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      一種石英晶體微天平質(zhì)量傳感器的制作方法

      文檔序號:5962650閱讀:196來源:國知局
      專利名稱:一種石英晶體微天平質(zhì)量傳感器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域,涉及石英晶體微天平(Quartz CrystalMircrobalance, QCM),尤其是QCM質(zhì)量傳感器。
      背景技術(shù)
      石英晶體微天平(QuartzCrystal Mircrobalance, QCM)是一種在 20 世紀 60 年代興起的新型的微小質(zhì)量檢測儀器,其核心部件是QCM質(zhì)量傳感器。QCM質(zhì)量傳感器是一種非常靈敏的質(zhì)量傳感器,它的質(zhì)量測定可以精確到納克級,已經(jīng)在物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)等 學(xué)科的檢測問題中得到了應(yīng)用。在一定的外界條件下,當(dāng)石英晶振表面吸附其它物質(zhì)時,根據(jù)石英振子的頻率變化與晶體表面的所附物質(zhì)質(zhì)量變化成正比的這一原理,石英晶振的諧振頻率將會隨著吸附物質(zhì)質(zhì)量的大小而改變。QCM質(zhì)量傳感器其實就是具有上下電極結(jié)構(gòu)的石英晶體諧振器。石英晶體諧振器因為壓電效應(yīng)會在外界激勵下以它的諧振頻率振蕩,QCM質(zhì)量傳感器就是利用石英晶體諧振器這一特性,在石英晶體諧振器電極表面吸附一層待測物質(zhì),把待測物質(zhì)的質(zhì)量信號轉(zhuǎn)化為頻率信號進行檢測的。QCM具有很高的靈敏度、優(yōu)良的選擇性、所需成本低廉,而且測試裝置簡單、易于實現(xiàn)現(xiàn)場連續(xù)檢測等眾多優(yōu)點,所以受到了世界各國科學(xué)家的高度重視,它已經(jīng)廣泛應(yīng)用于質(zhì)量、密度、濃度等的檢測領(lǐng)域。然而,QCM在應(yīng)用中存在一個顯著問題測量結(jié)果的重復(fù)性很低。為獲得較高重復(fù)性的測量結(jié)果,人們提出了許多QCM使用時的注意事項,如使被測樣品均勻剛性的分布于QCM的整個電極表面,能夠?qū)崿F(xiàn)樣品均勻剛性的分布的方法主要有真空鍍膜、電鍍等,操作過程不僅繁瑣而且效率很低。目前,人們已認識到,QCM質(zhì)量傳感器質(zhì)量靈敏度分布曲線的不一致是造成其測量結(jié)果重復(fù)性低的主要原因。理論和實踐都已證明,常規(guī)如圖I示的具有圓電極結(jié)構(gòu)(m-m型)的QCM質(zhì)量傳感器,其質(zhì)量靈敏度分布曲線為如圖2所示的鐘罩型(或高斯型),這就產(chǎn)生了QCM質(zhì)量傳感器質(zhì)量靈敏度分布曲線的不一致,帶來了測量結(jié)果重復(fù)性低的問題。為了獲得質(zhì)量靈敏度分布均勻的QCM質(zhì)量傳感器,研究人員對QCM質(zhì)量傳感器的電極結(jié)構(gòu)進行了該進,如設(shè)計出了不對稱的圓形n-m型電極、橢圓形電極等,但這都不能解決由于QCM質(zhì)量傳感器質(zhì)量靈敏度分布曲線的不一致所帶來的測量結(jié)果重復(fù)性低的問題。有國外研究者提出了具有一種不對稱電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,如圖3、4所不,其上電極是一種圓環(huán)形電極(圓環(huán)電極內(nèi)半徑為n,外半徑為m),其下電極仍然是一個外半徑為m的圓形電極。具有這種電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,其質(zhì)量靈敏度分布曲線為雙峰形,雙峰間的凹陷是明顯的,如果能夠?qū)枷菅a平,則可獲得局部均勻的質(zhì)量靈敏度分布。為將雙峰間的凹陷補平,科學(xué)家們做了很多探討。1996年,Youbok Lee等人發(fā)現(xiàn),可以通過減小電極質(zhì)量負載因數(shù),使雙峰間的凹陷減小(Y. Lee, F. Josse, “Radial dependence ofmass sensitivity for modified-electrode quartz resonators,,, Proc. IEEE Ultrason.Symp, vol. I, pp. 321-325,1996.),其提供的質(zhì)量靈敏度分布曲線如圖5所示??梢娫谥C振器鍍回頻率極小時,其質(zhì)量靈敏度分布曲線有趨于一致的趨勢,但絕對質(zhì)量靈敏度峰值卻有所下降(即分辨率降低),尤其其致命的不足是由于R值太小(即晶片的鍍回頻率太小),只有通過減小電極厚度的方法來減小電極質(zhì)量負載因數(shù),然而,即使電極薄至超過所能實現(xiàn)的工藝極限,雙峰間的凹陷仍然比較明顯。可見,通過減小電極的厚度將雙峰間的凹陷補平,這在實際中是不可行的。

      發(fā)明內(nèi)容
      為了提高QCM質(zhì)量傳感器質(zhì)量靈敏度的均勻性,本發(fā)明提供具有一種不對稱電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,該QCM質(zhì)量傳感器可在基本不降低絕對質(zhì)量靈敏度的基礎(chǔ)上,提高質(zhì)量靈敏度的均勻性,從而提高QCM測量結(jié)果的重復(fù)性,達到提高QCM測量精度的目的。本發(fā)明技術(shù)方案如下一種石英晶體微天平質(zhì)量傳感器,如圖6、7所示,包括圓形石英晶片1,所述圓形石英晶片I上下兩面分別具有上金屬電極2和下金屬電極3。經(jīng)過圓形石英晶片I幾何中 心的法線與經(jīng)過上金屬電極2幾何中心的法線和經(jīng)過下金屬電極3幾何中心的法線三者保持重合。所述下金屬電極3為一半徑為m的圓電極。所述上金屬電極2為點-環(huán)狀電極,由一個環(huán)狀電極21和與環(huán)狀電極21同心的點電極22構(gòu)成。所述環(huán)狀電極21的內(nèi)半徑為n、外半徑為m,所述點電極22的半徑為g,且g〈n。本發(fā)明提供的QCM質(zhì)量傳感器,其實質(zhì)是將圖3、4所示的具有不對稱電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的圓環(huán)狀上金屬電極改成點-環(huán)狀上金屬電極。其中點-環(huán)狀上金屬電極結(jié)構(gòu)如圖7所示,其中g(shù)、n、m分別表示中心點電極22的半徑、環(huán)狀電極21的內(nèi)半徑和外半徑。從圖7中可見它有三類區(qū)域分別為非電極區(qū)(U區(qū))、部分電極區(qū)(P區(qū))和全電極區(qū)(E區(qū)),其截止頻率分別用fu、fP和fE表示。根據(jù)能陷理論要求,該QCM質(zhì)量傳感器的工作頻率范圍為fE〈f〈fP〈fu。在該工作頻率范圍下,該QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)點位移幅度的解為
      ClJ° (備6……卜丨^ g
      ClI° (方 r) + CiKo (方 r)……H - nA = S;'(I)
      C4t/o(方,)+ C5K(念r)......n < \r\ < m
      CA (備廠)……m < \r\ < go由質(zhì)點位移和應(yīng)變在r=g、n、m處連續(xù),可以得到六個線性齊次方程組成的分界連續(xù)方程組,選擇方程組中的任意五個方程可以得到質(zhì)點位移幅度常數(shù)Cp C2、C3、C4、C5、C6的比例關(guān)系。這樣,就得到了 A(r)的表示式,由下式即可得到該QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度Sf (r)的表示
      \A(rf{ )Sf(r)= J "丨Ct
      2/rj r|^4(r)| dr(2)式中Cf是QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度常數(shù)。
      圖8為本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器與普通環(huán)狀電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度的比較示意圖。從圖8中可以看出,采用點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,其質(zhì)量靈敏度分布曲線的不一致程度減小了一半,這同時意味著其測量的
      重復(fù)性將提高一倍。綜上所述,本發(fā)明提供的QCM質(zhì)量傳感器在基本不降低絕對質(zhì)量靈敏度的基礎(chǔ)上,能夠提高質(zhì)量靈敏度的均勻性,從而提高QCM測量結(jié)果的重復(fù)性,達到提高QCM測量精度的目的。


      圖I是常規(guī)具有上下對稱圓電極結(jié)構(gòu)(m-m型)的QCM質(zhì)量傳感器的縱向截面示意圖。
      圖2是圖I所示結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度分布曲線。圖3是具有環(huán)形電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的縱向截面示意圖。圖4是圖3所示具有環(huán)形電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的上金屬電極結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是圖3所示具有環(huán)形電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度曲線。它在電極中心點周圍的分布是雙峰形的,隨著R的減小,其質(zhì)量靈敏度分布曲線有趨于一致的趨勢,但這時的R值太小,已超出了所能實現(xiàn)的工藝極限。圖6是本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的縱向截面示意圖。圖7是本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的上金屬電極結(jié)構(gòu)示意圖。圖8是本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器與圖3所示具有環(huán)形電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度曲線比較。其中實線為圖3所示具有環(huán)形電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度曲線,虛線為本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度曲線。從圖8中可以看出,本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,在保證較高的絕對質(zhì)量靈敏度的前提下,通過形成三峰形曲線,提高了QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度的均勻性。注圖4和圖7中均只標(biāo)明了電極區(qū),未標(biāo)起導(dǎo)電作用的電極引出線。
      具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施方式
      ,對本發(fā)明進行進一步的描述。—種QCM質(zhì)量傳感器,如圖6、7所示,包括圓形石英晶片I,所述圓形石英晶片I上下兩面分別具有上金屬電極2和下金屬電極3。經(jīng)過圓形石英晶片I幾何中心的法線與經(jīng)過上金屬電極2幾何中心的法線和經(jīng)過下金屬電極3幾何中心的法線三者保持重合。所述下金屬電極3為一半徑為m的圓電極。所述上金屬電極2為點-環(huán)狀電極,由一個環(huán)狀電極21和與環(huán)狀電極21同心的點電極22構(gòu)成。所述環(huán)狀電極21的內(nèi)半徑為n、外半徑為m,所述點電極22的半徑為g,且g〈n。所述上金屬電極2和下金屬電極3材料為金或鉻+金(以金屬鉻層為基層,在金屬鉻層上再鍍金層,以增加金在石英基片上的附著力),厚度為10_7米。所述點電極22的半徑g在0. 4毫米到I. 2毫米的范圍內(nèi);所述環(huán)狀電極21的內(nèi)半徑n在I. 6毫米到3. 2毫米的范圍內(nèi),外半徑m在2. 5毫米到5. O毫米的范圍內(nèi)。石英晶片I的直徑在8. Omm到14. Omm的范圍內(nèi)。所述石英晶片I為AT切石英晶片,其切角范圍從35° I’到35° 12’。所述QCM質(zhì)量傳感器的稱頻率為5MHz、IOMHz或11MHz,工作泛音次數(shù)為基頻、3次泛音或5次泛音。根據(jù)上述技術(shù)方案,以切角為AT切35° 8’、標(biāo)稱頻率為10MHz、泛音次數(shù)為基頻的石英晶片(厚度約為0. 1648mm)制作QCM質(zhì)量傳感器。其中石英晶片直徑為8. 7mm,上下金屬電極材料選擇金,上下電極厚度為為10_7米(1000埃)。上金屬電極中,點電極22的半徑g=0. 45mm,環(huán)狀電極21的內(nèi)半徑n=2. 12mm、外半徑m=2. 85mm。
      選擇同樣的石英晶片制作另一個具有環(huán)狀電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,作為上述制作的QCM質(zhì)量傳感器的對比實施例(二者的區(qū)別僅僅在于上金屬電極,本發(fā)明在環(huán)狀電極中增加了一個同心的點電極,其余材料、尺寸等所有參數(shù)均相同,且對比實施例的環(huán)狀電極的上電極環(huán)的內(nèi)、外電極的半徑也相同)。按照上述規(guī)格參數(shù)設(shè)計的具有環(huán)狀電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器和本發(fā)明設(shè)計的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度分布曲線如圖8所示。由圖8可以看出,具有環(huán)狀電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度分布曲線呈雙峰狀,雙峰之間質(zhì)量靈敏度的最大差值約為2. 5X IO11HzAg ;本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度分布曲線呈三峰狀,三峰間質(zhì)量靈敏度的最大差值縮小到大約I. 25X10nHz/Kg。同時,從圖8中也可以看出,本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,保證了較高的絕對質(zhì)量靈敏度。因此,本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,在保證較高的絕對質(zhì)量靈敏度的前提下,質(zhì)量靈敏度分布曲線的不一致程度大約減小了一半,換句話說,本發(fā)明提供的具有點-環(huán)電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,其測量的重復(fù)性將大約提高一倍。
      權(quán)利要求
      1.一種石英晶體微天平質(zhì)量傳感器,包括圓形石英晶片(1),所述圓形石英晶片(I)上下兩面分別具有上金屬電極(2)和下金屬電極(3),經(jīng)過圓形石英晶片(I)幾何中心的法線與經(jīng)過上金屬電極(2)幾何中心的法線和經(jīng)過下金屬電極(3)幾何中心的法線三者保持重合;其特征在于,所述下金屬電極(3)為一半徑為m的圓電極;所述上金屬電極(2)為點-環(huán)狀電極,由一個環(huán)狀電極(21)和與環(huán)狀電極(21)同心的點電極(22)構(gòu)成;所述環(huán)狀電極(21)的內(nèi)半徑為η、外半徑為m,所述點電極(22)的半徑為g,且g〈n。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的石英晶體微天平質(zhì)量傳感器,其特征在于,所述上金屬電極(2)和下金屬電極(3)材料為金或鉻+金,厚度為10_7米。
      3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的石英晶體微天平質(zhì)量傳感器,其特征在于,所述點電極(22)的半徑g在O.4毫米到I. 2毫米的范圍內(nèi);所述環(huán)狀電極(21)的內(nèi)半徑η在I. 6毫米到3. 2毫米的范圍內(nèi),外半徑m在2. 5毫米到5. O毫米的范圍內(nèi)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求I、2或3所述的石英晶體微天平質(zhì)量傳感器,其特征在于,所述石英晶片(I)的直徑在8. Omm到14. Omm的范圍內(nèi)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的石英晶體微天平質(zhì)量傳感器,其特征在于,所述石英晶片(I)為AT切石英晶片,其切角范圍從35° I’到35° 12’。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的石英晶體微天平質(zhì)量傳感器,其特征在于,所述石英晶體微天平質(zhì)量傳感器的稱頻率為5MHz、IOMHz或11MHz,工作泛音次數(shù)為基頻、3次泛音或5次泛音。
      全文摘要
      為了提高QCM質(zhì)量傳感器質(zhì)量靈敏度的均勻性,本發(fā)明提供具有一種不對稱電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器,屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。包括圓形石英晶片和分別位于圓形石英晶片上下兩面的金屬電極,其中下金屬電極為一半徑為m的圓電極,上金屬電極為點-環(huán)狀電極,由一個環(huán)狀電極(內(nèi)半徑為n、外半徑為m)和與環(huán)狀電極同心的點電極(半徑為g)構(gòu)成,且g<n。本發(fā)明對現(xiàn)有具有環(huán)狀電極結(jié)構(gòu)的QCM質(zhì)量傳感器的上金屬電極進行改進,通過在環(huán)狀電極中增加一個較小的點電極,將QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度分布曲線由雙峰型改進成三峰型,在保證了較高的絕對質(zhì)量靈敏度基礎(chǔ)上,提高了QCM質(zhì)量傳感器的質(zhì)量靈敏度分布的均勻性,進而提高其測量結(jié)果的重復(fù)性。
      文檔編號G01N5/02GK102967522SQ20121046048
      公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月15日
      發(fā)明者黃顯核, 付瑋 申請人:電子科技大學(xué)
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