專利名稱：用于gis缺陷模擬的平面與平面電極間隙的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種模擬電極間隙，尤其是涉及ー種用于GIS缺陷模擬的平面與平面電極間隙。
背景技術(shù)：
氣體絕緣組合電器(Gas Insulated Substation,簡(jiǎn)稱GIS)是電カ系統(tǒng)的重要大型設(shè)備之一，它對(duì)于整個(gè)電カ系統(tǒng)的安全運(yùn)行至關(guān)重要。GIS結(jié)構(gòu)緊湊、占地面積小、不易受外界環(huán)境影響，運(yùn)行可靠性高、檢修周期長(zhǎng)而得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。但加工、運(yùn)輸、現(xiàn)場(chǎng)裝配等多種原因使得GIS不可避免地存在絕緣缺陷而影響其長(zhǎng)期可靠性。這些缺陷在電場(chǎng)作用下誘發(fā)局部放電，長(zhǎng)期的局部放電使絕緣劣化并逐步擴(kuò)大，甚至造成整個(gè)絕緣擊穿或沿面閃絡(luò)，從而對(duì)設(shè)備的安全運(yùn)行造成威脅。在對(duì)GIS局部放電進(jìn)行測(cè)試吋，需要用到ー些 模擬電極間隙。模擬電極間隙可以進(jìn)一歩了解和掌握GIS內(nèi)缺陷的性質(zhì)和特征，進(jìn)而采取有針對(duì)性的維修和檢修。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種電場(chǎng)均勻、可準(zhǔn)確模擬接觸不良及浮電位體缺陷的用于GIS缺陷模擬的平面與平面電極間隙。本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種用于GIS缺陷模擬的平面與平面電極間隙，包括第一平面電極、第二平面電極和有機(jī)玻璃筒，所述的第一平面電極、第二平面電極均設(shè)置在有機(jī)玻璃筒內(nèi)，所述的第一平面電極與第二平面電極間設(shè)有間隙，所述的第二平面電極接地。所述的第二平面電極上設(shè)有絕緣支撐。所述的絕緣支撐上設(shè)有浮電位體。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型采用平面與平面電極，可產(chǎn)生均勻電場(chǎng)，并且可用于準(zhǔn)確模擬接觸不良、浮電位體等GIS內(nèi)部缺陷。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例如圖I所示，一種用于GIS缺陷模擬的平面與平面電極間隙，包括第一平面電極I、第二平面電極2和有機(jī)玻璃筒5,第一平面電極I、第二平面電極2均設(shè)置在有機(jī)玻璃筒5內(nèi)，第一平面電極I與第二平面電極2間設(shè)有間隙，第二平面電極2接地。第二平面電極上設(shè)有固定的絕緣支撐4，絕緣支撐上固定有浮電位體3，可模擬接觸不良和浮電位體。
權(quán)利要求1.一種用于Gis缺陷模擬的平面與平面電極間隙，其特征在于，包括第一平面電極、第ニ平面電極和有機(jī)玻璃筒，所述的第一平面電極、第二平面電極均設(shè)置在有機(jī)玻璃筒內(nèi)，所述的第一平面電極與第二平面電極間設(shè)有間隙，所述的第二平面電極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種用于GIS缺陷模擬的平面與平面電極間隙，其特征在干，所述的第二平面電極上設(shè)有絕緣支撐。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ー種用于GIS缺陷模擬的平面與平面電極間隙，其特征在干，所述的絕緣支撐上設(shè)有浮電位體。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于GIS缺陷模擬的平面與平面電極間隙，包括第一平面電極、第二平面電極和有機(jī)玻璃筒，所述的第一平面電極、第二平面電極均設(shè)置在有機(jī)玻璃筒內(nèi)，所述的第一平面電極與第二平面電極間設(shè)有間隙，所述的第二平面電極接地。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有電場(chǎng)均勻、可模擬接觸不良及浮電位體缺陷等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01R31/12GK202502206SQ20122011731
公開(kāi)日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月25日
發(fā)明者倪浩, 劉兆林, 高凱 申請(qǐng)人:上海市電力公司, 華東電力試驗(yàn)研究院有限公司