專利名稱：一種mos管閾值電壓測試電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及測試電路的設(shè)計領(lǐng)域，特指一種MOS管閾值電壓測試電路。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)在的模擬CMOS集成電路設(shè)計中，特別是在一些高精度電路設(shè)計，如精密儀器或者微弱信號測量等芯片，都需要高精度的ADC或者DAC，他們對電壓特別敏感，通常需要很精確的參考電壓，對于某些開關(guān)電容電路，甚至需要明確的知道MOS管的閾值電壓，而工藝廠家提供的仿真模型中MOS管閾值電壓不是每一種尺寸都是經(jīng)過實際測試得到的，大部分都是經(jīng)過曲線擬合得到的仿真參數(shù)，對于一些特殊的電路尺寸或者特殊的電路形式，明確的知道其閾值電壓可以給設(shè)計提供很重要的參考，此時，只有針對電路實際的管子尺寸 和電路結(jié)構(gòu)設(shè)計相應(yīng)的測試電路，同時可以根據(jù)測試結(jié)果對代工廠提供的仿真模型的準(zhǔn)確性有一個直觀的把握。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題就在于針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提出一種MOS管閾值電壓測試電路。本發(fā)明提出的解決方案為本電路通過測試PMOS管和NMOS管不同組合時的閾值電壓，或者測試同一組合的多組電壓值，然后根據(jù)組合的形式，算出MOS管閾值電壓的平均值，如此可以得到MOS管實際的閾值電壓，給高精度模擬電路設(shè)計提供了可靠的參考，同時可以對代工廠提供的仿真模型的準(zhǔn)確性也有一個直觀的把握，給后續(xù)的電路設(shè)計和調(diào)試提供了依據(jù)。


圖1是本發(fā)明的電路原理示意具體實施例方式以下將結(jié)合附圖和具體實施對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
如圖1所示，電阻R是限流電阻，電路有n種測試情況，即Case1Xase2……Casen,開關(guān)K1^K2,K3……Kn同時只有一個閉合，其余都是斷開的。對于Case1到Case6可以看成是一組測試單個MOS管閾值電壓的測試組合，其中PMOS管M1、M3、M4、M7和MlO的尺寸相同，NMOS管12』5、116、118和M9的尺寸相同，MOS管的具體尺寸可以根據(jù)需要設(shè)置。PMOS管和NMOS管的閾值電壓分別用VTHP、Vthn表不,貝Ij 當(dāng)只閉合K1時
Vtpi = I Vthpi I (I)
當(dāng)只閉合K2時
VtP2 — Vt 麗 2 (2)
當(dāng)只閉合K3時Vtp3 — IVTHP3+VTHP41 (3)
當(dāng)只閉合K4時 Vtp4 — VTHN5+VTHN6 (4)
當(dāng)只閉合K5時
VtP5 — I VthP7 I +Vthn8 (5)
當(dāng)只閉合K6時·
VtP6 — Vti1N9+ I Vthpio I (6)
根據(jù)式⑴和式⑶可得，
權(quán)利要求
1.一種MOS管閾值電壓測試電路，其特征在于一個限流電阻R —端接電源VDD，另一端接電壓測試點TP，測試點TP同時與開關(guān)K1、K2、K3、K4、K5、K6......Kn 的一端相連接；Case1、Case2、Case3、Case4、Case5、Case6......Casen 是不同的測試電路結(jié)構(gòu)，其中的MOS管都是柵漏短接的二極管連接方式，襯底都是和源極接一起； 開關(guān)K1的一端連接TP，另一端連接Case1中PMOS管M1的源極，M1的柵極、漏極接地；開關(guān) K2的一端連接TP，另一端連接Case2中NMOS管M2的柵極、漏極,M2的源極接地；開關(guān)K3的一端連接TP，另一端連接Case3中PMOS管M3的源極,M3的柵極、漏極接PMOS管M4源極，M4的柵極、漏接地；開關(guān)K4的一端連接TP，另一端連接Case4中NMOS管M5的柵極、漏極,M5的源極與NMOS管M6的柵極、漏極連接，M6的源極接地；開關(guān)K5的一端連接TP，另一端連接Case5 中PMOS管M7的源極，M7的柵極、漏極與NMOS管M8的柵極、漏極連接，M8的源極接地；開關(guān) K6的一端連接TP，另一端連接Case6中NMOS管M9的柵極、漏極，M9的源極與PMOS管Mltl的源極連接，M10的柵極、漏極接地；開關(guān)Kn的一端連接TP，另一端連接到Casen, Casen的電路形式可以是任意可能的待測電路。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種MOS管閾值電壓測試電路。本電路通過測試PMOS管和NMOS管不同組合時的閾值電壓，或者測試同一組合的多組電壓值，然后根據(jù)組合的形式，算出MOS管閾值電壓的平均值，如此可以得到MOS管實際的閾值電壓，給高精度模擬電路設(shè)計提供了可靠的參考，同時對代工廠提供的仿真模型的準(zhǔn)確性也有一個直觀的把握，給后續(xù)的電路設(shè)計實現(xiàn)提供了依據(jù)。
文檔編號G01R19/00GK102998513SQ20121042868
公開日2013年3月27日 申請日期2012年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月1日
發(fā)明者蔣仁杰 申請人:長沙景嘉微電子股份有限公司