一種硅鋼片層間電阻雙層疊加測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種硅鋼片層間絕緣電阻雙層疊加測(cè)試方法，即兩層硅鋼片試樣層疊并置于測(cè)試臺(tái)與壓頭之間，測(cè)試臺(tái)底面設(shè)置支撐臺(tái)；拉力機(jī)上、下夾具分別抵靠壓頭頂面和支撐臺(tái)底面并施壓，上層硅鋼片試樣沿壓頭兩側(cè)折彎，使兩層硅鋼片試樣非施壓區(qū)域分離；采用兩個(gè)電路夾分別夾持兩層硅鋼片試樣兩端，電路夾金屬卡槽接觸硅鋼片試樣鐵基體；通過(guò)電路夾連接測(cè)試電路，分別串接電源和電流表及電壓表；讀出電流值和電壓值，則兩層硅鋼片試樣的層間電阻值R=（V/A）*S，S為測(cè)試區(qū)域面積。本方法方便實(shí)施硅鋼片層間絕緣電阻測(cè)試，試樣無(wú)需加工處理，保證施壓與測(cè)試面積的一致性，避免接觸電阻對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，提高測(cè)試的穩(wěn)定性和可靠性。
【專利說(shuō)明】一種硅鋼片層間電阻雙層疊加測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種硅鋼片層間絕緣電阻雙層疊加測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]硅鋼片表面涂層絕緣性能是評(píng)價(jià)硅鋼片產(chǎn)品質(zhì)量的一項(xiàng)重要指標(biāo)。國(guó)際上通用兩種方法，一種方法是Franklin法，即國(guó)際電工委員會(huì)“磁性鋼片和鋼帶表面絕緣電阻的測(cè)定方法(IEC60404-11:1999)”。該方法通過(guò)在硅鋼片單面施加規(guī)定電壓，通過(guò)測(cè)量通過(guò)涂層的電流大小來(lái)測(cè)量一定面積涂層的電阻。該方法由于涉及的干擾因素較多，測(cè)試結(jié)果有較大離散性。第二種是美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)“通過(guò)將兩片絕緣涂層疊加測(cè)試層間電阻的標(biāo)準(zhǔn)方法(ASTMA937)”。其采用四端法原理，測(cè)量?jī)善B加的硅鋼片絕緣涂層的電壓降來(lái)計(jì)算兩片硅鋼片涂層的絕緣性能，該方法優(yōu)點(diǎn)是更貼合硅鋼片的使用情況，同時(shí)避免了接觸頭等產(chǎn)生的接觸電阻對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。但按照ASTM A937標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法進(jìn)行操作，采用一定尺寸的圓形壓頭對(duì)兩片沒(méi)有尺寸限制的硅鋼片試樣施加壓力，硅鋼片試樣間壓力區(qū)域以外的涂層也會(huì)因擠壓而緊密接觸，造成實(shí)際測(cè)試面積與理論不一致的情況，容易導(dǎo)致結(jié)果出現(xiàn)偏差，同時(shí)該測(cè)量方法較為復(fù)雜，硅鋼片試樣還需要一定的加工處理。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種硅鋼片層間絕緣電阻雙層疊加測(cè)試方法，利用本方法可方便實(shí)施硅鋼片層間絕緣電阻測(cè)試，硅鋼片試樣無(wú)需加工處理，保證硅鋼片試樣的施壓面積與測(cè)試面積的一致性，避免接觸電阻對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，提高測(cè)試的穩(wěn)定性和可靠性。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明硅鋼片層間絕緣電阻雙層疊加測(cè)試方法包括如下步驟:
步驟一，上層硅鋼片試樣與下層硅鋼片試樣層疊設(shè)置，并放置于底面中部設(shè)有半球的測(cè)試臺(tái)上，測(cè)試臺(tái)底面設(shè)置支撐臺(tái)，上層硅鋼片試樣頂面設(shè)置壓頭；
步驟二、拉力機(jī)的上夾具和下夾具分別抵靠壓頭頂面和支撐臺(tái)底面，并通過(guò)拉力機(jī)的上夾具和下夾具對(duì)層疊設(shè)置的上層硅鋼片試樣和下層硅鋼片試樣施加50N-2000N的壓力，上層硅鋼片試樣沿壓頭兩側(cè)向上折彎，使上層硅鋼片試樣與下層硅鋼片試樣非施壓區(qū)域分離；
步驟三，采用兩個(gè)電路夾分別夾持上層硅鋼片試樣和下層硅鋼片試樣兩端的兩側(cè)面，電路夾的絕緣塊兩側(cè)分別設(shè)有金屬卡槽，電路夾的金屬卡槽接觸硅鋼片兩側(cè)面的鐵基體；步驟四、通過(guò)上層硅鋼片試樣和下層硅鋼片試樣兩端的電路夾連接測(cè)試電路，從電路夾絕緣塊兩側(cè)的金屬卡槽分別引出導(dǎo)線，上層硅鋼片試樣一端與下層硅鋼片試樣另一端之間通過(guò)導(dǎo)線串接測(cè)試電源和電流表，上層硅鋼片試樣另一端與下層硅鋼片試樣一端之間通過(guò)導(dǎo)線串接電壓表；
步驟五、通過(guò)電壓表和電流表分別讀出上層硅鋼片試樣與下層硅鋼片試樣受壓區(qū)域涂層的電壓值V和電流值A(chǔ)，則上層硅鋼片試樣與下層硅鋼片試樣在測(cè)試區(qū)域的層間電阻值R= (V/A)*S，其中S為測(cè)試區(qū)域面積，層間電阻值R的單位是Ω ?mm2。
[0005]進(jìn)一步，壓頭底面兩側(cè)分別設(shè)有圓弧角，圓弧角的圓弧半徑是5mm。
由于本發(fā)明硅鋼片層間絕緣電阻雙層疊加測(cè)試方法采用了上述技術(shù)方案，即兩層硅鋼片試樣層疊設(shè)置并置于測(cè)試臺(tái)與壓頭之間，測(cè)試臺(tái)底面設(shè)置支撐臺(tái)；拉力機(jī)的上夾具和下夾具分別抵靠壓頭頂面和支撐臺(tái)底面，并對(duì)兩層硅鋼片試樣施加50N-2000N的壓力，上層硅鋼片試樣沿壓頭兩側(cè)向上折彎，使上層硅鋼片試樣與下層硅鋼片試樣非施壓區(qū)域分離；采用兩個(gè)電路夾分別夾持兩層硅鋼片試樣的兩端，電路夾的金屬卡槽接觸硅鋼片兩側(cè)面鐵基體；通過(guò)電路夾連接測(cè)試電路，分別串接測(cè)試電源和電流表及電壓表；讀出電壓值V和電流值A(chǔ)，則兩層硅鋼片試樣的層間電阻值R= (V/A)*S，其中S為測(cè)試區(qū)域面積。本方法可方便實(shí)施硅鋼片層間絕緣電阻測(cè)試，硅鋼片試樣無(wú)需加工處理，保證硅鋼片試樣的施壓面積與測(cè)試面積的一致性，避免接觸電阻對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，提高測(cè)試的穩(wěn)定性和可靠性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明:
圖1為本發(fā)明硅鋼片層間絕緣電阻雙層疊加測(cè)試方法示意圖；
圖2為本方法中電路夾夾持上層硅鋼片試樣和下層硅鋼片試樣的示意圖；
圖3為本方法中測(cè)試電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0007]如圖1、圖2和圖3所示，本發(fā)明硅鋼片層間絕緣電阻雙層疊加測(cè)試方法包括如下步驟:`
步驟一，上層硅鋼片試樣I與下層硅鋼片試樣2層疊設(shè)置，并放置于底面中部設(shè)有半球41的測(cè)試臺(tái)4上，測(cè)試臺(tái)4底面設(shè)置支撐臺(tái)5，上層硅鋼片試樣I頂面設(shè)置壓頭3 ;半球41可在測(cè)試臺(tái)4的槽口中活動(dòng)，以保證壓頭3的壓力均勻分布在硅鋼片試樣的受力區(qū)域；步驟二、拉力機(jī)的上夾具6和下夾具7分別抵靠壓頭3頂面和支撐臺(tái)5底面，并通過(guò)拉力機(jī)的上夾具6和下夾具7對(duì)層疊設(shè)置的上層硅鋼片試樣I和下層硅鋼片試樣2施加50N-2000N的壓力，上層硅鋼片試樣I沿壓頭3兩側(cè)向上折彎，使上層硅鋼片試樣I與下層硅鋼片試樣2非施壓區(qū)域分離；
步驟三，采用兩個(gè)電路夾8分別夾持上層硅鋼片試樣I和下層硅鋼片試樣2兩端的兩側(cè)面，電路夾8的絕緣塊81兩側(cè)分別設(shè)有金屬卡槽82，電路夾8的金屬卡槽82接觸硅鋼片試樣兩側(cè)面的鐵基體11 ;利用該電路夾8無(wú)需去除硅鋼片試樣表面涂層12即可連通電路，電路夾8的絕緣塊81保證通電回路不受電路夾金屬部分影響；
步驟四、通過(guò)上層硅鋼片試樣I和下層硅鋼片試樣2兩端的電路夾8連接測(cè)試電路，從電路夾8絕緣塊81兩側(cè)的金屬卡槽82分別引出導(dǎo)線9，上層硅鋼片試樣I 一端與下層硅鋼片試樣2另一端之間通過(guò)導(dǎo)線串接測(cè)試電源E和電流表A，上層硅鋼片試樣I另一端與下層硅鋼片試樣2 —端之間通過(guò)導(dǎo)線串接電壓表V ；
步驟五、通過(guò)電壓表V和電流表A分別讀出上層硅鋼片試樣I與下層硅鋼片試樣2受壓區(qū)域涂層的電壓值V和電流值A(chǔ)，則上層硅鋼片試樣I與下層硅鋼片試樣2在測(cè)試區(qū)域的層間電阻值R= (V/A)*S，其中S為測(cè)試區(qū)域面積，層間電阻值R的單位是Ω._2。
[0008]進(jìn)一步，壓頭3底面兩側(cè)分別設(shè)有圓弧角31，圓弧角的圓弧半徑是5_。壓頭3底面設(shè)置的倒角結(jié)構(gòu)，保證了上層硅鋼片試樣I向上折彎時(shí)不至使表面涂層11受損，從而確保測(cè)試的可靠性和準(zhǔn)確性。
[0009]本方法實(shí)施簡(jiǎn)單，操作方便，克服了傳統(tǒng)測(cè)試方法的缺陷，通過(guò)折彎上層硅鋼片試樣使得壓頭的施壓區(qū)域面積等同測(cè)試區(qū)域面積，提高了測(cè)試精度，采用與硅鋼片試樣兩側(cè)面鐵基體接觸的電路夾構(gòu)建測(cè)試電路，避免對(duì)硅鋼片試樣的加工，消除了硅鋼片試樣表面涂層的接觸電阻對(duì)測(cè)量過(guò)程的影響，提高了測(cè)試的穩(wěn)定性和可靠性。
【權(quán)利要求】
1.一種硅鋼片層間絕緣電阻雙層疊加測(cè)試方法，其特征在于本方法包括如下步驟: 步驟一，上層硅鋼片試樣與下層硅鋼片試樣層疊設(shè)置，并放置于底面中部設(shè)有半球的測(cè)試臺(tái)上，測(cè)試臺(tái)底面設(shè)置支撐臺(tái)，上層硅鋼片試樣頂面設(shè)置壓頭； 步驟二、拉力機(jī)的上夾具和下夾具分別抵靠壓頭頂面和支撐臺(tái)底面，并通過(guò)拉力機(jī)的上夾具和下夾具對(duì)層疊設(shè)置的上層硅鋼片試樣和下層硅鋼片試樣施加50N-2000N的壓力，上層硅鋼片試樣沿壓頭兩側(cè)向上折彎，使上層硅鋼片試樣與下層硅鋼片試樣非施壓區(qū)域分離； 步驟三，采用兩個(gè)電路夾分別夾持上層硅鋼片試樣和下層硅鋼片試樣兩端的兩側(cè)面，電路夾的絕緣塊兩側(cè)分別設(shè)有金屬卡槽，電路夾的金屬卡槽接觸硅鋼片兩側(cè)面的鐵基體； 步驟四、通過(guò)上層硅鋼片試樣和下層硅鋼片試樣兩端的電路夾連接測(cè)試電路，從電路夾絕緣塊兩側(cè)的金屬卡槽分別引出導(dǎo)線，上層硅鋼片試樣一端與下層硅鋼片試樣另一端之間通過(guò)導(dǎo)線串接測(cè)試電源和電流表，上層硅鋼片試樣另一端與下層硅鋼片試樣一端之間通過(guò)導(dǎo)線串接電壓表； 步驟五、通過(guò)電壓表和電流表分別讀出上層硅鋼片試樣與下層硅鋼片試樣受壓區(qū)域涂層的電壓值V和電流值A(chǔ)，則上層硅鋼片試樣與下層硅鋼片試樣在測(cè)試區(qū)域的層間電阻值R= (V/A)*S，其中S為測(cè)試區(qū)域面積，層間電阻值R的單位是Ω ?mm2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鋼片層間絕緣電阻雙層疊加測(cè)試方法，其特征在于:壓頭底面兩側(cè)分別設(shè)有圓弧角，圓弧角的圓弧半徑是5mm。
【文檔編號(hào)】G01R27/02GK103675453SQ201210356581
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月24日
【發(fā)明者】沈杰, 施強(qiáng)忠, 周星, 張益
申請(qǐng)人:上海寶鋼工業(yè)技術(shù)服務(wù)有限公司