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      一種應(yīng)用于大功率電芯測(cè)試設(shè)備的主動(dòng)并聯(lián)電路的制作方法

      文檔序號(hào):5985246閱讀:509來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種應(yīng)用于大功率電芯測(cè)試設(shè)備的主動(dòng)并聯(lián)電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及大功率電芯測(cè)試裝置領(lǐng)域,具體為一種應(yīng)用于大功率電芯測(cè)試設(shè)備的主動(dòng)并聯(lián)電路。
      背景技術(shù)
      在大功率電芯測(cè)試設(shè)備充放電過(guò)程中電流往往達(dá)到60A以上,如果用單一的功率控制模塊控制電流輸出不是一件容易的事情。為了解決這一問(wèn)題,目前的做法是用若干個(gè)低輸出電流模塊共同工作,從而達(dá)到所需要的電流。由于電芯充放電的要求需要對(duì)功率電源進(jìn)行極性切換,切換電路如圖2所示。根據(jù)圖2容易得到電流模塊并聯(lián)的等效圖3,由圖3可以看出,當(dāng)電流從電芯的負(fù)端出來(lái)后經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)MOS管SI和SI’回到電源負(fù)端,但是從圖可以看出SI與SI’等同于短接,所以經(jīng)過(guò)SI與SI’的電流有可能一個(gè)很大,而另一個(gè) 很小的情況。這種方法的局限性有兩點(diǎn)(I)功率模塊并聯(lián)電路不是均流;(2)由于電路回路不是均流,某支路可能出現(xiàn)較大電流,容易造成器件的損壞,所以系統(tǒng)可靠性較低。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型目的是提供一種應(yīng)用于大功率電芯測(cè)試設(shè)備的主動(dòng)并聯(lián)電路,以解決現(xiàn)有技術(shù)電芯測(cè)試裝置中存在功率模塊并聯(lián)電路不均流的問(wèn)題。為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為一種應(yīng)用于大功率電芯測(cè)試設(shè)備的主動(dòng)并聯(lián)電路,包括有控制模塊MCU、多個(gè)并接入控制模塊MCU的功率模塊,每個(gè)功率模塊分別采用開(kāi)關(guān)MOS管,多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管的柵極并接入控制模塊MCU,多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管的源極共接入一個(gè)電池的正極,多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管的漏極共接入一個(gè)功率電源的正極,其特征在于功率電源的負(fù)極通過(guò)多個(gè)相互并聯(lián)的帶溫度探針的DC/DC電源模塊接入電池的負(fù)極,多個(gè)DC/DC電源模塊的溫度探針?lè)謩e一一對(duì)應(yīng)接觸多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管。本實(shí)用新型由低電流輸出的功率模塊并聯(lián)得到所需的大電流,利用多個(gè)彼此并聯(lián)的DC/DC電源模塊串聯(lián)到各功率模塊中,采樣功率模塊內(nèi)的開(kāi)關(guān)MOS管溫度,根據(jù)溫度調(diào)節(jié)支流大小,保證各支路均流。本實(shí)用新型利用小電流輸出的功率模塊并聯(lián)得到相應(yīng)的大電流。電流從功率電源正端由功率模塊控制得到電流大小一樣的支流輸出,電流在大功率設(shè)備輸出正端并聯(lián)起來(lái)進(jìn)入電芯正極流向電芯負(fù)極,從負(fù)極出來(lái)后經(jīng)過(guò)各支路的開(kāi)關(guān)MOS管,再經(jīng)過(guò)相應(yīng)的DC/DC電源模塊,然后回到功率電源負(fù)端。當(dāng)某個(gè)支路的開(kāi)關(guān)MOS管通的電流增大時(shí),開(kāi)關(guān)MOS管的溫度將會(huì)上升,那么DC/DC電源模塊得到的采樣溫度則會(huì)增大,因此DC/DC電源模塊控制其輸出電流變小,使通過(guò)開(kāi)關(guān)MOS管的電流變小,如果當(dāng)某個(gè)支路的開(kāi)關(guān)MOS管通過(guò)的電流變小時(shí),開(kāi)關(guān)MOS管的溫度將會(huì)下降,那么DC/DC電源模塊得到的采樣溫度則會(huì)減小,因此DC/DC電源模塊控制其輸出電流變大,使通過(guò)開(kāi)關(guān)MOS管的電流變大。這樣并聯(lián)電路通過(guò)DC/DC電源模塊的調(diào)節(jié)可以實(shí)現(xiàn)各支路均流。本實(shí)用新型電路簡(jiǎn)單,實(shí)用,各模塊獨(dú)立,避免了電流并聯(lián)情況下的電流不均對(duì)半導(dǎo)體器件的損壞,提高了并聯(lián)的可靠性和穩(wěn)定性。

      圖I為本實(shí)用新型的電路示意圖。圖2為充放電切換的電路示意圖。圖3為充放電并聯(lián)等效電路示意圖。
      具體實(shí)施方式
      如圖I所示。一種應(yīng)用于大功率電芯測(cè)試設(shè)備的主動(dòng)并聯(lián)電路,包括有控制模塊MCU、兩個(gè)并接入控制模塊MCU的功率模塊,一個(gè)功率模塊采用開(kāi)關(guān)MOS管Ql,另一個(gè)功率模塊分別采用開(kāi)關(guān)MOS管Q2,兩個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管Ql、Q2的柵極并接入控制模塊MCU,兩個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管的源極共接入一個(gè)電池Battery的正極,兩個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管Ql、Q2的漏極共接入一個(gè)功率電源的正極,功率電源的負(fù)極通過(guò)兩個(gè)相互并聯(lián)的帶溫度探針的DC/DC電源模塊接入電池Battery的負(fù)極,兩個(gè)DC/DC電源模塊的溫度探針?lè)謩e一一對(duì)應(yīng)接觸開(kāi)關(guān)MOS管。本實(shí)用新型由兩個(gè)功率模塊并聯(lián)而成,由開(kāi)關(guān)MOS管Ql與Q2控制支路電流,并聯(lián)后的電流經(jīng)過(guò)電芯,從電芯出來(lái)的電流又分流到各并聯(lián)支路,由DC/DC電源模塊采樣開(kāi)關(guān)MOS管的溫度,然后根據(jù)溫度的大小調(diào)節(jié)支路的電流。
      權(quán)利要求1. 一種應(yīng)用于大功率電芯測(cè)試設(shè)備的主動(dòng)并聯(lián)電路,包括有控制模塊MCU、多個(gè)并接入控制模 塊MCU的功率模塊,每個(gè)功率模塊分別采用開(kāi)關(guān)MOS管,多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管的柵極并接入控制模塊MCU,多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管的源極共接入一個(gè)電池的正極,多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管的漏極共接入一個(gè)功率電源的正極,其特征在于功率電源的負(fù)極通過(guò)多個(gè)相互并聯(lián)的帶溫度探針的DC/DC電源模塊接入電池的負(fù)極,多個(gè)DC/DC電源模塊的溫度探針?lè)謩e一一對(duì)應(yīng)接觸多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管。
      專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種應(yīng)用于大功率電芯測(cè)試設(shè)備的主動(dòng)并聯(lián)電路,包括有控制模塊MCU、多個(gè)并接入控制模塊MCU的功率模塊,每個(gè)功率模塊分別采用開(kāi)關(guān)MOS管,開(kāi)關(guān)MOS管的源極共接入電池的正極,漏極共接入功率電源的正極,功率電源的負(fù)極通過(guò)多個(gè)相互并聯(lián)的帶溫度探針的DC/DC電源模塊接入電池的負(fù)極,DC/DC電源模塊的溫度探針探測(cè)開(kāi)關(guān)MOS管。本實(shí)用新型電路簡(jiǎn)單,實(shí)用,各模塊獨(dú)立,避免了電流并聯(lián)情況下的電流不均對(duì)半導(dǎo)體器件的損壞,提高了并聯(lián)的可靠性和穩(wěn)定性。
      文檔編號(hào)G01R31/00GK202735428SQ201220305348
      公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月27日
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