專利名稱：一種超級(jí)電容放電曲線采集裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電容技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超級(jí)電容放電曲線采集裝置。
背景技術(shù)：
超級(jí)電容也叫做電化學(xué)電容器，具有性能穩(wěn)定、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近年來(lái)在電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能發(fā)電、重型機(jī)械等領(lǐng)域表現(xiàn)出前有未有的發(fā)展趨勢(shì)，很多發(fā)達(dá)國(guó)家都已把關(guān)于超級(jí)電容的項(xiàng)目作為國(guó)家重點(diǎn)科研方向，超級(jí)電容在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上也呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的景象。超級(jí)電容的性能測(cè)試是超級(jí)電容技術(shù)研究的主要方面。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型提供一種超級(jí)電容放電曲線采集裝置。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:該超級(jí)電容放電曲線采集裝置包括微處理器、IGBT、限流電阻、示波器、電流傳感器和超級(jí)電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT放電電阻和超級(jí)電容相連接，放電電阻和超級(jí)電容相連接，電流傳感器串聯(lián)在放電回路。裝置工作時(shí),微處理器發(fā)出控制信號(hào)，IGBT導(dǎo)通，超級(jí)電容通過(guò)放電電阻放電，電流傳感器采集放電回路曲線并傳遞給示波器，示波器記錄超級(jí)電容的放電過(guò)程。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):該超級(jí)電容放電曲線采集裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作安全、裝置穩(wěn)定性強(qiáng)。

圖1為本實(shí)用新型超級(jí)電容放電曲線采集裝置結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的詳細(xì)結(jié)構(gòu)結(jié)合實(shí)施例加以說(shuō)明。該超級(jí)電容放電曲線采集裝置結(jié)構(gòu)如圖1所示，IGBT型號(hào)選取1MBI200L-120、微控制器選取型號(hào)為PIC16F877A，電流傳感器選擇CHB300-P。該超級(jí)電容放電曲線采集裝置由微處理器PIC16F877A、IGBT 1MBI200L-120、放電電阻、示波器、電流傳感器CHB300-P和超級(jí)電容組成，微處理器與IGBT相連接，IGBT放電電阻和超級(jí)電容相連接，放電電阻和超級(jí)電容相連接，電流傳感器串聯(lián)在放電回路。裝置工作時(shí)，微處理器發(fā)出控制信號(hào)，IGBT導(dǎo)通，超級(jí)電容通過(guò)放電電阻放電，電流傳感器采集放電回路曲線并傳遞給示波器，示波器記錄超級(jí)電容的放電過(guò)程。
權(quán)利要求1.一種超級(jí)電容放電曲線采集裝置，其特征在于:包括微處理器、IGBT、限流電阻、示波器、電流傳感器和超級(jí)電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT放電電阻和超級(jí)電容相連接，放電電阻和超級(jí)電容相連接，電流傳感器串聯(lián)在放電回路。
專利摘要一種超級(jí)電容放電曲線采集裝置，屬于電容技術(shù)領(lǐng)域。該超級(jí)電容放電曲線采集裝置包括微處理器、IGBT、限流電阻、示波器、電流傳感器和超級(jí)電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT放電電阻和超級(jí)電容相連接，放電電阻和超級(jí)電容相連接，電流傳感器串聯(lián)在放電回路。裝置工作時(shí)，微處理器發(fā)出控制信號(hào)，IGBT導(dǎo)通，超級(jí)電容通過(guò)放電電阻放電，電流傳感器采集放電回路曲線并傳遞給示波器，示波器記錄超級(jí)電容的放電過(guò)程。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)該超級(jí)電容放電曲線采集裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作安全、裝置穩(wěn)定性強(qiáng)。
文檔編號(hào)G01R19/00GK202994915SQ20122058116
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2012年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月7日
發(fā)明者李翠, 劉棟, 劉聰 申請(qǐng)人:沈陽(yáng)創(chuàng)達(dá)技術(shù)交易市場(chǎng)有限公司