專利名稱：用于gis缺陷模擬的尖端與平面電極間隙的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種模擬電極間隙，尤其是涉及一種用于GIS缺陷模擬的尖端與平面電極間隙。
背景技術(shù)：
氣體絕緣組合電器(Gas Insulated Substation,簡稱GIS)是電力系統(tǒng)的重要大型設(shè)備之一，它對于整個電力系統(tǒng)的安全運(yùn)行至關(guān)重要。GIS結(jié)構(gòu)緊湊、占地面積小、不易受外界環(huán)境影響，運(yùn)行可靠性高、檢修周期長而得到了越來越廣泛的應(yīng)用。但加工、運(yùn)輸、現(xiàn)場裝配等多種原因使得GIS不可避免地存在絕緣缺陷而影響其長期可靠性。這些缺陷在電場作用下誘發(fā)局部放電，長期的局部放電使絕緣劣化并逐步擴(kuò)大，甚至造成整個絕緣擊穿或沿面閃絡(luò)，從而對設(shè)備的安全運(yùn)行造成威脅。在對GIS局部放電進(jìn)行測試時，需要用到一些 模擬電極間隙。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種可準(zhǔn)確模擬金屬突出物缺陷的用于GIS缺陷模擬的尖端與平面電極間隙。本實用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)一種用于GIS缺陷模擬的尖端與平面電極間隙，包括尖端電極、平面電極和有機(jī)玻璃筒，所述的尖端電極、平面電極均設(shè)置在有機(jī)玻璃筒內(nèi)，所述的尖端電極與平面電極相對設(shè)置。所述的尖端電極的一端連接高壓回路，另一端設(shè)有尖端針。所述的平面電極接地。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型在尖端電極上設(shè)置尖端針，可準(zhǔn)確模擬GIS中的金屬突出物缺陷。

圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖I所示，一種用于GIS缺陷模擬的尖端與平面電極間隙，包括尖端電極I、平面電極2和有機(jī)玻璃筒3，所述的尖端電極I、平面電極2均設(shè)置在有機(jī)玻璃筒3內(nèi)，尖端電極I與平面電極2相對設(shè)置，尖端電極I的一端連接高壓回路，另一端設(shè)有尖端針，平面電極2接地。尖端電極I上的尖端針用于模擬金屬突出物，以便能夠穩(wěn)定的激發(fā)出電暈放電。
權(quán)利要求1.一種用于GIS缺陷模擬的尖端與平面電極間隙，其特征在于，包括尖端電極、平面電極和有機(jī)玻璃筒，所述的尖端電極、平面電極均設(shè)置在有機(jī)玻璃筒內(nèi)，所述的尖端電極與平面電極相對設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于GIS缺陷模擬的尖端與平面電極間隙，其特征在于，所述的尖端電極的一端連接高壓回路，另一端設(shè)有尖端針。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于GIS缺陷模擬的尖端與平面電極間隙，其特征在于，所述的平面電極接地。
專利摘要本實用新型涉及一種用于GIS缺陷模擬的尖端與平面電極間隙，包括尖端電極、平面電極和有機(jī)玻璃筒，所述的尖端電極、平面電極均設(shè)置在有機(jī)玻璃筒內(nèi)，所述的尖端電極與平面電極相對設(shè)置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有可準(zhǔn)確模擬金屬突出物缺陷等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號G01R31/12GK202502210SQ20122012400
公開日2012年10月24日 申請日期2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月29日
發(fā)明者倪浩, 高凱 申請人:上海市電力公司, 華東電力試驗研究院有限公司