專(zhuān)利名稱(chēng)：應(yīng)用于斷路器磁通變換器的斷線檢測(cè)模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及斷路器智能控制器領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于斷路器磁通變換器的斷線檢測(cè)模塊。
背景技術(shù)：
斷路器是低壓配電系統(tǒng)中主要元件之一，對(duì)低壓配電系統(tǒng)的安全、可靠運(yùn)行起著舉足輕重的作用。智能控制器是斷路器的中樞部件，它承擔(dān)著斷路器的各種保護(hù)、報(bào)警、顯示與控制功能，已廣泛應(yīng)用于低壓斷路器中。磁通變換器作為智能控制器的脫扣執(zhí)行部件， 是一種小型儲(chǔ)能式脫扣裝置。在正常情況下依靠永磁鐵吸合鐵心，處于閉合狀態(tài)；當(dāng)控制器發(fā)出脫扣指令時(shí)，電流通過(guò)線圈產(chǎn)生反向激磁，克服永磁鐵原有磁通，依靠反力彈簧使動(dòng)鐵心釋放，然后克服連接傳動(dòng)部分的摩擦力和操作結(jié)構(gòu)的脫扣力，從而推動(dòng)斷路器脫扣。因此，磁通變換器工作的可靠性對(duì)整臺(tái)斷路器性能起著決定性的影響。在現(xiàn)有技術(shù)中，因斷路器使用時(shí)間較長(zhǎng)、環(huán)境較復(fù)雜，磁通變換器需具有較好的可靠性，保證斷路器在出現(xiàn)故障時(shí)可靠脫扣。當(dāng)磁通變換器線圈斷線或與智能控制器的連接不可靠時(shí)，智能控制器檢測(cè)到故障信號(hào)并發(fā)出脫扣脈沖，磁通變換器無(wú)法推動(dòng)斷路器脫扣，不能保護(hù)配電回路。磁通變換器作為無(wú)源器件，可靠性主要取決于設(shè)計(jì)和制造工藝。目前，大多數(shù)智能斷路器均不具有對(duì)磁通變換器的檢測(cè)功能，而少數(shù)帶有磁通變換器檢測(cè)功能的斷路器，其檢測(cè)方法主要是對(duì)磁通變換器負(fù)端的電壓進(jìn)行分壓后直接送入微處理器，通過(guò)判斷此信號(hào)的大小來(lái)監(jiān)測(cè)磁通變換器的狀態(tài)，如附圖I所示。當(dāng)磁通變換器正常工作時(shí)，導(dǎo)線CT將信號(hào)Vct=R2*VCC1/ (R1+R2)送入單片機(jī)，Vct為高電平，認(rèn)為磁通變換器正常工作；當(dāng)磁通變換器故障時(shí)，Vct為低電平送入單片機(jī)，認(rèn)為磁通變換器故障。 上述方法的缺點(diǎn)是當(dāng)磁通變換器的電源電壓變化較大時(shí)，經(jīng)過(guò)電阻分壓后的電壓也變化較大，使送入微處理器的電壓信號(hào)不穩(wěn)定，特別是當(dāng)該電壓處于臨界狀態(tài)時(shí)，即電壓大小為微處理器高低電平判斷的分界點(diǎn)，會(huì)導(dǎo)致微處理器對(duì)磁通變換器狀態(tài)的誤判，從而影響用戶的正常使用。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型目的是提供一種應(yīng)用于斷路器磁通變換器的斷線檢測(cè)模塊，此斷線檢測(cè)模塊避免因磁通變換器的電源電壓變化較大時(shí)微處理器出現(xiàn)誤判，提高檢測(cè)磁通變換器連接狀態(tài)的正確性，避免因磁通變換器線圈斷線或與智能控制器連接不可靠而引起斷路器不脫扣，使智能斷路器具有更高的安全可靠性。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種應(yīng)用于斷路器磁通變換器的斷線檢測(cè)模塊，斷線檢測(cè)模塊將測(cè)得的磁通變換器線圈信號(hào)送入斷路器智能控制器的微處理器，此斷線檢測(cè)模塊包括續(xù)流二極管和電平轉(zhuǎn)換單元，所述續(xù)流二極管與磁通變換器線圈并聯(lián)，續(xù)流二極管的負(fù)端連接到第一電源，續(xù)流二極管的正端與電平轉(zhuǎn)換單元相連；[0008]所述電平轉(zhuǎn)換單元包括第一電阻、第二電阻、第三電阻和三極管，第一電阻的一端與續(xù)流二極管的正端相連，其另一端連接到所述三極管基極；第二電阻跨接于第一電阻和三極管基極之間的接點(diǎn)與地之間，所述第三電阻位于三極管與第二電源或地之間。上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案如下I.上述方案中，所述第二電阻跨接于第一電阻和三極管基極之間的接點(diǎn)與三極管接地的發(fā)射極之間，所述第三電阻位于第二電源與三極管的集電極之間。2.上述方案中，所述第二電阻跨接于第一電阻和三極管基極之間的接點(diǎn)與地之間，所述第三電阻位于地與三極管的集電極之間。3.上述方案中，所述三極管可由起開(kāi)關(guān)作用的元件代替，如MOS管。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果本實(shí)用新型用于斷路器的斷線檢測(cè)模塊，實(shí)現(xiàn)了對(duì)磁通變換器與智能控制器連接狀態(tài)的檢測(cè)，避免因磁通變換器線圈斷線或與智能控制器連接不可靠而使斷路器不脫扣，使智能斷路器具有更高的安全可靠性；其次，避免因磁通變換器的電源電壓變化較大時(shí)微處理器出現(xiàn)誤判，提高檢測(cè)磁通變換器連接狀態(tài)的正確性。

附圖I為斷路器斷線檢測(cè)現(xiàn)有技術(shù)電路圖；附圖2為本實(shí)用新型應(yīng)用于斷路器的斷線檢測(cè)模塊電路圖一；附圖3為本實(shí)用新型應(yīng)用于斷路器的斷線檢測(cè)模塊電路圖二。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述實(shí)施例一一種應(yīng)用于斷路器磁通變換器的斷線檢測(cè)模塊，參見(jiàn)附圖2所示，包括續(xù)流二極管、電平轉(zhuǎn)換電路。續(xù)流二極管Dl與磁通變換器的線圈并聯(lián)，續(xù)流二極管Dl的負(fù)端與電源VCCl相連，續(xù)流二極管Dl的正端與電平轉(zhuǎn)換電路相連。電平轉(zhuǎn)換電路包括電阻R1、R2、R3、三極管VI。電阻Rl的一端與續(xù)流二極管Dl (FM4007)的正端相連，另一端與三極管Vl (L9013QLT1)的基極B相連；R2跨接在三極管Vl (L9013QLT1)的基極B和地之間，三極管Vl的集電極C與電阻R3的一端相連；電阻R3的另一端與電源VCC2相連。電源VCCl和電源VCC2可以是相同電源，也可以是不同電源。當(dāng)磁通變換器正常工作時(shí)，電源VCCl經(jīng)過(guò)分壓電阻Rl、R2后，使三極管Vl的基極B電壓大于Vbe (sat)，三極管Vl處于導(dǎo)通狀態(tài)，其集電極C為低電平，送入微處理器，微處理器檢測(cè)到低電平后，通過(guò)預(yù)先設(shè)定的程序，判斷磁通變換器正常工作。當(dāng)磁通變換器斷線時(shí)，三極管Vl處于截止?fàn)顟B(tài)，其集電極C為高電平，送入微處理器，微處理器檢測(cè)到高電平后，通過(guò)預(yù)先設(shè)定的程序，判斷磁通變換器斷線。當(dāng)磁通變換器的電源VCCl變化較大時(shí)，經(jīng)過(guò)分壓電阻R1、R2后的電壓只要大于Vbe (sat)(一般為0. 7V)，三極管Vl處于導(dǎo)通狀態(tài)，其工作狀態(tài)不受電源VCCl變化的影響，而微處理器根據(jù)三極管Vl的狀態(tài)來(lái)判斷磁通變換器的狀態(tài)，因此，避免因磁通變換器的電源電壓變化較大時(shí)微處理器出現(xiàn)誤判現(xiàn)象。實(shí)施例二 一種應(yīng)用于斷路器的斷線檢測(cè)模塊，參見(jiàn)附圖3所示，包括續(xù)流二極管、電平轉(zhuǎn)換電路。磁通變換器線圈與續(xù)流二極管Dl并聯(lián)，續(xù)流二極管Dl的負(fù)端與電源VCCl相連，續(xù)流二極管Dl的正端與電平轉(zhuǎn)換電路相連。電平轉(zhuǎn)換電路包括電阻Rl、R2、R3、三極管VI。電阻Rl的一端與續(xù)流二極管Dl (FM4007)的正端相連，另一端與三極管Vl(L9012QLT1)的基極B相連；R2跨接在三極管Vl (L9012QLT1)的基極B和地之間，三極管Vl的集電極C與電阻R3的一端相連，電阻R3的另一端接地，三極管Vl的發(fā)射極E與電源VCC2相連。通常電源VCCl的電壓遠(yuǎn)大于電源VCC2的電壓。當(dāng)磁通變換器正常工作時(shí)，電源VCCl經(jīng)過(guò)分壓電阻R1、R2后，使三極管Vl的基極B電壓大于VCC2+VEB(sat)，三極管Vl處于截止?fàn)顟B(tài)，集電極C為低電平，送入微處理器，微處理器檢測(cè)到低電平后，通過(guò)預(yù)先設(shè)定的程序，判斷磁通變換器正常工作。當(dāng)磁通變換器斷線時(shí)，三極管Vl處于導(dǎo)通狀態(tài)，其集電極C為高電平，送入微處理器，微處理器檢測(cè)到高電平后，通過(guò)預(yù)先設(shè)定的程序，判斷磁通變換器斷線。當(dāng)磁通變換器的電源VCCl變化較大時(shí)，經(jīng)過(guò)分壓電阻R1、R2后的電壓只要大 于VCC2+Vbe (sat) (VBE (sat)—般為0. 7V)，三極管Vl處于截止?fàn)顟B(tài)，其工作狀態(tài)不受電源VCCl變化的影響，而微處理器根據(jù)三極管Vl的狀態(tài)來(lái)判斷磁通變換器的狀態(tài)，因此，避免因磁通變換器的電源電壓變化較大時(shí)微處理器出現(xiàn)誤判現(xiàn)象。采用上述應(yīng)用于斷路器的斷線檢測(cè)模塊時(shí)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)磁通變換器與智能控制器連接狀態(tài)的檢測(cè)，避免因磁通變換器線圈斷線或與智能控制器連接不可靠而使斷路器不脫扣，使智能斷路器具有更高的安全可靠性；其次，避免因磁通變換器的電源電壓變化較大時(shí)微處理器出現(xiàn)誤判，提高檢測(cè)磁通變換器連接狀態(tài)的正確性。本實(shí)用新型涉及的三極管可由起開(kāi)關(guān)作用的元件代替，如MOS管。上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種應(yīng)用于斷路器磁通變換器的斷線檢測(cè)模塊，斷線檢測(cè)模塊將測(cè)得的磁通變換器線圈信號(hào)送入斷路器智能控制器的微處理器，其特征在于所述斷線檢測(cè)模塊包括續(xù)流二極管(Dl)和電平轉(zhuǎn)換單元， 所述續(xù)流二極管(Dl)與磁通變換器線圈并聯(lián)，續(xù)流二極管(Dl)的負(fù)端連接到第一電源(VCC1)，續(xù)流二極管(Dl)的正端與電平轉(zhuǎn)換單元相連；電平轉(zhuǎn)換單元連接所述微處理器。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的斷線檢測(cè)模塊，其特征在于所述電平轉(zhuǎn)換單元包括第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)和三極管(VI)，所述第一電阻(Rl)的一端與續(xù)流二極管(Dl)的正端相連，另一端連接到所述三極管(Vl)基極；所述第二電阻(R2)跨接三極管(Vl)的基極和發(fā)射極之間，所述第三電阻(R3)位于第二電源(VCC2)與三極管(Vl)的集電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的斷線檢測(cè)模塊，其特征在于包括第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)和三極管(VI)，所述第一電阻(Rl)的一端與續(xù)流二極管(Dl)的正端相連，另一端連接到所述三極管(VI)基極；所述第二電阻(R2)跨接于三極管(VI)的基極和發(fā)射極之間，所述第三電阻(R3)位于地與三極管(Vl)的集電極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的斷線檢測(cè)模塊，其特征在于所述三極管(Vl)為作為開(kāi)關(guān)的MOS管。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種應(yīng)用于斷路器磁通變換器的斷線檢測(cè)模塊，此斷線檢測(cè)模塊包括續(xù)流二極管和電平轉(zhuǎn)換單元，所述續(xù)流二極管與磁通變換器線圈并聯(lián)，續(xù)流二極管的負(fù)端連接到第一電源，續(xù)流二極管的正端與電平轉(zhuǎn)換單元相連；所述電平轉(zhuǎn)換單元包括第一電阻、第二電阻、第三電阻和三極管，第一電阻的一端與續(xù)流二極管的正端相連，其另一端連接到所述三極管基極；第二電阻跨接于第一電阻和三極管基極之間的接點(diǎn)與地之間。本實(shí)用新型斷線檢測(cè)模塊避免因磁通變換器的電源電壓變化較大時(shí)微處理器出現(xiàn)誤判，提高檢測(cè)磁通變換器連接狀態(tài)的正確性，使智能斷路器具有更高的安全可靠性。
文檔編號(hào)G01R31/02GK202421405SQ201220019870
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月17日
發(fā)明者葉文杰, 周龍明, 殷建強(qiáng), 潘振克, 管瑞良 申請(qǐng)人:常熟開(kāi)關(guān)制造有限公司(原常熟開(kāi)關(guān)廠)