專利名稱：處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體處理設備領域，特別涉及一種處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法。
背景技術：
在現(xiàn)有的半導體處理設備中，例如刻蝕設備、沉積設備中，反應腔內往往需要形成亞常壓、低壓或真空的環(huán)境，對反應腔的密閉性要求很高。如果密閉性不佳，會嚴重影響這些設備的工作效率和可靠性，甚至很可能造成處理的芯片損毀，因此，對這些半導體處理 設備進行密閉性檢查變得非常必要。目前檢測半導體處理設備的密閉性的方法一般為氣密性檢測，即將一定量的氣體通入到半導體處理設備的處理腔中，經過一定的時間后，檢測所述處理腔的氣壓變化量是否超過預定的最大氣壓差值，從而判斷所述處理腔的密封性是否合格。更多關于密封性檢測裝置請參考授權公告號為CN201754118U的中國專利文獻。但是現(xiàn)有的半導體處理設備的處理腔往往包括處理腔殼體和對應的處理腔頂蓋兩個部分，所述處理腔頂蓋連接有進氣單元，所述處理腔殼體連接有抽氣單元，其中所述處理腔殼體和處理腔頂蓋的接觸處、進氣單元、抽氣單元都可能發(fā)生泄漏。而利用現(xiàn)有的檢測裝置不能快速地分辨出半導體處理設備的反應腔內哪一部分發(fā)生泄漏，需要對每個可能發(fā)生泄漏的位置進行排查，導致最終排除故障的時間較長。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供了一種處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法，可以快速方便地判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置。為解決上述問題，本發(fā)明技術方案提供了一種處理腔氣密性檢測裝置，包括處理腔殼體；處于開啟狀態(tài)的與處理腔殼體對應的處理腔頂蓋；位于所述處理腔殼體的開口上的平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體；對所述密封腔體的氣壓進行檢測的氣壓監(jiān)測單元；與密封腔體對應的抽氣單元；與所述氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元相連接的控制單元，所述抽氣單元對所述密封腔體進行抽氣后，利用氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，從而判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置。可選的，利用氣壓監(jiān)測單元對所述密封腔體內的氣壓變化進行檢測，控制單元根據確定抽氣量對應的氣壓值或密封腔體內的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格。可選的，所述抽氣單元為位于所述處理腔殼體上的抽氣口及對應的抽氣泵。可選的，所述氣壓監(jiān)測單元位于所述處理腔殼體上?？蛇x的，所述控制單元位于所述半導體處理設備內，利用確定抽氣量對應的氣壓值或氣壓監(jiān)測單元測得的密封腔體內的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格?？蛇x的，所述平面密封板的尺寸大于所述處理腔殼體的開口的尺寸。可選的，所述平面密封板相對應與處理腔殼體的開口的一面光滑平整?？蛇x的，所述平面密封板的材料為亞克力或鋼化玻璃?？蛇x的，所述平面密封板的厚度范圍大于或等于5厘米。可選的，所述平面密封板具有輔助手持部件?？蛇x的，所述平面密封板還包括聯(lián)軸閥，用于在檢測完成后使密封腔體內的氣壓恢復到常壓?？蛇x的，所述處理腔頂蓋具有進氣單元。
可選的，所述半導體處理設備為等離子體刻蝕設備、化學氣相沉積設備、氧化設備或尚子注入設備。本發(fā)明技術方案還提供了一種利用所述處理腔氣密性檢測裝置進行檢測的檢測方法，包括開啟處理腔頂蓋，將平面密封板放置在處理腔殼體的開口上，使得所述處理腔殼體和平面密封板形成封閉腔體；對所述封閉腔體進行抽氣；利用氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格；當所述封閉腔體的氣密性合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置；當所述封閉腔體的氣密性不合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔殼體位置?？蛇x的，對所述封閉腔體進行抽氣后，利用氣壓監(jiān)測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第一氣壓值；經過預定時間后對所述封閉腔體進行測試獲得第二氣壓值，所述氣壓監(jiān)測單元將兩個氣壓值傳送給所述控制單元，所述控制單元根據預定時間內封閉腔體的兩個氣壓值之間的氣壓變化值是否超過預定差值，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格。可選的，控制抽氣單元在單位時間內的抽氣量和總的抽氣時間，利用氣壓監(jiān)測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第三氣壓值，將所述第三氣壓值傳送給所述控制單元，所述控制單元將所述第三氣壓值與預定氣壓值進行比較，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，所述預定氣壓值為氣密性良好的封閉腔體在相同條件下進行抽氣后測得的氣壓值。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明實施例在所述處理腔殼體的開口上放置一塊平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體。通過對所述密封腔體的氣密性進行檢測，即可判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置。所述檢測方法簡單方便，可以快速地判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置，從而最多可以節(jié)省近一半的排查時間，使得最終的排除故障的時間較短，可以避免用戶因為半導體處理設備處于維修狀態(tài)不能生產從而受到較大的損失。


圖I是本發(fā)明實施例的半導體處理設備的剖面結構示意圖；圖2是本發(fā)明實施例的處理腔氣密性檢測裝置的剖面結構示意圖3是本發(fā)明實施例的平面密封板的立體結構示意圖。
具體實施例方式由于利用現(xiàn)有的檢測裝置不能快速地分辨出半導體處理設備的處理腔內哪一部分發(fā)生泄漏，需要對每個可能發(fā)生泄漏的位置進行排查，導致最終排除故障的時間較長。因此本發(fā)明提供了一種處理腔氣密性檢測裝置，在所述處理腔殼體的開口上放置一塊平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體。利用所述抽氣單元對密封腔體進行抽氣后，氣壓監(jiān)測單元對所述密封腔體內的氣壓變化進行檢測，控制單元根據抽氣量和密封腔體內的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格，從而判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置。由于所述
檢測方法簡單方便，可以快速地判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置，從而最多可以節(jié)省近一半的排查時間，使得最終的排除故障的時間較短，可以避免用戶因為半導體處理設備處于維修狀態(tài)不能生產從而受到較大的損失。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。本發(fā)明實施例首先提供了一種半導體處理設備，所述半導體處理設備的剖面結構請參考圖1，具體包括位于所述半導體設備100內的處理腔殼體110 ;位于所述處理腔殼體110的開口上且與處理腔殼體110對應的處理腔頂蓋115，使得所述處理腔頂蓋115和處理腔殼體110構成處理腔120 ;位于所述處理腔頂蓋115上的進氣口 181及對應的供氣源182，所述進氣口 181和供氣源182構成進氣單元；位于所述處理腔殼體110上的氣壓監(jiān)測單元150，位于所述處理腔殼體110上的抽氣口 171及對應的抽氣泵172，所述抽氣口 171和抽氣泵172構成抽氣單元；位于所述半導體設備100內且與氣壓監(jiān)測單元150、抽氣泵172相連接的控制單元160 ;位于所述處理腔120內的用于承載待處理芯片的承載臺190。在本發(fā)明實施例中，所述半導體處理設備為金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)設備，所述處理腔殼體110的外側還纏繞有電感線圈(未圖示)，所述電感線圈與射頻發(fā)生器相連接用于等離子體化處理腔中的氣體。在其它實施例中，所述MOCVD設備的承載臺和處理腔頂蓋與射頻發(fā)生器相連接，用于等離子體化處理腔中的氣體。在其它實施例中，所述半導體處理設備還可以為低壓化學氣相沉積(LPCVD)設備，亞常壓化學氣相沉積(SACVD)設備、超高真空化學氣相沉積(UHCVD)設備、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、高密度等離子體化學氣相沉積(HDPCVD)設備等化學氣相沉積設備。在其他實施例中，所述半導體處理設備還可以為氧化設備。在其他實施例中，所述半導體處理設備還可以為反應離子刻蝕(RIE )設備、感應耦合等離子體刻蝕(ICP)設備、電子回旋共振等離子體刻蝕(ECR)設備等等離子體刻蝕設備，或者還可以為離子注入設備。當所述半導體處理設備為等離子體刻蝕設備或離子注入設備時，所述從等離子體產生腔中形成的等離子體通過處理腔頂蓋115上的開口進入處理腔，并注入到待處理芯片的表面。由于所述處理腔內的物質大多為等離子體，由于等離子體的物質具有較強的腐蝕性，容易使得處理腔內的密封材料發(fā)生腐蝕，在不同部件相接觸的地方發(fā)生泄露，使得處理腔的氣密性變差。上述半導體處理設備都包括處理腔殼體和位于所述處理腔殼體的開口上且與處理腔殼體對應的處理腔頂蓋，所述處理腔頂蓋和處理腔殼體構成處理腔。所述處理腔殼體的開口朝上，有利于后續(xù)在所述處理腔殼體的開口上直接放置平面密封板，且所述處理腔殼體的開口處具有凸起的環(huán)形密封圈(未圖示)，所述環(huán)形密封圈既有利于與處理腔頂蓋相配合形成封閉的處理腔，又有利于與后續(xù)的平面密封板相配合形成密封腔體。在本實施例中，所述處理腔頂蓋115與半導體設備100之間具有連接桿，在其他實施例中，所述處理腔頂蓋與半導體設備不連接，所述處理腔頂蓋可以任意移走或放置在處理腔殼體的開口上。在本實施例的半導體處理設備中，請參考圖1，進氣口 181位于所述處理腔頂蓋·115上，抽氣口 171位于所述處理腔殼體110上，氣壓監(jiān)測單元150也位于所述處理腔殼體110上，控制單元160位于半導體處理設備100內。由于為了能將處理氣體或處理氣體形成的等離子體能更有效地通入到待處理芯片的表面，現(xiàn)有的大多數(shù)半導體處理設備的進氣口都位于所述處理腔頂蓋上。且考慮到處理腔內的氣流流向，為了能完全將處理腔中的多余反應氣體、反應殘余物排出，現(xiàn)有的抽氣口的位置大多都位于所述處理腔殼體的底部側壁。且在現(xiàn)有的半導體處理設備中，通常在處理腔內都具有氣壓監(jiān)測單元，利用所述氣壓監(jiān)測單元對處理腔內的氣壓進行檢測，且利用控制單元實時的監(jiān)控處理腔內的氣壓變化。而在本發(fā)明實施例的處理腔氣密性檢測裝置中，也需要利用控制單元、氣壓監(jiān)測單元來檢測處理腔殼體是否發(fā)生泄漏，所述處理腔氣密性檢測裝置中的控制單元、氣壓監(jiān)測單元可以利用半導體處理設備中的控制單元、氣壓監(jiān)測單元來實現(xiàn)，不需要額外的控制單元、氣壓監(jiān)測單元，節(jié)省了檢測成本。在上述半導體處理設備中，與處理腔殼體相連接的抽氣口、承載臺與處理腔殼體的底部之間的連接位置、與處理腔頂蓋相連接的進氣口、處理腔頂蓋和處理腔殼體之間的接觸面、以及等離子體產生腔與處理腔之間的開口等不同部件之間的連接處都可能會發(fā)生泄露，導致處理腔的氣密性變差，如需要一個一個進行排查，需要花費很長的時間。根據上述半導體處理設備，本發(fā)明實施例提供了一種處理腔氣密性檢測裝置，請參考圖2，為本發(fā)明實施例的處理腔氣密性檢測裝置的剖面結構示意圖，具體包括半導體處理設備100 ;位于所述半導體處理設備100內的處理腔殼體110 ;處于開啟狀態(tài)的與處理腔殼體Iio對應的處理腔頂蓋115 ;位于所述處理腔殼體110的開口上的平面密封板130，所述平面密封板130與處理腔殼體110的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板130和所述處理腔殼體110形成密封腔體140 ;位于所述處理腔殼體110上的氣壓監(jiān)測單元150，位于所述處理腔殼體110上的抽氣口 171及對應的抽氣泵172 ;位于所述半導體設備100內且與氣壓監(jiān)測單元150、抽氣泵172相連接的控制單元160 ;位于所述平面密封板130上的聯(lián)軸閥135 ;位于所述處理腔頂蓋115上的進氣口 181及對應的供氣源182 ;位于所述處理腔殼體110內的用于承載芯片的承載臺190。所述平面密封板130的立體結構請參考圖3。所述平面密封板130的尺寸大于處理腔殼體110的開口的大小，且所述平面密封板130與處理腔殼體110的開口的形狀一致或近似，使得所述平面密封板130能完全覆蓋在處理腔殼體110的表面。且所述平面密封板130的靠近處理腔殼體110的一面光滑平整，而處理腔殼體110的開口具有凸起的環(huán)形密封圈，當密封腔體處于低壓狀態(tài)時，平面密封板130會緊壓環(huán)形密封圈使得與處理腔殼體110之間緊密貼合，兩者之間不會有氣密性不良之處。且當所述平面密封板130較大時，所述平面密封板130可以與其他的具有不同處理腔開口尺寸的半導體處理設備相配合，來檢測不同的處理腔殼體的氣密性，提高了所述平面密封板的通用性。在本實施例中，所述平面密封板130的材料為透明材料，例如亞克力、鋼化玻璃等，透明的平面密封板有助于檢測人員觀察處理腔殼體內的情況。由于測試過程中密封腔體140內的氣壓很低，平面密封板130的兩個表面的壓強差很大，可能會將所述平面密封板壓裂，因此所述平面密封板的材料為具有較強的機械強度的亞克力或鋼化玻璃，且所述平面密封板130的厚度大于或等于5厘米，使得所述平面密封板不會被大氣壓裂。且利用亞 克力制成的平面密封板130的重量較輕，有利于搬運和測試。在其他實施例中，所述平面密封板的材料也可以為金屬。所述平面密封板130上具有聯(lián)軸閥135，所述聯(lián)軸閥135通過細氣管(未圖示)與第二供氣源(未圖示)相連接，由于所述平面密封板130和處理腔殼體110形成的密封腔體140在檢測過程中處于低壓或真空狀態(tài)，當檢測完成后，只有使得密封腔體140內的氣壓與外界氣壓相等，才能打開所述平面密封板130，因此，利用所述聯(lián)軸閥135向密封腔體140通氣，使得密封腔體140內的氣壓回復到常壓。且由于所述密封腔體140內外的氣壓差很大，如果直接開啟普通氣閥可能會導致密封腔體140的氣壓變化過于劇烈，導致密封腔體140發(fā)生爆裂，因此在本發(fā)明實施例中，利用所述聯(lián)軸閥向密封腔體140緩慢通入氣體，使得密封腔體140內的氣壓慢慢回復到常壓。所述平面密封板130上還可以具有輔助手持部件。在本實施例中，所述平面密封板130的上邊緣具有一缺口 131，所述缺口有助于檢測人員搬運和移動平面密封板130。在其他實施例中，所述平面密封板上還可以具有把手，利用所述把手搬運和移動平面密封板。由于所述處理腔氣密性檢測裝置利用平面密封板和現(xiàn)有的半導體處理設備相結合來檢測處理腔殼體的氣密性，所述處理腔氣密性檢測裝置所需要的氣壓監(jiān)測單元、抽氣泵和控制單元均利用半導體處理設備中的氣壓監(jiān)測單元、抽氣泵和控制單元，因此，不需要更多額外的檢測設備即可判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置，檢測簡單方便，成本低，最多可以節(jié)省近一半的排查時間，最終的排除故障的時間較短。本發(fā)明實施例還提供了一種利用上述處理腔氣密性檢測裝置進行檢測的檢測方法，包括開啟處理腔頂蓋，將平面密封板放置在處理腔殼體的開口上，使得所述處理腔殼體和平面密封板形成封閉腔體；對所述封閉腔體進行抽氣，利用氣壓監(jiān)測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲
得第一氣壓值；經過預定時間后，利用氣壓監(jiān)測單元對封閉腔體進行測試獲得第二氣壓值；所述氣壓監(jiān)測單元將兩個氣壓值傳送給控制單元；
所述控制單元根據預定時間內封閉腔體的兩個氣壓值之間的氣壓變化值是否超過預定差值，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格；當所述封閉腔體的氣密性合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置；當所述封閉腔體的氣密性不合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔殼體位置。在其他實施例中，控制抽氣泵在單位時間內的抽氣量和總的抽氣時間，利用氣壓監(jiān)測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第三氣壓值，將所述第三氣壓值傳送給控制單元，所述控制單元將所述第三氣壓值與預定氣壓值進行比較，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格。其中，所述預定氣壓值為氣密性良好的封閉腔體在相同條件下進行抽氣后測得的氣壓值。由于利用所述處理腔氣密性檢測裝置進行檢測的檢測方法所需要的測試時間很 短，且測試簡單，不需要額外的測試工具和方法來對每一個可能發(fā)生泄露的位置進行排查，當獲得所述處理腔殼體的氣密性是否合格后，后續(xù)只需要對處理腔殼體位置，或者處理腔頂蓋位置、位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置中的可能發(fā)生泄露的位置進行排查，最多可以節(jié)省近一半的排查時間，使得最終的排除故障的時間較短，可以避免用戶因為半導體處理設備處于維修狀態(tài)不能生產從而受到較大的損失。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，包括處理腔殼體；處于開啟狀態(tài)的與處理腔殼體對應的處理腔頂蓋；位于所述處理腔殼體的開口上的平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體；對所述密封腔體的氣壓進行檢測的氣壓監(jiān)測單元；與密封腔體對應的抽氣單元；與所述氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元相連接的控制單元，所述抽氣單元對所述密封腔體進行抽氣后，利用氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，從而判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置。
2.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，利用氣壓監(jiān)測單元對所述密封腔體內的氣壓變化進行檢測，利用控制單元根據確定抽氣量對應的氣壓值或密封腔體內的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格。
3.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述抽氣單元為位于所述處理腔殼體上的抽氣口及對應的抽氣泵。
4.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述氣壓監(jiān)測單元位于所述處理腔殼體上。
5.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述控制單元位于所述半導體處理設備內，利用確定抽氣量對應的氣壓值或氣壓監(jiān)測單元測得的密封腔體內的氣壓變化值判斷所述密封腔體的氣密性是否合格。
6.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板的尺寸大于所述處理腔殼體的開口的尺寸。
7.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板相對應于處理腔殼體的開口的一面光滑平整，所述處理腔殼體的開口光滑且處于同一平面。
8.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板的材料為亞克力或鋼化玻璃。
9.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板的厚度范圍大于或等于5厘米。
10.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板具有輔助手持部件。
11.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述平面密封板還包括聯(lián)軸閥，用于在檢測完成后使密封腔體內的氣壓恢復到常壓。
12.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述處理腔頂蓋具有進氣單元。
13.如權利要求I所述的處理腔氣密性檢測裝置，其特征在于，所述半導體處理設備為等離子體刻蝕設備、化學氣相沉積設備、氧化設備或離子注入設備。
14.一種利用如權利要求I至13任意一項所述的處理腔氣密性檢測裝置進行檢的檢測方法，其特征在于，包括 開啟處理腔頂蓋，將平面密封板放置在處理腔殼體的開口上，使得所述處理腔殼體和平面密封板形成封閉腔體； 對所述封閉腔體進行抽氣； 利用氣壓監(jiān)測單元、抽氣單元和控制單元判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格；當所述封閉腔體的氣密性合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置；當所述封閉腔體的氣密性不合格，表明反應腔的泄露位置位于處理腔殼體位置。
15.如權利要求14所述的檢測方法，其特征在于，對所述封閉腔體進行抽氣后，利用氣壓監(jiān)測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第一氣壓值；經過預定時間后對所述封閉腔體進行測試獲得第二氣壓值，所述氣壓監(jiān)測單元將兩個氣壓值傳送給所述控制單元，所述控制單元根據預定時間內封閉腔體的兩個氣壓值之間的氣壓變化值是否超過預定差值，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格。
16.如權利要求15所述的檢測方法，其特征在于，控制抽氣單元在單位時間內的抽氣量和總的抽氣時間，利用氣壓監(jiān)測單元對剛抽氣完的封閉腔體進行測試獲得第三氣壓值，將所述第三氣壓值傳送給所述控制單元，所述控制單元將所述第三氣壓值與預定氣壓值進行比較，判斷所述封閉腔體的氣密性是否合格，所述預定氣壓值為氣密性良好的封閉腔體在相同條件下進行抽氣后測得的氣壓值。
全文摘要
一種處理腔氣密性檢測裝置及檢測方法，所述處理腔氣密性檢測裝置在所述處理腔殼體的開口上放置有一塊平面密封板，所述平面密封板的形狀、尺寸與處理腔殼體的開口的形狀、尺寸相適應，使得所述平面密封板和所述處理腔殼體形成密封腔體。通過對所述密封腔體的氣密性進行檢測，即可判斷出泄露位置是位于處理腔殼體位置，還是位于處理腔頂蓋位置或位于處理腔殼體和處理腔頂蓋相接觸的位置，從而最多可以節(jié)省近一半的排查時間。所述檢測方法簡單方便，可以快速地判斷出泄露位置是否位于處理腔殼體位置，使得最終的排除故障的時間較短，可以避免用戶因為半導體處理設備處于維修狀態(tài)不能生產從而受到較大的損失。
文檔編號G01M3/26GK102914412SQ20121039629
公開日2013年2月6日 申請日期2012年10月17日 優(yōu)先權日2012年10月17日
發(fā)明者吳敏, 王旭東 申請人:上海宏力半導體制造有限公司