一種檢測單元、檢測電路和檢測方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了檢測單元、檢測電路和檢測方法，用于檢測輸入信號的狀態(tài)。檢測單元包括源開關(guān)、復(fù)制開關(guān)、比較單元和信號匹配單元。源開關(guān)用于接收第一信號，源開關(guān)的第一端具有第一電壓；復(fù)制開關(guān)耦合至源開關(guān)，復(fù)制開關(guān)的第一端具有第二電壓，源開關(guān)和復(fù)制開關(guān)產(chǎn)生第二信號以與第一信號匹配；比較單元耦合至源開關(guān)和復(fù)制開關(guān)，用于將輸入信號與參考信號進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生檢測信號來表示輸入信號的狀態(tài)，參考信號由第二信號確定；信號匹配單元耦合至源開關(guān)、復(fù)制開關(guān)和比較單元，用于將第一電壓和第二電壓控制在相同的電壓值，以增大第一信號和第二信號的匹配指數(shù)，從而減小檢測結(jié)果的偏差。本發(fā)明可以提高檢測精確度。
【專利說明】一種檢測單元、檢測電路和檢測方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電池領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測單元、檢測電路和檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的過流檢測電路100的示意圖。電池組件101耦合于PACK+端和PACK-端之間，用于為負(fù)載(例如，電子或電力設(shè)備)供電，或從電源接收電能。傳統(tǒng)的過流檢測電路100包含比較器103，用于將輸入電壓信號Vin與參考電壓信號Vkef進(jìn)行比較，其中，輸入電壓信號Vin指示電池組件101的充電/放電電流。如圖1所示，輸入電壓信號Vin由感應(yīng)電阻器Rsen提供，該感應(yīng)電阻器Rsen串聯(lián)耦合至電池組件101，參考電壓信號Vkef由電壓源提供。通過比較輸入電壓信號Vin和參考電壓信號Vkef，產(chǎn)生控制信號STR以控制開關(guān)105，其中，開關(guān)105串聯(lián)耦合至電池組件101。
[0003]在傳統(tǒng)的過流檢測電路100中，參考電壓信號Vkef的電壓值相對較低，例如為40mV,且比較器103可具有兩級運(yùn)算放大器(OperationalAmplifier,以下簡稱為0ΡΑ)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。比較器103的小輸入電壓(例如，參考電壓信號Vkef)會導(dǎo)致比較器103的性能不良，例如比較器103會產(chǎn)生具有無法忽略的輸入偏差的控制信號STR，或者比較器103可能完全無法正常工作。因此，輸入電壓信號Vin和參考電壓信號Vkef之間的比較結(jié)果會不準(zhǔn)確，并且會影響過流檢測的精確度。所以，本領(lǐng)域中需要一種具有高精確度的過流檢測電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種用于檢測輸入信號狀態(tài)的檢測單元、檢測電路和檢測方法，可以提高檢測的精確度。
[0005]為解決上述技術(shù)問題`，本發(fā)明提供了一種檢測單元，用于檢測輸入信號的狀態(tài)。該檢測單元包括:源開關(guān)，用于接收第一信號，所述源開關(guān)的第一端具有第一電壓；復(fù)制開關(guān)，耦合至所述源開關(guān)，所述復(fù)制開關(guān)的第一端具有第二電壓，且所述源開關(guān)和所述復(fù)制開關(guān)產(chǎn)生第二信號以與所述第一信號匹配；比較單元，耦合至所述源開關(guān)和所述復(fù)制開關(guān)，用于將所述輸入信號與參考信號進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生檢測信號來表示所述輸入信號的所述狀態(tài)，其中，所述參考信號由所述第二信號確定；以及信號匹配單元，耦合至所述源開關(guān)、所述復(fù)制開關(guān)以及所述比較單元，用于將所述第一電壓和所述第二電壓控制在相同的電壓值，以增大所述第一信號和所述第二信號的匹配指數(shù)，從而通過控制所述第一電壓和所述第二電壓來減小檢測結(jié)果的偏差。
[0006]本發(fā)明還提供了一種檢測電路，用于檢測輸入信號的狀態(tài)。該檢測電路包括:檢測單元，包括源開關(guān)和復(fù)制開關(guān)，其中，所述源開關(guān)的第一端具有第一電壓，所述復(fù)制開關(guān)的第一端具有第二電壓，所述檢測單元用于接收第一信號并產(chǎn)生第二信號以與所述第一信號匹配，且所述檢測單元通過比較所述輸入信號和參考信號來產(chǎn)生檢測信號，其中，所述參考信號由所述第二信號確定，所述檢測單元還用于將所述第一電壓和所述第二電壓控制在相同的電壓值，以增大所述第一信號和所述第二信號的匹配指數(shù)，從而通過控制所述第一電壓和所述第二電壓來減小檢測結(jié)果的偏差；以及控制單元，耦合至所述檢測單元，用于接收所述檢測信號并產(chǎn)生控制信號。
[0007]本發(fā)明又提供了一種檢測方法，用于檢測輸入信號的狀態(tài)。該檢測方法包括:接收第一信號；通過源開關(guān)和復(fù)制開關(guān)產(chǎn)生第二信號以與所述第一信號匹配，其中，所述源開關(guān)的第一端具有第一電壓且所述復(fù)制開關(guān)的第一端具有第二電壓；控制所述第一電壓與所述第二電壓處于相同的電壓值；通過控制所述第一電壓和所述第二電壓來增大所述第一信號和所述第二信號的匹配指數(shù)；比較所述輸入信號和參考信號；基于所述輸入信號和所述參考信號的比較結(jié)果產(chǎn)生檢測信號，以表示所述輸入信號的所述狀態(tài)；以及基于對所述第一信號和所述第二信號的所述匹配指數(shù)的增大，來減小檢測結(jié)果的偏差。
[0008]本發(fā)明公開的檢測單元通過比較輸入信號和參考信號，來檢測輸入信號的狀況。檢測單元包括信號匹配單元，可以通過增大匹配指數(shù)來提高輸入信號和參考信號之間比較結(jié)果的準(zhǔn)確度，因此減小了檢測結(jié)果的偏差，提高了檢測的精確度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]以下通過對本發(fā)明的一些實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解本發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。
[0010]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的過流檢測電路的示意圖；
[0011]圖2所示為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于可重復(fù)充電電池的檢測電路的框圖；
[0012]圖3所示為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖2中所示的檢測單元的電路示意圖；
[0013]圖4所示為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖2中所示的檢測單元的電路示意圖；及
[0014]圖5所示為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的檢測方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下將對本發(fā)明的實(shí)施例給出詳細(xì)的參考。盡管本發(fā)明通過這些實(shí)施方式進(jìn)行闡述和說明，但需要注意的是本發(fā)明并不僅僅只局限于這些實(shí)施方式。相反，本發(fā)明涵蓋后附權(quán)利要求所定義的發(fā)明精神和發(fā)明范圍內(nèi)的所有替代物、變體和等同物。
[0016]另外，為了更好的說明本發(fā)明，在下文的【具體實(shí)施方式】中給出了眾多的具體細(xì)節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，沒有這些具體細(xì)節(jié)，本發(fā)明同樣可以實(shí)施。在另外一些實(shí)例中，對于大家熟知的方法、手續(xù)、部件和電路未作詳細(xì)描述，以便于凸顯本發(fā)明的主旨。
[0017]本發(fā)明提供了一種用于檢測輸入信號狀態(tài)的檢測單元、檢測電路和檢測方法。在一個(gè)實(shí)施例中，檢測單元通過將指示電池電流的輸入信號和參考信號進(jìn)行比較，來檢測電池的過流狀況。檢測單元提供信號匹配單元以增大信號的匹配指數(shù)，從而提高輸入信號和參考信號之間比較結(jié)果的準(zhǔn)確度，并因此減小檢測結(jié)果的偏差。有利的是，檢測結(jié)果越準(zhǔn)確，檢測單元?jiǎng)t可以越精確的檢測過流狀況。
[0018]圖2所示為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于可重復(fù)充電電池的檢測電路201的框圖。檢測電路201用于檢測可變輸入信號VIN的狀態(tài)，例如多個(gè)電池BAT1、電池BAIV..以及電池BATn的電壓信號、電流信號等的狀態(tài)。電池BAT1-電池BATn為負(fù)載供電或從電源獲取電能，其中負(fù)載或電源(圖2中未示出)耦合于PACK-端和PACK+端之間。檢測電路201包含檢測單元203和控制單元205。檢測單元203接收預(yù)定信號Vd (例如，接地電壓信號)，以產(chǎn)生內(nèi)部信號(例如，參考信號VREF)(圖2中未示出)，并且將可變輸入信號VIN和參考信號VREF (例如，電壓信號、電流信號等)進(jìn)行比較以產(chǎn)生檢測信號VOUT，該檢測信號VOUT表示可變輸入信號VIN的狀態(tài)。其中，可變輸入信號VIN從檢測單元203的輸入端IN接收，預(yù)定信號Vd從檢測單元203的參考端REF接收，檢測信號VOUT從檢測單元203的輸出端OUT輸出。在一個(gè)實(shí)施例中，可變輸入信號VIN是指示流經(jīng)電池BAT1-電池BATn的電流(例如，充電電流或放電電流)的輸入電壓信號VIN，且參考信號VREF是指示電池BAT1-電池BATn的過流閾值的參考電壓信號，因此，檢測信號VOUT指示電池BAT1-電池BATn的電流中是否出現(xiàn)了過流狀況。然而，本發(fā)明并不僅限于此。在另一實(shí)施例中，參考信號VREF指示電池BAT1-電池BATn的欠流閾值，且檢測信號VOUT指示是否出現(xiàn)了欠流狀況。在本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例中，可變輸入信號VIN表示電池BAT1-電池BATn的電壓信號，且參考信號VREF指示過壓閾值或欠壓閾值，并且檢測信號VOUT指示該電壓信號中是否出現(xiàn)了過壓狀況或欠壓狀況。
[0019]控制單元205耦合至檢測單元203，用于接收檢測信號VOUT并產(chǎn)生控制信號。在圖2所示的實(shí)例中，檢測單元203檢測電池BAT1-電池BATn的放電電流IDse中的過流狀況，且參考電壓信號VREF指示電池BAT1-電池BATn的過流閾值?？刂茊卧?05接收檢測信號VOUT以控制放電使能信號DSG，該放電使能信號DSG根據(jù)輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF之間的比較結(jié)果來控制放電開關(guān)SD。例如,如果輸入電壓信號VIN低于參考電壓信號VREF，即指示放電電流IDse在正常范圍內(nèi)，則檢測信號VOUT控制放電使能信號DSG為邏輯高以開啟放電開關(guān)Sd ;或者，如果輸入電壓信號VIN大于參考電壓信號VREF，即指示放電電流IDse超過過流閾值，則檢測信號VOUT控制放電使能信號DSG為邏輯低以關(guān)閉放電開關(guān)SD，從而保護(hù)電池BAT1-電池BATn。以類似的方式，檢測單元203還可以檢測電池BAT1-電池BATn的充電電流中的過流狀況。
[0020]圖3所示為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的檢測單元203a的電路示意圖。圖3將結(jié)合圖2進(jìn)行描述。圖3中的檢測單元203a可以是圖2中的檢測單元203的一個(gè)具體實(shí)施例。檢測單元203a包含輸入端IN、參考端REF、輸出端OUT以及比較單元304、信號匹配單元306和恒定電流源310。輸入端IN接收可變輸入信號VIN，例如輸入電壓信號VIN ;參考端REF接收預(yù)定信號VD，例如電壓信號；以及輸出端OUT提供檢測信號V0UT，例如數(shù)字邏輯信號，以指示對輸入電壓信號VIN的檢測結(jié)果。如圖2所描述，輸入電壓信號VIN可指示流經(jīng)電池BAT1-電池BATn的電流(例如放電電流IDse)，且VIN=Idsc * Rset，其中，IDse是放電電流IDse的電流值，且Rset是圖2中的電阻器Rset的電阻值。預(yù)定信號Vd可以是固定的電壓信號，例如接地信號；檢測單元203a接收預(yù)定信號Vd以產(chǎn)生參考信號VREF，例如參考電壓信號VREF。參考電壓信號VREF的目標(biāo)值Vkef TAK；ET可用于表示例如電池BAT1-電池BATn的過流閾值。理想情況下，參考電壓信號VREF的電壓值等于目標(biāo)值Vkef tamet，然而，由于電路的非理想狀況，參考電壓信號VREF的實(shí)際值會偏離目標(biāo)值VKEF—TAK；ET。關(guān)于目標(biāo)值VKEF—TAK；ET和參考電壓信號VREF的實(shí)際值將在以下段落進(jìn)行更詳細(xì)的描述。如圖3所示，參考電壓信號VREF的電壓值等于預(yù)定信號Vd的電壓值加上電阻器Ref上的電壓之和，其中，電阻器Ref耦合至參考端REF。在一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)定信號Vd接地，所以參考電壓信號VREF即是電阻器Ref上的電壓，且參考電壓信號VREF由流經(jīng)電阻器Ref的電流確定。然而，本發(fā)明并不僅限于此，在另一實(shí)施例中，預(yù)定信號Vd可以具有其它電壓值。檢測單元203a通過比較輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF來產(chǎn)生檢測信號VOUT。
[0021]更具體地，檢測單元203a包含源開關(guān)Msqukce、復(fù)制開關(guān)Moty、比較單元304、信號匹配單元306和恒定電流源310。恒定電流源310包含運(yùn)算放大器OPA 314，用于提供流至源開關(guān)Msotkce的電流I115在一個(gè)實(shí)施例中，由于恒定電流源310的非理想狀況，電流I1可能在允許的范圍內(nèi)變化。在上述的實(shí)施例中，在允許范圍內(nèi)變化的電流I1可以被認(rèn)為是恒定電流。理想地，電流I1的目標(biāo)值I^aket=VDDA1，其中，VDD是具有高精確度的恒定參考電壓，R1是圖3中電阻器R1的電阻值。然而，運(yùn)算放大器OPA 314可能引入偏差Vtw而導(dǎo)致電流I1與目標(biāo)值Iw偏離。偏離的電流I1由以下公式給出=I1= (VDD-VtwVR1，其中,Vtw是偏差Vtw的值。圖3中提供電流I1的結(jié)構(gòu)并不僅限于恒定電流源310，也就是說，在另一個(gè)實(shí)施例中，電流I1可以由設(shè)置于檢測單元203a內(nèi)部或者外部的其它類型的電流源來提供。
[0022]源開關(guān)Msrara和復(fù)制開關(guān)Moty可組成電流鏡，且每個(gè)開關(guān)可包含晶體管，例如金屬_氧化物_半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，以下簡稱為MOSFET)。因此，源開關(guān)Msquke也稱為源晶體管，復(fù)制開關(guān)Moty也稱為復(fù)制晶體管。源晶體管Msaffira耦合至恒定電流源310，且從恒定電流源310接收第一信號，例如電流I工。源晶體管Msrajrai的漏極具有第一電壓Vdi ,以下簡稱為漏極電壓Vdi。源晶體管Msouece的漏極也稱為源晶體管Msrara的第一端。復(fù)制晶體管Mcopy耦合至源晶體管Ms_ce，且復(fù)制晶體管Moty的漏極具有第二電壓VD2，以下簡稱為漏極電壓VD2。復(fù)制晶體管Moty的漏極也稱為復(fù)制晶體管Moty的第一端。包含源晶體管Mmuke及復(fù)制晶體管Moty的電流鏡產(chǎn)生第二信號，例如電流I2，用于與電流I1匹配。電流I1流經(jīng)源晶體管Msraira，且電流I2流經(jīng)復(fù)制晶體管Moty。換言之，源晶體管Msaffira和復(fù)制晶體管Moty控制電流I2以與電流I1匹配。本文所使用的“匹配”表示一個(gè)信號與另一個(gè)信號成比例，并且這兩個(gè)信號之間的比值為恒定值。在圖3所示的實(shí)施例中，包含源晶體管Msrara及復(fù)制晶體管Moty的電流鏡根據(jù)電流I1并且基于參數(shù)K1來產(chǎn)生電流I2，以使電流I2與電流I1匹配，例如，I2=K1 * I1，其中，I1是電流I1的電流值山是電 流I2的電流值；且K1是常數(shù)參數(shù)，表不源晶體管Mstoke和復(fù)制晶體管Mcmpy的溝道寬長比(Channel Widthto Length Ratio)之間的比例。如圖3所示，復(fù)制晶體管Moty的柵極耦合至源晶體管Mstoke的柵極，且復(fù)制晶體管Moty的源極耦合至源晶體管Ms_e的源極。所以，源晶體管Ms_e和復(fù)制晶體管Moty的柵源電壓相等，并且電流I2與電流I1成正比。如圖3所示，電流I2進(jìn)一步流至比較單元304。
[0023]耦合至源晶體管Msaffira和復(fù)制晶體管Moty的比較單元304將輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF進(jìn)行比較以產(chǎn)生檢測信號V0UT，其中，檢測信號VOUT表示輸入電壓信號VIN的狀態(tài)。比較單元304可以包含第一級放大單元308，用于基于第一信號(例如電流I1)和第二信號(例如電流I2)來放大輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF之間的差值，其中，第一級放大單元308包含晶體管，例如晶體管麗2、晶體管麗3、晶體管M8以及晶體管M3。比較單元304的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)P處的電壓隨著輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF之間已放大的差值而變化。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管麗2和晶體管麗3可以是雙極晶體管(Bipolar Junction Transistor，以下簡稱為 BJT)，且 BJT MN2 和 BJTMN3 之間的連接結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，此處不再贅述。比較單元304還可能進(jìn)一步包含第二級放大單兀，用于進(jìn)一步放大輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF之間的差值,其中，第二級放大單元包含晶體管，例如晶體管M4、晶體管MN4、晶體管M5以及晶體管麗5。晶體管M4的狀態(tài)由其柵極電壓(例如，節(jié)點(diǎn)P處的電壓)來控制。比較單元304的另一個(gè)內(nèi)部節(jié)點(diǎn)P’的電壓隨著輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF之間被進(jìn)一步放大的差值而變化?；诒贿M(jìn)一步放大的差值，晶體管M6和晶體管MN6的狀態(tài)由節(jié)點(diǎn)P’處的電壓來控制。然后，根據(jù)放大后的輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF之間的比較結(jié)果，來產(chǎn)生檢測信號VOUT。例如，如果輸入電壓信號VIN的電壓值低于參考電壓信號VREF的電壓值，則節(jié)點(diǎn)P’處的電壓為邏輯低以關(guān)閉晶體管M6并開啟晶體管MN6，如此，檢測信號VOUT為邏輯低以指示放電電流IDse處于正常范圍內(nèi)；如果輸入電壓信號VIN的電壓值高于參考電壓信號VREF的電壓值，則節(jié)點(diǎn)P’處的電壓為邏輯高以開啟晶體管M6并關(guān)閉晶體管MN6，如此，檢測信號VOUT為邏輯高以指示電池BAT1-電池BATn的放電電流IDse出現(xiàn)過流狀況。
[0024]如上所述，預(yù)定信號Vd可以是固定的電壓信號，例如接地信號。因此，參考電壓信號VREF由電阻器Ref上的電壓所確定，例如，VREF= (I2+I3) * Ref，其中，Ref是電阻器Ref的電阻值，I3是電流13的電流值，且電流I3流經(jīng)晶體管麗2至電阻器Ref。如圖3所示，晶體管MNbias和晶體管麗2組成電流鏡，因此，電流I3可等于K2 * I20其中，參數(shù)K2由晶體管MNbias和晶體管麗2的溝道寬長比之間的比例確定。從而參考電壓信號VREF的電壓值由電流I2確定，例如，VREF= (1+K2) * I2 * Ref，其中，K2是常數(shù)參數(shù)。如上所述，電流I2被控制為與電流I1匹配，例如，電流I2的值等于K1 * I10電流I1的目標(biāo)值為I1 j-fVDD/Ri，且電流I1的值為I1= (VDD-VtwVR1，其中，VDD是具有高精確度的恒定參考電壓，R1是電阻器R1的電阻值，Vtw是運(yùn)算放大器OPA 314的偏差Vtw的值。綜上，參考電壓信號VREF的目標(biāo)值Vkew 可以由以下式子得出=Vkef takcet= [(1+K2) * K1 * VDD * RefVR1，其中，K1 和 K2 是常數(shù)參數(shù)，Ref是電阻器Ref的電阻值，并且參考電壓信號VREF的實(shí)際值可以由以下式子得出:VREF= [(1+K2) * K1 * (VDD+Voff) * Ref]/R1，因此，參考電壓信號 VREF 的目標(biāo)值 VREF_TARGET和實(shí)際值之間的差值為(1+K2) * K1 * (RefA1) * Vqff，該差值由ReVR1確定。比值RefA1可以較小，例如(1+K2) * K1 * RefAZI，從而減小運(yùn)算放大器OPA 314的偏差Vtw的系數(shù)，進(jìn)而減小運(yùn)算放大器OPA 314對參考電壓信號VREF的影響。在上述的實(shí)施例中，基于具有較小的值的比值ReVR1，參考電壓信號VREF的目標(biāo)值Vkef TAffi；ET和實(shí)際值之間的差值可在允許的范圍內(nèi)變化，此范圍可以忽略不計(jì)。
[0025]在一個(gè)實(shí)施例中，如果第一信號(例如電流I1)和第二信號(例如電流I2)的匹配指數(shù)MI增大，則參考電壓信號VREF的實(shí)際值和目標(biāo)值之間的差值減小。參考電壓信號VREF的實(shí)際值為VREF= (1+K2) * Ref * I2,目標(biāo)值VEEF_TAEGET 為 VREF_TARGET=(I+K2) * Ref * K1 * I1
TARGET， 其中，I I—TARGET_Ii_V()Ff/Ri ? 換言之，提供至比較單元304的參考電壓信號VREF具有更高的精確度。在一個(gè)實(shí)施例中，匹配指數(shù)MI由以下公式定義:MI=IzTDIFFa2A1 * I1)],其中，K1是常數(shù)參數(shù)，I1和I2分別是電流I1和電流I2的電流值，DIFFd2, K1 * I1)是計(jì)算電流I2和K1 * I1值之間差值的數(shù)學(xué)方程式。在上述實(shí)施例中，匹配指數(shù)MI與電流I2和K1* I1值之間的差值成反比。也就是說，如果電流I2和K1 * I1值之間的差值減小，則電流I1和電流I2的匹配指數(shù)MI增大，且如果電流I2和K1 * I1值之間的差值增大，則電流I1和電流I2的匹配指數(shù)MI減小。有利的是，根據(jù)比較結(jié)果而產(chǎn)生的檢測信號VOUT部分地由參考電壓信號VREF的精確度來確定。由于增大的匹配指數(shù)MI可帶來更精確的參考電壓信號VREF以及更準(zhǔn)確的比較結(jié)果，因此，檢測單元203a可以產(chǎn)生能更準(zhǔn)確的指示電池BAT1-電池BATn過流狀況的檢測信號V0UT。下文將詳細(xì)描述的信號匹配單元306能夠增加電流I1和電流I2的匹配指數(shù)MI。
[0026]信號匹配單元306耦合至源晶體管Msqukce和復(fù)制晶體管Moty以及比較單元304，用于控制源晶體管Msrara的漏極電壓Vdi和復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓VD2。漏極電壓Vm和漏極電壓Vd2被控制在基本上相同的電壓值以增大電流I1和電流I2的匹配指數(shù)MI。在圖3所示的實(shí)施例中，信號匹配單元306包含運(yùn)算放大器OPA 312以及晶體管M7和晶體管MNbias。運(yùn)算放大器OPA 312的正向輸入端耦合至源晶體管Msrara的漏極，且運(yùn)算放大器OPA312的反向輸入端耦合至復(fù)制晶體管Moty的漏極。運(yùn)算放大器OPA 312的正向輸入端也稱為第一輸入端，運(yùn)算放大器OPA 312的反向輸入端也稱為第二輸入端。這樣，運(yùn)算放大器0PA312控制漏極電壓Vdi和漏極電壓Vd2基本上處于相同的電壓值。本文所使用的“基本上處于相同的電壓值”意味著在實(shí)際中，信號的電壓值可以存在差別，例如由電路元件的非理想狀況所引起的差別，但是這些差別處于可被忽略的范圍內(nèi)，等同于理想狀態(tài)下的“處于相同電壓值”。信號匹配單兀306的晶體管M7稱合于復(fù)制晶體管Mcmpy的漏極和晶體管MNbias、晶體管MN2以及晶體管MN3的柵極之間，以使復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓不會直接影響晶體管MNbias、晶體管麗2以及晶體管麗3的柵極電壓。流經(jīng)復(fù)制晶體管Mcopy的電流I2進(jìn)一步流經(jīng)晶體管M7和晶體管MNbias。晶體管MNbias耦合于復(fù)制晶體管Moty和比較單元304之間，用于控制偏置電壓(例如晶體管MN2和晶體管MN3的共同柵極電壓)，該偏置電壓基于電流I2對比較單元304進(jìn)行偏置。晶體管MNbias也稱為偏置晶體管MNbias。
[0027]請參照圖3，源晶體管Msaffira和復(fù)制晶體管Moty的柵極和源極分別耦合在一起，且源晶體管Mstokce和復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓基本上處于相同的電壓值。通過控制源晶體管MS_E和復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓、柵極電壓和源極電壓分別相等，可以增大電流IjP電流I2的匹配指數(shù)MI，其中，電流I1和電流I2分別流經(jīng)源晶體管Mmuke和復(fù)制晶體管MraPY。這樣，基于對源晶體管Ms_e和復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓的控制，可增大電流I1和電流I2的匹配指數(shù)MI。如果源晶體管Mstokce和復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓、柵極電壓以及源極電壓分別相等，則電流I2和電流I1成正比，例如，I2=K1 * I10在上述實(shí)施例中，電流I2與電流I1匹配。有利的是，基于對源晶體管Msotjrc;e和復(fù)制晶體管Mcopy的漏極電壓的控制，增大了電流I1和電流I2的匹配指數(shù)MI，且匹配指數(shù)MI的增大可減小由檢測單元203a所產(chǎn)生的檢測結(jié)果的偏差。
[0028]圖4所示為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的檢測單元203b的電路示意圖。圖4將結(jié)合圖2和圖3進(jìn)行描述。圖4中的檢測單元203b可以是圖2中的檢測單元203的一個(gè)具體實(shí)施例。檢測單元203b和檢測單元203a具有類似的結(jié)構(gòu)，但是，檢測單元203b所包含的比較單元404和信號匹配單元406分別不同于圖3中的比較單元304和信號匹配單元306。
[0029]比較單元404和圖3中的比較單元304具有類似的結(jié)構(gòu)和功能，只是比較單元404的第一級放大單元408進(jìn)一步包含一對晶體管MN21和晶體管MN31。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解的是，第一級放大單元408中的晶體管麗2、晶體管麗3、晶體管麗21和晶體管麗31，以及信號匹配單元406的晶體管MNbiasJP晶體管MNbias2，可以一起構(gòu)成級聯(lián)結(jié)構(gòu)來增大電流I2、電流I3和電流I4的匹配指數(shù)。關(guān)于級聯(lián)結(jié)構(gòu)更多的細(xì)節(jié)此處不再贅述。然而，本發(fā)明并不僅限于此。在另一個(gè)實(shí)施例中，為達(dá)到上述目的，檢測單元203b的第一級放大單元408可以具有其它結(jié)構(gòu)。有利的是，通過增大電流I3和電流I4的匹配指數(shù)，可以相應(yīng)地減小第一級放大單元408的輸入偏差。[0030]在一個(gè)實(shí)施例中，比較單元404用于提供反饋信號FB至信號匹配單元406以增大電流I1和電流I2的匹配指數(shù)MI。該反饋信號FB例如電壓信號、電流信號等。反饋信號FB可以是但并不限于晶體管MN4和晶體管麗5的共同柵極電壓，并可指示流經(jīng)晶體管麗4和晶體管麗5的電流I5和電流I6的電流值。
[0031]在一個(gè)實(shí)施例中，信號匹配單元406耦合至源晶體管Msaffira和復(fù)制晶體管Moty以及比較單元404，信號匹配單元406包含第一反饋晶體管MNfb、第二反饋晶體管MFB、晶體管MNbias1、晶體管MNbias2、晶體管M7以及電阻器Rd。與圖3中的信號匹配單元306類似，信號匹配單元406用于增大流經(jīng)源晶體管Msaffira的電流I1和流經(jīng)復(fù)制晶體管Moty的電流I2的匹配指數(shù)MI。與圖3中的偏置晶體管MNbias類似，晶體管MNbIasi和晶體管MNbias2基于流經(jīng)晶體管MNbiasi和晶體管MNbias2的電流I2，為晶體管麗21和晶體管麗31提供第一偏置電壓，并為晶體管麗2和晶體管麗3提供第二偏置電壓。第一反饋晶體管MNfb耦合至比較單元404，用于接收由比較單元404所提供的反饋信號FB。晶體管MNbiasi和晶體管MNbias2也稱為偏置晶體管MNbIasi和偏置晶體管MNbIAS2。
[0032]如上所述，源晶體管Msaffira和復(fù)制晶體管Moty組成電流鏡，且偏置晶體管MNbias2和晶體管麗2組成電流鏡。此外，晶體管M8、晶體管M3和晶體管M5組成電流鏡，且晶體管MN4和晶體管MN5也組成電流鏡。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解的是，在檢測單元203b中，流經(jīng)這些電流鏡中對應(yīng)晶體管的電流I1、電流I2、電流I3、電流I4、電流I5以及電流I6中的每個(gè)電流都相互匹配，例如，相互成正比。因此，電流I6流經(jīng)的路徑所提供的反饋信號FB可以指示電流Ii的電流值。此外，晶體管MNfb、晶體管MN4和晶體管麗5也組成電流鏡，因此，流經(jīng)第一反饋晶體管MNfb的反饋電流Ifb可與電流I1、電流12、電流13、電流14、電流I5以及電流I6匹配。
[0033]第二反饋晶體管Mfb耦合至源晶體管Msaffira和復(fù)制晶體管Moty,其中，第二反饋晶體管Mfb的源極耦合至源晶體管Msotke和復(fù)制晶體管Moty的源極，且第二反饋晶體管Mfb的柵極耦合至復(fù)制晶體管Moty的漏極。第二反饋晶體管Mfb還耦合至第一反饋晶體管MNfb,其中，第二反饋晶體管Mfb的漏極耦合至第一反饋晶體管MNfb的漏極。第二反饋晶體管Mfb還將反饋信號FB或者反饋電流Ifb傳遞到復(fù)制晶體管Moty以控制復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓VD2，從而使復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓Vd2可大約等于源晶體管Mmuke的漏極電壓VD1，如上所述，使電流I2與電流I1匹配。下文將對此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0034]如上所述，流經(jīng)第二反饋晶體管Mfb的反饋電流Ifb可與流經(jīng)復(fù)制晶體管Moty的電流I2匹配(例如，成正比)，所以，可以根據(jù)電流Ifb和電流I2之間的比例來選擇第二反饋晶體管Mfb和復(fù)制晶體管Moty的尺寸比，從而使第二反饋晶體管Mfb和復(fù)制晶體管Moty的柵源電壓基本相同。換言之，復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓VD2，即第二反饋晶體管Mfb的柵極電壓，可大約等于復(fù)制晶體管Moty的柵極電壓。因?yàn)樵淳w管Msotke的漏極電壓Vdi還等于復(fù)制晶體管Moty的柵極電壓，所以漏極電壓Vd2被控制為大約等于漏極電壓VD1。因此，可增大流經(jīng)源晶體管Msaffira的電流I1和流經(jīng)復(fù)制晶體管Moty的電流I2的匹配指數(shù)MI。本發(fā)明中的“基本相同”、“大致等于”是指實(shí)際情況中，由于電路元件的非理想狀況所引起的差別，但是這些差別處于可被忽略的范圍內(nèi)，等同于理想狀態(tài)下的“相同”和“等于”。
[0035]有利的是，通過增大電流I1和電流I2的匹配指數(shù)，可以減小參考電壓信號VREF的實(shí)際值和目標(biāo)值VKEF_TAffi；ET之間的差值。根據(jù)輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF之間比較的結(jié)果所產(chǎn)生的檢測信號VOUT可以更精確地表明檢測單元203b中存在的狀況，例如過流狀況。換言之，檢測單元203b的檢測(例如，過流狀況檢測)性能更加優(yōu)異。
[0036]圖5所示為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的由檢測單元所執(zhí)行的檢測方法的流程圖500，其中檢測單元例如圖2中的檢測單元203、圖3中的檢測單元203a或圖4中的檢測單元203b。圖5將結(jié)合圖2、圖3和圖4進(jìn)行描述。
[0037]在步驟502中，電流源提供第一信號，并且源開關(guān)接收該第一信號，電流源例如圖3或圖4中的恒定電流源310。在一個(gè)實(shí)施例中，源開關(guān)是源晶體管，例如圖3或圖4中的源晶體管Mstokce,并且第一信號是流經(jīng)源晶體管Msrara的第一電流，例如電流Ip
[0038]在步驟504中，通過源開關(guān)和復(fù)制開關(guān)產(chǎn)生第二信號以與第一信號匹配，其中，所述源開關(guān)的第一端具有第一電壓且所述復(fù)制開關(guān)的第一端具有第二電壓。源開關(guān)和復(fù)制開關(guān)組成電流鏡，在一個(gè)實(shí)施例中，復(fù)制開關(guān)是復(fù)制晶體管，例如圖3或圖4中的復(fù)制晶體管MroPY。電流鏡產(chǎn)生第二信號以與第一信號匹配。第二信號是流經(jīng)復(fù)制晶體管Mcopy的第二電流，例如電流I2。電流I2基于參數(shù)K1而產(chǎn)生，其中，參數(shù)K1表示源晶體管Mmuke和復(fù)制晶體管Moty的溝道寬長比之間的比例，因此理想狀態(tài)下，電流I2與電流I1匹配，例如，電流I2=K1* IiO源晶體管Msrajrai的漏極也稱為源晶體管Msrajrai的第一端,該第一端具有第一電壓VD1。復(fù)制晶體管Moty的漏極也稱為復(fù)制晶體管Moty的第一端，該第一端具有第二電壓VD2。
[0039]在步驟506中，控制源晶體管Msaffira的第一端的第一電壓與復(fù)制晶體管Moty的第一端的第二電壓處于相同的電壓值。其中，第一電壓例如源晶體管Mstokce的漏極電壓，第二電壓例如復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓。對源晶體管Mmuke和復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓的控制可以減小電流I2和K1 * I1值之間的差值，此外，還可減小參考電壓信號VREF的實(shí)際值和目標(biāo)值V
EEF_TAEGET 之間的差值。
[0040]在步驟508中，通過控制第一電壓和第二電壓來增大第一信號和第二信號的匹配指數(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，通過將源晶體管Msrara和復(fù)制晶體管Moty的漏極電壓控制在基本上相同的電壓值，由源晶體管Msaffira和復(fù)制晶體管Moty所組成的電流鏡可產(chǎn)生與電流I工匹配的電流12。因此，基于對漏極電壓的控制可增大匹配指數(shù)MI。
[0041]在步驟510中，比較輸入信號和參考信號。其中，由電流I2確定的參考信號，例如參考電壓信號VREF，產(chǎn)生于比較單元的內(nèi)部。比較單元例如圖3中的比較單元304，或圖4中的比較單元404。參考電壓信號VREF的目標(biāo)值Vkef TAKeET表示電池BAT1-電池BATn的過流閾值。當(dāng)電流I1和電流I2的匹配指數(shù)MI增大時(shí)，參考電壓信號VREF的實(shí)際值和目標(biāo)值Veef taeget之間的差值減小。因此，比較單元304基于已匹配的電流I1和電流I2將輸入信號與參考電壓信號VREF進(jìn)行比較，輸入信號例如指示電池BAT1-BATn的放電電流IDse的輸入電壓信號VIN。
[0042]在步驟512中，基于輸入信號和參考信號的比較結(jié)果產(chǎn)生檢測信號，以表示輸入信號的狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，基于輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF之間的比較結(jié)果產(chǎn)生檢測信號V0UT，其中，檢測信號VOUT由比較單元304或比較單元404產(chǎn)生。檢測信號VOUT表示輸入電壓信號VIN的狀態(tài)，例如電池BAT1-電池BATn的放電電流IDse的過流狀況。
[0043]在步驟514中，基于第一信號和第二信號的匹配指數(shù)的增大，來減小檢測結(jié)果的偏差。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)電流I1與電流I2的匹配指數(shù)MI增大時(shí)，參考電壓信號VREF的精確度增加，且輸入電壓信號VIN和參考電壓信號VREF之間的比較結(jié)果更加準(zhǔn)確。因此，檢測信號VOUT可更準(zhǔn)確的指示電池BAT1-電池BATn中的過流狀況，即，減小了檢測結(jié)果中的偏差。
[0044]由于參考電壓信號VREF的實(shí)際值更加接近于目標(biāo)值VKEF—TAK；ET,則可變輸入信號VIN和參考電壓信號VREF之間進(jìn)行的比較可以更精確，這樣，檢測信號VOUT可以更加準(zhǔn)確的指示可變輸入信號VIN的狀態(tài)。所以，檢測單元的檢測(例如過流狀況檢測)具有更高的精確度。其中，檢測單元例如圖2中的檢測單元203、圖3中的檢測單元203a，或圖4中的檢測單元203b。
[0045]在此使用之措辭和表達(dá)都是用于說明而非限制，使用這些措辭和表達(dá)并不將在此圖示和描述的特性之任何等同物(或部分等同物)排除在發(fā)明范圍之外，在權(quán)利要求的范圍內(nèi)可能存在各種修改。其它的修改、變體和替換物也可能存在。因此，權(quán)利要求旨在涵蓋所有此類等同物。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測單元，用于檢測輸入信號的狀態(tài)，其特征在于，所述檢測單元包括: 源開關(guān)，用于接收第一信號，所述源開關(guān)的第一端具有第一電壓； 復(fù)制開關(guān)，耦合至所述源開關(guān)，所述復(fù)制開關(guān)的第一端具有第二電壓，且所述源開關(guān)和所述復(fù)制開關(guān)產(chǎn)生第二信號以與所述第一信號匹配； 比較單元，耦合至所述源開關(guān)和所述復(fù)制開關(guān)，用于將所述輸入信號與參考信號進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生檢測信號來表示所述輸入信號的所述狀態(tài)，其中，所述參考信號由所述第二信號確定；以及 信號匹配單元，耦合至所述源開關(guān)、所述復(fù)制開關(guān)以及所述比較單元，用于將所述第一電壓和所述第二電壓控制在相同的電壓值，以增大所述第一信號和所述第二信號的匹配指數(shù)，從而通過控制所述第一電壓和所述第二電壓來減小檢測結(jié)果的偏差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測單元，其特征在于，當(dāng)所述第一信號和所述第二信號的所述匹配指數(shù)增大時(shí)，所述參考信號的實(shí)際值和目標(biāo)值之間的差值減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測單元，其特征在于，所述源開關(guān)包括源晶體管，所述復(fù)制開關(guān)包括復(fù)制晶體管，其中，所述源晶體管的漏極具有所述第一電壓，以及所述復(fù)制晶體管的漏極具有所述第二電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測單元，其特征在于，所述第一信號包括流經(jīng)所述源晶體管的第一電流，所述第二信號包括流經(jīng)所述復(fù)制晶體管的第二電流，其中，所述復(fù)制晶體管的柵極耦合至所述源晶體管的柵極，所述復(fù)制晶體管的源極耦合至所述源晶體管的源極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測單元，其特征在于，所述信號匹配單元包括偏置晶體管，所述偏置晶體管耦合于所述復(fù)制晶體管和所述比較單元之間，其中，所述第二電流流經(jīng)所述偏置晶體管以控制用于偏置所述比較單元的偏置電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測單元，其特征在于，所述信號匹配單元包括運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器控制所述源晶體管的所述漏極的所述第一電壓和所述復(fù)制晶體管的所述漏極的所述第二電壓，使所述第一電壓和所述第二電壓處于相同的電壓值，其中，所述源晶體管的所述漏極耦合至所述運(yùn)算放大器的第一輸入端，所述復(fù)制晶體管的所述漏極耦合至所述運(yùn)算放大器的第二輸入端。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測單元，其特征在于，所述信號匹配單元包括: 第一反饋晶體管，耦合至所述比較單元，用于從所述比較單元接收反饋信號，其中，所述反饋信號指示所述第一信號；以及 第二反饋晶體管，耦合至所述復(fù)制晶體管以及所述第一反饋晶體管，用于傳遞所述反饋信號來控制所述第二信號與所述第一信號匹配。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測單元，其特征在于，所述第二反饋晶體管的柵極耦合至所述復(fù)制晶體管的所述漏極，所述第二反饋晶體管的源極耦合至所述源晶體管的源極，其中，所述第二反饋晶體管控制所述復(fù)制晶體管的所述漏極的所述第二電壓等于所述源晶體管的所述漏極的所述第一電壓。
9.一種檢測電路，用于檢測 輸入信號的狀態(tài)，其特征在于，所述檢測電路包括: 檢測單元，包括源開關(guān)和復(fù)制開關(guān)，其中，所述源開關(guān)的第一端具有第一電壓，所述復(fù)制開關(guān)的第一端具有第二電壓，所述檢測單元用于接收第一信號并產(chǎn)生第二信號以與所述第一信號匹配，且所述檢測單元通過比較所述輸入信號和參考信號來產(chǎn)生檢測信號，其中，所述參考信號由所述第二信號確定，所述檢測單元還用于將所述第一電壓和所述第二電壓控制在相同的電壓值，以增大所述第一信號和所述第二信號的匹配指數(shù)，從而通過控制所述第一電壓和所述第二電壓來減小檢測結(jié)果的偏差；以及 控制單元，耦合至所述檢測單元，用于接收所述檢測信號并產(chǎn)生控制信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測電路，其特征在于，當(dāng)所述第一信號和所述第二信號的所述匹配指數(shù)增大時(shí)，所述參考信號的實(shí)際值和目標(biāo)值之間的差值減小。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測電路，其特征在于，所述源開關(guān)包括源晶體管，所述復(fù)制開關(guān)包括復(fù)制晶體管，其中，所述源晶體管的漏極具有所述第一電壓，以及所述復(fù)制晶體管的漏極具有所述第二電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢測電路，其特征在于，所述第一信號包括流經(jīng)所述源晶體管的第一電流，所述第二信號包括流經(jīng)所述復(fù)制晶體管的第二電流，其中，所述復(fù)制晶體管的柵極耦合至所述源晶體管的柵極，所述復(fù)制晶體管的源極耦合至所述源晶體管的源極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測單元還包括偏置晶體管，所述偏置晶體管耦合至所述復(fù)制晶體管，其中，所述第二電流流經(jīng)所述偏置晶體管以控制用于自偏置所述檢測單元的偏置電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測單元還包括運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器控制所述源晶體管的所述漏極的所述第一電壓和所述復(fù)制晶體管的所述漏極的所述第二電壓， 使所述第一電壓和所述第二電壓處于相同的電壓值，其中，所述源晶體管的所述漏極耦合至所述運(yùn)算放大器的第一輸入端，所述復(fù)制晶體管的所述漏極耦合至所述運(yùn)算放大器的第二輸入端。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測單元還包括: 第一反饋晶體管，用于接收指示所述第一信號的反饋信號；以及 第二反饋晶體管，耦合至所述復(fù)制晶體管以及所述第一反饋晶體管，用于傳遞所述反饋信號來控制所述第二信號與所述第一信號匹配。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測電路，其特征在于，所述第二反饋晶體管的柵極耦合至所述復(fù)制晶體管的所述漏極，所述第二反饋晶體管的源極耦合至所述源晶體管的源極，其中，所述第二反饋晶體管控制所述復(fù)制晶體管的所述漏極的所述第二電壓等于所述源晶體管的所述漏極的所述第一電壓。
17.—種檢測方法，用于檢測輸入信號的狀態(tài)，其特征在于，所述檢測方法包括: 接收第一信號； 通過源開關(guān)和復(fù)制開關(guān)產(chǎn)生第二信號以與所述第一信號匹配，其中，所述源開關(guān)的第一端具有第一電壓且所述復(fù)制開關(guān)的第一端具有第二電壓； 控制所述第一電壓與所述第二電壓處于相同的電壓值； 通過控制所述第一電壓和所述第二電壓來增大所述第一信號和所述第二信號的匹配指數(shù)； 比較所述輸入信號和參考信號； 基于所述輸入信號和所述參考信號的比較結(jié)果產(chǎn)生檢測信號，以表示所述輸入信號的所述狀態(tài)；以及基于對所述第一信號和所述第二信號的所述匹配指數(shù)的增大，來減小檢測結(jié)果的偏差。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的檢測方法，其特征在于，所述第一信號包括流經(jīng)源晶體管的第一電流，所述第二信號包括流經(jīng)復(fù)制晶體管的第二電流，其中，所述源開關(guān)包括所述源晶體管，所述復(fù)制開關(guān)包括所述復(fù)制晶體管，所述源晶體管的漏極具有所述第一電壓，所述復(fù)制晶體管的漏極具有所述第二電壓，所述復(fù)制晶體管的柵極耦合至所述源晶體管的柵極，且所述復(fù)制晶體管的源極耦合至所述源晶體管的源極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的檢測方法，其特征在于，所述控制所述第一電壓與所述第二電壓處于相同的電壓值的步驟進(jìn)一步包括:控制所述源晶體管的所述漏極的所述第一電壓以及所述復(fù)制晶體管的所述漏極的所述第二電壓，使所述第一電壓和所述第二電壓處于相同的電壓值，其中，所述源晶體管的所述漏極耦合至運(yùn)算放大器的第一輸入端，所述復(fù)制晶體管的所述漏極耦合至所述運(yùn)算放大器的第二輸入端。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的檢測方法，其特征在于，所述通過控制所述第一電壓和所述第二電壓來增大所述第一信號和所述第二信號的匹配指數(shù)的步驟進(jìn)一步包括: 接收指示所述第一信號的反饋信號；以及 利用反饋晶體管傳遞所述反饋信號來控制所述第二電壓等于所述第一電壓，以增大所述第二信號與所述第一信號的匹配指數(shù)。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的 檢測方法，其特征在于，所述檢測方法進(jìn)一步包括當(dāng)所述第一信號和所述第二信號的所述匹配指數(shù)增大時(shí)，所述參考信號的實(shí)際值和目標(biāo)值之間的差值減小，其中，所述參考信號由所述第二信號確定。
【文檔編號】G01R19/165GK103809014SQ201210459928
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月15日
【發(fā)明者】湯小虎, 薛衛(wèi)東 申請人:凹凸電子（武漢）有限公司