專利名稱：一種soi基巨壓阻效應(yīng)微陀螺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微慣性導(dǎo)航關(guān)鍵器件研究領(lǐng)域，具體涉及一種SOI基巨壓阻效應(yīng)的微機(jī)械陀螺。
背景技術(shù)：
目前，微機(jī)械陀螺常用的檢測方式是電容式和壓阻式，壓阻式是基于高摻雜硅的壓阻效應(yīng)原理實(shí)現(xiàn)的，由于硅壓敏電阻的電阻應(yīng)變系數(shù)較小，隨著傳感器尺寸的變小，傳統(tǒng)摻雜工藝的壓敏電阻已經(jīng)不能滿足現(xiàn)代高靈敏度測試的要求；電容式精度的提高是利用增大電容面積，由于器件的微小型化，其精度因有效電容面積的縮小而難以提高。微機(jī)械陀螺對角速度的測量是靠檢測裝置實(shí)現(xiàn)力電轉(zhuǎn)換來完成的，其靈敏度、分 辨率是十分重要的，由于陀螺儀微型化和集成化，檢測的敏感區(qū)域隨之減小，故而使檢測的靈敏度、分辨率等指標(biāo)已達(dá)到敏感區(qū)域檢測的極限狀態(tài)，從而限制了陀螺儀檢測精度的進(jìn)一步提高，很難滿足現(xiàn)代軍事、民用裝備的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。有鑒于此，本發(fā)明需要提供微機(jī)械陀螺，該微機(jī)械陀螺為SOI(SiIicon-On-Insulator,絕緣襯底上的娃)基巨壓阻效應(yīng)的微機(jī)械陀螺，至少可以提高微機(jī)械陀螺的檢測精度。本發(fā)明提供了一種微機(jī)械陀螺，包括鍵合基板，所述的鍵合基板上表面刻蝕有為敏感質(zhì)量塊提供運(yùn)動的底槽；微陀螺角速率敏感體，所述的微陀螺角速率敏感體設(shè)在鍵合基板上方，并與鍵合基板粘結(jié)牢固，且微陀螺角速率敏感體包括固定梳齒電極正極，設(shè)在鍵合基板左、右側(cè)的上表面；梳齒電極負(fù)極，設(shè)在鍵合基板前、后側(cè)的上表面；固定梳齒，設(shè)在固定梳齒電極正極上表面；固定座，設(shè)在梳齒電極負(fù)極上表面；敏感質(zhì)量塊，設(shè)在底槽上方，表面均勻分布有通孔阻尼孔；驅(qū)動梳齒，設(shè)在敏感質(zhì)量塊左右兩側(cè)的邊緣，并與固定梳齒交叉吻合；組合梁，用于連接敏感質(zhì)量塊和固定座；硅納米線電阻層，作為敏感機(jī)構(gòu)設(shè)在組合梁的檢測梁根部。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的微機(jī)械陀螺，采用整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊合理，既能充分利用空間，又能抑制驅(qū)動對檢測的影響，適合器件的自解耦和微型化。硅納米線電阻由硅納米線電阻層、硅納米線電阻正極、硅納米線電阻負(fù)極組成，硅納米線電阻層所具有巨壓阻效應(yīng)比傳統(tǒng)的硅壓阻器件的壓阻靈敏度高約2個數(shù)量級，可大幅提高硅壓阻式傳感器的檢測靈敏度和分辨率，是一種十分理想的提高硅基壓阻式MEMS器件的方法。除以上特點(diǎn)外，該微陀螺角速率敏感體的檢測電路設(shè)計(jì)簡單、使用方便、可靠性好，適合微型化。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述的鍵合基板整體為矩形結(jié)構(gòu)，其上設(shè)有矩形凹槽即底槽?？蔀槲⑼勇萁撬俾拭舾畜w儀的敏感質(zhì)量塊的上下、左右運(yùn)動提供空間。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述的微陀螺角速率敏感體進(jìn)一步包括固定梳齒電極正極，所述的固定梳齒電極正極為兩個，分別置于鍵合基板左、右邊框的上表面并粘結(jié)牢固，并且該電極上表面設(shè)固定梳齒,并粘結(jié)牢固；梳齒電極負(fù)極,所述的梳齒電極負(fù)極為敏感質(zhì)量塊左、右兩側(cè)驅(qū)動梳齒的電極，該電極與固定梳齒電極正極在同一平面，置于鍵合基板前、后邊框上表面，并粘結(jié)牢固，并且該電極的上表面設(shè)固定座，并粘結(jié)牢固；敏感質(zhì)量塊，所述的敏感質(zhì)量塊表面均布通孔阻尼孔。敏感質(zhì)量塊左、右兩側(cè)邊緣均勻分布有驅(qū)動梳齒，敏感質(zhì)量塊通過組合梁與固定座相連接。組合梁，所述的組合梁由驅(qū)動梁、檢測梁、連接塊構(gòu)成，用于連接固定座和敏感質(zhì)量塊，檢測梁的上表面設(shè)有硅納米線電阻。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述的固定梳齒電極上設(shè)有所述固定梳齒的基座；所述的梳齒電極負(fù)極上設(shè)有所述的固定座，固定座有前、后兩個，分別置于兩個梳齒電極負(fù)極上表面，并通過組合梁與敏感質(zhì)量塊相連接；固定座與組合梁相連接部位的上表面設(shè)有硅納米線電阻電極。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述的敏感質(zhì)量塊為矩形，且內(nèi)嵌在鍵合基板的底槽中，并可在此底槽中上、下、前、后、左右運(yùn)動；所述的敏感質(zhì)量塊前、后對稱位置分別通過組 合梁與固定座相連接。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述的組合梁呈回折形，驅(qū)動梁和檢測梁通過連接塊相連接，連接塊兩端為“幾”字形驅(qū)動梁，連接塊中間位置設(shè)檢測梁；組合梁中驅(qū)動梁的厚度與敏感質(zhì)量塊的厚度相同，檢測梁的厚度小于兩側(cè)驅(qū)動梁，在；檢測梁靠近固定座一端的根部上表面設(shè)有硅納米線電阻。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述的固定梳齒與所述敏感質(zhì)量塊兩側(cè)邊緣的驅(qū)動梳齒交叉吻合。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述的敏感質(zhì)量塊的四角對稱位置加工有組合梁運(yùn)動空間，組合梁分別嵌于組合梁運(yùn)動空間內(nèi)，組合梁可在組合梁運(yùn)動空間內(nèi)上下、左右、前后運(yùn)動。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述的檢測梁的硅襯底層上制作有二氧化硅層，二氧化硅層上制作有折形的硅納米線電阻層，硅納米線電阻層的兩端分別連接有硅納米線電阻正極、硅納米線電阻負(fù)極。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述硅納米線電阻層采用SOI材料制成。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中
圖I為本發(fā)明實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)立體 圖2為本發(fā)明實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)平面 圖3為本發(fā)明實(shí)施例的微陀螺角速率敏感體立體結(jié)構(gòu) 圖4為本發(fā)明實(shí)施例的敏感質(zhì)量塊平面結(jié)構(gòu) 圖5為本發(fā)明實(shí)施例的鍵合基板立體結(jié)構(gòu) 圖6為本發(fā)明實(shí)施例的硅納米線電阻結(jié)構(gòu) 圖7為本發(fā)明實(shí)施例的組合梁立體結(jié)構(gòu)圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例的組合梁三視 圖9為本發(fā)明實(shí)施例的固定梳齒結(jié)構(gòu) 圖中所示，附圖標(biāo)記清單如下
I、敏感質(zhì)量塊，2、阻尼孔，3、固定座，4、固定梳齒基座，5、固定梳齒，6、硅納米線電阻，7、硅納米線電阻正極，8、硅納米線電阻負(fù)極，9、驅(qū)動梳齒，10、組合梁運(yùn)動空間，11、驅(qū)動梁，12、檢測梁，13、連接塊，14、梳齒，15、梳齒槽，16、梳齒電極負(fù)極，17、固定梳齒電極正極，18、硅襯底層，19、二氧化硅層，20、硅納米線電阻層，21、鍵合基板，22、底槽，23、微陀螺角速率敏感體，24、組合梁
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終 相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。硅納米線電阻是一種新型的硅壓阻式電阻，其所表征的巨壓阻效應(yīng)的電阻應(yīng)變系數(shù)高達(dá)5000，比傳統(tǒng)體加工的硅壓阻的電阻應(yīng)變系數(shù)(100左右)高約2個數(shù)量級。將這種新型的硅納米線電阻應(yīng)用于微機(jī)械陀螺的研究是對傳統(tǒng)壓敏電阻式微機(jī)械陀螺的繼承與突破。以下結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明
如圖1-2所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的微機(jī)械陀螺，包括鍵合基板21和微陀螺角速率敏感體23兩大部分；
具體而言，可以以鍵合基板21為載體，例如鍵合基板21可以由半導(dǎo)體材料制成，鍵合基板21上表面中心位置設(shè)有用以為敏感質(zhì)量塊提供運(yùn)動空間的底槽22。微陀螺角速率敏感體23可以設(shè)在鍵合基板21的上表面，并與鍵合基板21相連接，且微陀螺角速率敏感體23可以包括敏感質(zhì)量塊1，設(shè)在底槽22之上，且二者之間間隔隔開，敏感質(zhì)量塊I可以在底槽22中上下、左右、如后振動；固定梳齒5,設(shè)在固定梳齒電極正極17上表面，并粘結(jié)牢固，且固定梳齒5與敏感質(zhì)量塊I在同一平面；驅(qū)動梳齒9，設(shè)在敏感質(zhì)量塊I左右兩側(cè)，梳齒均布，且與固定梳齒5交叉吻合，二者能夠在靜電力的作用下驅(qū)動敏感質(zhì)量塊I，使其左右振動。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的微機(jī)械陀螺，采用整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理緊湊，既能充分利用空間，又能抑制驅(qū)動對檢測的影響，適合器件的自解耦和微型化。敏感質(zhì)量塊I在靜電梳齒9的驅(qū)動作用力下，沿X軸方向做線性簡諧振動，當(dāng)陀螺儀在Y軸方向上有角速度輸入時，由于哥氏力的作用，敏感質(zhì)量塊I將在Z軸方向上產(chǎn)生進(jìn)動。此進(jìn)動將帶動組合梁24使檢測梁12發(fā)生形變，從而引起制作于檢測梁12根部的硅納米線電阻層20發(fā)生形變。由于硅納米線電阻層20具有巨壓阻效應(yīng)，因此微弱的形變就能夠使該納米線電阻層發(fā)生劇烈的阻值變化。這樣就可以把一個微弱的哥氏力信號轉(zhuǎn)化成一個較強(qiáng)的電學(xué)信號，通過對該信號的處理就可以檢測出Y軸方向輸入角速度的大小。此裝置的檢測電路設(shè)計(jì)簡單、使用方便、可靠性好，適合微型化
圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，微陀螺角速率敏感體23進(jìn)一步包括敏感質(zhì)量塊
I、固定座3、固定梳齒5、組合梁24、梳齒電極負(fù)極16、固定梳齒電極正極17。具體而言，所述的固定梳齒電極正極17為兩個，分別置于鍵合基板21左、右邊框的上表面并粘結(jié)牢固，并且該電極上表面設(shè)固定梳齒5，并粘結(jié)牢固；所述的梳齒電極負(fù)極 16為敏感質(zhì)量塊I左、右兩側(cè)驅(qū)動梳齒9的電極，該電極與固定梳齒電極正極17在同一平面，置于鍵合基板21前、后邊框上表面，并粘結(jié)牢固，并且該電極的上表面設(shè)固定座3，并粘結(jié)牢固；所述的敏感質(zhì)量塊I表面均布通孔阻尼孔2。敏感質(zhì)量塊I左、右兩側(cè)邊緣均勻分布有驅(qū)動梳齒9，敏感質(zhì)量塊I通過組合梁24與固定座3相連接。所述的組合梁24由驅(qū)動梁11、檢測梁12、連接塊13構(gòu)成，用于連接固定座和敏感質(zhì)量塊，檢測梁12的上表面設(shè)有硅納米線電阻6。圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，敏感質(zhì)量塊I呈矩形，通過組合梁24連接于固定座3、的內(nèi)側(cè)四角部位，內(nèi)嵌于鍵合基板21上表面的底槽22中；組合梁24的四角對稱位置組合梁運(yùn)動空間10的形狀恰好于組合梁24的外側(cè)邊框形狀吻合，組合梁4可在組合梁運(yùn)動空間10內(nèi)上下、前后、左右運(yùn)動；敏感質(zhì)量塊I可以用半導(dǎo)體材料制作，在組合梁24的支撐下并可以在此底槽22中前后、左右、上下振動；敏感質(zhì)量塊I的表面均布通孔阻尼孔 2 ;阻尼孔2貫通于敏感質(zhì)量塊1，阻尼孔2可呈圓形，也可呈方形，阻尼孔2的數(shù)量的多少及尺寸的大小可根據(jù)應(yīng)用環(huán)境和阻尼系數(shù)確定。圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，鍵合基板21呈矩形，上表面的中心位置制作有底槽22,此底槽22能夠?yàn)槊舾匈|(zhì)量塊I的上下左右如后運(yùn)動提供運(yùn)動空間。圖6所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在硅襯底18上設(shè)置有二氧化硅層19，在二氧化硅層19上設(shè)置有硅納米線電阻6，硅納米線電阻6的兩端分別連接有硅納米線電阻正極
7、硅納米線電阻負(fù)極8 ;硅納米線電阻層20采用SOI材料制成，上層硅結(jié)構(gòu)經(jīng)過摻雜后形成具有巨壓阻效應(yīng)的硅納米線電阻，硅納米線電阻層20的寬度、長度的大小和回折數(shù)量要視微機(jī)械陀螺設(shè)計(jì)參數(shù)及應(yīng)用環(huán)境決定；硅納米線電阻正極7、硅納米線電阻負(fù)極8為金材料，在硅納米線電阻層20的兩端進(jìn)行良好處理與硅納米線電阻正極7、硅納米線電阻負(fù)極8形成良好歐姆接觸。圖7-8所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，組合梁24包括驅(qū)動梁11、檢測梁12、連接塊13。組合梁24端部為連接塊13，在連接塊13的左右部對稱設(shè)置有驅(qū)動梁11，在兩驅(qū)動梁11之間為檢測梁12，檢測梁12端部接連接塊13，三者為一體結(jié)構(gòu)。驅(qū)動梁11與連接塊13厚度相同，檢測梁12的厚度小于驅(qū)動梁11和連接塊13，連接塊13、驅(qū)動梁11的厚度與敏感質(zhì)量塊I的厚度相同。保證檢測梁12在Z軸方向上的總剛度也遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于驅(qū)動梁11在Z軸方向上的總剛度，可以實(shí)現(xiàn)微陀螺角速率敏感體在驅(qū)動方向、即X軸方向和檢測方向、即Z軸方向上的自解耦；在檢測梁12靠近固定座3—端的根部上表面設(shè)有硅納米線電阻層20，此結(jié)構(gòu)即為陀螺儀的敏感結(jié)構(gòu)。如圖9所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，固定梳齒包括固定梳齒基座4、梳齒14、梳齒槽15，固定梳齒基座4的鍵合于固定梳齒電極正極17之上，固定梳齒5的一側(cè)等間距設(shè)置梳齒14，梳齒14之間為梳齒槽15，梳齒14、梳齒槽15與敏感質(zhì)量塊I上的驅(qū)動梳齒9交叉關(guān)聯(lián)，固定梳齒5與敏感質(zhì)量塊I的厚度相同。在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示意性實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在不 脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種微機(jī)械陀螺，其特征在于，包括 鍵合基板，所述的鍵合基板上表面設(shè)有矩形凹槽即底槽； 微陀螺角速率敏感體，所述的微陀螺角速率敏感體設(shè)在鍵合基板上方，并與鍵合基板粘結(jié)牢固，且微陀螺角速率敏感體包括鍵合基板左、右側(cè)上表面分布的固定梳齒電極正極；前、后側(cè)上表面分布的梳齒電極負(fù)極；固定梳齒電極正極上表面設(shè)置的固定梳齒結(jié)構(gòu)；梳齒電極負(fù)極上表面設(shè)置的固定座；對應(yīng)設(shè)在底槽上方的敏感質(zhì)量塊，敏感質(zhì)量塊上均勻分布有通孔阻尼孔；敏感質(zhì)量塊通過組合梁與固定座相連接；組合梁的檢測梁根部設(shè)有硅納米線電阻作為敏感機(jī)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的微機(jī)械陀螺，其特征在于，所述的鍵合基板整體為矩形結(jié)構(gòu)，可為微陀螺角速率敏感體儀的敏感質(zhì)量塊的上下、左右運(yùn)動提供空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的微機(jī)械陀螺，其特征在于，固定梳齒電極正極，所述的固定梳齒電極正極為兩個，分別置于鍵合基板左、右邊框的上表面并粘結(jié)牢固，并且該固定梳齒電極正極上表面設(shè)固定梳齒，并粘結(jié)牢固； 梳齒電極負(fù)極，所述的梳齒電極負(fù)極為敏感質(zhì)量塊左、右兩側(cè)驅(qū)動梳齒的電極，該電極與固定梳齒電極正極在同一平面，置于鍵合基板前、后邊框上表面，并粘結(jié)牢固，并且該電極的上表面設(shè)固定座，并粘結(jié)牢固； 敏感質(zhì)量塊，所述的敏感質(zhì)量塊表面均布通孔阻尼孔，敏感質(zhì)量塊左、右兩側(cè)邊緣均勻分布有驅(qū)動梳齒，敏感質(zhì)量塊通過組合梁與固定座相連接； 組合梁，所述的組合梁由驅(qū)動梁、檢測梁、連接塊構(gòu)成，用于連接固定座和敏感質(zhì)量塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微機(jī)械陀螺，其特征在于，所述的固定梳齒電極正極上設(shè)有所述固定梳齒的基座；所述的梳齒電極負(fù)極上設(shè)有所述的固定座，固定座有前、后兩個，分別置于兩個梳齒電極負(fù)極上表面，并通過組合梁與敏感質(zhì)量塊相連接；固定座與組合梁相連接部位的上表面設(shè)有硅納米線電阻電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微機(jī)械陀螺，其特征在于，所述的敏感質(zhì)量塊為矩形，且內(nèi)嵌在鍵合基板的底槽中，并可在此底槽中上、下、前、后、左右運(yùn)動；所述的敏感質(zhì)量塊前、后對稱位置分別通過組合梁與固定座相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微機(jī)械陀螺，其特征在于，所述的組合梁呈回折形，驅(qū)動梁和檢測梁通過連接塊相連接，連接塊兩端為“幾”字形驅(qū)動梁，連接塊中間位置設(shè)檢測梁；組合梁中驅(qū)動梁的厚度與敏感質(zhì)量塊的厚度相同，檢測梁的厚度小于兩側(cè)驅(qū)動梁，在檢測梁靠近固定座一端的根部上表面設(shè)有硅納米線電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微機(jī)械陀螺，其特征在于，所述的固定梳齒與所述敏感質(zhì)量塊兩側(cè)邊緣的驅(qū)動梳齒交叉吻合。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微機(jī)械陀螺，其特征在于，所述的敏感質(zhì)量塊的四角對稱位置加工有組合梁運(yùn)動空間，組合梁分別嵌于組合梁運(yùn)動空間內(nèi)，組合梁可在組合梁運(yùn)動空間內(nèi)上下、左右、前后運(yùn)動。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微機(jī)械陀螺，其特征在于，所述的檢測梁的硅襯底層上制作有二氧化硅層，二氧化硅層上制作有硅納米線電阻層，硅納米線電阻層的兩端分別連接有硅納米線電阻正極、硅納米線電阻負(fù)極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微機(jī)械陀螺，其特征在于，所述硅納米線電阻層采用SOI材料制成。 ·
全文摘要
本發(fā)明公開了一種SOI基巨壓阻效應(yīng)微陀螺，主要結(jié)構(gòu)包括鍵合基板和微陀螺角速率敏感體。鍵合基板上表面中間位置刻蝕有矩形底槽；微陀螺角速率敏感體設(shè)在鍵合基板上表面并與鍵合基板相連接。微陀螺角速率敏感體進(jìn)一步包括鍵合基板左、右側(cè)上表面分布的固定梳齒電極正極；前、后側(cè)上表面分布的梳齒電極負(fù)極；固定梳齒電極正極上表面設(shè)置的固定梳齒結(jié)構(gòu)；梳齒電極負(fù)極上表面設(shè)置的固定座；對應(yīng)設(shè)在底槽上方的敏感質(zhì)量塊，敏感質(zhì)量塊上表面均勻分布有阻尼孔；敏感質(zhì)量塊通過組合梁與固定座相連接；組合梁的檢測梁根部設(shè)有硅納米線電阻作為敏感機(jī)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的微機(jī)械陀螺采用整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)合理、緊湊，檢測電路簡單，使用方便、可靠性好、適合微型化。
文檔編號G01C19/5733GK102798387SQ20121032977
公開日2012年11月28日 申請日期2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月7日
發(fā)明者劉俊, 李孟委, 李錫廣, 王莉, 杜康, 石云波 申請人:中北大學(xué)