專(zhuān)利名稱(chēng)：用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
此發(fā)明是在電力專(zhuān)業(yè)內(nèi)以動(dòng)力半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)，可以當(dāng)成可控硅閥組TCR、TSC、 異步電機(jī)軟啟動(dòng)及其它設(shè)備的等效電流源和電壓源使用，并對(duì)其進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
背景技術(shù)：
眾所周知用于可控娃閥組TCR和TSC的實(shí)驗(yàn)檢測(cè)(Baoliang Sheng, Senior Member, IEEE ；Marcio Oliveira, Member, IEEE;Hans_01a Bjarme,“Synthetic Test Circuits for the Operational Tests of TCR and TSC Thyristor Valves，，·-IEEE-PES T&D Conference, Chicago, Illinois, USA, April 21-22，2008)，(見(jiàn)圖 Fig. I 和 Fig. 3)，它包括了用于連接被檢測(cè)閥組(Vtl+/Vtl_)的接地母線和等電位母線；電壓振蕩回路(Cs，LI 和 Va3/Va4);電流回路(G/Lg, Ls, Val+/Val_, Arrester h Shunt banks);沖擊回路(Imp. Gen);直流電壓源(DC Source);第一組電容器C2和其它。此實(shí)驗(yàn)臺(tái)在以下情況有很大的不足及缺點(diǎn)。當(dāng)被檢測(cè)可控硅閥組Vtl+/Vtl_為T(mén)CR 或TSC型由驅(qū)動(dòng)板驅(qū)動(dòng)可控硅，并且驅(qū)動(dòng)板由可控硅上得到電壓，那么它就無(wú)法去閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。直流電壓源(DC Source)必需是高電壓(達(dá)到80kV)。在對(duì)TCR型閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)，第一組電容器C2也是在高壓狀態(tài)，充電的可控硅閥組Va2上有雙倍電壓。在對(duì)TSC型閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)，電壓振蕩回路上的第二組電容器Cs上面要有TSC四倍以上的容量，而此時(shí)電抗器LI上就必需是沖擊時(shí)的容量。實(shí)驗(yàn)臺(tái)也無(wú)法在過(guò)載情況下對(duì)TCR進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，比如補(bǔ)償電抗器一半短路。同樣的也無(wú)法對(duì)單方向形式構(gòu)成的可控硅閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。除此之外，它還缺少最普通的一個(gè)功能，即在正弦曲線特性下進(jìn)行高電壓的實(shí)驗(yàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站，擴(kuò)大了實(shí)驗(yàn)臺(tái)的功能，簡(jiǎn)化了所需要的設(shè)備，同時(shí)大大提高了可控硅閥組檢測(cè)實(shí)驗(yàn)的安全運(yùn)行。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站，包括用于連接被檢測(cè)閥組的接地母線和等電位母線；整流環(huán)節(jié)；通過(guò)第一個(gè)和第二個(gè)輸出端分別與等電位母線和整流環(huán)節(jié)輸出端連接的電壓振蕩回路；雙極性直流電壓源；零極與接地母線相連，正負(fù)極分別與整流環(huán)節(jié)相對(duì)應(yīng)連接的雙極性電容器；連接在等電位母線和接地母線之間的電流回路。這里電壓振蕩回路包括第一個(gè)可控硅閥組，第一個(gè)電抗器和第二組電容器，第二組電容器的第一個(gè)輸出端與串聯(lián)的第一個(gè)電抗器和第一個(gè)可控娃閥組相連，這個(gè)閥組與電壓振蕩回路的第一個(gè)輸出端相連接，并且第二組電容器的第二個(gè)輸出端與電壓振蕩回路的第二個(gè)輸出端相連接。 導(dǎo)通由可控硅閥組和電抗器組成的回路，這個(gè)回路由第二個(gè)電抗器，可控硅閥組和可操作開(kāi)關(guān)串聯(lián)而成。此回路或者是連接在電壓振蕩回路中第二組電容器的第一個(gè)輸出端與接地母線之間，或者是與電壓振蕩回路中的第一個(gè)可控硅閥組并聯(lián)。在專(zhuān)利中所提到的可控硅閥組與電抗器組成的回路，是通過(guò)可操作開(kāi)關(guān)并聯(lián)在電壓振蕩回路里的，保證在正常工作和事故過(guò)載情況下對(duì)TCR型閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。把可控硅閥組與電抗器組成的回路連接在電壓振蕩回路第二組電容器的第一個(gè)輸出端和接地母線之間是為了做下面的實(shí)驗(yàn)對(duì)TSC型閥組在工作和事故狀態(tài)條件下進(jìn)行驅(qū)動(dòng)板滿(mǎn)功率寬范圍的實(shí)驗(yàn)；在工作和過(guò)載狀態(tài)下閥組的不對(duì)稱(chēng)控制實(shí)驗(yàn)；任何一個(gè)閥組在正弦曲線特性下的高電壓實(shí)驗(yàn)以及其它。并且在此時(shí)沖擊回路中的原器件電源和電容器都是在低壓側(cè)。


圖I為用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站的電氣原理圖，本文中的敘述以此原理圖為基礎(chǔ)。圖2，圖3和圖4為申請(qǐng)專(zhuān)利實(shí)驗(yàn)站的時(shí)序圖，即實(shí)際工作原理。
具體實(shí)施例方式用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站，(見(jiàn)圖I)包括接地母線I ;等電位母線2 ;被檢測(cè)可控硅閥組3 ;直流電壓源4 ;第一組電容器5 ;電壓振蕩回路6 ;整流環(huán)節(jié)7 ;電流回路8 ;沖擊回路9 ;分布電容回路10 ;第一個(gè)保護(hù)電抗器11 ;第二個(gè)保護(hù)電抗器12,控制系統(tǒng)13 ;變壓器14 ;第一個(gè)電流互感器15 ;第二個(gè)電流互感器16。被檢測(cè)可控硅閥組3是由正反并聯(lián)可控硅構(gòu)成的，正方向可控硅閥組為17，反方向可控硅閥組為18，并且正方向可控硅閥組 17的控制輸入和反方向可控硅閥組18的控制輸入與控制被檢測(cè)可控硅閥組3的輸入信號(hào)正方向3+和反方向3-是相對(duì)應(yīng)的。直流電壓源4在輸出端有正極PV，負(fù)極NV和零極MV， 它包括了第一個(gè)二極管閥組19，第二個(gè)二極管閥組20和第一個(gè)自耦變壓器21。這個(gè)自耦變壓器21的一次側(cè)繞組電壓為vN(t)，二次繞組的第一個(gè)輸出端與陽(yáng)一陰形式構(gòu)成的第一個(gè)二極管閥組19和正極PV相連，并且通過(guò)陰一陽(yáng)形式構(gòu)成的第二個(gè)二極管閥組20和負(fù)極NV相連，第一個(gè)自耦變壓器21 二次側(cè)繞組的第二個(gè)輸出端與零極MV相連。第一組電容器5有正極PV，負(fù)極NV和零極MV，包括了兩個(gè)單元分別為22和23。第一個(gè)單元22的第一個(gè)輸出端和第二個(gè)單元23的第二個(gè)輸出端的連接保證與正極PV和負(fù)極NV相對(duì)應(yīng)，第一個(gè)單元22的第二個(gè)輸出端和第二個(gè)單元23的第一個(gè)輸出端與零極MV相連接。電壓振蕩回路6中串聯(lián)有第二組電容器24，第一個(gè)電抗器25和第一個(gè)可控硅閥組 26，第一個(gè)可控硅閥組26為正反并聯(lián)形式，正方向可控硅為27，反方向可控硅為28，正方向的控制信號(hào)為6+，反方向的控制信號(hào)為6_，通過(guò)這些信號(hào)去電壓振蕩回路6進(jìn)行控制。整流環(huán)節(jié)7有輸出0UT，正極PV和負(fù)極NV，它包括了第二個(gè)可控硅閥組29和第三個(gè)可控硅閥組30，并且每個(gè)可控硅閥組都是由正方向可控硅31和反方向二極管32并聯(lián)形式構(gòu)成的，可控硅31的陽(yáng)極和二極管32的陰極為29 (或30)第一個(gè)輸出端，可控硅31的陰極和二極管 32的陽(yáng)極為整流環(huán)節(jié)7中閥組29 (或30)的第二個(gè)輸出端；整流環(huán)節(jié)7的輸出OUT與第二個(gè)可控硅閥組29的第二個(gè)輸出端和第三個(gè)可控硅閥組30的第一個(gè)輸出端相連接，整流環(huán)節(jié)7的正極PV和負(fù)極NV與第二個(gè)可控硅閥組29的第一個(gè)輸出端和第三個(gè)可控硅閥組30 的第二個(gè)輸出端相連接，第二個(gè)可控硅閥組29上可控硅31的控制輸入和第三個(gè)可控硅閥組30上可控硅的控制輸入構(gòu)成了整流環(huán)節(jié)7的正方向7+和反方向7-的控制信號(hào)。電流回路8串聯(lián)有交流電壓源，這個(gè)交流電壓源為變壓器33 ;限流電抗器34 ;第四個(gè)可控硅閥組35，這個(gè)可控硅閥組是正反并聯(lián)形式可控硅構(gòu)成的，正方向可控硅為36，反方向可控硅為37 ;輔助可控硅閥組38，它同樣是正反并聯(lián)形式可控硅構(gòu)成的，正方向可控硅為39，反方向可控硅為40 ;變壓器33的一次繞組連接著開(kāi)關(guān)41，電壓為vN(t);輔助可控硅閥組38與在變壓器33的二次繞組側(cè)串聯(lián)的限流電抗器34連接；第四個(gè)可控硅閥組35 上正方向36的控制輸入和反方向37的控制輸入與電流回路中的控制輸入正方向8+和反方向8-相一致；輔助可控娃閥組38正方向39上的控制輸入和反方向40的控制輸入與電流回路8中的正方向8d和反方向8b相對(duì)應(yīng)。沖擊回路9串聯(lián)有沖擊電容器42，沖擊電抗器43和第五個(gè)可控硅閥組44。沖擊回路9中包括第二個(gè)自耦變壓器45，這個(gè)自耦變壓器一次側(cè)繞組電壓為vN(t);充電電阻46;二極管整流47;二極管整流47的輸入端與第二個(gè)自耦變壓器45的輸出端相連，二極管整流47的輸出端通過(guò)充電電阻46連接到?jīng)_擊電容器 42上；并且第五個(gè)可控硅閥組44是正反并聯(lián)形式可控硅構(gòu)成的閥組，正方向可控硅為48， 反方向可控娃為49,控制輸入端的信號(hào)與沖擊回路9的輸入端相對(duì)應(yīng),正方向?yàn)?+,反方向?yàn)?_?？刂葡到y(tǒng)13是模擬——數(shù)字系統(tǒng)，通過(guò)帶有程序的芯片完成。除此之外，實(shí)驗(yàn)站還包括可控硅閥組53和電抗器52組成的可控硅電抗器回路50 和可操作開(kāi)關(guān)51。這個(gè)可控硅電抗器回路50串聯(lián)有第二個(gè)電抗器52和可控硅閥組53，可控娃閥組53正方向上可控娃為54,反方向上可控娃為55,控制輸入信號(hào)與此回路輸入信號(hào)相一致，正方向?yàn)?0+，反方向?yàn)?0-?？刹僮鏖_(kāi)關(guān)51可以是特制短連線也可以是56，57，58 和59的四個(gè)斷路器。需要說(shuō)明的是，直流電壓源4和第一組電容器5彼此極性相對(duì)應(yīng)地連接(PV，MV和NV)。第一組電容器5的零極MV和直流電壓源通過(guò)第二個(gè)電流互感器16和接地母線I相連接，正極PV和負(fù)極NV通過(guò)第一個(gè)保護(hù)電抗器11和第二個(gè)保護(hù)電抗器12與整流環(huán)節(jié)7極性(PV和NV)相對(duì)應(yīng)地連接。整流環(huán)節(jié)7的輸出端OUT經(jīng)過(guò)電壓振蕩回路6 與等電位母線2相連。沖擊回路9上的第一個(gè)輸出端和電流回路8上的第一個(gè)輸出端與等電位母線2相連，它們的第二個(gè)輸出端經(jīng)過(guò)第一個(gè)電流互感器15與接地母線I相連。被檢測(cè)可控硅閥組3和分布電容回路10連接在接地母線I和等電位母線2之間?？煽毓桦娍蛊骰芈?0通過(guò)可操作開(kāi)關(guān)51上的第一個(gè)斷路器56和第二個(gè)斷路器57和第一個(gè)可控硅閥組26的第一個(gè)輸出端與接地母線I相連，同時(shí)可控硅電抗器回路50的第二個(gè)輸出端通過(guò)可操作開(kāi)關(guān)51上的第三個(gè)斷路器58和第四個(gè)斷路器59與第一個(gè)可控硅閥組26上的第二個(gè)輸出端和第二組電容器24的第一個(gè)輸出端相連，并且與電壓振蕩回路6保持對(duì)應(yīng)。變壓器14的輸入端電壓為vN(t)，其輸出端和第一個(gè)電流互感器15、第二個(gè)電流互感器16的輸出端與控制系統(tǒng)13的相連接，進(jìn)入到控制系統(tǒng)13的信號(hào)分別為3+，3_，6+，
6-，7+，7_，8+，8_，8d，8b，9+，9_，50+和50_，這些信號(hào)分別對(duì)應(yīng)的是被檢測(cè)可控硅閥組3，電壓振蕩回路6，整流環(huán)節(jié)7，電流回路8，沖擊回路9和可控硅電抗器回路50。除此之外，被檢測(cè)可控硅閥組3上還有驅(qū)動(dòng)板狀態(tài)輸出信號(hào)READY，電流回路8上開(kāi)關(guān)41的狀態(tài)輸出信號(hào)0N/0FF，均進(jìn)入到控制系統(tǒng)13的輸入端，控制輸出OFF與電流回路8上開(kāi)關(guān)41的輸入相連。在時(shí)序圖2，3和4上面e(t)——電壓振蕩回路的實(shí)際電動(dòng)勢(shì)，電壓等于第一組電容器5上的第一個(gè)單元22或者第二個(gè)單元23上與第二組電容器24的電壓和，當(dāng)保護(hù)電抗器的電感量為零時(shí)e(t)與在第一張電氣原理圖I上E點(diǎn)的vE(t)相等，Vs——第一組電容器5上正極性方向的幅值電壓或者是負(fù)極性方向的幅值電壓，Ev—電壓振蕩回路的整流電動(dòng)勢(shì)山⑴——電壓振蕩回路6中的第一個(gè)可控硅閥組26上的電流；tv——這個(gè)電流的步長(zhǎng)；iKV(t)-可控娃電抗器回路50上的電流,這里tKV-這個(gè)電流的步長(zhǎng)；v33(t)-
電流回路8上變壓器33的二次繞組電壓；vT(t)和iT(t)—被檢測(cè)可控硅閥組3上的電壓值和電流值，這里Vm—在切斷狀態(tài)下被檢測(cè)可控硅閥組3上的幅值過(guò)電壓；v26(t)第一個(gè)可控硅閥組26上的電壓(時(shí)序圖4) ；v53(t)—在可控硅電抗器回路50上可控硅閥組53 的電壓(時(shí)序圖2) ；vSH(t)——沖擊電容器42上的電壓(時(shí)序圖3)，這里Vsh——沖擊幅值電壓；ic(t)——電流回路8上的電流(時(shí)序圖2和時(shí)序圖4) ；iSH(t)——沖擊回路9上的電流(時(shí)序圖2和時(shí)序圖3)，這里Ish和tSH——沖擊電流的幅值和它的長(zhǎng)度；i38(t)——電流回路8上輔助可控硅閥組38的電流(時(shí)序圖4) ；3+和3_，6+和6_，7+和7_，8+和8_，8d和8b， 9+和9_，50+和50_——控制脈沖，分別與之對(duì)應(yīng)被檢測(cè)可控硅閥組3，電壓振蕩回路6，整流環(huán)節(jié)7，電流回路8，沖擊回路9和可控硅電抗器回路50在正方向的(+，d)和反方向的(_，
b)；t—時(shí)間的事實(shí)值，t0, t1； t2，...—時(shí)間計(jì)時(shí)點(diǎn)；為了便于觀看時(shí)序圖，當(dāng)可控硅閥組在切斷狀態(tài)下，時(shí)序圖中沒(méi)有對(duì)電流ijt), i38(t), iEV(t), iv(t) iSH(t)和iT(t)的反方向電流做出描述。實(shí)驗(yàn)站對(duì)可控硅閥組按下列方式進(jìn)行檢測(cè)。實(shí)驗(yàn)站的動(dòng)力接線是投入可操作開(kāi)關(guān)51,并按要求對(duì)第二組電容器24,第一個(gè)電抗器25,第二個(gè)電抗器52,限流電抗器34,沖擊電容器42和沖擊電抗器43的參數(shù)進(jìn)行選擇性匹配連接。實(shí)驗(yàn)站的所有動(dòng)力回路的控制均由控制系統(tǒng)13通過(guò)程序發(fā)出指令。在控制系統(tǒng)13的輸入端有從系統(tǒng)電壓vN(t)來(lái)的同步信號(hào)；電流回路的電流合值ie(t)，沖擊回路9的電流iSH(t)，電壓振蕩回路6中的第一個(gè)可控硅閥組26上的電流合值iv(t)和可控硅電抗器回路50上的電流值分別由電壓互感器 14，第一個(gè)電流互感15和第二個(gè)電流互感器16的輸出端得到?？刂葡到y(tǒng)13形成控制脈沖 3+，3_，6+，6_，7+，7_，8+，8_，8b，8d，9+，9_，50+和 50_ (時(shí)序圖 2,3,4),這些控制脈沖分別進(jìn)入被檢測(cè)可控硅閥組3，電壓振蕩回路6，整流環(huán)節(jié)7，電流回路8，沖擊回路9和可控硅電抗器回路 50的輸入端用于實(shí)驗(yàn)站的工作。當(dāng)被檢測(cè)可控硅閥組由驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且驅(qū)動(dòng)板上的電源不是從可控硅保護(hù)回路RC上得到能量，就是從連接在可控硅回路上的電流互感器得到能量，或者兩個(gè)能量共使用時(shí)，實(shí)驗(yàn)站對(duì)TCR，TSC和不對(duì)稱(chēng)可控硅閥組檢測(cè)時(shí)都以最嚴(yán)重的事故狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)。被檢測(cè)可控硅可控硅閥組3在最開(kāi)始工作時(shí)，實(shí)驗(yàn)站必需要給驅(qū)動(dòng)板提供交流電壓。此時(shí)驅(qū)動(dòng)板上形成信號(hào)READY進(jìn)入到控制系統(tǒng)13的輸入端，這是被檢測(cè)可控硅閥組3準(zhǔn)備好工作的信號(hào)。在控制系統(tǒng)13的輸入端同樣也有電流回路8中開(kāi)關(guān) 41的0N/0FF狀態(tài)信號(hào)。當(dāng)實(shí)驗(yàn)站對(duì)工作進(jìn)行分析時(shí)必需考慮到以下條件。實(shí)驗(yàn)站所有的工作狀態(tài)都是預(yù)先與電壓振蕩回路參數(shù)相匹配的。第一組電容器5上的第一單元22和第二單元23上的電容值C22和C23遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第二組電容器24上的電容值C22 = C23 = Cs >> C240保護(hù)電抗器11和保護(hù)電抗器12預(yù)先與整流環(huán)節(jié)7上的限事故電流相對(duì)應(yīng)，它的電感量等于L11 = L12 = Lp,這個(gè)電感量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于第一個(gè)電抗器25和第二個(gè)電抗器52上的L25和 L52 LP << L25和Lp << L52 0在閥組進(jìn)行整流時(shí)，在時(shí)間間隔中，第一組電容器5上的第一單元22和第二單元23由直流電壓源4雙方向進(jìn)行充電，充到閥組電壓+Vs和-Vs。在以下文章中提到的時(shí)間標(biāo)識(shí)，比如，V表示V — t0并且V < t0, t0+表示V — td,但是tQ+ >當(dāng)對(duì)TCR型可控硅閥組在過(guò)載和事故狀態(tài)下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)，把可控硅電抗器回路 50(見(jiàn)電氣原理圖I)的第一個(gè)和第二個(gè)輸出端通過(guò)并聯(lián)在第一個(gè)可控硅閥組26和電壓振蕩回路上的可操作開(kāi)關(guān)的第一個(gè)斷路器56和第三個(gè)斷路器58相連接。第一個(gè)電抗器的電感量L25和第二個(gè)電抗器的電感量L52根據(jù)L25+L52 = Ltce的條件進(jìn)行選擇，而L25為過(guò)載條件下的數(shù)值。當(dāng)L25 = 0.5 .Lrai時(shí)為補(bǔ)償電抗器一半短路。在此情況下啟動(dòng)沖擊回路9，用于形成所必需的一個(gè)周波事故電流。沖擊電容42在第二個(gè)自耦變壓器45的幫助下經(jīng)過(guò)二極管整流47和沖擊電阻46進(jìn)行充電，充電值達(dá)到Vsh(通常這個(gè)電壓不大于3kV)。沖擊電流幅值Ish和沖擊電流時(shí)間見(jiàn)以下公式
權(quán)利要求
1.用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站，包括用于連接被檢測(cè)閥組的接地母線和等電位母線；整流環(huán)節(jié)；通過(guò)第一個(gè)和第二個(gè)輸出端分別與等電位母線和整流環(huán)節(jié)輸出端連接的電壓振蕩回路；雙極性直流電壓源；零極與接地母線相連，正負(fù)極分別與整流環(huán)節(jié)相對(duì)應(yīng)連接的雙極性電容器；連接在等電位母線和接地母線之間的電流回路；所述的電壓振蕩回路包括第一個(gè)可控硅閥組，第一個(gè)電抗器和第二組電容器，第二組電容器的第一個(gè)輸出端與串聯(lián)的第一個(gè)電抗器和第一個(gè)可控娃閥組相連，第一個(gè)可控娃閥組與電壓振蕩回路的第一個(gè)輸出端相連接，并且第二組電容器的第二個(gè)輸出端與電壓振蕩回路的第二個(gè)輸出端相連接；本發(fā)明的特征在于當(dāng)對(duì)可控硅閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)要導(dǎo)通由可控硅電抗器組成的可控硅電抗器回路，此可控硅電抗器回路通過(guò)可操作開(kāi)關(guān)或者是直接連接在電壓振蕩回路中第二組電容器的第一個(gè)輸出端與接地母線之間，或者是與電壓振蕩回路中的第一個(gè)可控硅閥組并聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站，其特征在于，所述的可控硅電抗器回路是由可控硅閥組和第二個(gè)電抗器串聯(lián)構(gòu)成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站，其特征在于，所述的可控硅閥組是由正反并聯(lián)可控娃構(gòu)成串聯(lián)在回路中的。
4.權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站的應(yīng)用，其特征在于，該實(shí)驗(yàn)站可用于在正常工作和事故過(guò)載情況下對(duì)TCR型閥組進(jìn)行實(shí)驗(yàn)；用于對(duì)TSC型閥組在工作和事故狀態(tài)條件下進(jìn)行驅(qū)動(dòng)板滿(mǎn)功率寬范圍的實(shí)驗(yàn)；在工作和過(guò)載狀態(tài)下閥組的不對(duì)稱(chēng)控制實(shí)驗(yàn)；任何一個(gè)閥組在正弦曲線特性下的高電壓實(shí)驗(yàn)以及其它。
全文摘要
一種用于可控硅閥組檢測(cè)的實(shí)驗(yàn)站，該全能實(shí)驗(yàn)站以動(dòng)力半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)，可以當(dāng)成可控硅閥組的等效電流源和電壓源使用，并對(duì)可控硅閥組進(jìn)行檢測(cè)。實(shí)驗(yàn)站包括整流環(huán)節(jié)；雙極性直流電壓源；雙極性電容器；電壓振蕩回路包括串聯(lián)的第二組電容器、第一個(gè)電抗器，連接在等電位母線與整流環(huán)節(jié)輸出端的第一個(gè)可控硅閥組；連接在等電位母線和接地母線之間的電流回路，它可以導(dǎo)入可控硅電抗器回路，并且在回路中有可操作可關(guān)，通過(guò)可操作開(kāi)關(guān)可以把可控硅電抗回路連接在電壓振蕩回路里的第二組電容器的第一個(gè)輸出端和接地母線之間，或者與電壓振蕩回路中的第一個(gè)可控硅閥組并聯(lián)，它的目的是保證實(shí)驗(yàn)臺(tái)對(duì)不對(duì)稱(chēng)可控硅閥組和對(duì)稱(chēng)可控硅閥組進(jìn)行檢測(cè)。
文檔編號(hào)G01R31/00GK102608447SQ20121002185
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月31日
發(fā)明者司明起, 張曉輝, 施多夫·亞利山大, 許蓓蓓 申請(qǐng)人:榮信電力電子股份有限公司