專利名稱：屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于屏蔽效能測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別提出了屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法。
背景技術(shù)：
屏蔽室、屏蔽方艙等屏蔽腔體是由六塊金屬板通過(guò)導(dǎo)電連接，且對(duì)電磁波具有良好衰減的密閉矩形六面體腔體。隨著帶有隔艙的屏蔽室、屏蔽方艙等屏蔽腔體的廣泛應(yīng)用，對(duì)屏蔽腔體隔腔壁上的屏蔽門(mén)、波導(dǎo)通風(fēng)窗等屏蔽結(jié)構(gòu)與部件的屏蔽效能測(cè)試就顯得日趨重要。圖I給出了帶有隔腔的屏蔽腔體示意圖，其中屏蔽門(mén)包括了屏蔽腔體的外屏蔽門(mén)與隔腔壁上的屏蔽門(mén)等兩類門(mén)。由于結(jié)構(gòu)及功能原因，典型隔腔壁上的屏蔽門(mén)一般位于隔腔壁的某一側(cè)，從而使得屏蔽門(mén)的上縫、下縫、側(cè)縫，分別靠近兩個(gè)隔腔的上壁面、下壁面與側(cè)壁面。而屏蔽腔體的外屏蔽門(mén)雖然空間位置與隔腔壁上的屏蔽門(mén)相似，但艙門(mén)的上縫、下·縫、側(cè)縫只靠近一個(gè)隔腔的上壁面、下壁面與側(cè)壁面。根據(jù)GB12190、IEEE-299, MIL-STD-285等屏蔽效能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的要求，屏蔽效能的測(cè)量是一種相對(duì)測(cè)量，由參考測(cè)量(即無(wú)屏蔽空間場(chǎng)的校準(zhǔn))和屏蔽測(cè)量?jī)刹糠纸M成，屏蔽測(cè)量量值和參考測(cè)量量值間的差值為被測(cè)屏蔽體屏蔽效能量值。而在進(jìn)行屏蔽效能數(shù)據(jù)處理時(shí)，對(duì)同一測(cè)試結(jié)構(gòu)與部件而言，取相同頻率的所有測(cè)試點(diǎn)中最低值作為屏蔽效能。根據(jù)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的要求，在低頻段測(cè)試時(shí)，需要對(duì)隔腔屏蔽門(mén)3上的測(cè)試位置(圖2)采用環(huán)天線測(cè)試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)凡是靠近隔腔的上壁面、下壁面與側(cè)壁面近的測(cè)試點(diǎn)，即測(cè)試點(diǎn)
a、f、h、i，在小于300KHz頻率范圍內(nèi)的磁場(chǎng)屏蔽效能都較其他測(cè)試點(diǎn)明顯偏低，而采用同樣拼裝工藝、門(mén)結(jié)構(gòu)的屏蔽腔體外屏蔽門(mén)相同測(cè)試點(diǎn)的屏蔽效能卻高于隔腔屏蔽門(mén)。通過(guò)對(duì)這一現(xiàn)象分析可得，在進(jìn)行這種屏蔽腔體隔腔屏蔽門(mén)的屏蔽效能測(cè)試時(shí)，有以下兩個(gè)特點(diǎn)(I)被測(cè)部位位于隔腔壁板的邊緣，測(cè)試位置距離上壁面、下壁面和側(cè)壁面較近；(2)均屬于低頻磁屏蔽效能測(cè)試。顯然，這種狀態(tài)下，發(fā)射環(huán)天線所產(chǎn)生的場(chǎng)受壁板的影響較大，屬于有邊界場(chǎng)。目前對(duì)于這類帶有隔腔的屏蔽腔體屏蔽效能測(cè)試，并沒(méi)有相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定具體的天線布置方法，均參考GB12190、IEEE-299、MIL-STD-285等標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。而上述三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的參考測(cè)量均采用在近似無(wú)界開(kāi)闊場(chǎng)地進(jìn)行無(wú)屏蔽空間場(chǎng)的測(cè)量，不適用于邊界場(chǎng)環(huán)境下的參考測(cè)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法，以改進(jìn)GB12190、IEEE-299, MIL-STD-285等標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的測(cè)試方法，從而適應(yīng)邊界場(chǎng)環(huán)境下的參考測(cè)量，獲得準(zhǔn)確的屏蔽效能。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法，其特征是屏蔽腔體隔腔環(huán)境由隔腔壁板將腔體分成第一隔腔和第二隔腔，隔腔壁板安裝有隔腔屏蔽門(mén)，壁板安裝有外屏蔽門(mén)，發(fā)射天線在第一隔腔，接收天線在第二隔腔，發(fā)射天線和接收天線分別位于隔腔屏蔽門(mén)的兩側(cè)，在隔腔屏蔽門(mén)周邊和中心選擇11個(gè)測(cè)試點(diǎn)，發(fā)射天線電連接信號(hào)源，接收天線電連接接收機(jī)或頻譜分析儀，通過(guò)信號(hào)源向發(fā)射天線發(fā)送信號(hào)，通過(guò)接收機(jī)或頻譜分析儀接收信號(hào)，分別對(duì)11個(gè)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行屏蔽測(cè)量和參考測(cè)量。所述的隔腔屏蔽門(mén)周邊和中心分布了 11個(gè)測(cè)試點(diǎn)分別是第一測(cè)試點(diǎn)、第二測(cè)試點(diǎn)、第三測(cè)試點(diǎn)、第四測(cè)試點(diǎn)、第五測(cè)試點(diǎn)、第六測(cè)試點(diǎn)、第七測(cè)試點(diǎn)、第八測(cè)試點(diǎn)、第九測(cè)試點(diǎn)、第十測(cè)試點(diǎn)、第十一測(cè)試點(diǎn)，第一測(cè)試點(diǎn)在上壁面距中位置，第十一測(cè)試點(diǎn)在隔腔屏蔽門(mén)中心位置，其它從第一測(cè)試點(diǎn)開(kāi)始從右依次排開(kāi)。所述的發(fā)射天線和接收天線在屏蔽測(cè)量時(shí)，發(fā)射天線和接收天線間距為60+屏蔽 門(mén)厚度cm，分別位于隔腔屏蔽門(mén)兩側(cè)，并且發(fā)射天線和接收天線的天線環(huán)面均垂直于隔腔 屏蔽門(mén)和隔腔壁板之間的門(mén)縫；發(fā)射天線和接收天線分別從靠近上壁面、側(cè)壁面、下壁面的第一測(cè)試點(diǎn)、第六測(cè)試點(diǎn)、第八測(cè)試點(diǎn)、第九測(cè)試點(diǎn)點(diǎn)開(kāi)始檢測(cè)，信號(hào)源向發(fā)射天線輸出信號(hào)，接收機(jī)/頻譜分析儀檢測(cè)接收天線分別在第一測(cè)試點(diǎn)、第六測(cè)試點(diǎn)、第八測(cè)試點(diǎn)、第九測(cè)試點(diǎn)點(diǎn)的信號(hào)作為各點(diǎn)的屏蔽測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)。所述的發(fā)射天線和接收天線在參考測(cè)量時(shí)，發(fā)射天線和接收天線位于第一隔腔或第二隔腔中尺寸大的隔腔內(nèi)，且兩個(gè)天線間距為60+L，L=屏蔽門(mén)厚度，60+L的單位是cm，天線環(huán)面均垂直并緊靠隔腔壁板；信號(hào)源向發(fā)射天線輸出信號(hào)，接收機(jī)或頻譜分析儀檢測(cè)接收天線的信號(hào)作為第一測(cè)試點(diǎn)、第六測(cè)試點(diǎn)、第八測(cè)試點(diǎn)、第九測(cè)試點(diǎn)點(diǎn)的參考測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是計(jì)入了屏蔽腔體隔腔壁面對(duì)發(fā)射天線發(fā)射場(chǎng)的反射影響，提高了隔腔環(huán)境中屏蔽結(jié)構(gòu)與部件低頻屏蔽效能的測(cè)試準(zhǔn)確性。


圖I是本發(fā)明所適用的帶有隔腔的屏蔽體示意圖；圖2是屏蔽門(mén)屏蔽效能的測(cè)試位置示意圖；圖3是本發(fā)明所述的屏蔽測(cè)量配置示意圖；圖4是本發(fā)明所述的參考測(cè)量配置示意圖；圖5是參考測(cè)量配置方式2的示意圖；圖6是參考測(cè)量配置方式I的鏡像原理示意圖；圖7是參考測(cè)量配置方式2的鏡像原理示意圖。圖中，I、第一隔腔；2、第二隔腔；3、隔腔屏蔽門(mén)；4、隔腔壁板；5、壁板；6、外屏蔽門(mén)；7、上壁面；8、側(cè)壁面；9、下壁面；10、發(fā)射天線；11、發(fā)射天線磁力線；12、門(mén)縫；13、接收天線；14、接收天線磁力線；15、鏡像源；另外Z>0區(qū)域?yàn)槠帘吻惑w內(nèi)部，是測(cè)試天線放置的區(qū)域。注a、第一測(cè)試點(diǎn)；b、第二測(cè)試點(diǎn)；c、第三測(cè)試點(diǎn)；d、第四測(cè)試點(diǎn)；e、第五測(cè)試點(diǎn)；f、第六測(cè)試點(diǎn)；g、第七測(cè)試點(diǎn)；h、第八測(cè)試點(diǎn)；i、第九測(cè)試點(diǎn)；j、第十測(cè)試點(diǎn)；k、第十一測(cè)試點(diǎn)。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法，其特征是屏蔽腔體隔腔環(huán)境由隔腔壁板4將腔體分成第一隔腔I和第二隔腔2，隔腔壁板4安裝有隔腔屏蔽門(mén)3，壁板5安裝有外屏蔽門(mén)6，發(fā)射天線10在第一隔腔I，接收天線13在第二隔腔2，發(fā)射天線10和接收天線13分別位于隔腔屏蔽門(mén)3的兩側(cè)，在隔腔屏蔽門(mén)3周邊和中心選擇11個(gè)測(cè)試點(diǎn)，發(fā)射天線10電連接信號(hào)源，接收天線13電連接接收機(jī)或頻譜分析儀，通過(guò)信號(hào)源向發(fā)射天線10發(fā)送信號(hào)，通過(guò)接收機(jī)或頻譜分析儀接收信號(hào)，分別對(duì)11個(gè)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行屏蔽測(cè)量和參考測(cè)量。實(shí)施例2 如圖I所示，屏蔽腔體隔腔環(huán)境由隔腔壁板4將腔體分成第一隔腔I和第二隔腔2，隔腔壁板4安裝有隔腔屏蔽門(mén)3，壁板5安裝有外屏蔽門(mén)6，發(fā)射天線10在第一隔腔1，接收天線13在第二隔腔2，發(fā)射天線10和接收天線13分別位于隔腔屏蔽門(mén)3的兩側(cè)，在隔腔屏蔽門(mén)3周邊和中心分布了 11個(gè)測(cè)試點(diǎn)，發(fā)射天線10電連接信號(hào)源，接收天線13電連接接收機(jī)或頻譜分析儀。通過(guò)信號(hào)源向發(fā)射天線10發(fā)送信號(hào)，通過(guò)接收機(jī)或頻譜分析儀接收信號(hào)，分別對(duì)11個(gè)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行屏蔽測(cè)量和參考測(cè)量。隔腔屏蔽門(mén)3周邊和中心分布了 11個(gè)測(cè)試點(diǎn)分別是第一測(cè)試點(diǎn)a、第二測(cè)試點(diǎn)b、第三測(cè)試點(diǎn)C、第四測(cè)試點(diǎn)d、第五測(cè)試點(diǎn)e、第六測(cè)試點(diǎn)f、第七測(cè)試點(diǎn)g、第八測(cè)試點(diǎn)h、第九測(cè)試點(diǎn)i第十測(cè)試點(diǎn)j、第十一測(cè)試點(diǎn)k，第一測(cè)試點(diǎn)a在上壁面7距中位置，第十一測(cè)試點(diǎn)k在隔腔屏蔽門(mén)3中心位置，其它從第一測(cè)試點(diǎn)a開(kāi)始從右依次排開(kāi)。其中，第一測(cè)試點(diǎn)a、第六測(cè)試點(diǎn)f、第八測(cè)試點(diǎn)h、第九測(cè)試點(diǎn)i都是造近上壁面7、側(cè)壁面8、下壁面9的測(cè)試點(diǎn)。屏蔽測(cè)量時(shí)，測(cè)量天線的布置方法如圖3所示，發(fā)射天線10和接收天線13分別位于隔腔屏蔽門(mén)3兩側(cè)，發(fā)射天線10和接收天線13的天線環(huán)面均垂直于隔腔屏蔽門(mén)3和隔腔壁板4之間的門(mén)縫12 ;發(fā)射天線10和接收天線13間距為60+L，L是屏蔽門(mén)厚度，60+L的單位是cm，發(fā)射天線10和接收天線13分別從靠近上壁面7、側(cè)壁面8、下壁面9的第一測(cè)試點(diǎn)a、第六測(cè)試點(diǎn)f、第八測(cè)試點(diǎn)h、第九測(cè)試點(diǎn)i點(diǎn)開(kāi)始檢測(cè)，7信號(hào)源向發(fā)射天線10輸出信號(hào)，接收機(jī)/頻譜分析儀檢測(cè)接收天線13分別在第一測(cè)試點(diǎn)a、第六測(cè)試點(diǎn)f、第八測(cè)試點(diǎn)h、第九測(cè)試點(diǎn)i點(diǎn)的信號(hào)作為各點(diǎn)的屏蔽測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)。參考測(cè)量時(shí)，測(cè)量天線的布置方法如圖4所示，發(fā)射天線10和接收天線13分別位于第一隔腔I和第二隔腔2，第一隔腔I和第二隔腔2之間為空，取掉隔腔屏蔽門(mén)3，兩個(gè)天線間距為60+L，L =屏蔽門(mén)厚度，天線環(huán)面均垂直并緊靠上壁面7、側(cè)壁面8、下壁面9的壁板，信號(hào)源向發(fā)射天線10輸出信號(hào)，接收機(jī)或頻譜分析儀檢測(cè)接收天線13的信號(hào)作為第一測(cè)試點(diǎn)a、第六測(cè)試點(diǎn)f、第八測(cè)試點(diǎn)h、第九測(cè)試點(diǎn)i點(diǎn)的參考測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)，上壁面7、側(cè)壁面8、下壁面9以外的，的壁板除第一測(cè)試點(diǎn)a、第六測(cè)試點(diǎn)f、第八測(cè)試點(diǎn)h、第九測(cè)試點(diǎn)i點(diǎn)外的其他測(cè)試點(diǎn)，發(fā)射天線10和接收天線13分別位于第一隔腔I和第二隔腔2屏蔽效能測(cè)試均參考GB12190、IEEE-299,MIL-STD-285 等標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。
為闡明本發(fā)明參考測(cè)量的發(fā)射天線10和接收天線13的布置方法的特點(diǎn)，下面將以三種參考測(cè)量的配置方式進(jìn)行說(shuō)明配置方式I :發(fā)射、接收天線置于尺寸較大的隔腔內(nèi)，天線環(huán)面均垂直并緊靠隔腔壁板，如圖4所示；配置方式2 :發(fā)射、接收天線置于尺寸較大的隔腔內(nèi)，天線環(huán)面均平行并緊靠隔腔壁板，如圖5所示；配置方式3 :發(fā)射、接收天線置于屏蔽腔體外開(kāi)闊場(chǎng)地。其中配置方式3即GB12190、IEEE-299、MIL-STD-285等要求的近似無(wú)界開(kāi)闊場(chǎng)地的無(wú)屏蔽空間場(chǎng)測(cè)量配置方式。由鏡像原理可知，對(duì)于磁場(chǎng)方向平行于壁板的發(fā)射源，其對(duì)應(yīng)的鏡像源的磁場(chǎng)方向也平行于壁板，且方向與發(fā)射源相同；而對(duì)于磁場(chǎng)方向垂直于壁板的發(fā)射源，其對(duì)應(yīng)的鏡像源的磁場(chǎng)方向也垂直于壁板，且方向與發(fā)射源相反。基于鏡像原理的配置方式I和配置方式2的分析模型如圖6、圖7所示，其中Ltl為收發(fā)天線之間的距離(標(biāo)準(zhǔn)要求為(60+L) cm，L為屏蔽門(mén)厚度)，h為門(mén)縫距離壁面的距離，r為收、發(fā)天線距離壁面的距離，鏡像源到接收天線處的距離
Z1 =仏2 +4.,2 = ^Z02 +4-/12 C由于測(cè)量所用的環(huán)天線工作在30MHz以下，波長(zhǎng)大于10m，所以環(huán)天線可視為電小尺寸，可將其等效為磁基本振子；而在測(cè)量頻段內(nèi)，InL1均遠(yuǎn)小于\ 2 ，屬于近場(chǎng)區(qū)。磁基本振子的近區(qū)磁場(chǎng)公式(0 =90)He =-.1,. e-Jkr(I)
Ak rJ其中，I為環(huán)天線的電流強(qiáng)度(A)，S為環(huán)天線的面積(m2)，k為傳播常數(shù)。( I)對(duì)于配置方式I，由圖6可以看出，有源發(fā)射天線的磁場(chǎng)方向平行于壁面，鏡像源的磁場(chǎng)也平行于壁面，兩者方向相同。所以有源與鏡像源傳播到接收天線處的場(chǎng)強(qiáng)(z>0區(qū)域)因相互疊加而加強(qiáng)
_4] & = ￡★ ^.e^'⑵由于低頻條件下，kr 乂 1，e_jfc 乂 1，所以式(2)可化簡(jiǎn)為
rr /S I I , ISHvj =.( + )=. '' \(3)
4 兀 La L' 471 Z0 -Z1(2)對(duì)于配置方式2，從圖7中可以看出，原有源(發(fā)射天線)的磁場(chǎng)方向向上垂直于壁面，而鏡像源的磁場(chǎng)向下垂直于壁面，所以原有源與鏡像源傳播到接收天線處的場(chǎng)強(qiáng)(Z>0區(qū)域)因相互抵消而減弱
rnrusl H = — ■ — ■ejlH(4) 4疋L, ^Z13由于低頻條件下，kr 乂 1，e_jfc 乂 1，所以式(4)可化簡(jiǎn)為
「 n IS ,1 I、 IS3/(-XH 二 ——(-———；-=-----^V(5)
4 兀 L: Z13 Ak L-L^(3)對(duì)于配置方式3所述的屏蔽腔體外開(kāi)闊場(chǎng)地自由空間校準(zhǔn)，其分析模型可看作磁基本振子在自由空間的輻射場(chǎng)。由于不存在腔體壁面所導(dǎo)致的反射，因而天線的擺放位置對(duì)測(cè)試結(jié)果無(wú)影響。接收天線處的場(chǎng)強(qiáng)為
權(quán)利要求
1.屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法，其特征是屏蔽腔體隔腔環(huán)境由隔腔壁板將腔體分成第一隔腔和第二隔腔，隔腔壁板安裝有隔腔屏蔽門(mén)，壁板安裝有外屏蔽門(mén)，發(fā)射天線在第一隔腔，接收天線在第二隔腔，發(fā)射天線和接收天線分別位于隔腔屏蔽門(mén)的兩側(cè)，在隔腔屏蔽門(mén)周邊和中心選擇11個(gè)測(cè)試點(diǎn)，發(fā)射天線電連接信號(hào)源，接收天線電連接接收機(jī)或頻譜分析儀，通過(guò)信號(hào)源向發(fā)射天線發(fā)送信號(hào)，通過(guò)接收機(jī)或頻譜分析儀接收信號(hào)，分別對(duì)11個(gè)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行屏蔽測(cè)量和參考測(cè)量。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法，其特征是所述的隔腔屏蔽門(mén)周邊和中心分布了 11個(gè)測(cè)試點(diǎn)分別是第一測(cè)試點(diǎn)、第二測(cè)試點(diǎn)、第三測(cè)試點(diǎn)、第四測(cè)試點(diǎn)、第五測(cè)試點(diǎn)、第六測(cè)試點(diǎn)、第七測(cè)試點(diǎn)、第八測(cè)試點(diǎn)、第九測(cè)試點(diǎn)、第十測(cè)試點(diǎn)、第十一測(cè)試點(diǎn)，第一測(cè)試點(diǎn)在上壁面距中位置，第十一測(cè)試點(diǎn)在隔腔屏蔽門(mén)中心位置，其它從第一測(cè)試點(diǎn)開(kāi)始從右依次排開(kāi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法， 其特征是所述的發(fā)射天線和接收天線在屏蔽測(cè)量時(shí)，發(fā)射天線和接收天線間距為60+屏蔽門(mén)厚度cm，分別位于隔腔屏蔽門(mén)兩側(cè)，并且發(fā)射天線和接收天線的天線環(huán)面均垂直于隔腔屏蔽門(mén)和隔腔壁板之間的門(mén)縫；發(fā)射天線和接收天線分別從靠近上壁面、側(cè)壁面、下壁面的第一測(cè)試點(diǎn)、第六測(cè)試點(diǎn)、第八測(cè)試點(diǎn)、第九測(cè)試點(diǎn)點(diǎn)開(kāi)始檢測(cè)，信號(hào)源向發(fā)射天線輸出信號(hào)，接收機(jī)/頻譜分析儀檢測(cè)接收天線分別在第一測(cè)試點(diǎn)、第六測(cè)試點(diǎn)、第八測(cè)試點(diǎn)、第九測(cè)試點(diǎn)點(diǎn)的信號(hào)作為各點(diǎn)的屏蔽測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法，其特征是所述的發(fā)射天線和接收天線在參考測(cè)量時(shí)，發(fā)射天線和接收天線位于第一隔腔或第二隔腔中尺寸大的隔腔內(nèi)，且兩個(gè)天線間距為60+L，L=屏蔽門(mén)厚度，60+L的單位是cm，天線環(huán)面均垂直并緊靠隔腔壁板；信號(hào)源向發(fā)射天線輸出信號(hào)，接收機(jī)或頻譜分析儀檢測(cè)接收天線的信號(hào)作為第一測(cè)試點(diǎn)、第六測(cè)試點(diǎn)、第八測(cè)試點(diǎn)、第九測(cè)試點(diǎn)點(diǎn)的參考測(cè)試場(chǎng)強(qiáng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種屏蔽腔體隔腔環(huán)境中的低頻屏蔽效能測(cè)試的天線布置方法，其特征是屏蔽腔體隔腔環(huán)境由隔腔壁板將腔體分成第一隔腔和第二隔腔，隔腔壁板安裝有隔腔屏蔽門(mén)，壁板安裝有外屏蔽門(mén)，發(fā)射天線在第一隔腔，接收天線在第二隔腔，發(fā)射天線和接收天線分別位于隔腔屏蔽門(mén)的兩側(cè)，在隔腔屏蔽門(mén)周邊和中心選擇11個(gè)測(cè)試點(diǎn)，發(fā)射天線電連接信號(hào)源，接收天線電連接接收機(jī)或頻譜分析儀，通過(guò)信號(hào)源向發(fā)射天線發(fā)送信號(hào)，通過(guò)接收機(jī)或頻譜分析儀接收信號(hào)，分別對(duì)11個(gè)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行屏蔽測(cè)量和參考測(cè)量。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是計(jì)入了屏蔽腔體隔腔壁面對(duì)發(fā)射天線發(fā)射場(chǎng)的反射影響，提高了隔腔環(huán)境中屏蔽結(jié)構(gòu)與部件低頻屏蔽效能的測(cè)試準(zhǔn)確性。
文檔編號(hào)G01R31/00GK102955092SQ20121050912
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月29日
發(fā)明者邱揚(yáng), 田錦, 許社教, 孫建亮 申請(qǐng)人:西安開(kāi)容電子技術(shù)有限責(zé)任公司