專利名稱：晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路工藝的發(fā)展和機(jī)臺(tái)性能的不斷提高，對(duì)晶圓邊緣的缺陷情況越來越注重。利用晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具，例如，CV300R通過對(duì)晶圓邊緣的度量，旨在幫助半導(dǎo)體廠識(shí)別晶圓邊緣輪廓形狀和放置在晶圓上的薄膜邊緣可能影響成品率的不規(guī)則外形。實(shí)施中，檢測(cè)機(jī)臺(tái)對(duì)晶圓邊緣在EBR (Edge Bead Remover,邊緣去除工藝)&WEE(wafer edgeexpose，晶圓邊緣去除工藝)后進(jìn)行缺陷檢測(cè)是一種快速有效的工藝步驟品質(zhì)監(jiān)控方法。因此，保證檢測(cè)機(jī)臺(tái)自身穩(wěn)定性和精確性顯得至關(guān)重要。但是，現(xiàn)有技術(shù)中的CV300R采用的自身檢測(cè)方法過于簡(jiǎn)單，無法實(shí)際反映機(jī)臺(tái)自身的穩(wěn)定性和精確性。 目前CV300R采用的自身檢測(cè)方法主要是通過使用與機(jī)臺(tái)匹配的標(biāo)準(zhǔn)片，該標(biāo)準(zhǔn)片的正面、側(cè)面和背面均包含一定數(shù)目的微粒(particle)，并且在晶圓表面是無法移動(dòng)的。機(jī)臺(tái)通過日常檢測(cè)獲得三個(gè)面Ium大小的particle總數(shù)目，將測(cè)量得到的Ium大小的particle數(shù)值比上Ium大小的particle基準(zhǔn)數(shù)目，其比值結(jié)果在(90%, 110%)之間時(shí)表示機(jī)臺(tái)符合run貨標(biāo)準(zhǔn)，機(jī)臺(tái)可以正常使用。在這種檢測(cè)方法下，檢測(cè)結(jié)果只能反映機(jī)臺(tái)對(duì)顆粒狀缺陷(defect)的捕捉能力，而無法體現(xiàn)出對(duì)于wafer edge (晶圓邊緣)厚度檢測(cè)的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述存在的問題，本發(fā)明的目的是提供晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法。該方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中的圓邊緣度量與檢測(cè)工具的檢測(cè)結(jié)果無法確定晶圓邊緣厚度檢測(cè)的穩(wěn)定性的問題。本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
一種晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其中，包括以下步驟 提供一標(biāo)準(zhǔn)片，在所述標(biāo)準(zhǔn)片上完成晶圓邊緣去除工藝；
利用所述晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具對(duì)所述標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行多次掃描檢測(cè)，獲得所述標(biāo)準(zhǔn)片第一邊緣厚度數(shù)值組合，所述第一邊緣厚度數(shù)值組合包括第一最大邊緣厚度數(shù)值、第一最小邊緣厚度數(shù)值；
分別對(duì)所述第一邊緣厚度數(shù)值組合的平均計(jì)算，獲得每個(gè)所述第一邊緣厚度數(shù)值組合的第一平均邊緣厚度數(shù)值；
取所有的所述第一邊緣厚度數(shù)值組合的所述第一最大邊緣厚度數(shù)值、所述第一最小邊緣厚度數(shù)值和所述第一平均邊緣厚度數(shù)值進(jìn)行算術(shù)平均值計(jì)算，獲得算術(shù)平均值；
進(jìn)行日常檢測(cè)時(shí)，對(duì)所述標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行日常掃描，獲得第二邊緣厚度數(shù)值組合，分別計(jì)算出算術(shù)平均值與該第二邊緣厚度數(shù)值組合中的第二最大邊緣厚度數(shù)值、第二最小邊邊緣厚度數(shù)值和第二平均邊緣厚度數(shù)值的絕對(duì)差；
設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，分別比較所述絕對(duì)差和所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，通過比較結(jié)果，確定檢測(cè)所述晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度穩(wěn)定性。上述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其中，在所述標(biāo)準(zhǔn)片上進(jìn)行晶圓邊緣去除工藝步驟中，包括
提供一晶圓作為基底；
在所述晶圓上生成長(zhǎng)一層金屬銅薄膜；
在所述晶圓邊緣進(jìn)行晶圓邊緣去除工藝，去除所述晶圓邊緣部分的金屬銅薄膜。上述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其中，采用金屬洗邊工藝進(jìn)行晶圓邊緣的去除。 上述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其中，采用金屬邊緣刻蝕工藝進(jìn)行晶圓邊緣的去除。上述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其中，在比較所述絕對(duì)差和所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值的步驟中，包括
確定一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，將所述算術(shù)平均值和所述第二最大邊緣厚度數(shù)值的第一絕對(duì)差、所述標(biāo)準(zhǔn)值和所述第二最小邊緣厚度數(shù)值的第二絕對(duì)差、所述標(biāo)準(zhǔn)值和所述第二平均邊緣厚度數(shù)值的第三絕對(duì)差分別與所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值進(jìn)行比較；
若所述第一絕對(duì)差、所述第二絕對(duì)差和所述第三絕對(duì)差均小于所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，則所述晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性符合標(biāo)準(zhǔn)；
若所述第一絕對(duì)差或/和所述第二絕對(duì)差或/和第三絕對(duì)差大于所述標(biāo)準(zhǔn)值，則所述晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性不符合標(biāo)準(zhǔn)。上述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其中，設(shè)定所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值為20 μ m。上述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其中，所述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具為CV300R晶圓邊緣度量與檢測(cè)設(shè)備。與已有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于
本發(fā)明通過設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)晶圓和標(biāo)準(zhǔn)的比較值，通過專門用于機(jī)臺(tái)檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)片。通過將檢測(cè)晶圓測(cè)量的多個(gè)數(shù)值-最大值、最小值和平均值與標(biāo)準(zhǔn)的比較值進(jìn)行比較確定偏差度，通過偏差度可以更加直觀的檢測(cè)到機(jī)臺(tái)檢測(cè)EBR/WEE的穩(wěn)定性和精確性。當(dāng)前機(jī)臺(tái)檢測(cè)無copper EBR檢測(cè)相關(guān)內(nèi)容，增加此檢測(cè)項(xiàng)目后若機(jī)臺(tái)存在問題就可以直接反應(yīng)出來。


圖I是本發(fā)明的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法流程示意框具體實(shí)施例方式下面結(jié)合原理圖和具體操作實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。一種晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其中，包括以下步驟
Si:提供一標(biāo)準(zhǔn)片，在標(biāo)準(zhǔn)片上完成晶圓邊緣去除工藝，具體地，該步驟可以分解包括下列步驟
提供一晶圓作為基底；
在晶圓上生成長(zhǎng)一層金屬銅薄膜；
在曝光的晶圓邊緣進(jìn)行晶圓邊緣去除工藝，從而去除晶圓邊緣的光刻膠，具體地，對(duì)生長(zhǎng)銅金屬薄膜的晶圓去除邊緣冗余銅金屬，具體的可以采用金屬洗邊工藝或者金屬邊緣蝕刻工藝去除。S2:利用晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具對(duì)標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行多次掃描檢測(cè)，獲得標(biāo)準(zhǔn)片邊緣厚度數(shù)值組合； S3:通過上述步驟，獲得多個(gè)第一邊緣厚度數(shù)值組合，該第一邊緣厚度數(shù)值組合包括第一最大邊緣厚度數(shù)值、第一最小邊緣厚度數(shù)值以及每個(gè)第一邊緣厚度數(shù)值組合中的數(shù)值進(jìn)行平均計(jì)算，獲得第一平均邊緣厚度數(shù)值；
具體地，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，利用CV300 R晶圓邊緣度量與檢測(cè)設(shè)備連續(xù)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行十次掃描，每次掃描后獲得一個(gè)第一邊緣厚度數(shù)值組合，在該組合中包括多個(gè)數(shù)值，確定其第一最大值、第一最小值，并且計(jì)算出第一平均值，從而確定了每次獲得的邊緣厚度數(shù)值組合中的第一最大邊緣厚度數(shù)值、第一最小邊緣厚度數(shù)值以及第一平均邊緣厚度數(shù)值。S4 :取所有的邊緣厚度數(shù)值組合中第一最大邊緣厚度數(shù)值、第一最小邊緣厚度數(shù)值以及第一平均邊緣厚度數(shù)值并按照算術(shù)平均計(jì)算方法，計(jì)算出其算術(shù)平均值；
55:進(jìn)行日常檢測(cè)時(shí)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行日常掃描，獲得第二邊緣厚度數(shù)值組合，分別計(jì)算出算術(shù)平均值與該第二邊緣厚度數(shù)值組合中的第二最大邊緣厚度數(shù)值、第二最小邊緣厚度數(shù)值和第二平均邊緣厚度數(shù)值的絕對(duì)差；
56:設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，分別比較絕對(duì)差和標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，通過比較結(jié)果，確定檢測(cè)晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度穩(wěn)定性。具體地，該步驟中還包括下列步驟
確定一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，將算術(shù)平均數(shù)值和第二最大邊緣厚度數(shù)值的第一絕對(duì)差、標(biāo)準(zhǔn)值和第二最小邊緣厚度數(shù)值的第二絕對(duì)差、標(biāo)準(zhǔn)值和第二平均邊緣厚度數(shù)值的第三絕對(duì)差分別與所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值進(jìn)行比較；
若第一絕對(duì)差、第二絕對(duì)差和第三絕對(duì)差均小于標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，則晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性符合標(biāo)準(zhǔn)；
若第一絕對(duì)差或/和所述第二絕對(duì)差或/和第三絕對(duì)差大于標(biāo)準(zhǔn)值，則晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性不符合標(biāo)準(zhǔn)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，將標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值設(shè)定為20μπι，其中第一絕對(duì)差=|標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值第二最大邊緣厚度數(shù)值I，第二絕對(duì)差=I標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值第二最小邊緣厚度數(shù)值I，第三絕對(duì)差=I標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值第二平均邊緣厚度數(shù)值I，若該第一絕對(duì)差<20um且第二絕對(duì)差〈20 μ m且第三絕對(duì)差〈20 μ m，則可以得出該晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性符合標(biāo)準(zhǔn)。以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例，其只是作為范例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作出的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在 本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟 提供一標(biāo)準(zhǔn)片，在所述標(biāo)準(zhǔn)片上完成晶圓邊緣去除工藝； 利用所述晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具對(duì)所述標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行多次掃描檢測(cè)，獲得多組所述標(biāo)準(zhǔn)片的第一邊緣厚度數(shù)值組合，所述第一邊緣厚度數(shù)值組合包括第一最大邊緣厚度數(shù)值、第一最小邊緣厚度數(shù)值； 分別對(duì)所述第一邊緣厚度數(shù)值組合的平均計(jì)算，獲得每個(gè)所述第一邊緣厚度數(shù)值組合的第一平均邊緣厚度數(shù)值； 取所有的所述第一邊緣厚度數(shù)值組合的所述第一最大邊緣厚度數(shù)值、所述第一最小邊緣厚度數(shù)值和所述第一平均邊緣厚度數(shù)值進(jìn)行算術(shù)平均值計(jì)算，獲得算術(shù)平均值； 進(jìn)行日常檢測(cè)時(shí)，對(duì)所述標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行日常掃描，獲得第二邊緣厚度數(shù)值組合，分別計(jì)算出算術(shù)平均值與該第二邊緣厚度數(shù)值組合中的第二最大邊緣厚度數(shù)值、第二最小邊邊緣厚度數(shù)值和第二平均邊緣厚度數(shù)值的絕對(duì)差； 設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，分別比較所述絕對(duì)差和所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，通過比較結(jié)果，確定檢測(cè)所述晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度穩(wěn)定性。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其特征在于，在所述標(biāo)準(zhǔn)片上進(jìn)行晶圓邊緣去除工藝步驟中，包括 提供一晶圓作為基底； 在所述晶圓上生成長(zhǎng)一層金屬銅薄膜； 在所述晶圓邊緣進(jìn)行晶圓邊緣去除工藝，去除所述晶圓邊緣部分的金屬銅薄膜。
3.根據(jù)要求I或2所述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其特征在于，采用金屬洗邊工藝進(jìn)行晶圓邊緣的去除。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其特征在于，采用金屬邊緣刻蝕工藝進(jìn)行晶圓邊緣的去除。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其特征在于，在比較所述絕對(duì)差和所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值的步驟中，包括 確定一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，將所述算術(shù)平均值和所述第二最大邊緣厚度數(shù)值的第一絕對(duì)差、所述標(biāo)準(zhǔn)值和所述第二最小邊緣厚度數(shù)值的第二絕對(duì)差、所述標(biāo)準(zhǔn)值和所述第二平均邊緣厚度數(shù)值的第三絕對(duì)差分別與所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值進(jìn)行比較； 若所述第一絕對(duì)差、所述第二絕對(duì)差和所述第三絕對(duì)差均小于所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，則所述晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性符合標(biāo)準(zhǔn)； 若所述第一絕對(duì)差或/和所述第二絕對(duì)差或/和第三絕對(duì)差大于所述標(biāo)準(zhǔn)值，則所述晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性不符合標(biāo)準(zhǔn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其特征在于，設(shè)定所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值為20 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其特征在于，所述的晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具為CV300R晶圓邊緣度量與檢測(cè)設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具的厚度檢測(cè)穩(wěn)定性檢測(cè)方法，其中，包括以下步驟在標(biāo)準(zhǔn)片上完成晶圓邊緣去除工藝；利用晶圓邊緣度量與檢測(cè)工具對(duì)標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行多次掃描檢測(cè)，獲得第一數(shù)值組合，包括第一最大數(shù)值、第一數(shù)值；分別對(duì)所述第一數(shù)值組合的平均計(jì)算，獲得每個(gè)組合的第一平均數(shù)值；取所有的所述第一最大數(shù)值、第一最小數(shù)值和第一平均數(shù)值進(jìn)行算術(shù)平均值計(jì)算；對(duì)標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行日常掃描，獲得第二數(shù)值組合，分別計(jì)算出算術(shù)平均值與該第二數(shù)值組合中的第二最大數(shù)值、第二最小數(shù)值和第二平均數(shù)值的絕對(duì)差；設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值，分別比較絕對(duì)差和標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值。本發(fā)明通過偏差度可以更加直觀的檢測(cè)到機(jī)臺(tái)檢測(cè)EBR/WEE的穩(wěn)定性和精確性。
文檔編號(hào)G01B21/08GK102865841SQ20121034352
公開日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月17日
發(fā)明者朱陸君, 倪棋梁, 陳宏璘 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司