專利名稱：復(fù)合式校準標樣及校準方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及掃描電鏡校準檢測領(lǐng)域，特別是涉及一種復(fù)合式校準標樣及校準方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的掃描電鏡用標準標樣僅在同一個二維平面內(nèi)的排列結(jié)構(gòu)，而且沒有既滿足二維校準的同時，又能滿足三維形狀表征要求的校準標樣。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)緊湊、體積小，便于歸一存放、能減少標樣更換和不同材料特性等引入測量不確定影響量，提高校準精度、有利于掃描電鏡三維空間測量校準及功能擴展的復(fù)合式校準標樣及校準方法。其技術(shù)方案如下。一種復(fù)合式校準標樣，包括基體，所述基體具有上端面和下端面，所述下端面為安裝底面，所述上端面為測試端面，所述測試端面設(shè)置有兩級或兩級以上的臺階，所述臺階上設(shè)置水平的臺階面，所述臺階面上設(shè)置標準格柵或標準表面粗糙度。所述臺階面相互之間的高度差大于O.1微米。所述臺階面包括第一臺階面和第二臺階面，所述第一臺階面和第二臺階面上分別設(shè)置標準格柵。所述第二臺階面上還設(shè)置有標準表面粗糙度。所述臺階面還包括第三臺階面，所述第三臺階面上設(shè)置標準表面粗糙度。復(fù)合式校準標樣還包括鍍膜層和導(dǎo)電粘合層，所述鍍膜層設(shè)置于所述基體的測試端面上，所述導(dǎo)電粘合層與所述安裝底面相配合安裝連接。所述鍍膜層為金屬鉻薄膜層，所述基體為二氧化硅或單晶硅，所述導(dǎo)電粘合層為碳材料導(dǎo)電膠。本技術(shù)方案還提供了一種掃描電鏡的校準方法，包括以下步驟放入復(fù)合式校準標樣，電子束對測試端面上的臺階面的表面進行物理撞擊，散射或反射出的各種二次電子通過二次電子探測傳感器收集，處理后得到圖像并重構(gòu)測量進行對比校準，調(diào)整高精度傾斜工作臺，電子束與測試端面上的另一臺階面的表面進行物理撞擊，散射或反射出的各種二次電子通過二次電子探測傳感器收集，處理后得到圖像并重構(gòu)測量進行對比校準。本技術(shù)方案復(fù)合式校準標樣結(jié)構(gòu)緊湊、體積小，便于歸一存放、能減少標樣更換和不同材料特性等引入測量不確定影響量，提高校準精度、有利于掃描電鏡三維空間測量校準及功能擴展。


圖1為本發(fā)明實施例所述的復(fù)合式校準標樣的結(jié)構(gòu)示意俯視圖2為本發(fā)明實施例所述的復(fù)合式校準標樣的結(jié)構(gòu)示意剖視圖；附圖標記說明10、基體，21、第一臺階面，22、第二臺階面，23、第三臺階面，211、標準格柵，221、標
準格柵，231、標準表面粗糙度，30、導(dǎo)電粘合層。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進行詳細的說明。如圖1至2所示復(fù)合式校準標樣，包括基體10，基體10具有上端面和下端面，下端面為安裝底面，安裝端面水平設(shè)置，上端面為測試端面，測試端面設(shè)置有兩級或兩級以上的臺階，臺階上設(shè)置水平的臺階面，臺階面上設(shè)置標準格柵211或標準表面粗糙度231。其中，臺階面相互之間的高度差大于I微米。臺階面包括第一臺階面21和第二臺階面22，第一臺階面21和第二臺階面22上分別設(shè)置標準格柵221。第二臺階面22上還設(shè)置有標準表面粗糙度231。臺階面還包括第三臺階面23，第三臺階面23上設(shè)置標準表面粗糙度231。再者，復(fù)合式校準標樣還包括鍍膜層和導(dǎo)電粘合層30，鍍膜層設(shè)置于基體10的測試端面上，導(dǎo)電粘合層30與安裝底面相配合安裝連接。鍍膜層為金屬鉻薄膜層，基體10為二氧化硅或單晶硅，導(dǎo)電粘合層30為碳材料導(dǎo)電膠。復(fù)合校準標樣使用聚焦離子束技術(shù)刻制。本實施例還提供了一種掃描電鏡的校準方法，包括以下步驟放入復(fù)合式校準標樣，電子束對測試端面上的臺階面的表面進行物理撞擊，散射或反射出的各種二次電子通過二次電子探測傳感器收集，處理后得到圖像并重構(gòu)測量進行對比校準，調(diào)整高精度傾斜工作臺，電子束與測試端面上的另一臺階面的表面進行物理撞擊，散射或反射出的各種二次電子通過二次電子探測傳感器收集，處理后得到圖像并重構(gòu)測量進行對比校準。通過調(diào)整高精度傾斜工作臺調(diào)整，觀察到復(fù)合校準標樣的掃描電子圖像，對第一臺階面的標準格柵211和第二臺階面的標準格柵221進行測量，測量值與復(fù)合式校準標樣的校準值進行比對。通過高精度傾斜工作臺調(diào)整對臺階差，第三臺階面23的標準表面粗糙度231進行掃描，得到足夠的清晰掃描圖像并進行重構(gòu)后測量，測量值和復(fù)合式校準標樣的校準值進行對比，做好記錄和分析，取出標樣，完成掃描電鏡校準。除此之外，在二維模式下，通過標準格柵221的線寬校準幾何軸向精度，也可以直接通過臺階垂直邊成像來校準標樣和電子束成像平面。在三維校準時，可通過臺階垂直邊校準垂直軸線精度，通過復(fù)合式校準標樣表面形貌三維標準表面粗糙度231校準三維表面粗糖度等指標。本實施例復(fù)合式校準標樣結(jié)構(gòu)緊湊、體積小，便于歸一存放、能減少標樣更換和不同材料特性等引入測量不確定影響量，提高校準精度、因其具有臺階式結(jié)構(gòu)有利于掃描電鏡三維空間測量校準及功能擴展，可進行三維表面粗糙度等指標的校準，校準效果好。以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合式校準標樣，其特征在于，包括基體，所述基體具有上端面和下端面，所述下端面為安裝底面，所述上端面為測試端面，所述測試端面設(shè)置有兩級或兩級以上的臺階，所述臺階上設(shè)置水平的臺階面，所述臺階面上設(shè)置標準格柵或標準表面粗糙度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式校準標樣，其特征在于，所述臺階面相互之間的高度差大于0.1微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式校準標樣，其特征在于，所述臺階面包括第一臺階面和第二臺階面，所述第一臺階面和第二臺階面上分別設(shè)置標準格柵。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合式校準標樣，其特征在于，所述第二臺階面上還設(shè)置有標準表面粗糙度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合式校準標樣，其特征在于，所述臺階面還包括第三臺階面，所述第三臺階面上設(shè)置標準表面粗糙度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的復(fù)合式校準標樣，其特征在于，還包括鍍膜層和導(dǎo)電粘合層，所述鍍膜層設(shè)置于所述基體的測試端面上，所述導(dǎo)電粘合層與所述安裝底面相配合安裝連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合式校準標樣，其特征在于，所述鍍膜層為金屬鉻薄膜層，所述基體為二氧化硅或單晶硅，所述導(dǎo)電粘合層為碳材料導(dǎo)電膠。
8.一種掃描電鏡的校準方法，其特征在于，包括以下步驟 放入復(fù)合式校準標樣，電子束對測試端面上的臺階面的表面進行物理撞擊，散射或反射出的各種二次電子通過二次電子探測傳感器收集，處理后得到圖像并重構(gòu)測量進行對比校準，調(diào)整高精度傾斜工作臺，電子束與測試端面上的另一臺階面的表面進行物理撞擊，散射或反射出的各種二次電子通過二次電子探測傳感器收集，處理后得到圖像并重構(gòu)測量進行對比校準。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種復(fù)合式校準標樣及校準方法，包括基體，所述基體具有上端面和下端面，所述下端面為安裝底面，所述上端面為測試端面，所述測試端面設(shè)置有兩級或兩級以上的臺階，所述臺階上設(shè)置水平的臺階面，所述臺階面上設(shè)置標準格柵或標準表面粗糙度。本發(fā)明復(fù)合式校準標樣及校準方法結(jié)構(gòu)緊湊、體積小，便于歸一存放、能減少標樣更換和不同材料特性等引入測量不確定影響量，提高校準精度、有利于掃描電鏡三維空間測量校準及功能擴展。
文檔編號G01B15/00GK103017692SQ20121049111
公開日2013年4月3日 申請日期2012年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月27日
發(fā)明者古耀達, 周倫彬, 王海燕, 郭彤, 黃志斌, 蔡永洪, 韋爭亮, 胡小唐, 林建榮 申請人:廣州計量檢測技術(shù)研究院