專利名稱：用于確定光學(xué)系統(tǒng)中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法和布置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法和布置。
背景技術(shù)：
微光刻技術(shù)用于制造微結(jié)構(gòu)化的組件，例如集成電路或IXD。在具有照明系統(tǒng)和投射物鏡的所謂投射曝光設(shè)備中實(shí)現(xiàn)微光刻工藝。在該情況下，利用投射物鏡，將利用照明系統(tǒng)照明的掩模(=掩模母版(reticle))的像投射至涂布有光敏層(光刻膠(photoresist))且布置在投射物鏡的像平面中的基底(例如硅晶片)上，以將掩模結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印至基底上的光敏涂層上。由于缺少合適的透明折射材料(translucent refractive material)可供使用，在設(shè)計(jì)用于EUV范圍(也就是說(shuō)，在例如約13nm或約7nm的波長(zhǎng))的投射物鏡中，使用反射鏡(miiTor)作為光學(xué)組件用于成像過(guò)程。實(shí)際中出現(xiàn)的問(wèn)題是:由于對(duì)EUV光源發(fā)射的輻射的吸收，以及由于在氫氣中的清洗，EUV反射鏡經(jīng)歷溫度的上升以及與此關(guān)聯(lián)的熱膨脹或變形，并且這種膨脹或變形繼而可導(dǎo)致光學(xué)系統(tǒng)的成像性質(zhì)的惡化。為了能夠評(píng)定這些效應(yīng)，以及可能地補(bǔ)償它們，需要盡可能精確地確定反射鏡發(fā)熱的程度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法和布置，其基本不損害光學(xué)系統(tǒng)的操作，并允許發(fā)熱狀況的可靠特征化。通過(guò)根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求1的特征的方法和根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求19的特征的布置來(lái)實(shí)現(xiàn)該目的?！N確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法，其中該反射鏡為EUV反射鏡，該方法包含以下步驟:-將至少一個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至反射鏡上；-測(cè)定(ascertain)由輸入測(cè)量光束在與反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)；以及-基于所述光學(xué)參數(shù)確定反射鏡的發(fā)熱狀況。
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在EUV投射物鏡中并在其操作期間直接進(jìn)行以非接觸方式通過(guò)分析輸出測(cè)量光束而實(shí)現(xiàn)的確定溫度變化的操作，該輸出測(cè)量光束由輸入測(cè)量光束在與反射鏡相互作用之后產(chǎn)生，其中，依賴于涉及的相應(yīng)實(shí)際結(jié)構(gòu)，如下文中所更詳細(xì)描述的，可利用光纖來(lái)提供以及傳遞走測(cè)量光。因而，在投射物鏡的典型抽真空的殼體中不需要附加的電子裝置，以及沒(méi)有雜散光被引入光學(xué)系統(tǒng)中。本方法尤其可利用測(cè)量布置來(lái)實(shí)現(xiàn)，該測(cè)量布置以分離模塊的形式與投射物鏡相連。在實(shí)施例中，測(cè)定至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定依賴于反射鏡材料的折射率的至少一個(gè)值。在該情況下，根據(jù)本發(fā)明，可以利用以下事實(shí):典型地存在于EUV反射鏡的反射鏡材料中的低膨脹系數(shù)涉及折射率的相對(duì)顯著的溫度依賴性，其繼而使得可以以相對(duì)大的精度從對(duì)折射率的變化的測(cè)量來(lái)推斷反射鏡溫度的變化(如下文所更全面描述的)。在實(shí)施例中，測(cè)定至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定光程長(zhǎng)度變化。在實(shí)施例中，測(cè)定至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定預(yù)定波長(zhǎng)處的反射率。在另一實(shí)施例中，測(cè)定至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定輸出測(cè)量光束相對(duì)于輸入測(cè)量光束的光束偏轉(zhuǎn)。在另一實(shí)施例中，測(cè)定至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定輸出測(cè)量光束的波長(zhǎng)。在實(shí)施例中，多個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至反射鏡上。這些輸入測(cè)量光束尤其可以相對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)的光軸的不同方位角偏轉(zhuǎn)至反射鏡上，以獲得關(guān)于反射鏡的溫度分布以及還可能關(guān)于與特定照明設(shè)定關(guān)聯(lián)的發(fā)熱效應(yīng)的任何對(duì)稱性的信息。在實(shí)施例中，輸出測(cè)量光束由輸入測(cè)量光束穿過(guò)反射鏡至少一次來(lái)產(chǎn)生。本發(fā)明也涉及一種確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法，其中，該方法包含以下步驟:
-將至少一個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至反射鏡上；-測(cè)定由輸入測(cè)量光束在與反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)；以及-基于所述光學(xué)參數(shù)確定反射鏡的發(fā)熱狀況，-其中，輸入測(cè)量光束通過(guò)反射鏡的反射表面和反射鏡后側(cè)之間的區(qū)域至少一次。反射鏡包含基底和反射表面。因而，輸入測(cè)量光束穿過(guò)基底(對(duì)應(yīng)于反射鏡的反射表面和反射鏡后側(cè)之間的區(qū)域)至少一次。尤其是，輸入測(cè)量光束可穿過(guò)基底至少一次，而未在反射鏡的(EUV)反射表面處反射。尤其是，輸出測(cè)量光束可由輸入測(cè)量光束多次穿過(guò)反射鏡(或相應(yīng)地為反射鏡基底)來(lái)產(chǎn)生，由此，可以實(shí)現(xiàn)測(cè)量部分的長(zhǎng)度的增加，以及因此獲得測(cè)量精度的提高。在實(shí)施例中，輸出測(cè)量光束可由輸入測(cè)量光束在布置于反射鏡處的光學(xué)兀件處的反射來(lái)產(chǎn)生。該光學(xué)元件可具有至少一個(gè)DBR (DBR= “分布式布喇格反射體”)。此外，該光學(xué)元件還可為表面發(fā)射激光器(VCSEL)。本發(fā)明還涉及一種確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法，其中，該方法包含以下步驟:-將至少一個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至反射鏡上；-測(cè)定由輸入測(cè)量光束在與反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)；以及-基于所述光學(xué)參數(shù)確定反射鏡的發(fā)熱狀況，
-其中，輸出測(cè)量光束由輸入測(cè)量光束在布置于反射鏡處的光學(xué)兀件處的反射來(lái)產(chǎn)生，其中該光學(xué)元件具有至少一個(gè)DBR。尤其是，反射鏡包含基底和反射表面，其中可將至少一個(gè)DBR提供在反射鏡的基底上。本發(fā)明還涉及一種確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法，其中，該方法包含以下步驟:-將至少一個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至反射鏡上；-測(cè)定由輸入測(cè)量光束在與反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)；以及-基于所述光學(xué)參數(shù)確定反射鏡的發(fā)熱狀況，-其中，輸出測(cè)量光束由輸入測(cè)量光束在布置于反射鏡處的光學(xué)兀件處的反射來(lái)產(chǎn)生，其中該光學(xué)元件為表面發(fā)射激光器(VCSEL)。尤其是，反射鏡包含基底和反射表面，其中可將VCSEL提供在反射鏡的基底上。本發(fā)明還包含如下實(shí)施例，其中輸入測(cè)量光束(來(lái)自光源)穿過(guò)反射鏡基底，以到達(dá)DBR或VCSEL，和/或以(從DBR或VCSEL)到達(dá)檢測(cè)器。在另一方面，本發(fā)明涉及一種用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的布置，其中，反射鏡為EUV反射鏡，所述布置包含:-測(cè)量光源單元，用于產(chǎn)生至少一個(gè)輸入測(cè)量光束；-檢測(cè)器單元，用于測(cè)定至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的光學(xué)參數(shù)，該輸出測(cè)量光束由輸入測(cè)量光束在與反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生；以及-評(píng)估單元，用于基于所述參數(shù)確定反射鏡的發(fā)熱狀況。在實(shí)施例中，測(cè)量光源單元具有多個(gè)測(cè)量光源。此外，檢測(cè)器單元可具有多個(gè)檢測(cè)器。尤其是，多個(gè)測(cè)量光源和/或多個(gè)檢測(cè)器可以相對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)的光軸的不同方位角布置在反射鏡的周圍。在實(shí)施例中，多個(gè)測(cè)量光源和/或多個(gè)檢測(cè)器以矩陣方式布置。在另一方面，本發(fā)明還涉及一種用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的布置，所述布置包含:-測(cè)量光源單元，用于產(chǎn)生至少一個(gè)輸入測(cè)量光束；-檢測(cè)器單元，用于測(cè)定至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的光學(xué)參數(shù)，該輸出測(cè)量光束由輸入測(cè)量光束在與反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生；以及-評(píng)估單元，用于基于所述參數(shù)確定反射鏡的發(fā)熱狀況；-其中輸入測(cè)量光束穿過(guò)反射鏡的反射表面 和反射鏡后側(cè)之間的區(qū)域至少一次。在另一方面，本發(fā)明還涉及一種用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的布置，所述布置包含:-測(cè)量光源單元，用于產(chǎn)生至少一個(gè)輸入測(cè)量光束；-檢測(cè)器單元，用于測(cè)定至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的光學(xué)參數(shù)，該輸出測(cè)量光束由輸入測(cè)量光束在與反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生；以及-評(píng)估單元，用于基于所述參數(shù)確定反射鏡的發(fā)熱狀況；-其中，反射鏡包含基底和反射表面，以及其中至少一個(gè)DBR被提供在基底上。
在另一方面，本發(fā)明還涉及一種用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的布置，所述布置包含:-測(cè)量光源單元，用于產(chǎn)生至少一個(gè)輸入測(cè)量光束；-檢測(cè)器單元，用于測(cè)定至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的光學(xué)參數(shù)，該輸出測(cè)量光束由輸入測(cè)量光束在與反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生；以及-評(píng)估單元，用于基于所述參數(shù)確定反射鏡的發(fā)熱狀況；-其中反射鏡包含基底和反射表面，以及其中至少一個(gè)表面發(fā)射激光器(VCSEL)被提供在基底上。在說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求中闡明了本發(fā)明的進(jìn)一步構(gòu)造。

下文利用在附圖中作為示例示出的實(shí)施例，更詳細(xì)地描述了本發(fā)明。


圖中:圖1示出了說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的測(cè)量布置的示圖；圖2示出了說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的測(cè)量布置的另一實(shí)施例的示圖；圖3a_g示出了關(guān)于反射鏡的、根據(jù)本發(fā)明而實(shí)現(xiàn)的溫度調(diào)整或調(diào)節(jié)(regulation)的可能實(shí)施例的示圖；圖4-7示出了說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的測(cè)量布置的其它實(shí)施例的示圖。
具體實(shí)施例方式下面，參考圖1至3來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中干涉測(cè)量地(如相關(guān)積分測(cè)量)進(jìn)行對(duì)溫度引起的折射率變化的非接觸測(cè)量。圖1中通過(guò)示例示出了用于反射鏡101處的溫度測(cè)量的測(cè)量布置100。參考圖1，由激光光源(未示出)產(chǎn)生的線性偏振的激光光束105耦合進(jìn)測(cè)量布置100,并首先入射到偏振中性(polarisation-neutral)或偏振無(wú)關(guān)的分束器110。本發(fā)明不限于此，例如涉及幾個(gè)微米(μ m)的波長(zhǎng)的紅外激光器可用作測(cè)量光源。激光光束105耦合進(jìn)測(cè)量布置100,使得入射至分束器110上的光的偏振方向相對(duì)于由入射光束、透射光束和反射光束限定的平面成45°的角度，因此作為結(jié)果，反射和透射光束就其對(duì)耦合進(jìn)的光的總強(qiáng)度的比例而言是相同的。由分束器110透射的光穿過(guò)待測(cè)量的反射鏡101，在偏轉(zhuǎn)棱鏡120處被反射，且在再次穿過(guò)反射鏡101之后，穿過(guò)λ /4波片125，該λ /4波片將基本上為線性偏振的光(由于偏轉(zhuǎn)棱鏡120的可忽略的偏振影響)轉(zhuǎn)變?yōu)閳A偏振光。在此以及在以下的實(shí)施例中(以及如從圖中可獲悉的)，反射鏡101包含基底和反射表面。基底例如可由材料制成，即可包含材料或由材料構(gòu)成，所述材料具有零交叉溫度(過(guò)零溫度(zero-crossingtemperature)),即溫度依賴性的熱膨脹系數(shù)(=熱膨脹的系數(shù))，該材料例如為ze_rodu1-Kor ULE 。如從圖1可獲悉的，輸入測(cè)量光束至少一次穿過(guò)反射鏡的基底，而未在反射鏡101的反射表面(圖1中的反射鏡的上表面，其為凹的)處反射。換句話說(shuō)，輸入測(cè)量光束至少一次(在特定實(shí)施例中為兩次)穿過(guò)反射鏡101的反射表面和反射鏡101的后側(cè)(圖1中的反射鏡的下表面)之間的區(qū)域。偏振分束器130和140用于測(cè)量此后分別由分束器110透射及反射的成分。在第二偏振分束器140的下游，由分束器110透射的成分的偏振方向分別具有0°和90°的角度，利用光電二極管150和170分別測(cè)量關(guān)聯(lián)的光成分。在第一偏振分束器130的下游,在分束器110中反射的成分的偏振方向分別具有180°和270°的角度,利用光電二極管180和160分別測(cè)量關(guān)聯(lián)的光成分。因而，利用圖1的測(cè)量布置實(shí)現(xiàn)了四個(gè)推拉(push-pull)信號(hào)的相對(duì)干擾不敏感的評(píng)估。此外，圖1采用的測(cè)量布置提供在測(cè)量布置100的相同側(cè)耦合進(jìn)和耦合出的測(cè)量(激光)光束，因此提供了光穿過(guò)反射鏡材料兩次，導(dǎo)致測(cè)量精度增加。實(shí)際上，在光學(xué)系統(tǒng)的光源已經(jīng)開(kāi)始運(yùn)轉(zhuǎn)或開(kāi)啟之后，利用絕對(duì)溫度傳感器確定開(kāi)始溫度或開(kāi)啟溫度(例如1^=221^ ),并通過(guò)在開(kāi)始時(shí)設(shè)零的計(jì)數(shù)器(counter)將開(kāi)啟溫度用作參考溫度，然后對(duì)干涉測(cè)量中被測(cè)量的反射鏡101發(fā)熱時(shí)出現(xiàn)的干涉條紋進(jìn)行計(jì)數(shù)。這樣，可通過(guò)等式⑴來(lái)測(cè)定反射鏡溫度的變化，例如精度程度在毫開(kāi)爾文(mK)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)的分辨程度例如為0.4mK。利用測(cè)量布置干涉測(cè)量地確定的光程長(zhǎng)度差OPD和導(dǎo)致光程長(zhǎng)度差OPD的溫度變化之間關(guān)系由下式給出:OPD ( δ ) =dn/d δ * Δ δ *L (I)其中δ表示溫度(單位為開(kāi)爾文，K)，dn/dS表示折射率的溫度依賴性變化(單位為1/K)，以及L表示測(cè)量距離。對(duì)于所使用的各個(gè)反射鏡材料，dn/dS的值是已知的，例如在具有低熱膨脹程度的玻璃的情況下，dn/d δ >10*10-6ro根據(jù)本發(fā)明確定溫度的變化，可直接在EUV投射物鏡中以及在其運(yùn)轉(zhuǎn)期間實(shí)現(xiàn)，為了該目的，例如測(cè)量光可通 過(guò)光纖來(lái)提供以及移走，由此測(cè)量布置可以分離模塊的形式與投射物鏡連接。該構(gòu)造具有的優(yōu)點(diǎn)是在投射物鏡的典型抽真空殼體中不需要附加的電子裝置，以及也沒(méi)有雜散光被引入光學(xué)系統(tǒng)中。應(yīng)意識(shí)到，參考圖1描述的測(cè)量布置僅作為示例，并且也可能使用其他合適的測(cè)量布置。原則上，根據(jù)本發(fā)明的測(cè)量布置可根據(jù)所謂的零差方法(homodyne method)(即利用相同頻率的信號(hào)的疊加，如下所述)來(lái)操作，也可根據(jù)所謂的外差方法(heterodynemethod)(即利用不同頻率的信號(hào)的疊加)來(lái)操作。作為最后提及的原理的示例，也可使用在不同頻率的兩個(gè)激光器模式，只要通過(guò)應(yīng)用外部磁場(chǎng)在共振腔中實(shí)現(xiàn)塞曼分裂(Zeemansplitting)使得產(chǎn)生兩個(gè)不同的偏振成分(分別具有右旋和左旋圓偏振)即可，該偏振成分繼而可通過(guò)偏振分離器(polarisation divider)來(lái)得到評(píng)估。參考圖2，可將根據(jù)本發(fā)明的測(cè)量布置實(shí)現(xiàn)為使得多個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至反射鏡201上，其中測(cè)量光束分別以相互不同的方位角耦合進(jìn)和耦合出。在圖2的實(shí)施例中，圍繞俯視圖中示出的反射鏡201布置了四個(gè)如參考圖1描述的測(cè)量布置，在圓周方向上各自互相偏移90°，其中，基于圖1的結(jié)構(gòu)，對(duì)于這些測(cè)量布置的每一個(gè)，這里示出了光電二極管250-253和偏轉(zhuǎn)棱鏡220-223的相應(yīng)對(duì)。在各個(gè)情況中，可以根據(jù)特定要求可變地選擇測(cè)量布置的數(shù)目和方位角取向。例如，在另一實(shí)施例中，也可以圍繞待測(cè)量的反射鏡201以圓周方向上的方位角偏移關(guān)系設(shè)置具有參考圖1描述的結(jié)構(gòu)的八個(gè)測(cè)量布置。在該情況下，在上述對(duì)不同方位角的路徑長(zhǎng)度變化的評(píng)估期間，可推導(dǎo)出溫度的相應(yīng)變化以及與溫度變化有關(guān)的軸向方向上(關(guān)于系統(tǒng)的光軸)的變形。因而，可以以此方式來(lái)測(cè)定反射鏡的變形產(chǎn)生何種像差，該反射鏡的變形涉及例如由給定的照明設(shè)定引起的溫度變化。一旦已經(jīng)確定了反射鏡101或201的發(fā)熱狀況，就可開(kāi)始合適的校正措施。參考圖3，下文示出了使用外部加熱或冷卻裝置可如何實(shí)現(xiàn)這些，以補(bǔ)償或均勻化出現(xiàn)的像差。傳統(tǒng)上，這例如通過(guò)向光束路徑中附加引入特定變形的光學(xué)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)。參考圖3，下文描述了一替代方法(其中可以省略這種附加的變形的光學(xué)元件)。該方法基于以下事實(shí):在通常使用的氣體環(huán)境(例如氪、氬等)中進(jìn)行熱量傳輸時(shí)占主導(dǎo)地位的效應(yīng)是熱傳導(dǎo)。為了該目的，圖3中示出的結(jié)構(gòu)包括在(例如水_)冷卻底板320上的珀耳帖(Peltier)元件310a…的矩陣式布置310。冷卻底板320用于考慮珀耳帖元件310a…的有限溫度范圍，其中可將珀耳帖元件310a…設(shè)定或保持在給定的溫度。典型地，不同的溫度范圍大約為60-80°C。通過(guò)冷卻底板320，可對(duì)該溫度范圍預(yù)定合適的偏置，以允許溫度降低至例如10°C或20°C。與珀耳帖元件310a…關(guān)聯(lián)的是測(cè)量傳感器330，其在示出的實(shí)施例中位于陶瓷基底325上，并直接測(cè)量溫度，相應(yīng)的珀耳帖元件310a…將該溫度傳入反射鏡301中。合適的冷卻孔或加熱孔可布置在反射鏡的后側(cè)，其防止珀耳帖元件310a…彼此接觸以及防止在它們之間出現(xiàn)不想要的“串?dāng)_”。通過(guò)圖3中示出的結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)溫度調(diào)節(jié)，并且例如由給定照明設(shè)定導(dǎo)致的反射鏡301的溫度變化可得到補(bǔ)償(因此例如不需要將特定變形的透射元件引入至光束路徑中)。盡管圖3中的結(jié)構(gòu)可有利地與反射鏡的溫度變化的特性化組合(參考圖1和2在上文中描述)，以便例如以 此方式基于測(cè)定的溫度變化來(lái)執(zhí)行溫度的調(diào)節(jié)，但是本發(fā)明不限于此。因此，在另一實(shí)施例中，也可獨(dú)立于溫度變化的測(cè)量而使用圖3的結(jié)構(gòu)或?qū)⑵渥鳛楠?dú)立的單元使用，以便例如依賴于相應(yīng)照明設(shè)定來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)反射鏡301的溫度的特定目的的影響，并因此實(shí)現(xiàn)反射鏡301的溫度變化的均勻化或反射鏡301的成像特性的優(yōu)化。如圖3d (以橫截面)和圖3e (以俯視圖)所示，冷卻或加熱孔或珀耳帖元件31(^..的布置和數(shù)量可依據(jù)為了實(shí)現(xiàn)盡可能均勻的溫度分布所涉及的相應(yīng)特定要求而變化，同時(shí)圖3f (以截面)和圖3g(以俯視圖)示出了例如冷卻和加熱孔或珀耳帖元件在反射鏡后側(cè)上的同心布置。參考圖4等，下文描述了本發(fā)明的實(shí)施例，其中待測(cè)量的在反射鏡上連續(xù)設(shè)定的折射率或折射率梯度的變化被用于確定反射鏡的發(fā)熱狀況。為了示出測(cè)量原理，圖4首先示出了凹反射鏡形式的待測(cè)量的反射鏡401，光405從EUV光源(未示出)入射于其上，使得反射鏡401發(fā)熱。反射鏡401可在其后側(cè)上冷卻。因此，從光入射表面401a (其發(fā)熱最強(qiáng))至反射鏡后側(cè)401b，存在折射率梯度?，F(xiàn)在，如圖4所示，來(lái)自激光二極管410的光束411在橫向于EUV光405的傳播方向(即坐標(biāo)系統(tǒng)中的Z方向)的方向(即X方向)上穿過(guò)反射鏡401而偏轉(zhuǎn)至位置檢測(cè)器420 (例如以CCD相機(jī)或CD陣列的形式)。亦可使用任何其他合適的光源來(lái)代替激光二極管410，其中優(yōu)選的是單色的，以避免折射率的波長(zhǎng)依賴性的影響，并且選擇波長(zhǎng)使得反射鏡401的材料是充分透明的。如從圖4可獲知的，輸入測(cè)量光束穿過(guò)反射鏡基底至少一次，而未在反射鏡401的反射表面(其為凹的，圖4中的上表面)上反射。換句話說(shuō)，輸入測(cè)量光束穿過(guò)反射鏡401的反射表面和反射鏡后側(cè)401b之間的區(qū)域至少一次。垂直于由反射鏡401的發(fā)熱狀況產(chǎn)生的折射率梯度穿過(guò)反射鏡401的光束411由于光束橫截面上的折射率梯度而“看到(see)”不同的折射率。尤其是以圖形表示時(shí)，光束411的左手邊(其直徑可在例如l_5mm的范圍內(nèi)，且本發(fā)明不限于此)比光束411的右手邊經(jīng)歷更高或更低的折射率，這在光束411的橫截面上導(dǎo)致不同的傳播速度并因此導(dǎo)致光束411的偏轉(zhuǎn)。因此，在待測(cè)量的反射鏡401上連續(xù)設(shè)置的折射率梯度轉(zhuǎn)變?yōu)楣馐?11的位置變化，其可通過(guò)位置檢測(cè)器420來(lái)測(cè)量。應(yīng)意識(shí)到，關(guān)于光束411穿過(guò)反射鏡410的構(gòu)造，本發(fā)明不限于圖4示出的幾何形狀。參考圖4所描述的測(cè)量原理的運(yùn)作所必需的僅是，折射率梯度在垂直于光束411的傳播方向的方向上具有分量，使得因此提供波前的彎曲并因此提供光束411的束偏轉(zhuǎn)。在另一實(shí)施例中，也可由反射鏡401偏轉(zhuǎn)多個(gè)光束，只要激光二極管的相應(yīng)布置(線性、矩陣形式或任何其他的)被沿著反射鏡布置(例如彼此的間隔為幾毫米)，以及利用合適的位置檢測(cè)器布置(例如四象限光電二極管或其他的形式，尤其是矩陣形式檢測(cè)器布置)來(lái)測(cè)定位置變化即可。因此，在另一些實(shí)施例中，也可由反射鏡401在不同的光束角度偏轉(zhuǎn)多個(gè)光束，由此還尤其可考慮反射鏡401的彎曲的光學(xué)有效表面的構(gòu)造(在示例中為凹的)以及反射鏡的溫度變化分別在X方向和I方向上的與此有關(guān)的變化。也可以圍繞反射鏡401在圓周方向上以方位角偏移的關(guān)系布置多個(gè)光源或激光二極管410，以提供關(guān)于反射鏡401的溫度分布以及與給定照明設(shè)定結(jié)合的發(fā)熱的任意對(duì)稱性的信息。這樣，可以考慮或測(cè)量反射鏡401的非均勻發(fā)熱效應(yīng)，其與給定照明設(shè)定的使用相關(guān)?？赏ㄟ^(guò)在不同角度布置多個(gè)光源或激光二極管410或者還通過(guò)在反射鏡401上的反射性反射鏡側(cè)表面的合適構(gòu)造來(lái)實(shí)現(xiàn)多個(gè)光束以不同光束角度穿過(guò)反射鏡401的通路。在另一實(shí)施例中，也可通過(guò)利用合適的涂層(例如鋁)而具有反射特性的相應(yīng)反射鏡側(cè)表面來(lái)增加測(cè)量部·分的長(zhǎng)度，使得這提供結(jié)果(resulting)光束偏振的增加并因此提供測(cè)量精度的增加。當(dāng)僅使用一個(gè)測(cè)量部分或激光二極管時(shí)，如圖4所示，若其布置在光入射表面410a的直接鄰近處(例如具有小于2mm的間距)或與其相切(tangentially)時(shí)，則可以是有利的，因?yàn)橐蕾囉诜瓷溏R401的相應(yīng)構(gòu)造(尤其是當(dāng)其由高導(dǎo)熱性的材料制成時(shí))，要利用的折射率梯度可以在該區(qū)域中特別顯著。如圖4所示實(shí)現(xiàn)的確定折射率變化的操作亦可直接在EUV投射物鏡中實(shí)現(xiàn)，以及也可直接在EUV物鏡的操作期間實(shí)現(xiàn)，為此目的，例如可通過(guò)光纖來(lái)提供和轉(zhuǎn)移走測(cè)量光。該設(shè)計(jì)構(gòu)造具有的優(yōu)點(diǎn)是，在投射物鏡的典型抽真空的客體中不需要附加的電子裝置，并且也沒(méi)有雜散光被弓I入光學(xué)系統(tǒng)中。在上述測(cè)量程序之前，可執(zhí)行校準(zhǔn)(calibration)操作，在該校準(zhǔn)期間，測(cè)定光束411的位置變化和反射鏡401的溫度變化之間的關(guān)系，用于溫度變化的預(yù)定和特定設(shè)定的值。盡管使用凹反射鏡401的示例來(lái)描述了參考圖4所述的測(cè)量原理，但本發(fā)明不限于此。因此，例如，反射鏡也可為凸彎曲的或平面的。尤其是，例如當(dāng)在反射鏡的后側(cè)上進(jìn)行主動(dòng)冷卻時(shí)，在所有的反射鏡材料內(nèi)提供測(cè)量程序所需的折射率梯度，使得光束410也可以在離光學(xué)有效表面401a的更大間距處穿過(guò)，且該光學(xué)有效表面401a的曲率不再起重要作用。然而，即使在大致于反射鏡材料內(nèi)的幾個(gè)毫米的距離上并因此僅在光學(xué)有效表面401a的直接鄰近處產(chǎn)生折射率梯度的情況中，如前所述，穿過(guò)反射鏡401的光束411的構(gòu)造也可以不同的光束角度來(lái)實(shí)現(xiàn)，并因此可適配于光學(xué)有效表面401a的彎曲。根據(jù)另一些實(shí)施例，為了通過(guò)圖4的測(cè)量裝置來(lái)抑制干涉測(cè)量噪聲，以及增加測(cè)量精度，可以采用鎖定(lock-1n)過(guò)程。這樣，可以考慮以下事實(shí):在投射曝光設(shè)備的操作期間，典型地以脈沖方式進(jìn)行照明，其中設(shè)計(jì)用于EUV的投射曝光設(shè)備中的典型頻率可在IOkHz附近，使得在一些情況下，在反射鏡材料中，溫度梯度也可以對(duì)應(yīng)頻率再次建立和減低。參考圖5至7，下文描述本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例，其基于半導(dǎo)體層的折射率隨著溫度的變化。這些半導(dǎo)體層可為所謂的DBR(= “分布布喇格反射體”)形式。DBR具有高折射率和低折射材料(例如AlGaAs和GaAs半導(dǎo)體)的交替布置，其使得在例如利用I μ m波長(zhǎng)的光的照射時(shí)，光的一部分在每個(gè)第二分界面處被反射回去。如圖5所示，將這樣的DBR 610施加至待測(cè)量的反射鏡610 (包含基底和反射表面)，實(shí)踐中，這在反射鏡601的光學(xué)未使用區(qū)域中實(shí)現(xiàn)。尤其是，DBR 610可施加至反射鏡601的反射鏡基底。例如可通過(guò)銀傳導(dǎo)粘合劑或銦實(shí)現(xiàn)接觸，以在反射鏡601和DBR 610之間的過(guò)渡處實(shí)現(xiàn)盡可能低的阻抗。作為與反射鏡601接觸的結(jié)果，DBR 610保持在反射鏡601的溫度。波長(zhǎng)優(yōu)選為在紅外范圍內(nèi)(例如在λ ^lym)的光源620 (例如激光二極管)將測(cè)量光偏轉(zhuǎn)到DBR 610上，并且合適的檢測(cè)器630 (例如CXD相機(jī))測(cè)量在DBR 610處偏轉(zhuǎn)的光。本發(fā)明也包含如下實(shí)施例:其中來(lái)自光源620的輸入測(cè)量光束穿過(guò)反射鏡基底以到達(dá)DBR 610和/或以(從DBR 610)到達(dá)檢測(cè)器630。使用紅外光尤其合適，因?yàn)樵诩t外范圍內(nèi)溫度對(duì)反射率曲線的影響明顯比例如EUV光大。與上述實(shí)施例的測(cè)量布置相似，圖5的測(cè)量布置600具有以完全非接觸的方式實(shí)現(xiàn)測(cè)量的優(yōu)點(diǎn)。

如圖5所示，作為將DBR 610安裝至待測(cè)量的反射鏡601的結(jié)果，反射鏡601的溫度變化導(dǎo)致反射譜的移動(dòng)，因?yàn)檎凵渎?、帶隙以及DBR 610的層厚度(作為熱膨脹的結(jié)果)由于溫度的變化而變化。反射鏡601的溫度變化因此可從涉及反射鏡601的溫度變化的DBR 610的反射率的變化來(lái)推導(dǎo)。根據(jù)參考圖6和7描述的另一測(cè)量原理，光學(xué)元件710也可安裝在待測(cè)量的反射鏡701 (包含基底和反射表面)上，其中兩個(gè)DBR組合在具有激光有源區(qū)的元件710中，以產(chǎn)生表面發(fā)射激光器(VCSEL)。尤其是，光學(xué)元件710可施加在反射鏡701的反射鏡基底上。光必須被反射至兩個(gè)DBR之間以及從兩個(gè)DBR之間反射，以激活激光有源區(qū)。在溫度變化時(shí)，DBR的反射能力變化，此外還發(fā)生DBR之間的激光活有源區(qū)的熱膨脹，使得溫度的變化涉及表面發(fā)射激光器(VCSEL)的基本發(fā)射模式的變化，繼而如圖6所示利用光譜儀730確定該變化。換句話說(shuō)，反射鏡701的溫度變化最終導(dǎo)致表面發(fā)射激光器(VCSEL)所發(fā)射的光的波長(zhǎng)的位移，其中依賴于反射鏡701的溫度的該位移典型地可在0.2-0.3nm/K的范圍內(nèi)。在該情況下，例如根據(jù)本發(fā)明合適的表面發(fā)射激光器(VCSEL)基于AlGaAs和GaAs半導(dǎo)體，其可具有在SOOnm和IlOOnm之間的范圍內(nèi)的發(fā)射波長(zhǎng)。本發(fā)明還包含如下實(shí)施例:其中來(lái)自光源720的輸入測(cè)量光束穿過(guò)反射鏡基底以到達(dá)光學(xué)元件710和/或以到達(dá)(從光學(xué)元件710)光譜儀730。
在另一些實(shí)施例中，也可使用量子級(jí)聯(lián)激光器來(lái)代替VCSEL，該量子級(jí)聯(lián)激光器可通過(guò)微波(通過(guò)使用微波源，而不是光源710)來(lái)激發(fā)。因?yàn)槔蒙衔闹袇⒖紙D6描述的測(cè)量原理而使用的、表面發(fā)射激光器的發(fā)射波長(zhǎng)的變化，還出現(xiàn)在反射鏡溫度輕微變化(例如僅0.01K)的情況中，所以對(duì)溫度分辨率的限制因素最終是光譜儀730的波長(zhǎng)分辨率。在該方面，可用的標(biāo)準(zhǔn)光譜儀已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)
0.3-0.5K范圍內(nèi)的溫度分辨率。例如，高達(dá)0.05-0.1K的更高級(jí)別的溫度分辨率是可能的，例如當(dāng)使用傅里葉變換光譜儀時(shí)，該傅里葉變換光譜儀允許低于0.1nm的范圍的波長(zhǎng)分辨率級(jí)別(典型地在0.035mm和1.5 μ m之間))。關(guān)于在圖5和圖6的測(cè)量布置中使用的測(cè)量光源620或720的工作波長(zhǎng)，在參考圖6所描述的方法的情況下，它們優(yōu)選在反射率曲線的中心附近，使得關(guān)于激光有源區(qū)實(shí)現(xiàn)盡可能顯著的效應(yīng)(其中，溫度的變化尤其導(dǎo)致帶隙的變化和激光有源區(qū)的熱膨脹)。相反，在上文參考圖5所描述的方法的情況下，優(yōu)選選用在反射譜R(X)的邊緣的區(qū)域中的工作波長(zhǎng)，使得溫度變化對(duì)DBR 610的反射率的影響盡可能大或達(dá)到其最大值。圖7以示例方式示出了特定測(cè)量布置，其中以表面發(fā)射激光器形式的、安裝在待測(cè)量的反射鏡801上的光學(xué)元件810被光學(xué)地泵浦，由此避免了至表面發(fā)射激光器的電饋線，且使非接觸測(cè)量變得可能。為了該目的，如圖7所示，具有玻璃纖維連接的、商業(yè)上可得的激光二極管820用作泵浦源，其中將與表面發(fā)射激光器的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)選擇作為激光二極管820的波長(zhǎng)。在該情況下，泵浦光在能量方面應(yīng)高于激光發(fā)射且在DBR的阻帶之外。通過(guò)玻璃纖維805和分束器830，以及UHV兼容的玻璃纖維傳輸裝置840將激光二極管820的光傳遞到投射曝光設(shè)備的投射物鏡的真空室中。在那里，可經(jīng)過(guò)UHV兼容的玻璃纖維將光進(jìn)一步傳遞至投射物鏡的一個(gè)或多個(gè)反射鏡801的相應(yīng)測(cè)量點(diǎn)。在玻璃纖維末端的合適準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)(未不出)將光聚焦在反射鏡801的表面發(fā)射激光器810上,并再次將由表面發(fā)射激光器810發(fā)出的光耦合進(jìn)玻璃纖維805。準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)可具有這樣的設(shè)計(jì)構(gòu)造，使得表面發(fā)射激光器810或VCSEL芯片具有0.5*0.5mm2的尺寸。發(fā)射的光通過(guò)玻璃纖維805傳回至分束器830，并從那里通過(guò)邊緣濾波器(edge fiIter)(其衰減泵浦波長(zhǎng))而耦合進(jìn)檢測(cè)器860。在圖7的結(jié)構(gòu)中采用的，將泵浦光耦合進(jìn)和耦合出表面發(fā)射激光器810，并還將由表面發(fā)射激光器810發(fā)射的光耦合進(jìn)同一玻璃纖維805，具有不需要附加的玻璃纖維的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，與例如在反射鏡表面的旁邊或平行于反射鏡表面的方向上的光學(xué)泵浦(其原則上也是可以的)相比，還可以防止將不期望的雜散光引入到光學(xué)系統(tǒng)中。分別使用的組件(DBR或VCSEL)關(guān)于待測(cè)量反射鏡的熱接觸在參考圖5_7所描述的實(shí)施例中都分別是必需的，但是在其他方面，所討論的組件(DBR或VCSEL)的“交流(interrogation)”是非接觸方式。與上述實(shí)施例類似,也可使用多個(gè)相應(yīng)使用的組件(DBR或VCSEL)，其繼而例如可以矩陣式布置來(lái)實(shí)現(xiàn)。即使參考特定實(shí)施例而已描述了本發(fā)明，但是例如通過(guò)單獨(dú)實(shí)施例的特征的組合和/或交換，大量變型和替代實(shí)施例對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言仍將是顯而易見(jiàn)的。因而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)意識(shí)到，本發(fā)明也包含這種變型和替代實(shí)施例，且本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求及其等同方式來(lái)限 制。
權(quán)利要求
1.一種確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法，其中所述反射鏡為EUV反射鏡，以及其中所述方法包含以下步驟: a)將至少一個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)上； b)測(cè)定由所述輸入測(cè)量光束在與所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的相互作用之后產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)；以及 c)基于所述光學(xué)參數(shù)確定所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的所述發(fā)熱狀況。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:在步驟b)中，測(cè)定所述至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定依賴于所述反射鏡材料的折射率的至少一個(gè)值。
3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于:在步驟b)中，所述測(cè)定所述至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定光程長(zhǎng)度變化。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:在步驟b)中，所述測(cè)定所述至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定預(yù)定波長(zhǎng)處的反射率。
5.如前述權(quán)利要求任 一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:在步驟b)中，所述測(cè)定所述至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定所述輸出測(cè)量光束相對(duì)于所述輸入測(cè)量光束的光束偏轉(zhuǎn)。
6.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:在步驟b)中，所述測(cè)定所述至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)的操作包含測(cè)定所述輸出測(cè)量光束的波長(zhǎng)。
7.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:步驟a)包含將多個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)上。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于:以相對(duì)于所述光學(xué)系統(tǒng)的光軸的不同方位角，將所述輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)上。
9.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:所述輸出測(cè)量光束由所述輸入測(cè)量光束穿過(guò)所述反射鏡(101、201、401)至少一次而產(chǎn)生。
10.一種確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法，其中，所述方法包含以下步驟: a)將至少一個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)上； b)測(cè)定由所述輸入測(cè)量光束在與所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的相互作用之后產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)；以及 c)基于所述光學(xué)參數(shù)確定所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的所述發(fā)熱狀況； 其中，所述輸入測(cè)量光束穿過(guò)所述反射鏡(101、201、401)的反射表面和反射鏡后側(cè)之間的區(qū)域至少一次。
11.如權(quán)利要求9或權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于:所述輸出測(cè)量光束由所述輸入測(cè)量光束多次穿過(guò)所述反射鏡(101、201、401)而產(chǎn)生。
12.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:所述輸出測(cè)量光束由所述輸入測(cè)量光束在布置于所述反射鏡(601、701、801)處的光學(xué)元件(601、701、801)處的反射而產(chǎn)生。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于:所述反射鏡(601、701、801)具有至少一個(gè) DBR。
14.一種確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法，其中，所述方法包含以下步驟:a)將至少一個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)上； b)測(cè)定由所述輸入測(cè)量光束在與所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的相互作用之后產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)；以及 c)基于所述光學(xué)參數(shù)確定所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的所述發(fā)熱狀況； 其中，所述輸出測(cè)量光束由所述輸入測(cè)量光束在布置于所述反射鏡(601、701、801)處的光學(xué)元件(601、701、801)處的反射而產(chǎn)生，其中所述光學(xué)元件(601、701、801)具有至少一個(gè) DBR。
15.如權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:所述光學(xué)元件(701、801)為表面發(fā)射激光器(VCSEL)。
16.一種確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的方法，其中，所述方法包含以下步驟: a)將至少一個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)上； b)測(cè)定由所述輸入測(cè)量光束在與所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的相互作用之后產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)；以及 c)基于所述光學(xué)參數(shù)確定所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的所述發(fā)熱狀況； 其中，所述輸出測(cè)量光束由所述輸入測(cè)量光束在布置于所述反射鏡(601、701、801)處的光學(xué)元件(601、701、801)處的反射而產(chǎn)生，其中所述光學(xué)元件(701、801)為表面發(fā)射激光器(VCSEL)。
17.如前述權(quán)利要求任 一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:在步驟b)中，測(cè)定所述光學(xué)參數(shù)的步驟以干涉測(cè)量的方式實(shí)現(xiàn)。
18.如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于:在所述微光刻投射曝光設(shè)備的操作期間，進(jìn)行步驟a)、b)和/或C)。
19.一種用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的布置，其中，所述反射鏡為EUV反射鏡，所述布置包含: 測(cè)量光源單元，用于產(chǎn)生至少一個(gè)輸入測(cè)量光束； 檢測(cè)器單元，用于測(cè)定至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的光學(xué)參數(shù)，該輸出測(cè)量光束由所述輸入測(cè)量光束在與所述反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生；以及 評(píng)估單元，用于基于所述參數(shù)確定所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的所述發(fā)熱狀況。
20.如權(quán)利要求19所述的布置，其特征在于:所述測(cè)量光源單元具有多個(gè)測(cè)量光源。
21.如權(quán)利要求19或權(quán)利要求20所述的布置，其特征在于:所述檢測(cè)器單元具有多個(gè)檢測(cè)器。
22.如權(quán)利要求20或權(quán)利要求21所述的布置，其特征在于:多個(gè)測(cè)量光源和/或多個(gè)檢測(cè)器以相對(duì)于所述光學(xué)系統(tǒng)的光軸的不同方位角布置在所述反射鏡周圍。
23.如權(quán)利要求20至22中任一項(xiàng)所述的布置，其特征在于:多個(gè)測(cè)量光源和/或多個(gè)檢測(cè)器以矩陣方式布置。
24.如權(quán)利要求19至23中任一項(xiàng)所述的布置，其特征在于:所述布置構(gòu)造為執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項(xiàng)所述的方法。
25.一種用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的布置，其中，所述布置包含: 測(cè)量光源單元，用于產(chǎn)生至少一個(gè)輸入測(cè)量光束； 檢測(cè)器單元，用于測(cè)定至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的光學(xué)參數(shù)，該輸出測(cè)量光束由所述輸入測(cè)量光束在與所述反射鏡的相互作用之后產(chǎn)生；以及 評(píng)估單元，用于基于所述參數(shù)確定所述反射鏡(101、201、401、601、701、801)的所述發(fā)熱狀況； 其中，所述輸入測(cè)量光束穿過(guò)所述反射鏡(101、201、401)的反射表面和反射鏡后側(cè)之間的區(qū)域至少一次。
26.一種用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的布置，其中，所述布置包含: 測(cè)量光源單元，用于產(chǎn)生至少一個(gè)輸入測(cè)量光束； 檢測(cè)器單元，用于測(cè)定至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的光學(xué)參數(shù)，該輸出測(cè)量光束由所述輸入測(cè)量光束在與所述反射鏡的相互作用之后而產(chǎn)生；以及 評(píng)估單元，用于基于所述參數(shù)確定所述反射鏡(601、701、801)的所述發(fā)熱狀況； 其中，所述反射鏡(601、701、801)包含基底和反射表面，以及其中，在所述基底上提供至少一個(gè)DBR。
27.一種用于確定光學(xué)系統(tǒng)中，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡的發(fā)熱狀況的布置，其中，所述布置包含: 測(cè)量光源單元，用于產(chǎn)生至少一個(gè)輸入測(cè)量光束； 檢測(cè)器單元，用于測(cè)定至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的光學(xué)參數(shù)，該輸出測(cè)量光束由所述輸入測(cè)量光束在與所述反射鏡的相互作用之后而產(chǎn)生；以及 評(píng)估單元，用于基于所述參數(shù)確定所述反射鏡(701、801)的所述發(fā)熱狀況； 其中，所述反射鏡(701、801)包含基底和反射表面，以及其中，所述基底上提供至少一個(gè)表面發(fā)射激光器(VCSEL)。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于確定在光學(xué)系統(tǒng)，尤其是微光刻投射曝光設(shè)備中的反射鏡(101、201、401、601、701、801)的發(fā)熱狀況的方法和布置。在實(shí)施例中，反射鏡為EUV反射鏡，以及根據(jù)本發(fā)明的方法包含以下步驟將至少一個(gè)輸入測(cè)量光束偏轉(zhuǎn)至反射鏡(101、201、401、601、701、801)上；測(cè)定由輸入測(cè)量光束在與反射鏡(101、201、401、601、701、801)的相互作用之后產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出測(cè)量光束的至少一個(gè)光學(xué)參數(shù)；以及基于所述參數(shù)確定反射鏡(101、201、401、601、701、801)的發(fā)熱狀況。
文檔編號(hào)G01M11/00GK103250101SQ201180056581
公開(kāi)日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者P.沃格特, M.赫爾曼, O.迪爾, A.G.馬喬 申請(qǐng)人:卡爾蔡司Smt有限責(zé)任公司