專(zhuān)利名稱(chēng)：電力電子器件的加速壽命測(cè)試電路及測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力電子器件的功率循環(huán)壽命測(cè)試電路和測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代電力電子器件封裝所關(guān)注的問(wèn)題中，各種不同材料的連接可靠性是一個(gè)主要的問(wèn)題。由于各種封裝材料具有不同的熱膨脹系數(shù)，器件在應(yīng)用時(shí)因半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和通態(tài)損耗而引起的溫度波動(dòng)，或者周?chē)h(huán)境溫度的改變，均會(huì)造成如鍵合引線脫落、焊接層裂紋等疲勞失效問(wèn)題。為了測(cè)試器件封裝的可靠性，業(yè)內(nèi)通常采用熱循環(huán)試驗(yàn)(被動(dòng)循環(huán)試驗(yàn))和功率循環(huán)試驗(yàn)(主動(dòng)循環(huán)試驗(yàn))等加速測(cè)試方法，其中功率循環(huán)可以更加真實(shí)地模擬芯片的實(shí)際發(fā)熱機(jī)制試驗(yàn)時(shí)通過(guò)控制電源的輸出，給被測(cè)器件施加不同的
加熱電流，當(dāng)對(duì)被測(cè)器件施加電流時(shí)，器件瞬間產(chǎn)生大熱量，使器件的結(jié)溫上升，當(dāng)結(jié)溫上升到期望值后再斷電冷卻到一定溫度，重復(fù)加熱和冷卻產(chǎn)生溫度循環(huán)。由于直接加熱芯片，因此試驗(yàn)中可快速提升結(jié)溫，利用高效的散熱系統(tǒng)，功率循環(huán)試驗(yàn)可進(jìn)行超快速循環(huán)，可實(shí)現(xiàn)的循環(huán)次數(shù)遠(yuǎn)高于被動(dòng)熱循環(huán)的次數(shù)。通常，功率循環(huán)試驗(yàn)和熱循環(huán)試驗(yàn)中的壽命終止失效機(jī)理是不同的，功率循環(huán)試驗(yàn)特別是短時(shí)功率循環(huán)(循環(huán)周期小于10秒)最常見(jiàn)的失效是鍵合引線斷裂或脫落?，F(xiàn)代電力電子器件，特別是大功率電力電子模塊(如IGBT模塊、MOSFET模塊)，為了獲得更大的通流能力，通常采用多芯片并聯(lián)的方式。圖I為典型的IGBT模塊內(nèi)部其中一只“開(kāi)關(guān)”的實(shí)際電路結(jié)構(gòu)圖，從圖中可見(jiàn)，IGBT內(nèi)部的任何一只“開(kāi)關(guān)”均由多只IGBT芯片和二極管芯片并聯(lián)而成(不同的電流規(guī)格，并聯(lián)的芯片數(shù)從幾片到十幾片不等)，全部芯片的門(mén)極通過(guò)鍵合引線連接到同一個(gè)外部門(mén)極端子G，全部芯片的漏極連接到同一個(gè)外部漏極端子D，全部芯片的源極連接到同一個(gè)外部源極端子S上。這種多芯片結(jié)構(gòu)中，任何一只芯片上的引線出現(xiàn)失效，均會(huì)給整個(gè)器件的工作帶來(lái)嚴(yán)重的影響，因此在進(jìn)行功率循環(huán)試驗(yàn)時(shí)，采用的測(cè)試電路及測(cè)試方法應(yīng)能夠?qū)θ魏我恢恍酒霈F(xiàn)的失效做出及時(shí)的判斷。傳統(tǒng)功率循環(huán)測(cè)試方法如圖2所示，通常在被測(cè)器件的門(mén)極G施加一恒定電壓Vg，門(mén)極電阻Rg和門(mén)極電容Cl分別起限流和濾波的作用。通過(guò)控制開(kāi)關(guān)K1，使加熱電流Ih間斷的從被測(cè)器件的漏極D流到源極S，從而使被測(cè)器件內(nèi)部芯片結(jié)溫及電流流通路徑上的鍵合引線的溫度升高和降低。由于芯片與芯片表面的鍵合鋁絲二者的熱膨脹系數(shù)存在差異，結(jié)溫不斷的升高和降低將導(dǎo)致鋁線出現(xiàn)疲勞斷裂或整體脫落。由于試驗(yàn)過(guò)程中需要實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片結(jié)溫，因此每次實(shí)驗(yàn)前需要測(cè)試不同芯片結(jié)溫條件下對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通壓降，即所謂的溫度敏感系數(shù)，描繪出器件的導(dǎo)通壓降隨溫度變化的特性，這樣在實(shí)際測(cè)試時(shí)，通過(guò)測(cè)量導(dǎo)通壓降即可間接計(jì)算出當(dāng)時(shí)的芯片結(jié)溫。由于測(cè)試電流Im比較小，通常為幾個(gè)毫安，因此不會(huì)引起芯片結(jié)溫的上升，圖2中測(cè)試電流Im—直流過(guò)被測(cè)器件，當(dāng)開(kāi)關(guān)Kl斷開(kāi)僅有測(cè)試電流Im流過(guò)被測(cè)器件時(shí)，失效判斷電路將采集到的被測(cè)器件導(dǎo)通壓降換算成芯片結(jié)溫用于失效判斷。對(duì)電力電子器件進(jìn)行功率循環(huán)試驗(yàn)是檢測(cè)鋁線鍵合可靠性的一項(xiàng)重要的手段，然而傳統(tǒng)功率循環(huán)測(cè)試方法存在兩個(gè)不足一是測(cè)試過(guò)程中，門(mén)極電壓Vg —直加在門(mén)極G和源極S兩端，因此被測(cè)器件一直處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，導(dǎo)通壓降較小。為了使被測(cè)器件的芯片結(jié)溫在開(kāi)關(guān)Kl閉合過(guò)程這一短暫時(shí)間內(nèi)(通常在10秒以?xún)?nèi))上升到一較高的溫度，所需的加熱電流Ih將很大，因此基于 傳統(tǒng)方法制造的功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備不得不配置一臺(tái)能夠輸出較大電流的加熱電源，然而對(duì)于測(cè)試一些大功率的電力電子器件，需要的加熱電流往往要達(dá)數(shù)千安培，為了獲得如此大的輸出電流不得不將數(shù)十臺(tái)電源并聯(lián)使用，設(shè)備制造成本非常高。二是傳統(tǒng)方法無(wú)法準(zhǔn)確檢測(cè)門(mén)極引線出現(xiàn)斷裂或脫落的時(shí)間。這是因?yàn)閭鹘y(tǒng)功率循環(huán)測(cè)試方法中，門(mén)極一直施加恒定電壓，即使全部芯片上的門(mén)極引線均出現(xiàn)斷裂或脫落，但由于門(mén)極漏電流非常小(通常為幾百納安)，門(mén)極電荷僅依靠漏電流釋放，門(mén)極電壓需要經(jīng)歷很長(zhǎng)的時(shí)間才能下降到開(kāi)啟閾值電壓以下，此時(shí)被測(cè)器件才能完全關(guān)斷，只有被測(cè)器件完全關(guān)斷后，失效判斷電路檢測(cè)到一突變電壓，方能做出門(mén)極引線故障判斷?？梢?jiàn)，從門(mén)極引線出現(xiàn)斷裂或脫落到失效判斷電路做出故障判斷，存在較大的時(shí)間誤差，即傳統(tǒng)功率循環(huán)測(cè)試方法在門(mén)極引線故障判斷上存在缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有試驗(yàn)方法所需加熱電源電流大，以及在門(mén)極弓I線故障判斷存在時(shí)間誤差的缺點(diǎn)，提出一種電力電子器件的加速壽命測(cè)試電路及其測(cè)試方法。本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下本發(fā)明測(cè)試電路包括第一、第二開(kāi)關(guān)、放電電阻、恒流測(cè)試電源、恒流加熱電源和失效判斷電路。第一開(kāi)關(guān)的一端與被測(cè)器件的漏極相連，第一開(kāi)關(guān)的另一端與被測(cè)器件的柵極相連。放電電阻的一端與被測(cè)器件的柵極相連，放電電阻的另一端與被測(cè)器件的源極相連。恒流測(cè)試電源的正極與被測(cè)器件的漏極相連，恒流測(cè)試電源的負(fù)極與源極相連。失效判斷電路的兩個(gè)輸入端分別與測(cè)試電源的正極和負(fù)極相連，失效判斷電路檢測(cè)被測(cè)器件的導(dǎo)通壓降并轉(zhuǎn)換為被測(cè)器件的結(jié)溫，用于做失效判斷結(jié)溫超出失效判定值，則器件失效，否則認(rèn)為器件完好。第二開(kāi)關(guān)的一端與被測(cè)器件的漏極相連，第二開(kāi)關(guān)的另一端與恒流加熱電源的正極相連，恒流加熱電源的負(fù)極與被測(cè)器件的源極相連。本發(fā)明測(cè)試方法步驟如下I、閉合第一開(kāi)關(guān)，使被測(cè)器件處于臨界飽和導(dǎo)通狀態(tài)，接著閉合第二開(kāi)關(guān)，加熱電流及測(cè)試電流同時(shí)流過(guò)被測(cè)器件，使被測(cè)器件內(nèi)部芯片結(jié)溫上升，結(jié)溫上升至設(shè)定值后，斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)，此時(shí)僅有測(cè)試電流流過(guò)被測(cè)器件，失效判斷電路將檢測(cè)得到的被測(cè)器件導(dǎo)通壓降轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的芯片結(jié)溫。2、判斷源極引線是否失效失效判斷電路檢測(cè)到的第二開(kāi)關(guān)斷開(kāi)瞬間對(duì)應(yīng)的結(jié)溫若超過(guò)失效判定值，則判定源極引線失效，否則，判定源極引線完好，測(cè)試過(guò)程中，每次斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)均進(jìn)行結(jié)溫測(cè)試。3、源極引線失效判斷完成后，斷開(kāi)第一開(kāi)關(guān)，進(jìn)行門(mén)極引線失效判斷此時(shí)，仍然只有測(cè)試電流流過(guò)被測(cè)器件，若測(cè)試電流流過(guò)被測(cè)器件產(chǎn)生一個(gè)相對(duì)小的電壓降，失效判斷電路檢測(cè)到這一電壓，將做出門(mén)極引線失效判斷，相反，如果失效判斷電路檢測(cè)到一大電壓，則失效判斷電路會(huì)做出門(mén)極引線完好判斷。
若上述步驟執(zhí)行完畢后，全部引線均判定為完好，則重復(fù)以上步驟，直至出現(xiàn)失效或達(dá)到設(shè)定的測(cè)試循環(huán)數(shù)終止。本發(fā)明的工作原理如下I、門(mén)極引線失效檢測(cè)如果全部芯片的門(mén)極引線完好，第一開(kāi)關(guān)閉合時(shí)注入的門(mén)極電荷將全部通過(guò)放電電阻釋放，此種情況下，被測(cè)器件處于關(guān)斷狀態(tài)，測(cè)試電流流過(guò)被測(cè)器件將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)無(wú)窮大的電壓降，失效判斷電路檢測(cè)到這一無(wú)窮大電壓，將做出門(mén)極引線完好判斷。實(shí)際上本發(fā)明中的兩個(gè)電源均工作在恒流限壓模式，一旦輸出電壓超過(guò)設(shè)定的極限電壓，電源會(huì)自動(dòng)切換到恒壓工作模式，避免損壞被測(cè)器件。如果被測(cè)器件的門(mén)極引線存在脫落現(xiàn)象，門(mén)極上存儲(chǔ)的電荷將無(wú)法通過(guò)放電電阻釋放，因此斷開(kāi)第一開(kāi)關(guān)無(wú)法關(guān)斷被測(cè)器件中所有的功率半導(dǎo)體芯片，此種情況下，被測(cè)器件中門(mén)極引線出現(xiàn)脫落的芯片
仍處于開(kāi)通狀態(tài)，測(cè)試電流流過(guò)被測(cè)器件會(huì)產(chǎn)生一個(gè)相對(duì)小的電壓降，失效判斷電路檢測(cè)到這一電壓，將做出門(mén)極引線失效判斷。2、源極引線失效檢測(cè)本發(fā)明將第二開(kāi)關(guān)斷開(kāi)瞬間對(duì)應(yīng)的結(jié)溫作為芯片源極引線失效判據(jù)，因?yàn)槿绻骋恢恍酒脑礃O引線出現(xiàn)斷裂或脫落，加熱電流將從剩下未出現(xiàn)引線脫落的芯片上通過(guò)，勢(shì)必引起這些完好芯片流過(guò)的平均電流增加，導(dǎo)致芯片結(jié)溫升高。測(cè)試過(guò)程中，每次斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)均進(jìn)行結(jié)溫測(cè)試，若測(cè)得的芯片結(jié)溫超過(guò)失效判定值，失效判斷電路將做出源極引線失效判斷，否則，失效判斷電路將做出源極引線完好判斷。本發(fā)明有別于現(xiàn)有技術(shù)的特征主要有兩點(diǎn)一是將被測(cè)器件的源極和門(mén)極短路，目的是使被測(cè)器件工作在臨界飽和狀態(tài)，此時(shí)被測(cè)器件的導(dǎo)通壓降相對(duì)于工作在完全飽和狀態(tài)時(shí)增加數(shù)倍(例如IGBT典型的飽和壓降為2V，而臨界飽和壓降通常超過(guò)6V)，導(dǎo)通壓降增加所帶來(lái)的好處是使結(jié)溫上升同樣的幅值，所需的加熱電流會(huì)大幅減小，這樣便可以減少加熱電源的輸出電流，克服現(xiàn)有技術(shù)在測(cè)試大功率器件時(shí)制造成本過(guò)高的不足。二是通過(guò)放電電阻連接門(mén)極與源極，為門(mén)極電荷提供放電回路。這樣不但可以精確檢測(cè)門(mén)極弓I線脫落還可以省去門(mén)極供電電源。


圖I器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2常規(guī)功率循環(huán)測(cè)試電路原理圖；圖3本發(fā)明測(cè)試電路原理圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。如圖3所示，本發(fā)明包括用于門(mén)極電荷放電的放電電阻R1，切換被測(cè)器件狀態(tài)的第一開(kāi)關(guān)K1，切斷或使能加熱電流的第二開(kāi)關(guān)K2，提供穩(wěn)定測(cè)試電流的恒流測(cè)試電源，進(jìn)行導(dǎo)通壓降測(cè)量及失效判斷的失效判斷電路以及提供加熱電流的恒流加熱電源。如圖3所示，本發(fā)明電力電子器件加速壽命測(cè)試電路中，第一開(kāi)關(guān)Kl的一端與被測(cè)器件的漏極D相連，第一開(kāi)關(guān)Kl的另一端與被測(cè)器件的柵極G相連；放電電阻Rl的一端與被測(cè)器件的柵極G相連，放電電阻Rl的另一端與被測(cè)器件的源極S相連；恒流測(cè)試電源的正極與被測(cè)器件的漏極D相連，恒流測(cè)試電源的負(fù)極與被測(cè)器件的源極S相連；失效判斷電路的兩個(gè)輸入端分別與測(cè)試電源的正極和負(fù)極相連，失效判斷電路測(cè)量被測(cè)器件的導(dǎo)通壓降并轉(zhuǎn)換為被測(cè)器件的結(jié)溫，用于做失效判斷結(jié)溫超出失效判定值，則器件失效，否則，認(rèn)為器件完好；第二開(kāi)關(guān)K2的一端與被測(cè)器件的漏極D相連，第二開(kāi)關(guān)K2的另一端與恒流加熱電源的正極相連，恒流加熱電源的負(fù)極與被測(cè)器件的源極S相連。如圖3所示，本發(fā)明電力電子器件加速壽命測(cè)試方法包括以下步驟第一步，閉合第一開(kāi)關(guān)Kl，斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)K2，使被測(cè)器件處于臨界飽和導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)僅測(cè)試電流Im流過(guò)被測(cè)器件；第二步，保持第一開(kāi)關(guān)Kl閉合，再閉合第二開(kāi)關(guān)K2，加熱電流Ih及測(cè)試電流Im同時(shí)流過(guò)被測(cè)器件，使被測(cè)器件內(nèi)部芯片 結(jié)溫上升；第三步，加熱過(guò)程持續(xù)一段時(shí)間直至芯片結(jié)溫上升到設(shè)定值，斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)K2，此時(shí)僅有測(cè)試電流Im流過(guò)被測(cè)器件，失效判斷電路檢測(cè)第二開(kāi)關(guān)K2斷開(kāi)瞬間被測(cè)器件的導(dǎo)通壓降并轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的芯片結(jié)溫，如果此時(shí)的結(jié)溫超過(guò)失效判定值，失效判斷電路將做出源極引線失效判斷，否則失效判斷電路認(rèn)為源極引線完好；第四步，源極引線失效判斷完成后，斷開(kāi)第一開(kāi)關(guān)K1，如果全部芯片的門(mén)極引線完好，第一開(kāi)關(guān)Kl閉合時(shí)注入的門(mén)極電荷將全部通過(guò)電阻Rl釋放，此種情況下，被測(cè)器件處于關(guān)斷狀態(tài)，測(cè)試電流Im流過(guò)被測(cè)器件將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)無(wú)窮大的電壓降，失效判斷電路檢測(cè)到這一無(wú)窮大電壓，將做出門(mén)極引線完好判斷，實(shí)際上本發(fā)明中的兩個(gè)電源都工作在恒流限壓模式，一旦輸出電壓超過(guò)設(shè)定極限電壓，電流源會(huì)自動(dòng)切換到恒壓工作模式，避免損壞被測(cè)器件，如果門(mén)極引線脫落，門(mén)極上存儲(chǔ)的電荷將無(wú)法通過(guò)電阻Rl釋放，因此斷開(kāi)第一開(kāi)關(guān)Kl無(wú)法關(guān)斷被測(cè)器件中所有的功率半導(dǎo)體芯片，此種情況下，被測(cè)器件中存在門(mén)極引線脫落的芯片仍處于開(kāi)通狀態(tài)，測(cè)試電流Im流過(guò)被測(cè)器件會(huì)產(chǎn)生一個(gè)相對(duì)小的電壓降(如2V左右)，失效判斷電路檢測(cè)到這一電壓，將做出門(mén)極引線失效判斷，若上述步驟執(zhí)行完畢，被測(cè)器件的源極和門(mén)極引線均未出現(xiàn)失效，則重復(fù)以上步驟，直至出現(xiàn)失效或達(dá)到設(shè)定的測(cè)試循環(huán)數(shù)后終止。
權(quán)利要求
1.一種電力電子器件的加速壽命測(cè)試電路，其特征在于，所述的測(cè)試電路包括第一開(kāi)關(guān)(K1)、第二開(kāi)關(guān)(K2)、放電電阻(R1)，恒流測(cè)試電源，失效判斷電路和恒流加熱電源；所述的第一開(kāi)關(guān)(Kl)的一端與被測(cè)器件的漏極(D)相連，第一開(kāi)關(guān)(Kl)的另一端與被測(cè)器件的柵極(G)相連；所述的放電電阻(Rl)的一端與被測(cè)器件的柵極(G)相連，放電電阻(Rl)的另一端與被測(cè)器件的源極(S)相連；所述的恒流測(cè)試電源的正極與被測(cè)器件的漏極(D)相連，恒流測(cè)試電源的負(fù)極與被測(cè)器件的源極(S)相連；失效判斷電路的兩個(gè)輸入端分別與測(cè)試電源的正極和負(fù)極相連；所述的第二開(kāi)關(guān)(K2)的一端與被測(cè)器件的漏極(D)相連，第二開(kāi)關(guān)(K2)的另一端與恒流加熱電源的正極相連，恒流加熱電源的負(fù)極與被測(cè)器件的源極⑶相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電力電子器件的加速壽命測(cè)試電路，其特征在于，所述的失效判斷電路檢測(cè)被測(cè)器件內(nèi)部芯片的導(dǎo)通壓降，并將所述的導(dǎo)通壓降轉(zhuǎn)換為被測(cè)器件的結(jié)溫，用于失效判斷當(dāng)結(jié)溫超出失效判定值，則器件失效，否則認(rèn)為器件完好。
3.權(quán)利要求I所述的電力電子器件的加速壽命測(cè)試電路的測(cè)試方法，其特征在于，所述的測(cè)試方法的步驟如下 第一步，閉合第一開(kāi)關(guān)(Kl)，斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)(K2)，使被測(cè)器件處于臨界飽和導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)僅測(cè)試電流(Im)流過(guò)被測(cè)器件； 第二步，保持第一開(kāi)關(guān)(Kl)閉合，再閉合第二開(kāi)關(guān)(K2)，加熱電流(Ih)及測(cè)試電流(Im)同時(shí)流過(guò)被測(cè)器件，使被測(cè)器件內(nèi)部芯片結(jié)溫上升； 第三步，加熱過(guò)程持續(xù)至所述的芯片結(jié)溫上升到設(shè)定值，然后斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)(K2)，此時(shí)僅有測(cè)試電流(Im)流過(guò)被測(cè)器件；所述的失效判斷電路將采集到的第二開(kāi)關(guān)(K2)斷開(kāi)瞬間的被測(cè)器件導(dǎo)通壓降轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的芯片結(jié)溫，如果此時(shí)芯片的結(jié)溫超過(guò)失效判定值，失效判斷電路將做出源極引線失效判斷，否則失效判斷電路認(rèn)為源極引線完好； 第四步，源極引線失效判斷完成后，斷開(kāi)第一開(kāi)關(guān)(Kl);如果全部芯片的門(mén)極引線完好，第一開(kāi)關(guān)(Kl)閉合時(shí)注入的門(mén)極電荷將全部通過(guò)放電電阻(Rl)釋放，在此情況下，被測(cè)器件處于關(guān)斷狀態(tài)，測(cè)試電流(Im)流過(guò)被測(cè)器件將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)無(wú)窮大的電壓降，失效判斷電路檢測(cè)到這一無(wú)窮大電壓，將做出所述的門(mén)極引線完好判斷；如果門(mén)極引線脫落，門(mén)極上存儲(chǔ)的電荷將無(wú)法通過(guò)放電電阻(Rl)釋放，因此斷開(kāi)第一開(kāi)關(guān)(Kl)無(wú)法關(guān)斷被測(cè)器件中所有的功率半導(dǎo)體芯片，此種情況下，被測(cè)器件中門(mén)極引線脫落的芯片仍處于開(kāi)通狀態(tài)，測(cè)試電流(Im)流過(guò)被測(cè)器件會(huì)產(chǎn)生一個(gè)相對(duì)小的電壓降，失效判斷電路檢測(cè)到這一電壓，將做出門(mén)極引線失效判斷；若上述步驟執(zhí)行完畢，被測(cè)器件的源極和門(mén)極引線均未出現(xiàn)失效，則重復(fù)以上步驟，直至出現(xiàn)失效或達(dá)到設(shè)定的測(cè)試循環(huán)數(shù)后終止。
全文摘要
一種電力電子器件的加速壽命測(cè)試電路，其第一開(kāi)關(guān)(K1)的一端與被測(cè)器件的漏極(D)相連，第一開(kāi)關(guān)(K1)的另一端與被測(cè)器件的柵極(G)相連。放電電阻(R1)的一端與被測(cè)器件的柵極(G)相連，放電電阻(R1)的另一端與被測(cè)器件的源極(S)相連。恒流測(cè)試電源的正極與被測(cè)器件的漏極(D)相連，恒流測(cè)試電源的負(fù)極與被測(cè)器件的源極(S)相連。失效判斷電路的兩個(gè)輸入端分別與測(cè)試電源的正極和負(fù)極相連。第二開(kāi)關(guān)(K2)的一端與被測(cè)器件的漏極(D)相連，第二開(kāi)關(guān)(K2)的另一端與恒流加熱電源的正極相連，恒流加熱電源的負(fù)極與被測(cè)器件的源極(S)相連。
文檔編號(hào)G01R31/00GK102680819SQ20121013513
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者仇志杰, 張瑾 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院電工研究所