑料殼體15形成為具有豎直側(cè)壁22，側(cè)壁22環(huán)繞且因而限定開口內(nèi)部凹穴20，可通過凹穴20 “頂部”中的開口 24接近。凹穴20具有優(yōu)選為平面或至少大致平面的底表面25。第一壓力端口 35從殼體15的外部底表面30延伸通過殼體15，向上(如圖所示)通過平面底表面25。第二壓力端口40從第一端口 35橫向移位且優(yōu)選平行于第一端口 35,延伸通過殼體15的外部底表面30,向上通過平面底表面25。兩個(gè)隔膜65和70在一個(gè)芯片60中形成，每個(gè)隔膜65和70位于相應(yīng)壓力端口 35和40上方。因而，由于通過支座和芯片60之間的結(jié)合圍繞每個(gè)隔膜設(shè)置的密封，每個(gè)隔膜 65和70響應(yīng)于相應(yīng)壓力端口 35和40中的壓力。每個(gè)隔膜具有在其中形成且位于隔膜邊緣附近的相應(yīng)壓阻式換能器(參見圖16中的91和92)，從而壓力端口(35或40)中的壓力作用于相應(yīng)隔膜(65或70),使得相應(yīng)換能器產(chǎn)生表不隔膜偏轉(zhuǎn)的信號(hào)。來自于PRT的電信號(hào)由前述ASIC 74中的電路檢測(cè)。隔膜65和70定尺寸、定形和設(shè)置成使得他們功能上和結(jié)構(gòu)上通過環(huán)繞每個(gè)隔膜的芯片60的相對(duì)厚的安裝凸臺(tái)區(qū)域62彼此隔離。安裝凸臺(tái)62相對(duì)于薄隔膜65和70的增加厚度提供至玻璃支座55的機(jī)械上穩(wěn)固的機(jī)械接口和結(jié)合表面。在優(yōu)選實(shí)施例中，支座55和芯片60陽極結(jié)合在一起。當(dāng)如圖8所示從頂部看時(shí),得到的結(jié)構(gòu)看起來為單片娃芯片60，從硅晶片切割。上述凹槽45在圖5的截面中示出且由附圖標(biāo)記45表示，具有大致矩形截面。其優(yōu)選在噴射模制過程期間在底表面25中形成；然而，凹槽可以在殼體的噴射模制之后通過在底表面25中機(jī)加工凹槽45而形成。與形成凹槽45的方法無關(guān)，凹槽45形成為使得其完全環(huán)繞第一端口 35且完全環(huán)繞第二端口 40，或者端口的至少一部分，其中，端口 35和40穿過底部25。換句話說，每個(gè)端口 35和40通過底表面25的出口由一致深度凹槽完全環(huán)繞，其具有矩形或大致矩形截面且在凹穴20的底表面25中形成。圖5還以截面的形式示出了前述玻璃支座55，支座55定尺寸、定形和設(shè)置成松配合在凹槽45內(nèi)。在圖6中可以看出，玻璃支座55具有回憶如圖6所示數(shù)量為8個(gè)的形狀，并完全環(huán)繞第一端口 35且完全環(huán)繞的端口 40，圖6是通過截面線6-6的圖5所示的截面的視圖。再次參考圖5，支座55至少部分嵌入在粘結(jié)劑50材料中，粘結(jié)劑50材料在將支座55放置到凹槽45中之前沉積在凹槽45中。粘結(jié)劑50在未固化狀態(tài)優(yōu)選具有相對(duì)低的粘度，以便其能夠在將支座55放置到凹槽中之前流動(dòng)遍及凹槽45。一旦粘結(jié)劑流動(dòng)遍及凹槽，將支座55放置到凹槽45中就導(dǎo)致在粘結(jié)劑50固化之前支座55至少部分地嵌入在粘結(jié)劑50中。粘結(jié)劑材料50可以在圖5中看到，從凹槽45的底部向上延伸小距離且與支座55的豎直側(cè)壁和凹槽45的豎直側(cè)壁直接接觸。一旦粘結(jié)劑50固化，粘結(jié)劑附連到凹槽的豎直側(cè)壁和支座的豎直側(cè)壁就提供改進(jìn)的結(jié)合，即，提供比圖I和圖2所示的結(jié)構(gòu)可能的更大的剪切強(qiáng)度。
凹槽45的尺寸(即，其寬度、深度)和截面形狀連同沉積在其中的粘結(jié)劑50體積一起被選擇，使得在支座55嵌入到凹槽內(nèi)的粘結(jié)劑中時(shí)，沒有粘結(jié)劑流出凹槽45流到平面頂表面25上。通過在平面底表面25中形成凹槽結(jié)構(gòu)45且僅僅用液體粘結(jié)劑部分填充，支座55可以相對(duì)于端口 35和40精確地定位，而同時(shí)避免粘結(jié)劑溢出，從而形成提高強(qiáng)度的結(jié)合。更重要的是，具有兩個(gè)PRT的單個(gè)芯片60可以安裝到凹槽45中，從而減小得到的設(shè)備10的總體尺寸。圖7是圖5所示的凹穴的俯視圖。如上所述，硅芯片60在將支座55放置到凹槽45和粘結(jié)劑50中之前附連到支座55。圖7示出了具有兩個(gè)隔膜65和70的單個(gè)芯片60比圖I和圖2所示的兩個(gè)獨(dú)立裝置需要更少的空間。圖13和圖14分別是圖3和4的殼體15和凹槽45 (用粘結(jié)劑50部分填充)的截面圖和俯視圖。其示出這些附圖中所示的設(shè)備可以如何組裝。在圖13或圖14中沒有示出芯片或支座。在圖13中，凹槽45部分填充，而圖13還示出了凹槽45中的液體粘結(jié)劑50的深度在整個(gè)凹槽45內(nèi)一致或至少大致一致。圖14示出了凹槽和其中的粘結(jié)劑兩者完全環(huán)繞端口 34和45。 圖15是優(yōu)選雙差壓傳感器的截面圖，示出了將粘性凝膠添加到凹穴中。圖16是圖15所示的PRT芯片60的俯視圖，省去鈍化層以示出電路97。鈍化層常規(guī)地包括二氧化硅或氮化硅，且沉積在芯片60上以保護(hù)在芯片60中形成的電路97。為了清楚起見，圖1-15中省去了圖16中揭示的電路97。當(dāng)殼體15如圖15所示組裝時(shí)，支座55至少部分地嵌入在固化粘結(jié)劑50中，使得在每個(gè)隔膜65和70周圍形成獨(dú)立密封，其中每個(gè)提供相應(yīng)壓阻式換能器91和92(參見圖16)。因而，在減小尺寸的殼體15中提供雙差壓傳感器，其尺寸顯著地減小，同時(shí)減少粘結(jié)劑50流入端口和阻塞端口的風(fēng)險(xiǎn)。在圖16中，兩個(gè)壓阻式換能器91和92 (PRT)位于硅芯片60中形成的相應(yīng)薄隔膜65和70的邊緣附近。虛線方塊67示出了在芯片60下方的支座55的相對(duì)位置。導(dǎo)電電路跡線97在芯片60的表面上形成以將電信號(hào)傳送往返在芯片60和ASIC 74中形成的PRT 91和92。制造過程益處在于，具有兩個(gè)PRT 91和92的單個(gè)PRT芯片60可以將兩個(gè)獨(dú)立PRT芯片的8個(gè)結(jié)合墊減少為6個(gè)結(jié)合墊95，還將單個(gè)PRT芯片的連接線的數(shù)量從8個(gè)減少為6個(gè)。因而，芯片尺寸也可以顯著地減小。圖8至12示出了具有用于芯片安裝和介質(zhì)密封的帶槽結(jié)構(gòu)的單傳感器/單端口壓力傳感器實(shí)施例。圖8是與單個(gè)差壓傳感器一起使用的殼體的截面圖，示出了在組裝支座之前的殼體。單個(gè)端口 35由噴射模制殼體20的凹穴20的底部25中形成的凹槽45完全環(huán)繞。圖9以截面的形式示出了用于精確芯片安裝和介質(zhì)密封的帶槽結(jié)構(gòu)的可選實(shí)施例。圖10是圖9所示的結(jié)構(gòu)的俯視圖。單個(gè)壓力端口 35在噴射模制殼體15中形成且延伸通過凹穴20的底表面25到外表面30。環(huán)繞端口 35的凹槽45的底表面具有在凹槽45中形成的柱狀突起80，其從凹槽45的底部向上朝向凹穴20的底表面25延伸。柱狀突起80有效地提供在粘結(jié)劑添加到凹槽45之后支座55可以安置的平臺(tái)。換句話說，突起80防止粘結(jié)劑50從支座下方擠出且有助于確保一些粘結(jié)劑將剩留在支座底部和凹槽底部之間。除了提供支座55的固定高度安置平臺(tái)之外，突起80還提供粘結(jié)劑50可以粘附的附加豎直表面。因而，突起80改進(jìn)粘結(jié)劑50、支座55和凹槽45的側(cè)壁之間的結(jié)合的剪切強(qiáng)度。在可選實(shí)施例中，柱狀突起80由連續(xù)軌道84取代，在圖10中由凹槽45內(nèi)的虛線示出。軌道84從底表面25向上延伸。其優(yōu)選在凹槽45的底部中對(duì)中且圍繞端口 35延伸，且防止支座55的底部與凹槽45的底部接觸。
圖11是單端口殼體15的可選實(shí)施例的截面圖。圖12是圖11所示的殼體的凹穴內(nèi)的俯視圖。這兩個(gè)圖示出了可以在單個(gè)PRT壓力傳感器或多個(gè)PRT壓力傳感器上使用的凹槽46的可選實(shí)施例。在圖11中可以看出，凹槽46具有梯形截面。梯形截面凹槽在一定程度上是有利的，因?yàn)槌练e在凹槽46中的粘結(jié)劑50的體積由于梯形凹槽46的容積朝向凹穴20的底表面25顯著地增加而不太可能溢流。在優(yōu)選實(shí)施例中，粘結(jié)劑50具有初始液體狀態(tài)，在此期間，粘度在大約O. 3和大約100千泊(ki Iopoi Se )之間。在其固化狀態(tài)，粘結(jié)劑50是大致固體的。凹槽45和46具有選定尺寸以允許支座50在安裝在其中時(shí)具有松配合。換句話說，凹槽的寬度應(yīng)當(dāng)大于支座壁的寬度，以允許支座自由地和容易地插入凹槽中且將其自身至少部分地嵌入在凹槽45或46內(nèi)的粘結(jié)劑中。在優(yōu)選實(shí)施例中，支座由玻璃構(gòu)成。在可選實(shí)施例中，支座由硅構(gòu)成。雖然圖3-8所示的凹槽45具有大致矩形截面形狀，但是圖11所示的凹槽的可選實(shí)施例具有梯形截面形狀46。其它凹槽實(shí)施例可以是半圓形截面或者橢圓形截面，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的那樣。在優(yōu)選實(shí)施例中，包括凹槽45的殼體15由噴射模制塑料形成。在可選實(shí)施例中，殼體15是噴射模制塑料，然而，凹槽45被機(jī)加工。適合于殼體的材料包括熱塑性聚合物或“TPP”。可以支承一個(gè)、兩個(gè)或更多壓阻式換能器91和92的硅芯片60使用陽極結(jié)合、玻璃粉結(jié)合和熔融結(jié)合中的任一種附連到支座。前述描述僅僅是為了說明目的。本發(fā)明的真實(shí)范圍由所附權(quán)利要求闡述。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，包括 殼體，所述殼體具有帶有底表面的凹穴； 端口，所述端口延伸通過所述底表面到殼體的外表面； 凹槽，所述凹槽在所述底表面中形成且環(huán)繞所述端口的在所述端口延伸通過所述底表面處的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，所述殼體是傳感器殼體。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，所述殼體是壓力傳感器殼體。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，還包括在所述凹槽內(nèi)的粘結(jié)劑，從而所述凹槽內(nèi)的粘結(jié)劑環(huán)繞所述端口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，所述粘結(jié)劑具有初始液體狀態(tài)和固化狀態(tài)，所述粘結(jié)劑的未固化液體狀態(tài)具有在大約O. 3和大約100千泊之間的粘度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，還包括支座，所述支座定尺寸、定形和設(shè)置成配合在凹槽內(nèi)且完全環(huán)繞端口，所述支座在凹槽內(nèi)具有松配合且至少部分地嵌入在凹槽內(nèi)的粘結(jié)劑中。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，支座由玻璃和硅中的至少一種形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，所述凹槽具有是矩形和梯形中的至少一種的截面形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，矩形截面凹槽具有一定寬度和底表面，所述底表面具有在凹槽底部上方延伸的突起，所述突起定尺寸、定形和設(shè)置成實(shí)現(xiàn)控制支座和凹槽底部之間的粘結(jié)劑量。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，殼體是噴射模制塑料。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，殼體是噴射模制塑料，且其中凹槽是機(jī)加工凹槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，殼體是熱塑性聚合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，還包括附連到所述支座的壓阻式壓力換能器(PRT)芯片。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其特征在于，所述PRT通過以下中的至少一種附連到支座 陽極結(jié)合； 玻璃粉結(jié)合；和 熔融結(jié)合。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其特征在于，還包括在凹穴內(nèi)且覆蓋PRT芯片的凝膠。
16.一種壓力傳感器，包括 塑料殼體，所述塑料殼體具有帶有由大致平面表面構(gòu)成的底部的凹穴； 壓力端口，所述壓力端口延伸通過所述底表面到殼體的外表面； 凹槽，所述凹槽在所述底表面中形成且在所述壓力端口延伸通過所述底表面處環(huán)繞所述壓力端口； 在所述凹槽內(nèi)的粘結(jié)劑；玻璃支座，所述玻璃支座在所述凹槽內(nèi)且至少部分地嵌入在粘結(jié)劑中；和陽極結(jié)合到所述玻璃支座的壓阻式換能器(PRT)芯片，所述芯片具有響應(yīng)于壓力端口中的壓力的至少一個(gè)壓阻式換能器。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，所述芯片通過以下中的至少一種附連到支座 陽極結(jié)合； 玻璃粉結(jié)合；和 熔融結(jié)合。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，還包括在凹穴內(nèi)且覆蓋PRT芯片的凝膠。
19.一種壓力傳感器，包括 塑料殼體，所述塑料殼體具有帶有由大致平面表面構(gòu)成的底部的凹穴； 第一壓力端口，所述第一壓力端口延伸通過所述底表面到殼體的外表面； 第二壓力端口，所述第二壓力端口延伸通過所述底表面到殼體的外表面； 凹槽，所述凹槽在所述底表面中形成，從而在第一和第二端口延伸通過所述底表面處所述第一端口和第二凹槽由凹槽完全環(huán)繞； 在所述凹槽內(nèi)且部分填充所述凹槽的粘結(jié)劑，從而粘結(jié)劑完全環(huán)繞每個(gè)端口 ； 支座，所述支座在所述凹槽內(nèi)且至少部分地嵌入在粘結(jié)劑中，所述支座完全環(huán)繞第一端口且完全環(huán)繞第二端口，所述支座至少部分地嵌入在粘結(jié)劑中；和 結(jié)合到所述支座的壓阻式換能器(PRT)芯片，所述芯片具有響應(yīng)于第一端口中的壓力的第一 PRT裝置和響應(yīng)于第二端口中的壓力的第二 PRT裝置。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其特征在于，所述粘結(jié)劑具有初始液體狀態(tài)和固化狀態(tài)，所述粘結(jié)劑的未固化液體狀態(tài)具有在大約O. 3和大約100千泊之間的粘度。
全文摘要
在單個(gè)硅芯片中形成的雙壓阻式換能器陽極結(jié)合到支座。兩個(gè)獨(dú)立壓力端口延伸通過塑料殼體。殼體內(nèi)的端口開口由凹槽環(huán)繞，所述凹槽具有接收支座的形狀和尺寸。薄液體粘結(jié)劑沉積到凹槽中且被允許變得水平。支座放置到粘結(jié)劑中且自己嵌入在其中。通過定尺寸凹槽和沉積填充凹槽但是在支座放置在其中時(shí)不溢流的粘結(jié)劑量，避免端口中的粘結(jié)劑溢流。一旦粘結(jié)劑固化，由于粘結(jié)劑相對(duì)于凹槽側(cè)壁和支座側(cè)壁剪切，粘結(jié)劑結(jié)合強(qiáng)度更大。帶槽結(jié)構(gòu)提供精確芯片安裝和介質(zhì)密封的設(shè)備和方法。
文檔編號(hào)G01L9/00GK102844650SQ201180017419
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月29日
發(fā)明者J-H.A.邱, S-H.S.陳 申請(qǐng)人:大陸汽車系統(tǒng)公司