專利名稱：考慮污穢折算系數(shù)的自然積污絕緣子污閃特性研究方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及絕緣子污閃特性的研究方法，具體地說是一種考慮污穢折算系數(shù)的自然積污絕緣子污閃特性研究方法。
背景技術(shù)：
正確評估自然積污絕緣子的外絕緣狀態(tài)，找到自然積污絕緣子污閃電壓與表面污穢度等值鹽密、灰密及污穢分布不均勻度之間的量化關(guān)系，對于實現(xiàn)絕緣子污閃的預測、預防具有重要意義。然而，在目前電力系統(tǒng)狀態(tài)檢修體制下，輸電線路停電機會極少，帶電運行絕緣子的取樣十分困難。在同一基鐵塔上，通常只能取到疒3串帶電的自然積污絕緣子串。如何充分利用數(shù)量有限的自然積污絕緣子，選取合理的試驗研究方法，對其污閃特性進行評估 是值得研究的問題。目前，通常采用的方法是，對于同一基鐵塔上取到的帶電絕緣子串，選取部分絕緣子(m片)進行污穢度測試，其余絕緣子(η片)進行污閃電壓試驗，在此基礎(chǔ)上進行數(shù)據(jù)分析。然而，這種方法存在一定的局限性。由于絕緣子懸掛位置的差異等原因，各片絕緣子的積污狀況存在一定差異。若利用m片絕緣子的污穢數(shù)據(jù)對其余η片絕緣子的污閃電壓數(shù)據(jù)進行分析并不是十分合理；此外，若對η片絕緣子先進行污閃試驗再測試污穢度，由于污閃試驗中在霧的作用下部分表面污穢會流失，此污穢度測量需要校正才能反映絕緣子污閃前的積污狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種考慮污穢折算系數(shù)的自然積污絕緣子污閃特性研究方法，通過對“先污閃試驗后測污穢度”的絕緣子進行污穢度校正，得到更為準確的自然積污絕緣子污閃電壓的校正公式。為此，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下考慮污穢折算系數(shù)的自然積污絕緣子污閃特性研究方法，其特征在于，將取自同一基鐵塔的自然積污絕緣子分成兩部分，一部分用于表面等值鹽密和灰密測試分析，另一部分用于污閃試驗；考慮到污閃過程中絕緣子表面部分污穢的流失，對污閃試驗后絕緣子的污穢度測試數(shù)據(jù)進行修正，在此基礎(chǔ)上，對污閃電壓、等值鹽密、整片灰密、上下表面等值鹽密比數(shù)據(jù)進行回歸分析，得到自然積污絕緣子表面污穢度對污閃電壓及泄漏電流最大值的影響規(guī)律。本發(fā)明以同一基鐵塔取樣的m+n片絕緣子為研究對象，所述研究方法的具體步驟如下(a)測試m片絕緣子的污穢度，得到各片絕緣子的上表面等值鹽密Sli±、上表面灰密Gli ±、下表面等值鹽密Sli τ、下表面灰密Gli τ，其中i=l，2，……，m ；(b)計算m片絕緣子的整片等值鹽密Sli、整片灰密Gli、上下表面等值鹽密比Ksli、上下表面灰密比Keii ；
(C)對η片絕緣子分別進行污閃試驗，得到各片絕緣子的污閃電壓Uw，其中j=l, 2，......，η ；(d)污閃試驗后，測試η片絕緣子的污穢度(部分污穢已流失)，得到η片絕緣子的上表面等值鹽密S2j±、上表面灰密G2j±、下表面等值鹽密S2jT、下表面灰密G2jT ；(e)計算η片絕緣子的整片等值鹽密S2j、整片灰密G2j、上下表面等值鹽密比KS2J、上下表面灰密比Ke2j ；(f)考慮污閃過程中絕緣子表面部分污穢的流失，計算等值鹽密折算系數(shù)Cis、灰密折算系數(shù)ae、上下表面等值鹽密比折算系數(shù)aKS和上下表面灰密比折算系數(shù)aKe:
權(quán)利要求
1.考慮污穢折算系數(shù)的自然積污絕緣子污閃特性研究方法，其特征在于，將取自同一基鐵塔的自然積污絕緣子分成兩部分，一部分用于表面等值鹽密和灰密測試分析，另一部分用于污閃試驗；考慮到污閃過程中絕緣子表面部分污穢的流失，對污閃試驗后絕緣子的污穢度測試數(shù)據(jù)進行修正，在此基礎(chǔ)上，對污閃電壓、等值鹽密、整片灰密、上下表面等值鹽密比數(shù)據(jù)進行回歸分析，得到自然積污絕緣子表面污穢度對污閃電壓及泄漏電流最大值的影響規(guī)律。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的考慮污穢折算系數(shù)的自然積污絕緣子污閃特性研究方法，其特征在于，以同一基鐵塔取樣的m+n片絕緣子為研究對象，所述研究方法的具體步驟如下 a)測試m片絕緣子的污穢度，得到各片絕緣子的上表面等值鹽密Sli±、上表面灰密GliI、下表面等值鹽密SliT、下表面灰密GliT,其中i=l, 2，......，m ； b)計算m片絕緣子的整片等值鹽密Sli、整片灰密Gli、上下表面等值鹽密比Lsii、上下表面灰密比Keii ； c)對n片絕緣子分別進行污閃試驗，得到各片絕緣子的污閃電壓Ufp其中j=1，2，......，n ； d)污閃試驗后，測試n片絕緣子的污穢度，得到n片絕緣子的上表面等值鹽密S2j±、上表面灰密G2j ±、下表面等值鹽密& T、下表面灰密G2」T ; e)計算n片絕緣子的整片等值鹽密S2j、整片灰密G2j、上下表面等值鹽密比Ks2j、上下表面灰密比Ke2j.； f)考慮污閃過程中絕緣子表面部分污穢的流失，計算等值鹽密折算系數(shù)as、灰密折算系數(shù)a ^、上下表面等值鹽密比折算系數(shù)Ciks和上下表面灰密比折算系數(shù)aK(；:
全文摘要
本發(fā)明公開了一種考慮污穢折算系數(shù)的自然積污絕緣子污閃特性研究方法。通常采用的方法是，對于同一基鐵塔上取到的帶電絕緣子串，選取部分絕緣子進行污穢度測試，其余絕緣子進行污閃電壓試驗，在此基礎(chǔ)上進行數(shù)據(jù)分析，這種方法存在一定的局限性。本發(fā)明的特征在于，將取自同一基鐵塔的自然積污絕緣子分成兩部分，一部分用于表面等值鹽密和灰密測試分析，另一部分用于污閃試驗；考慮到污閃過程中絕緣子表面部分污穢的流失，對污閃試驗后絕緣子的污穢度測試數(shù)據(jù)進行修正，在此基礎(chǔ)上，對污閃電壓、等值鹽密、整片灰密、上下表面等值鹽密比數(shù)據(jù)進行回歸分析。本發(fā)明能夠更為有效的得到自然積污絕緣子串污閃電壓與絕緣子表面污穢度之間的函數(shù)關(guān)系。
文檔編號G01R31/12GK102707209SQ20121019425
公開日2012年10月3日 申請日期2012年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月13日
發(fā)明者劉黎, 梅冰笑, 王少華, 羅盛, 胡文堂, 董建洋 申請人:浙江省電力公司電力科學研究院