疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，包括：開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊包括續(xù)流單元和開關(guān)單元；脈沖發(fā)生模塊，用于生成驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)以使所述開關(guān)單元導(dǎo)通；直流電壓源，所述直流電壓源的第一輸出端與所述續(xù)流單元相連，所述直流電壓源的第二輸出端與所述開關(guān)單元相連；以及檢測(cè)模塊，在待測(cè)疊層母排的第一通路和第二通路與所述續(xù)流單元并聯(lián)接入后，所述檢測(cè)模塊用于檢測(cè)在所述開關(guān)單元導(dǎo)通時(shí)所述待測(cè)疊層母排產(chǎn)生的電壓和電流變化率，并根據(jù)所述電壓和電流變化率計(jì)算所述待測(cè)疊層母排的雜散電感。該裝置能夠提高檢測(cè)精度，降低檢測(cè)成本。
【專利說明】疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電力【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言，涉及一種疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]疊層母排因其采用層疊的結(jié)構(gòu)能夠有效地減小由連接導(dǎo)線產(chǎn)生的雜散電感。而對(duì)于工作于高頻開關(guān)狀態(tài)的器件來說，減小雜散電感從而能夠減小由于高速關(guān)斷大電流引起的關(guān)斷電壓尖峰，起到保護(hù)器件和提高性能的作用。特別是對(duì)于開關(guān)器件IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)來說，由于其工作在幾千赫茲甚至到幾萬(wàn)赫茲的聞?lì)l開關(guān)狀態(tài)，母排進(jìn)行置層設(shè)計(jì)可以有效地減少線路的雜散電感，從而減少IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓，使IGBT可靠地運(yùn)行在安全工作區(qū)。因此，疊層母排的雜散電感大小對(duì)逆變器的性能和可靠性的意義重大，需要對(duì)其進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。
[0003]目前儀器的測(cè)試方法通常是采用電橋法來測(cè)量疊層母排的雜散電感。電橋法測(cè)量雜散電感即是通過將待測(cè)疊層母排與參數(shù)已知的元器件構(gòu)成橋臂對(duì)稱的電路，然后通過檢測(cè)對(duì)稱點(diǎn)的電位差和電路參數(shù)運(yùn)算得待測(cè)疊層母排的雜散電感的大小?，F(xiàn)有的采用儀器測(cè)量的方法需要專門的儀器，大大增加了成本，并且在雜散電感極小時(shí)，不能準(zhǔn)確地測(cè)量雜散電感的大小。
[0004]因此，現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)是，測(cè)量精度差、靈活性差，并且不能實(shí)現(xiàn)低感量測(cè)量，此外成本還高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的旨在至少解決上述的技術(shù)缺陷之一。
[0006]為此，本發(fā)明的目的在于提出一種疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，提高了檢測(cè)精度，降低了檢測(cè)成本。
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提出的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，包括:開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊包括續(xù)流單元和開關(guān)單元；脈沖發(fā)生模塊，用于生成驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)以使所述開關(guān)單元導(dǎo)通；直流電壓源，所述直流電壓源的第一輸出端與所述續(xù)流單元相連，所述直流電壓源的第二輸出端與所述開關(guān)單元相連；以及檢測(cè)模塊，在待測(cè)疊層母排的第一通路和第二通路與所述續(xù)流單元并聯(lián)接入后，所述檢測(cè)模塊用于檢測(cè)在所述開關(guān)單元導(dǎo)通時(shí)所述待測(cè)疊層母排產(chǎn)生的電壓和電流變化率，并根據(jù)所述電壓和電流變化率計(jì)算所述待測(cè)疊層母排的雜散電感。
[0008]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，可以靈活方便地測(cè)量疊層母排的雜散電感，并且在雜散電感很小的情況下也能夠?qū)ζ渚_測(cè)量，測(cè)量精度高。此外，還不需要額外的儀器，大大降低了成本。
[0009]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0010]本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0011]圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置對(duì)待測(cè)疊層母排測(cè)量時(shí)的結(jié)構(gòu)不意圖；以及
[0012]圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置對(duì)待測(cè)疊層母排測(cè)量時(shí)的具體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0014]下文的公開提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此夕卜，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實(shí)施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。
[0015]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)的具體含義。
[0016]參照下面的描述和附圖，將清楚本發(fā)明的實(shí)施例的這些和其他方面。在這些描述和附圖中，具體公開了本發(fā)明的實(shí)施例中的一些特定實(shí)施方式，來表示實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的原理的一些方式，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實(shí)施例的范圍不受此限制。相反，本發(fā)明的實(shí)施例包括落入所附加權(quán)利要求書的精神和內(nèi)涵范圍內(nèi)的所有變化、修改和等同物。
[0017]下面參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提出的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置。
[0018]如圖1所示，該疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置包括開關(guān)模塊101脈沖發(fā)生模塊102、直流電壓源103和檢測(cè)模塊104。
[0019]其中，開關(guān)模塊101包括續(xù)流單元1和開關(guān)單元2。優(yōu)選地，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，開關(guān)單元2包括IGBT和反并聯(lián)的二極管。可以理解的是，開關(guān)單元2也可以直接包括 IGBT 或者 MOSFET (Metal-Oxi de-Semi conductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管)等可控開關(guān)器件。續(xù)流單元1可以包括二極管，二極管的正向端與開關(guān)單元2相連，二極管的反向端與直流電壓源103的第一輸出端即正輸出端c相連。優(yōu)選地,如圖2所示,續(xù)流單元1也包括IGBT和反并聯(lián)的二極管。續(xù)流單元1起到續(xù)流作用，防止電流電壓突變，使電路中產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)在回路以續(xù)電流方式消耗，從而起到保護(hù)電路中的元件不被損壞的作用?？梢岳斫獾氖牵m(xù)流單元1中的二極管可以是快恢復(fù)二極管或肖特基二極管。
[0020]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置還包括驅(qū)動(dòng)模塊。驅(qū)動(dòng)模塊分別與脈沖發(fā)生模塊102和開關(guān)單元2相連，根據(jù)驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)開關(guān)單元2的導(dǎo)通和關(guān)斷以控制開關(guān)模塊101進(jìn)行工作，也就是說，驅(qū)動(dòng)模塊用于將脈沖發(fā)生模塊102輸出的驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)進(jìn)行放大等處理以輸出性能穩(wěn)定、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的信號(hào)。在本發(fā)明的一個(gè)示例中，如圖2所示，驅(qū)動(dòng)模塊可以為IGBT驅(qū)動(dòng)器201。
[0021]如圖1所示，脈沖發(fā)生模塊102用于生成驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)以使開關(guān)單元2導(dǎo)通。也就是說，如圖2所示，脈沖發(fā)生模塊102可以為觸發(fā)脈沖發(fā)生器202，觸發(fā)脈沖發(fā)生器202向IGBT驅(qū)動(dòng)器201輸出脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，IGBT驅(qū)動(dòng)器201對(duì)脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行處理例如放大以使開關(guān)模塊101的開關(guān)單元2導(dǎo)通。通過IGBT驅(qū)動(dòng)器201的處理以使觸發(fā)脈沖發(fā)生器202輸出的脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng)、更穩(wěn)定。
[0022]直流電壓源103的第一輸出端即正輸出端c與續(xù)流單元1相連，直流電壓源103的負(fù)輸出端d與開關(guān)單元2相連，直流電壓源103用于向所述疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置供電，并且輸出的直流電壓可調(diào)。
[0023]在本發(fā)明的實(shí)施例中，如圖1和圖2所示，應(yīng)用所述疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置檢測(cè)待測(cè)疊層母排時(shí)，將待測(cè)疊層母排的正通路a (即第一通路)和負(fù)通路b (即第二通路)與續(xù)流單元1并聯(lián)接入電路。在開關(guān)模塊101的開關(guān)單元2導(dǎo)通時(shí)，待測(cè)疊層母排、開關(guān)單元2和直流電壓源103形成短路回路，從而檢測(cè)模塊104檢測(cè)在開關(guān)單元2導(dǎo)通時(shí)待測(cè)疊層母排產(chǎn)生的電壓和電流變化率，并根據(jù)電壓和電流變化率計(jì)算待測(cè)疊層母排的雜散電感。在本發(fā)明的一個(gè)示例中，檢測(cè)模塊104包括示波器(圖中未示出)，通過示波器檢測(cè)待測(cè)疊層母排產(chǎn)生的電壓和電流。
[0024]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，上述疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置還包括預(yù)設(shè)疊層母排203，其中預(yù)設(shè)疊層母排203是性能參數(shù)已知的疊層母排。預(yù)設(shè)疊層母排203的正通路a’(即第一通路)連接在直流電壓源103的正輸出端c和續(xù)流單元1之間，預(yù)設(shè)疊層母排203的負(fù)通路b’(即第二通路)連接在直流電壓源103的負(fù)輸出端d和開關(guān)單元2之間。此外，疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置還包括多個(gè)直流母線電容204，多個(gè)直流母線電容204并聯(lián)連接在預(yù)設(shè)疊層母排203的正通路a’和負(fù)通路b’之間。
[0025]其中，預(yù)設(shè)疊層母排203用作開關(guān)模塊101與多個(gè)直流母線電容204和直流電壓源103的連接且固定多個(gè)直流母線電容204，能夠提供低雜散電感的直流母線回路，并提高開關(guān)模塊101的性能。此外，多個(gè)直流母線電容204起到儲(chǔ)能作用。
[0026]本發(fā)明的實(shí)施例中，在檢測(cè)待測(cè)疊層母排的雜散電感的過程中，待測(cè)疊層母排的正通路a和負(fù)通路b將開關(guān)模塊101的續(xù)流單元1短接。并且待測(cè)疊層母排還包括用于連接每個(gè)直流母線電容204的端子，在測(cè)試過程中，還將這些連接直流母線電容204的端子短接。具體地說，每個(gè)直流母線電容204是并聯(lián)連接在預(yù)設(shè)疊層母排203的正通路a’和負(fù)通路b’中的端子上的，同樣地，待測(cè)疊層母排也包括這些連接直流母線電容的端子，在檢測(cè)待測(cè)疊層母排的雜散電感的過程中，需要將這些連接直流母線電容的端子短接。
[0027]也就是說，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，啟動(dòng)對(duì)待測(cè)疊層母排的雜散電感測(cè)試時(shí)，調(diào)節(jié)直流電壓源103的輸出電壓到與待測(cè)疊層母排實(shí)際工作時(shí)的電壓水平相當(dāng)，并調(diào)節(jié)觸發(fā)脈沖發(fā)生器202的脈沖跨度，以使通過電感的電流與實(shí)際工作時(shí)的電流水平相當(dāng)。觸發(fā)脈沖發(fā)生器202輸出驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)，并當(dāng)驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)有效時(shí)，通過IGBT驅(qū)動(dòng)器201驅(qū)動(dòng)開關(guān)模塊101的開關(guān)單元2導(dǎo)通。其中，驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)的寬度可調(diào)以控制開關(guān)單元2的導(dǎo)通時(shí)間，通常導(dǎo)通時(shí)間很短，例如小于10微秒。IGBT驅(qū)動(dòng)器201為開關(guān)模塊101與觸發(fā)脈沖發(fā)生器202之間的接口電路，將觸發(fā)脈沖發(fā)生器202的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)開關(guān)模塊101工作的信號(hào)，起到放大、穩(wěn)定信號(hào)的作用。
[0028]進(jìn)一步地，在開關(guān)模塊101的開關(guān)單元2導(dǎo)通時(shí)，直流電壓源103和直流母線電容204與待測(cè)疊層母排和開關(guān)模塊101的開關(guān)單元2形成短路回路，產(chǎn)生短路電流，并在流過待測(cè)疊層母排的電流上升時(shí)，待測(cè)疊層母排自身的雜散電感在母排兩端產(chǎn)生感應(yīng)電壓，即待測(cè)疊層母排兩端的電壓。
[0029]通過檢測(cè)模塊104例如其中的示波器檢測(cè)At時(shí)間內(nèi)待測(cè)疊層母排中雜散電感兩端的平均電壓以及通過雜散電感的電流變化量Ai，從而可以測(cè)量到雜散電感的電流上升變化率Ai/At，以及對(duì)應(yīng)時(shí)間At內(nèi)待測(cè)疊層母排兩端電壓的平均值，最后根據(jù)以下公式:
[0030]U=L* Δ i/ Δ t(1)
[0031]計(jì)算得到待測(cè)疊層母排的雜散電感。其中，U為待測(cè)疊層母排兩端產(chǎn)生的電壓，L為雜散電感，Λ i/At為電流上升變化率。
[0032]由于雜散電感L的大小是根據(jù)公式(1)計(jì)算得到，所以在雜散電感L很小時(shí)，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)可以得到比較大的電流上升變化率△ i/ △ t，從而使待測(cè)疊層母排兩端的電壓U不致太小 ；同樣，在雜散電感L很大時(shí)，也可以通過調(diào)節(jié)得到較小的電流上升變化率Ai/At，從而使待測(cè)疊層母排兩端的電壓U不致太大。因此，上述疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置能夠反映真實(shí)使用條件下的雜散電感L的大小，并且測(cè)量精度不受雜散電感L大小的限制。
[0033]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，可以靈活方便地測(cè)量疊層母排的雜散電感，并且在雜散電感很小的情況下也能夠?qū)ζ渚_測(cè)量，測(cè)量精度高。此外，還不需要額外的儀器，大大降低了成本。
[0034]此外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理模塊中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，也可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。
[0035]上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。
[0036]在本說明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0037]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
【權(quán)利要求】
1.一種疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，包括:開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊包括續(xù)流單元和開關(guān)單元；脈沖發(fā)生模塊，用于生成驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)以使所述開關(guān)單元導(dǎo)通；直流電壓源，所述直流電壓源的第一輸出端與所述續(xù)流單元相連，所述直流電壓源的第二輸出端與所述開關(guān)單元相連；以及檢測(cè)模塊，在待測(cè)疊層母排的第一通路和第二通路與所述續(xù)流單元并聯(lián)接入后，所述檢測(cè)模塊用于檢測(cè)在所述開關(guān)單元導(dǎo)通時(shí)所述待測(cè)疊層母排產(chǎn)生的電壓和電流變化率，并根據(jù)所述電壓和電流變化率計(jì)算所述待測(cè)疊層母排的雜散電感。
2.如權(quán)利要求1所述的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，還包括:驅(qū)動(dòng)模塊，所述驅(qū)動(dòng)模塊分別與所述脈沖發(fā)生模塊和所述開關(guān)單元相連，根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述開關(guān)單元的導(dǎo)通和關(guān)斷。
3.如權(quán)利要求2所述的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，所述脈沖發(fā)生模塊通過調(diào)整所述驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)的寬度控制所述開關(guān)單元的導(dǎo)通時(shí)間。
4.如權(quán)利要求1所述的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，還包括:預(yù)設(shè)疊層母排，所述預(yù)設(shè)疊層母排的第一通路連接在所述直流電壓源的第一輸出端和所述續(xù)流單元之間，所述預(yù)設(shè)疊層母排的第二通路連接在所述直流電壓源的第二輸出端和所述開關(guān)單元之間。
5.如權(quán)利要求4所述的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，還包括:多個(gè)直流母線電容，所述多個(gè)直流母線電容并聯(lián)連接在所述預(yù)設(shè)疊層母排的第一通路和第二通路之間。
6.如權(quán)利要求5所述的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，所述待測(cè)疊層母排還包括用于連接每個(gè)所述直流母線電容的的端子，并將所述用于連接每個(gè)所述直流母線電容的的端子短接。
7.如權(quán)利要求1所述的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，所述開關(guān)單元包括絕緣柵雙極型晶體管IGBT或金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管MOSFET。
8.如權(quán)利要求1所述的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，所述續(xù)流單元包括二極管，所述二極管的正向端與所述開關(guān)單元相連，所述二極管的反向端與所述直流電壓源的正輸出端相連。
9.如權(quán)利要求1所述的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)模塊包括示波器，用于檢測(cè)在所述開關(guān)單元導(dǎo)通時(shí)所述待測(cè)疊層母排產(chǎn)生的電壓和電流。
10.如權(quán)利要求9所述的疊層母排的雜散電感檢測(cè)裝置，其特征在于，所述雜散電感根據(jù)以下公式計(jì)算得到:U=L* Δ i/At其中，U為所述待測(cè)疊層母排產(chǎn)生的電壓，L為所述雜散電感，Ai/At為所述電流變化率。
【文檔編號(hào)】G01R27/26GK103630754SQ201210299233
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月21日
【發(fā)明者】林玉文, 尹雪芹, 王營(yíng)輝 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司