測試裝置制造方法
【專利摘要】一種測試裝置，用于測試一焊接到電路板上的MOS管是否存在虛焊和假焊，所述測試裝置包括一發(fā)光二極管、第一及第二開關(guān)、第一及第二電阻及第一至第三接觸元件，測試時(shí)，所述第一接觸元件接觸所述MOS管的漏極，所述第二接觸元件接觸所述MOS管的柵極，所述第三接觸元件接觸所述MOS管的源極，當(dāng)所述MOS管為NMOS管時(shí)，閉合所述第一開關(guān)，當(dāng)所述MOS管為PMOS管時(shí)，閉合所述第二開關(guān)，若所述發(fā)光二極管不發(fā)光，則表明所述MOS管存在虛焊和假焊；若所述發(fā)光二極管發(fā)光，則表明所述MOS管不存在虛焊和假焊。上述測試裝置的測試結(jié)果準(zhǔn)確且測試成本較低。
【專利說明】測試裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種測試裝置，特別涉及一種測試DirectEFT封裝的MOS管是否虛焊和假焊的測試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]DirectEFT封裝的MOS管因具有阻抗小，散熱快等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。但由于DirectEFT封裝的MOS管的柵極、漏極及源極的引腳小且均位于MOS管的底面，故，當(dāng)DirectEFT封裝的MOS管焊接到電路板上時(shí)，易出現(xiàn)虛焊和假焊。目前，業(yè)界采用X射線設(shè)備來檢測焊接到電路板上的DirectEFT封裝的MOS管是否出現(xiàn)虛焊和假焊。然而，X射線設(shè)備價(jià)格昂貴，從而使得測試成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于上述內(nèi)容，有必要提供一種成本低且能準(zhǔn)確地檢測出DirectEFT封裝的MOS管是否出現(xiàn)虛焊和假焊的測試裝置。
[0004]一種測試裝置，用于測試一焊接到電路板上的MOS管是否存在虛焊和假焊，所述測試裝置包括一發(fā)光二極管、第一及第二開關(guān)、第一及第二電阻及第一至第三接觸元件，所述發(fā)光二極管的陽極與一電源相連，所述發(fā)光二極管的陰極通過所述第一電阻與所述第一接觸元件相連，所述第一開關(guān)的一端通過所述第二電阻與所述電源相連，所述第一開關(guān)的另一端與所述第二接觸元件相連，所述第二開關(guān)的一端與所述第一開關(guān)的另一端相連，所述第二開關(guān)的另一端接地，并與所述第三接觸元件相連，測試時(shí)，所述第一接觸元件接觸所述MOS管的漏極與所述電路板上一第一電子元件之間的節(jié)點(diǎn)，所述第二接觸元件接觸所述MOS管的柵極與所述電路板上一第二電子元件之間的節(jié)點(diǎn)，所述第三接觸元件接觸所述MOS管的源極與所述電路板上一第三電子元件之間的節(jié)點(diǎn)，當(dāng)所述MOS管為NMOS管時(shí)，閉合所述第一開關(guān)，當(dāng)所述MOS管為PMOS管時(shí)，閉合所述第二開關(guān)，若所述發(fā)光二極管不發(fā)光，則表明所述MOS管存在虛焊和假焊；若所述發(fā)光二極管發(fā)光，則表明所述MOS管不存在虛焊和假焊。
[0005]本發(fā)明測試裝置通過所述第一至第三接觸元件來接觸所述MOS管的柵極、漏極及源極，并通過觀察所述發(fā)光二極管是否發(fā)光來判斷所述MOS管柵極、漏極及源極是否存在虛焊和假焊，以使測試結(jié)果準(zhǔn)確且測試成本低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]下面參照附圖結(jié)合較佳實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述:
圖1為本發(fā)明測試裝置較佳實(shí)施方式的電路圖。
[0007]圖2為本發(fā)明測試裝置對(duì)NMOS管進(jìn)行測試的電路圖。
[0008]圖3為本發(fā)明測試裝置對(duì)PMOS管進(jìn)行測試的電路圖。
[0009]主要元件符號(hào)說明
【權(quán)利要求】
1.一種測試裝置，用于測試一焊接到電路板上的MOS管是否存在虛焊和假焊，所述測試裝置包括一發(fā)光二極管、第一及第二開關(guān)、第一及第二電阻及第一至第三接觸元件，所述發(fā)光二極管的陽極與一電源相連，所述發(fā)光二極管的陰極通過所述第一電阻與所述第一接觸元件相連，所述第一開關(guān)的一端通過所述第二電阻與所述電源相連，所述第一開關(guān)的另一端與所述第二接觸元件相連，所述第二開關(guān)的一端與所述第一開關(guān)的另一端相連，所述第二開關(guān)的另一端接地，并與所述第三接觸元件相連，測試時(shí)，所述第一接觸元件接觸所述MOS管的漏極與所述電路板上一第一電子元件之間的節(jié)點(diǎn)，所述第二接觸元件接觸所述MOS管的柵極與所述電路板上一第二電子元件之間的節(jié)點(diǎn)，所述第三接觸元件接觸所述MOS管的源極與所述電路板上一第三電子元件之間的節(jié)點(diǎn)，當(dāng)所述MOS管為NMOS管時(shí)，閉合所述第一開關(guān)，當(dāng)所述MOS管為PMOS管時(shí)，閉合所述第二開關(guān)，若所述發(fā)光二極管不發(fā)光，則表明所述MOS管存在虛焊和假焊；若所述發(fā)光二極管發(fā)光，則表明所述MOS管不存在虛焊和假焊。
2.如權(quán)利要求1所述的測試裝置，其特征在于:所述第一至第三接觸元件為探針。
3.如權(quán)利要求1所述的測試裝置，其特征在于:所述第一電阻通過一線纜與所述第一接觸元件相連，所述第一開關(guān)的另一端通過一線纜與所述第二接觸元件相連，所述第二開關(guān)的另一端通過一線纜與所述第三接觸元件。
【文檔編號(hào)】G01R31/00GK103472321SQ201210187285
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月8日
【發(fā)明者】周海清 申請人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司