專利名稱：具有多個(gè)行或矩陣形布置的光敏微單元的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有多個(gè)行或矩陣形布置的光敏微單元的裝置。
背景技術(shù)：
硅光電倍增器由探測(cè)器單元或微單元組成，其分別具有雪崩光電二極管(APD)和串聯(lián)電阻。當(dāng)施加饋電電壓時(shí)，通常在截止方向上運(yùn)行的光電二極管在輻射(例如光子)入射時(shí)部分地導(dǎo)通。這種效應(yīng)通過在光電二極管內(nèi)的雪崩效應(yīng)放大。在微單元的輸出端，即在電阻和光電二極管之間的節(jié)點(diǎn)上可測(cè)量并可評(píng)估由于光電二極管的導(dǎo)通造成的電壓下降。由W02006/111883A2已知一種探測(cè)器單元的陣列，其中，每個(gè)探測(cè)器單元被設(shè)計(jì)成雪崩光電二極管。雪崩光電二極管被集成在CMOS工藝中。數(shù)字電路給出了處于靜止?fàn)顟B(tài)的第一數(shù)值和當(dāng)雪崩二極管探測(cè)到光子時(shí)的另一個(gè)其它的數(shù)值。電路在積分時(shí)間段開始時(shí)給出觸發(fā)信號(hào)，作為對(duì)由一個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)值向另一個(gè)的單元傳輸?shù)捻憫?yīng)。由 T.Frach et al., “Digital Silicon Photo Multiplier-Princip Ie ofOperation and Intrinsic Detector Performance，，， IEEE Nuclear Science Symposium,Talk29/05/2009 (“數(shù)字硅光電倍增器-操作原理和本征探測(cè)器性能”，IEEE核科學(xué)討論會(huì)，講座29/05/2009)已知一種完全數(shù)字的硅光電倍增器，其中，雪崩光電二極管被集成在CMOS工藝中。這個(gè)解決方案包括主動(dòng)淬滅和完全數(shù)字的讀取，由于復(fù)雜的生產(chǎn)工藝而具有更高成本的缺點(diǎn)。相對(duì)于模擬的硅光電倍增器，其改善了時(shí)間分辨率，因?yàn)閱蝹€(gè)微單元的電容不互相疊加，并且時(shí)間觸發(fā)器直接在單元級(jí)別被制造。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，提供一種快速和低成本的硅光電倍增器。上述技術(shù)問題通過獨(dú)立權(quán)利要求的特征來解決。在從屬權(quán)利要求中給出了本發(fā)明的改進(jìn)方案和實(shí)施方式。為了直接從微單元獲得并評(píng)估時(shí)間信號(hào)，建議在每個(gè)微單元中集成單獨(dú)的非線性元件。該非線性元件優(yōu)選是有源元件或者雙極型或MOS晶體管。其優(yōu)選是NMOS或PMOS晶體管。這些組件/裝置被用作放大器，其激活共同的觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線。如同在現(xiàn)有技術(shù)中的模擬的硅光電倍增器裝置，通過對(duì)裝置的全部微單元的電流總和的積分評(píng)估能量信號(hào)或電荷信號(hào)。大部分的應(yīng)用使用模擬的SiPM (硅光電倍增器)，并且從全部微單元的相同的總和信號(hào)導(dǎo)出時(shí)間信息信號(hào)和能量信息信號(hào)。這對(duì)于時(shí)間信息不是最佳的配置。首先，對(duì)第一探測(cè)到的光子/光子群/量子群的觸發(fā)是有困難的。另外，時(shí)間觸發(fā)的電子元件(時(shí)間觸發(fā)器)需要比能量信號(hào)的電子元件更高的帶寬，這在功率消耗方面不是最佳的。為所述模擬的硅光電倍增器添加數(shù)字的觸發(fā)導(dǎo)線，由此將時(shí)間信號(hào)與能量信號(hào)或電荷信號(hào)分離。其優(yōu)點(diǎn)在于:1.對(duì)于第一光子的觸發(fā)比在純粹的模擬的光電倍增器中變得更簡(jiǎn)單并更精確。
2.可以用更少的電子元件評(píng)估能量信號(hào)，這導(dǎo)致顯著的更少的電流損耗/功率需求。3.技術(shù)費(fèi)用比完全集成的CMOS工藝更低，生產(chǎn)由此變得更便宜。為了探測(cè)一個(gè)或多個(gè)光子設(shè)置了多個(gè)行或矩陣形布置的光敏微單元，其分別具有在截止方向上施加偏置電壓的、在蓋革模式(Geiger-Modus)中運(yùn)行的雪崩光電二極管，其分別配有放大器，該放大器采集在雪崩光電二極管上的電壓并將輸出信號(hào)傳遞到共同的觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線，用于采集一個(gè)或多個(gè)光子到達(dá)輸入端的時(shí)間點(diǎn)。該雪崩光電二極管的陽極被共同連接到輸出導(dǎo)線，用于分別采集在涉及的微單元(Mi，j)中由于一個(gè)或多個(gè)光子(Pl，Ph2，Pf)入射而移動(dòng)的電荷。由此可以分開地采集進(jìn)入的光子的時(shí)間點(diǎn)和數(shù)量。優(yōu)選地，多個(gè)微單元，特別是微單元矩陣的每行或每列分別配有放大器級(jí)，借助其來劃分觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線，由此可以降低寄生電容效應(yīng)的影響。放大器元件和放大器級(jí)(Ti，l ;Ti ;Ti，2)優(yōu)選是基于一種技術(shù)構(gòu)成的，例如以CMOS、NMOS、PMOS或雙極型技術(shù)，由此降低所述裝置的成本和復(fù)雜度。優(yōu)選地，能夠功能上基本相互獨(dú)立地執(zhí)行對(duì)于由光子造成的電荷移動(dòng)的采集以及對(duì)于光子進(jìn)入的時(shí)間點(diǎn)的采集，由此可以在電路設(shè)計(jì)中提供更大的自由度。


借助于以下的附圖更詳細(xì)的描述本發(fā)明。附圖中:圖1示出了按照現(xiàn)有技術(shù)的硅光電倍增器；圖2示出了具有放大器的硅光電倍增器；圖3示出了基于圖2的具有分級(jí)結(jié)構(gòu)的放大器電子元件的硅光電倍增器；圖4A，4B示出了按照?qǐng)D2或圖3的電路的運(yùn)行的仿真結(jié)果的圖表。在附圖中，相同或功能相似的元件具有相同的附圖標(biāo)記。按組地對(duì)這些附圖做共同描述。
具體實(shí)施例方式圖1示出了能夠作為現(xiàn)有技術(shù)提供的硅光電倍增器F (英文SiliziumPhotomultiplier=SiPM)的電路。矩陣布置了一定數(shù)量的探測(cè)器單元或微單元Mi, j,其具有雪崩光電二極管Di，j (英文Avalanche Photo Diode=APD)和與所述雪崩光電二極管串聯(lián)連接的淬滅電阻(LoscliwuicrslaniJ ) Ri，j，以便構(gòu)成光敏平面F或光電裝置F。在探測(cè)器單元Mi，j的截止方向上施加供電電壓Us，也就是說，正向的供電電壓經(jīng)由淬滅電阻Ri，j與雪崩光電二極管Di，j的陰極連接。該探測(cè)器單元Mi，j在蓋革模式下工作，也就是說，該供電電壓Us是直流電壓(Bias-V0ltage_Bias，工作點(diǎn)/直流電壓點(diǎn))，其略微大于雪崩光電二極管Di，j的擊穿電壓。在探測(cè)到光子Phl的情況下產(chǎn)生的雪崩效應(yīng)首先由于在雪崩光電二極管Di，j上的偏置電壓UDi，j的下降而被中斷，其借助淬滅電阻Ri，j實(shí)現(xiàn)。所述雪崩擊穿的過程發(fā)生的非常快。當(dāng)雪崩光電二極管的電容是100飛法拉(femtoFarad)并且淬滅電阻是100千歐姆時(shí)，雪崩光電二極管Di，j的重置或重新充電在此持續(xù)大約100至200微秒。這特別適合用于單個(gè)的光子計(jì)數(shù)。全部探測(cè)器單元Mi，j彼此電并聯(lián)。如果一個(gè)或多個(gè)微單元Mi，j探測(cè)光子Phl，則在雪崩光電二極管Di，j中觸發(fā)觸發(fā)電子，由此觸發(fā)雪崩效應(yīng)。由此通過升高的單元電流Ii，j和由此在各個(gè)淬滅電阻Ri，j上上升的電壓降，在雪崩光電二極管Di，j上的偏置電壓Ui，j這樣強(qiáng)烈下降，使得該雪崩光電二極管淬滅，也就是再次被截止。在各個(gè)雪崩光電二極管Di，j的陽極的基點(diǎn)的共同接頭A能夠測(cè)量在各個(gè)微單元Mi，j中流動(dòng)的全部的單元電流Ii, j的總電流I，通過其能夠確定在雪崩光電二極管Di，j中由光子Phi觸發(fā)的電荷雪崩。為此，該共同接頭或輸出端A被設(shè)置成例如經(jīng)由測(cè)量或負(fù)載電阻Rl與接地地線相連。雖然單獨(dú)的/單個(gè)的探測(cè)器單元Mi，j純數(shù)字地運(yùn)行，但是整體的硅光電倍增器由于微單元Mi，j的相互并聯(lián)連接而以模擬的模式工作。按照?qǐng)D1所示的實(shí)施方式示出了模擬的硅光電倍增器(英文SiliziumPhotomultiplier=SiPM),在其輸出端A提供能量和時(shí)間信息。在用于評(píng)估閃爍事件的PET探測(cè)器內(nèi)的(PET=英文Positron emission tomography,正電子發(fā)射斷層掃描)娃光電倍增器(SiPM) F的應(yīng)用中，必須對(duì)兩個(gè)不同的信號(hào)進(jìn)行評(píng)估:a)時(shí)間信息，也就是說，特別是對(duì)第一光子Phl的探測(cè)；以及b)能量(幅值信息)，也就是說，入射的光子Phl、Ph2的數(shù)量。對(duì)這兩個(gè)信號(hào)的要求是不同的。時(shí)間信息需要快速的電子元件和高的帶寬，而能量信息通過對(duì)該信號(hào)的積分進(jìn)行評(píng)估，其不需要高的帶寬。在圖1中，在輸出端A從相同的信號(hào)源獲取時(shí)間信息和能量信息。這對(duì)于時(shí)間信息不是最佳的配置。首先，對(duì)第一探測(cè)的光子Phl/第一探測(cè)的光子群Phl、Ph2的觸發(fā)是有困難的。另外，時(shí)間觸發(fā)的電子元件(時(shí)間觸發(fā)器)需要比能量信號(hào)的電子元件更高的帶寬，這不對(duì)應(yīng)功率消耗的最佳設(shè)置。圖2示出了基于圖1擴(kuò)展的硅光電倍增器裝置。為根據(jù)圖1的每個(gè)微單元Mi，j配備放大器兀件Ti, j,其中，全部的放大器兀件Ti, j優(yōu)選是以一種技術(shù)構(gòu)成的,例如以CMOS、NMOS、PMOS或雙極型技術(shù)。放大器元件Vi，j的高電阻的輸入端Bi，j與在淬滅電阻Ri，j和雪崩光電二極管Di，j的截止接頭之間的節(jié)點(diǎn)相連，并且采集在雪崩光電二極管Di，j上降落的偏置電壓UDi, jo供電電壓Up經(jīng)由共同的上拉電阻(Pull-up-Widerstand) RTrig通過觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG供應(yīng)給各個(gè)放大器元件Vi，j，優(yōu)選是分別通過被設(shè)計(jì)為MOS晶體管的放大器元件Vi, j的漏極接頭Di，j。以此能夠在觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG上提供全部相連的微單元的狀態(tài)的或-連接(“Wired-OR”，線路-或)。各個(gè)放大器元件Vi，j的“源極”輸出端Si，j與接地地線相連。另外，各個(gè)雪崩光電二極管Di，j的陽極的基點(diǎn)與輸出端A連接。由此將流經(jīng)各個(gè)雪崩光電二極管Di，j的電流Ii，j疊加成總電流I。為了測(cè)量該總電流I，將輸出端A經(jīng)由測(cè)量或負(fù)載電阻Rl與接地地線連接，由此能夠間接通過在負(fù)載電阻Rl上的電壓降UA確定總電流I。只要放電器元件Vi，j由于光子入射到光電雪崩二極管Di，j而變得至少部分的導(dǎo)通，則在觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG上的觸發(fā)電壓UTrig下降(“Lower Level”，低電平)，以下對(duì)其做更詳細(xì)的描述。觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG的速度主要是由寄生的電容性負(fù)載確定，其正比于與該觸發(fā)導(dǎo)線TRIG相連的微單元Mi，j的數(shù)量。對(duì)于大的傳感器布置，為了降低觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG的寄生的電容性負(fù)載，使用了如圖3詳細(xì)示出的具有彼此退耦的觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIGi的分級(jí)的觸發(fā)器方案。圖3示出了基于圖2的硅光電倍增器裝置F，其中，為每一個(gè)微單元行Mi，l ;Mi，2 ；…；Mi，η設(shè)置一個(gè)觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIGi。行i的放大器元件Vi，j (漏極)經(jīng)由各自的放大器級(jí)Ti，l ;Ti，2 ;Ti，再經(jīng)由為全部行1，…i，…，m共同分配的觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG，再經(jīng)由共同的上拉電阻RTrig提供供電電壓Up。放大器級(jí)Ti，l;Ti，2;Ti具有三個(gè)優(yōu)選是被設(shè)計(jì)成MOS晶體管的放大器組件Ti，I ;Ti，2;Ti。兩個(gè)放大器組件Ti，I ;Ti，2構(gòu)成了電流鏡像電路，其中，第三放大器組件Ti在所述兩個(gè)放大器組件Ti，I ;Ti，2的共同的源極支路上進(jìn)行電流輸入，其取決于控制電流IBias。第一鏡像組件Ti，I的基極分別地與用于供應(yīng)各自的放大器元件Mi，1，…，Mi，j，…，Mi，η·的觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIGi連接，并且按需求的通過第一鏡像組件Ti，I的漏極供電，其經(jīng)由上拉電阻RTrigi與饋電電壓US連接。第二鏡像晶體管Ti，2的漏極與共同的觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG連接，其經(jīng)由共同的上拉電阻RTrig與(偏置)饋電電壓Up連接。觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIGi的基礎(chǔ)電壓電平可以通過閾值電壓UThr調(diào)節(jié)，其被共同的施加在第二鏡像組件Ti，2的各自的基極上?；趫D3的電路功能上如同基于圖2的電路那樣工作，其中，該附加的具有電流鏡像電路和電流輸入的放大器元件通過將觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG分割成單獨(dú)的觸發(fā)導(dǎo)線TRIGi并退稱，降低了觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG的寄生電容。通常地，典型是將矩陣布置F的行Ml，l，…，Ml，n或列Ml，l，…，Mm，I的全部微單元與放大器級(jí)Ti，I ；Ti,2 ；Ti 連接。圖3所示的電路優(yōu)選是對(duì)于全部的放大器級(jí)僅使用NMOS晶體管和電阻，也就是說，與已經(jīng)在微單元Mi，j中所使用的相同的元件/裝置。以這種方式，也可以將該級(jí)巨型地集成，而不提高技術(shù)的復(fù)雜性。所述放大器電路的其它實(shí)施方式僅具有CMOS晶體管或雙極型晶體管或完全的CMOS工藝，其以圖3中給出的相似的方式構(gòu)成。在探測(cè)到光子時(shí)產(chǎn)生的雪崩效應(yīng)首先由于在雪崩光電二極管Di，j上的偏置電壓UDi，j的下降被中斷，這是借助淬滅電阻Ri，j實(shí)現(xiàn)的。在雪崩光電二極管Di，j的電容是100飛法拉并且淬滅電阻Ri，j是100千歐姆時(shí)，雪崩光電二極管Di，j的重置或重新充電在此持續(xù)大約100至200微秒。這特別適合用于單個(gè)的光子計(jì)數(shù)。圖4A和圖4B示出了基于圖2或圖3的通過SPICE程序執(zhí)行的對(duì)于在光電裝置F的共同的觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG和共同的輸出端A上的電壓值的一般的仿真，其使用了由存在的模擬的硅光電倍增器裝置使用的并且基于0.5微米CMOS工藝的電路參數(shù)。在該示例中，基于圖2和圖3的觸發(fā)導(dǎo)線TRIG的寄生電容效應(yīng)對(duì)測(cè)量曲線的影響并不可見。假設(shè)由光子Phl在時(shí)間點(diǎn)tl=lns (納秒)擊中微單元Mi，j,由此觸發(fā)相應(yīng)的電子雪崩。通過對(duì)電流I或負(fù)載電阻Rl上的電壓UA的積分可以確定由涉及的雪崩光電二極管Di，j傳輸?shù)碾姾闪縌。在圖4中示出了在使用不同的負(fù)載電阻Rl=I歐姆(方形)、20歐姆(菱形)、50歐姆(三角形)和100歐姆(倒三角行)時(shí)，在不同的負(fù)載電阻Rl上測(cè)量/仿真的電壓UA所屬的測(cè)量曲線。從t=lns至延時(shí)結(jié)束并在Ri，j-C_Di, j時(shí)間常數(shù)(C_Di，j=光電雪崩二極管Di，j的電容)衰減之后的在各個(gè)曲線下方的面積正比于傳輸?shù)碾姾闪縌l0信號(hào)電壓UA的上升時(shí)間分別是大約2ns。另外，在R=20歐姆時(shí)的測(cè)量曲線(雙菱形)中示出了另外的光子Ph2在時(shí)間點(diǎn)t=5ns可選地入射到另外的光電雪崩二極管Dx，y的影響。由另外的光電雪崩二極管Dx，y傳輸另外的電荷量Q2，由此通過上述積分得到總電荷量 Qges=Ql+Q2。圖4B中的仿真曲線示出了取決于時(shí)間t的觸發(fā)導(dǎo)線TRIG的觸發(fā)電壓/觸發(fā)信號(hào)UTrig。該觸發(fā)信號(hào)UTrig示出了在第一光子Phl入射之后的明顯的分級(jí)，具有大約0.2ns的上升時(shí)間或下降時(shí)間和大約0.5V的電壓降。該曲線形狀UTrig基本上與涉及的雪崩光電二極管Di，j傳輸?shù)碾姾闪縌以及負(fù)載電阻Rl無關(guān)。該分級(jí)可以被簡(jiǎn)單地用于以高的時(shí)間分辨率觸發(fā)第一光子Phl。在涉及的光電雪崩二極管的>100ns的延時(shí)結(jié)束后(不能在當(dāng)前標(biāo)尺下顯示)，再次被調(diào)整到開始的大約3.3的電壓值?？蛇x地，在圖4B的測(cè)量曲線(雙菱形)中示出了，至少一個(gè)另外的光子Ph2在時(shí)間點(diǎn)t=5ns入射到另外的雪崩光電二極管Dl，2的影響。其出現(xiàn)了具有大約0.2ns的分級(jí)持續(xù)時(shí)間的大約0.5V的另外的電壓降。相應(yīng)地，另外的光子Phi也能擊中另外的雪崩光電二極管Dxi，yi，其精確的入射時(shí)間點(diǎn)能夠由測(cè)量曲線讀取。基于從圖4B所確定的入射時(shí)間點(diǎn)tl，t2，…和從圖4B的總電荷量Qges能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)事件的突出的推斷，例如用于評(píng)估在硅光電倍增器F之前連接的閃爍器晶體內(nèi)的閃爍事件。由此能夠區(qū)分具有高量子能量的一個(gè)射線量子直接入射到閃爍器晶體與具有較低能量的多個(gè)射線量子的康普頓事件(Compton-Ereigni sse)。從圖4A，4B的測(cè)量曲線中可以看出，模擬信號(hào)UA以大約2ns甚至更慢的上升時(shí)間進(jìn)行響應(yīng)，此處大約是具有大約0.2ns的上升時(shí)間/下降時(shí)間的數(shù)字的觸發(fā)信號(hào)UTrig的10倍，但是該模擬信號(hào)是適合于評(píng)估總能量的。對(duì)電荷量Q采集的持續(xù)時(shí)間由于對(duì)電流的關(guān)于時(shí)間的積分而基本上與雪崩光電二極管的延時(shí)相應(yīng)。數(shù)字的觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線TRIG不受添加用于評(píng)估被傳輸?shù)碾姾蒕ges的外部的負(fù)載電阻Rl的干擾，并且模擬的電荷信號(hào)UA不受數(shù)字的觸發(fā)導(dǎo)線TRIG的干擾。`
權(quán)利要求
1.一種具有多個(gè)優(yōu)選的行或矩陣形布置的光敏微單元(Mi，j)用于采集一個(gè)或多個(gè)光子(Phl，Ph2，Phi)的裝置，所述光敏微單元分別具有可在截止方向施加偏置電壓的可在蓋革模式下運(yùn)行的雪崩光電二極管(Di，j，APD)、與該雪崩光電二極管串聯(lián)連接的淬滅電阻(Ri, j)以及放大器元件(Vi，j)，所述放大器元件的輸入端位于所述雪崩光電二極管(Di，j)和所述淬滅電阻(Ri，j)之間的各自的節(jié)點(diǎn)上并且其各自的輸出信號(hào)(Di，j, UTrig)與其它微單元(Mi，j)的放大器元件(Vi，j)的輸出信號(hào)(Di，j, UTrig)被合并成或-連接的(WIRED-OR)的信號(hào)導(dǎo)線(TRIG)，用于采集/評(píng)估一個(gè)或多個(gè)光子(Phi，Ph2，Phi)擊中一個(gè)或多個(gè)不同的微單元(Mi，j)的時(shí)間點(diǎn)(tl)或時(shí)間點(diǎn)(tl，t2)，其中，各個(gè)微單元(Mi，j)的雪崩光電二極管(Di，j)的陽極被共同連接到一條輸出導(dǎo)線(A)，用于分別采集在涉及的微單元(Mi，j)中由于一個(gè)或多個(gè)光子(Pl，Ph2，Ph)入射而生成的電荷(Q，Ql, Q2)。
2.按照上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，觸發(fā)導(dǎo)線或信號(hào)導(dǎo)線(TRIG)被分割成多段(TRIGi)，其經(jīng)過放大器級(jí)(Ti，I ；Ti ； Ti, 2)被合并成整體的觸發(fā)信號(hào)(TRIG)。
3.按照上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，為多個(gè)微單元(Mi，j)，優(yōu)選是為微單元(Mi，j)矩陣的每行(i)或每列(j)分別配備放大器級(jí)(Ti，l ;Ti ;Ti，2)，其將信號(hào)導(dǎo)線(TRIG)劃分成多個(gè)子信號(hào)導(dǎo)線(TRIGi )，每多個(gè)微單元(Mi，j )具有一個(gè)子信號(hào)導(dǎo)線(TRIGi)，用于退耦電容和/或降低寄生電容的影響。
4.按照上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，放大器元件(Vi，j)和放大器級(jí)(Ti，I ；Ti ;Ti，2)是基于一種技術(shù)構(gòu)成的，例如以CM0S、NM0S、PM0S或雙極型技術(shù)。
5.按照上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，對(duì)電荷(Q)的采集和對(duì)時(shí)間點(diǎn)(tl)或時(shí)間點(diǎn)(tl, t2)的采集是功能上基本相互獨(dú)立進(jìn)行的。
全文摘要
光電傳感器矩陣(F)的每個(gè)微單元(Mi，j)包括在雪崩光電二極管(Di，j)上連接的放大器元件(Vi，j)，以便直接由微單元獲取并評(píng)估時(shí)間信號(hào)(t)。所述放大器元件(Vi，j)被用作放大器，其激活共同的觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)線(TRIG)。與此無關(guān)的，通過雪崩光電二極管(Di，j)的電流(I)對(duì)時(shí)間(t)的積分獲得電荷信號(hào)(Q)。
文檔編號(hào)G01T1/24GK103154774SQ201180050100
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月1日
發(fā)明者D.漢斯勒, M.希恩勒 申請(qǐng)人:美國西門子醫(yī)療解決公司