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      一種電容式液位檢測(cè)裝置的制作方法

      文檔序號(hào):5991178閱讀:235來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種電容式液位檢測(cè)裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型公開一種液位檢測(cè)裝置,特別是一種電容式液位檢測(cè)裝置。
      背景技術(shù)
      隨著電子技術(shù)的發(fā)展,各種各樣的電子檢測(cè)裝置及檢測(cè)手段在人們生活中的應(yīng)用越來(lái)越多。目前,常用的進(jìn)行液位檢測(cè)的裝置通常是采用電容式液體(位)檢測(cè)裝置進(jìn)行檢測(cè),現(xiàn)有的市場(chǎng)上出現(xiàn)的電容式液體(位)檢測(cè)裝置,普遍存在著檢測(cè)誤差大,小量液體無(wú)法檢測(cè)等缺點(diǎn),其原因通常在于檢測(cè)的電容量要求需要比較大,一般的電容式液位檢測(cè)裝置無(wú)法做到精細(xì)檢測(cè)的要求。
      發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述提到的現(xiàn)有技術(shù)中的電容式液位檢測(cè)裝置無(wú)法做到精細(xì)檢測(cè)的缺點(diǎn),本實(shí)用新型提供一種新的電容式液位檢測(cè)裝置,其采用觸摸式電容開關(guān)結(jié)構(gòu)對(duì)液位進(jìn)行檢測(cè),檢測(cè)精度高,對(duì)少量液體也可以進(jìn)行檢測(cè)。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案是一種電容式液位檢測(cè)裝置,該裝置包括電容檢測(cè)模塊、電容電極、存儲(chǔ)記憶模塊和輸出接口,電容電極連接在電容檢測(cè)模塊的電容接口上,存儲(chǔ)記憶模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O 口上,電容檢測(cè)模塊的I/O 口上連接有輸出接口。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案進(jìn)一步還包括所述的裝置中還包括有復(fù)位模塊,復(fù)位模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O 口上。所述的復(fù)位模塊為鍵控開關(guān)。所述的電容檢測(cè)模塊采用型號(hào)為ADPT005的芯片。所述的存儲(chǔ)記憶模塊采用EEPR0M。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型使用EEPROM作為環(huán)境固有電容記憶模塊,可以做到微小電容量同樣能夠檢測(cè)出來(lái),本實(shí)用新型的適應(yīng)性更好,適用范圍更廣。本實(shí)用新型可以使用接觸式或非接觸式檢測(cè)方式,可以用于檢測(cè)水、油、有毒液體、腐蝕性液體等。下面將結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
      對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明。

      圖I為本實(shí)用新型電路方框圖。圖2為本實(shí)用新型電路原理圖。
      具體實(shí)施方式
      本實(shí)施例為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施方式,其他凡其原理和基本結(jié)構(gòu)與本實(shí)施例相同或近似的,均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。請(qǐng)參看附圖I和附圖2,本實(shí)用新型主要包括電容檢測(cè)模塊、電容電極、存儲(chǔ)記憶模塊和輸出接口,其中,電容檢測(cè)模塊采用型號(hào)為ADPT005處理器的專用芯片,其自身帶有MCU功能,電容電極連接在電容檢測(cè)模塊的電容接口 TO上,用于檢測(cè)信號(hào)的輸入,存儲(chǔ)記憶模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O 口上,本實(shí)施例中,存儲(chǔ)記憶模塊采用型號(hào)為24C02的EEPROM芯片,通過(guò)兩個(gè)電容檢測(cè)模塊上的I/O 口模擬成串口與存儲(chǔ)記憶模塊連接,進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,通過(guò)存儲(chǔ)記憶模塊存儲(chǔ)記憶環(huán)境固有電容。電容檢測(cè)模塊的一個(gè)I/O 口上連接有輸出接口,用于輸出控制信號(hào)。本實(shí)施例中,在電容檢測(cè)模塊的一個(gè)I/O 口上還連接有復(fù)位模塊,復(fù)位模塊為鍵控開關(guān),具體實(shí)施時(shí),也可以通過(guò)高低電平控制此復(fù)位腳電平的高低,實(shí)現(xiàn)復(fù)位。本實(shí)用新型在使用時(shí),經(jīng)處理器控制存儲(chǔ)記憶模塊進(jìn)行環(huán)境電容記憶,記錄電極處的電容量,作為液體變化的基準(zhǔn)量。從而可以提高液體變化的微小電容量變化及環(huán)境對(duì)檢測(cè)的影響,從而得到精確的液體檢測(cè)結(jié)果。當(dāng)液體在電極處變化時(shí),電極檢測(cè)腳上電容量會(huì)隨著液體的有或無(wú)而變化,此時(shí)可以輸出相對(duì)應(yīng)液體有無(wú)的信號(hào),完成檢測(cè)。當(dāng)固有電極環(huán)境值改變時(shí),只需要進(jìn)行復(fù)位一次就可以重新設(shè)定新的基準(zhǔn)值,將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)記憶模塊中。本實(shí)用新型使用EEPROM作為環(huán)境固有電容記憶模塊,可以做到微小電容量同樣能夠檢測(cè)出來(lái),本實(shí)用新型的適應(yīng)性更好,適用范圍更廣。本實(shí)用新型可以使用接觸式或非接觸式檢測(cè)方式,可以用于檢測(cè)水、油、有毒液體、腐蝕性液體等。
      權(quán)利要求1.一種電容式液位檢測(cè)裝置,其特征是所述的裝置包括電容檢測(cè)模塊、電容電極、存儲(chǔ)記憶模塊和輸出接口,電容電極連接在電容檢測(cè)模塊的電容接口上,存儲(chǔ)記憶模塊連接 在電容檢測(cè)模塊的I/o 口上,電容檢測(cè)模塊的I/O 口上連接有輸出接口。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電容式液位檢測(cè)裝置,其特征是所述的裝置中還包括有復(fù)位模塊,復(fù)位模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O 口上。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容式液位檢測(cè)裝置,其特征是所述的復(fù)位模塊為鍵控開關(guān)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的電容式液位檢測(cè)裝置,其特征是所述的電容檢測(cè)模塊采用型號(hào)為ADPT005的芯片。
      5.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的電容式液位檢測(cè)裝置,其特征是所述的存儲(chǔ)記憶模塊采用EEPROM。
      專利摘要本實(shí)用新型公開一種電容式液位檢測(cè)裝置,該裝置包括電容檢測(cè)模塊、電容電極、存儲(chǔ)記憶模塊和輸出接口,電容電極連接在電容檢測(cè)模塊的電容接口上,存儲(chǔ)記憶模塊連接在電容檢測(cè)模塊的I/O口上,電容檢測(cè)模塊的I/O口上連接有輸出接口。本實(shí)用新型使用EEPROM作為環(huán)境固有電容記憶模塊,可以做到微小電容量同樣能夠檢測(cè)出來(lái),本實(shí)用新型的適應(yīng)性更好,適用范圍更廣。本實(shí)用新型可以使用接觸式或非接觸式檢測(cè)方式,可以用于檢測(cè)水、油、有毒液體、腐蝕性液體等。
      文檔編號(hào)G01F23/26GK202748099SQ20122041648
      公開日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月22日
      發(fā)明者肖興朝, 林慶光, 燕彩虹 申請(qǐng)人:深圳市阿達(dá)電子有限公司
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