專(zhuān)利名稱(chēng)：一種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種校驗(yàn)裝置，尤其是涉及ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置。
背景技術(shù)：
在我國(guó)±500kV直流輸電工程上馬前期，在國(guó)內(nèi)僅西安交通大學(xué)針對(duì)如何測(cè)量離子流情況下的場(chǎng)強(qiáng)問(wèn)題和解決離子流場(chǎng)數(shù)值計(jì)算中的離子遷移率的選取問(wèn)題，制作過(guò)臨時(shí)性的小型簡(jiǎn)易的離子流場(chǎng)發(fā)生裝置。到目前為止，國(guó)內(nèi)尚無(wú)任何一家高電壓實(shí)驗(yàn)室或電磁環(huán)境實(shí)驗(yàn)室裝備有實(shí)用型的離子流發(fā)生器和直流場(chǎng)強(qiáng)實(shí)驗(yàn)校驗(yàn)裝置，因此，目前亟待解決這ー技術(shù)問(wèn)題
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便的直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置。本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，設(shè)置在金屬支架上，其特征在干，該校驗(yàn)裝置由校核區(qū)、電暈注入?yún)^(qū)及電暈發(fā)生區(qū)構(gòu)成，所述的校核區(qū)、電暈注入?yún)^(qū)及電暈發(fā)生區(qū)自下向上依次設(shè)置。所述的校核區(qū)包括上校核板、下校核板、均壓環(huán)及均壓電阻，上校核板及下校核板之間為進(jìn)行校核的區(qū)域，均壓環(huán)及均壓電阻設(shè)在上校核板及下校核板之間，確保校核區(qū)內(nèi)是均勻電場(chǎng)。所述的下校核板為可移動(dòng)式的地電位極板，下校核板的中心位置設(shè)置可更換的金
屬蓋板。所述的校核區(qū)外接高壓直流電源。所述的電暈注入?yún)^(qū)設(shè)在校核區(qū)上部，電暈注入?yún)^(qū)頂部為一電暈控制柵網(wǎng)板，該電暈控制柵網(wǎng)板與上校核板之間為電暈注入的區(qū)域。所述的電暈注入?yún)^(qū)外接高壓直流電源，調(diào)節(jié)高壓直流電源的輸出至電暈控制柵網(wǎng)板的控制電壓，進(jìn)而控制進(jìn)入注入?yún)^(qū)的帶電離子數(shù)量以及離子流的大小。所述的電暈發(fā)生區(qū)設(shè)在電暈注入?yún)^(qū)的上部，電暈發(fā)生區(qū)頂部為一平行電暈絲網(wǎng)，該平行電暈絲網(wǎng)與電暈控制柵網(wǎng)板之間為電暈發(fā)生的區(qū)域。所述的電暈發(fā)生區(qū)外接高壓直流電源，使電暈絲網(wǎng)周?chē)a(chǎn)生帶電離子，帶電離子的擴(kuò)散流動(dòng)形成離子流。所述的電暈發(fā)生區(qū)的上部還設(shè)置有金屬蓋板，該金屬蓋板的兩側(cè)設(shè)有防暈環(huán)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，通過(guò)測(cè)量離子流情況下的場(chǎng)強(qiáng)就可以計(jì)算得到離子流場(chǎng)中的離子遷移率，而且還可以適用于500kV的高壓場(chǎng)合。

[0015]圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，I為校核區(qū)、11為下校核板、12為均壓環(huán)、13為均壓電阻、14為上校核板、15為直流場(chǎng)強(qiáng)表、2為電暈注入?yún)^(qū)、21為電暈控制柵網(wǎng)板、3為電暈發(fā)生區(qū)、31為平行電暈絲網(wǎng)、4為金屬蓋板、5為防暈環(huán)、6為偏置電阻、7為金屬支架。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其結(jié)構(gòu)如圖I所示，該裝置設(shè)置在金屬支架7上，由自下向上依次設(shè)置校核區(qū)I、電暈注入?yún)^(qū)2及電暈發(fā)生區(qū)3構(gòu)成。校核區(qū)I包括下校核板11、均壓環(huán)12、均壓電阻13及上校核板14，上校核板14及下校核板11之間為進(jìn)行校核的區(qū)域，均壓環(huán)12及均壓電阻13設(shè)在上校核板14及下校核板11之間，確保校核區(qū)內(nèi)是均勻電場(chǎng)。使用的下校核板11為電動(dòng)絲桿頂升結(jié)構(gòu)原理的可移動(dòng)式下極板，使得校驗(yàn)區(qū)平行平板間距可控制調(diào)節(jié)，并且做到了下校核板11與上校核板14兩塊平行電極板各處間距誤差不大于設(shè)定間距的1% (實(shí)際上已經(jīng)做到了不大于O. 5% )，以滿(mǎn)足不同實(shí)驗(yàn)研究工作的需要。下校核板11的中心位置設(shè)置了ー塊可更換的面積為50 X 50cm2的金屬蓋板，下校核板11中心直徑70cm區(qū)域?yàn)楸恍：藘x器的放置區(qū)，并且還放置有直流場(chǎng)強(qiáng)表15，經(jīng)測(cè)試證明，該區(qū)域內(nèi)電場(chǎng)的不均勻度不大于3%。校核區(qū)I外接的高壓直流電源提供直流靜電場(chǎng)校核電壓。電暈注入?yún)^(qū)2設(shè)在校核區(qū)I的上部，電暈注入?yún)^(qū)2頂部為一電暈控制柵網(wǎng)板21，該電暈控制柵網(wǎng)板21與上校核板11之間為電暈注入的區(qū)域。離子流經(jīng)電暈控制柵網(wǎng)板21進(jìn)入注入?yún)^(qū)。電暈控制柵網(wǎng)板21用以控制進(jìn)入注入?yún)^(qū)的帶電離子數(shù)量，離子流的大小，電暈注入?yún)^(qū)2外接高壓直流電源，調(diào)節(jié)高壓直流電源的輸出至電暈控制柵網(wǎng)板的控制電壓，進(jìn)而控制進(jìn)入注入?yún)^(qū)的帶電離子數(shù)量以及離子流的大小。電暈發(fā)生區(qū)3設(shè)在電暈注入?yún)^(qū)2的上部，電暈發(fā)生區(qū)3頂部為一平行電暈絲網(wǎng)31，該平行電暈絲網(wǎng)31與電暈控制柵網(wǎng)板21之間為電暈發(fā)生的區(qū)域。電暈發(fā)生區(qū)3外接高壓直流電源，使電暈絲網(wǎng)周?chē)a(chǎn)生帶電離子，帶電離子的擴(kuò)散流動(dòng)形成離子流。另外，在電暈發(fā)生區(qū)3的上部還設(shè)置有金屬蓋板4，該金屬蓋板4的兩側(cè)設(shè)有防暈環(huán)5，裝置的側(cè)部還安裝有偏置電阻6。
權(quán)利要求1.ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，設(shè)置在金屬支架上，其特征在干，該校驗(yàn)裝置由校核區(qū)、電暈注入?yún)^(qū)及電暈發(fā)生區(qū)構(gòu)成，所述的校核區(qū)、電暈注入?yún)^(qū)及電暈發(fā)生區(qū)自下向上依次設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于，所述的校核區(qū)包括上校核板、下校核板、均壓環(huán)及均壓電阻，上校核板及下校核板之間為進(jìn)行校核的區(qū)域，均壓環(huán)及均壓電阻設(shè)在上校核板及下校核板之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在干，所述的下校核板為可移動(dòng)式的地電位極板，下校核板的中心位置設(shè)置可更換的金屬蓋板。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于，所述的校核區(qū)外接高壓直流電源。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于，所述的電暈注入?yún)^(qū)設(shè)在校核區(qū)上部，電暈注入?yún)^(qū)頂部為一電暈控制柵網(wǎng)板，該電暈控制柵網(wǎng)板與上校核板之間為電暈注入的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于，所述的電暈注入?yún)^(qū)外接高壓直流電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于，所述的電暈發(fā)生區(qū)設(shè)在電暈注入?yún)^(qū)的上部，電暈發(fā)生區(qū)頂部為一平行電暈絲網(wǎng)，該平行電暈絲網(wǎng)與電暈控制柵網(wǎng)板之間為電暈發(fā)生的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于，所述的電暈發(fā)生區(qū)外接高壓直流電源。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于，所述的電暈發(fā)生區(qū)的上部還設(shè)置有金屬蓋板，該金屬蓋板的兩側(cè)設(shè)有防暈環(huán)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種直流離子流場(chǎng)校驗(yàn)裝置，該校驗(yàn)裝置由校核區(qū)、電暈注入?yún)^(qū)及電暈發(fā)生區(qū)構(gòu)成，校核區(qū)、電暈注入?yún)^(qū)及電暈發(fā)生區(qū)自下向上依次設(shè)置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，通過(guò)測(cè)量離子流情況下的場(chǎng)強(qiáng)就可以計(jì)算得到離子流場(chǎng)中的離子遷移率，而且還可以適用于500kV的高壓場(chǎng)合。
文檔編號(hào)G01R35/00GK202502237SQ201220109379
公開(kāi)日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月21日
發(fā)明者江建華, 王黎明, 蘇磊 申請(qǐng)人:上海市電力公司, 華東電力試驗(yàn)研究院有限公司