用于拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法及用于執(zhí)行該方法的組件的制作方法
【專利摘要】在用于從培養(yǎng)皿拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法中,使拾取工具朝向所述細(xì)胞物質(zhì)移位。所述工具和所述細(xì)胞物質(zhì)之間的接觸通過執(zhí)行電容測(cè)量來確定。在接觸之后,所述工具從所述細(xì)胞物質(zhì)移開。在用于執(zhí)行所述方法的組件中,由導(dǎo)電材料制成的支撐體支撐所述培養(yǎng)皿。在所述工具處于初始位置時(shí),測(cè)量裝置確定由拾取工具和支撐體組成的系統(tǒng)的初始電容,并且當(dāng)朝向所述培養(yǎng)皿降低所述工具時(shí),所述測(cè)量裝置確定所述系統(tǒng)的電容。所述測(cè)量裝置將代表電容的信號(hào)提供給控制器,所述控制器包括用于執(zhí)行降低所述工具期間的電容和所述初始電容的比較的比較器。所述控制器至少基于這種比較來控制所述工具的定位。
【專利說明】用于拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法及用于執(zhí)行該方法的組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]從JP-A-62273429可知這種方法。這種已知的方法涉及通過將移植針用作電極并且由電信號(hào)來檢測(cè)所述移植針和培養(yǎng)基之間的接觸而獲得恒定的針刺深度。電極被放置在培養(yǎng)基之上并且所述移植針然后被降低到所述培養(yǎng)基上。電源和可變電阻器通過引線被連接到電極和移植針上。因?yàn)榕囵B(yǎng)基具有高的水分含量,所以傳導(dǎo)的存在或缺乏可以通過檢測(cè)器來檢測(cè)并且檢測(cè)閥值可以通過調(diào)節(jié)可變電阻器來改變。當(dāng)使用這種已知的方法時(shí)可出現(xiàn)的問題是,盡管可以獲得恒定的針刺深度,但是有時(shí)會(huì)出現(xiàn)的是,所述移植針已經(jīng)拾取了細(xì)胞物質(zhì)和所述細(xì)胞物質(zhì)下方的培養(yǎng)基的混合物。另外,連接到電極和移植針上的電源產(chǎn)生了穿過培養(yǎng)基的電流,該電流可以對(duì)培養(yǎng)基上的細(xì)胞物質(zhì)有害。另外,當(dāng)朝向不同的培養(yǎng)皿改變時(shí),電極不得不被替換或徹底地清潔以防止交叉污染。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目標(biāo)在于提供一種用于從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法,其中所述細(xì)胞物質(zhì)可以選擇性地被拾取。
[0004]本發(fā)明的進(jìn)一步目標(biāo)在于提供一種用于拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法,所述方法對(duì)細(xì)胞物
質(zhì)無害。
[0005]本發(fā)明的進(jìn)一步目標(biāo)在于提供一種盡可能使用較少的裝置零件來拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法。
[0006]這些目標(biāo)的至少一個(gè)或這些目標(biāo)的至少一部分由通過提供一種用于從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法的本發(fā)明實(shí)現(xiàn),該方法順序地包括以下步驟:
[0007]-使拾取工具朝向所述細(xì)胞物質(zhì)移位,
[0008]-確定所述拾取工具和所述細(xì)胞物質(zhì)之間的接觸,以及
[0009]-將所述拾取工具從所述細(xì)胞物質(zhì)移開從而拾取細(xì)胞物質(zhì),其中,確定所述拾取工具和所述細(xì)胞物質(zhì)之間的接觸的步驟通過執(zhí)行電容測(cè)量進(jìn)行。因?yàn)榻佑|通過執(zhí)行電容測(cè)量來確定,所以沒有用以直接與培養(yǎng)基接觸的附加電極對(duì)確定拾取工具和細(xì)胞物質(zhì)和/或培養(yǎng)基之間的接觸是必要的。此外,通過使用電容測(cè)量,拾取工具不需要全部穿刺到細(xì)胞物質(zhì)中以建立接觸,從而使得能夠僅拾取細(xì)胞物質(zhì)。另外,需要產(chǎn)生這種測(cè)量的電壓等級(jí)足夠低,以不引發(fā)對(duì)細(xì)胞物質(zhì)的生長(zhǎng)的任何不良影響。[0010]在這種情況下提供了根據(jù)本發(fā)明的非常精確的方法,所述方法包括以下步驟:
[0011]-將所述培養(yǎng)皿放置到由導(dǎo)電材料制成的支撐體上;
[0012]-使用由電絕緣材料制成的培養(yǎng)皿;
[0013]-使用由導(dǎo)電材料制成的拾取工具;
[0014]-將所述拾取工具放置在遠(yuǎn)高于所述培養(yǎng)皿的初始位置;[0015]-在所述拾取工具處于所述初始位置時(shí)測(cè)量由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的初始電容;
[0016]-沿朝向培養(yǎng)皿的方向從所述初始位置降低所述拾取工具;
[0017]-在降低所述拾取工具期間測(cè)量由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的電容。
[0018]優(yōu)選地,所述方法進(jìn)一步包括步驟:當(dāng)所測(cè)得的電容偏離所述初始電容時(shí),在接觸位置下停止降低所述拾取工具。這防止了拾取工具被過度降低,使得可以防止拾取細(xì)胞物質(zhì)下方存在的培養(yǎng)基。優(yōu)選地,所述方法進(jìn)一步包括步驟:當(dāng)所測(cè)得的電容偏離所述初始電容時(shí),測(cè)量所述拾取工具的接觸位置。
[0019]在根據(jù)本發(fā)明的方法的有利的實(shí)施例中,所述方法進(jìn)一步包括以下步驟:將所述拾取工具從所述接觸位置朝向檢驗(yàn)位置移開預(yù)定距離并且將該拾取工具保持在所述檢驗(yàn)位置;以及在所述檢驗(yàn)位置下測(cè)量由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的電容。在一些情況下,待拾取的細(xì)胞物質(zhì)非常粘或黏滑。當(dāng)與這種細(xì)胞物質(zhì)接觸之后的拾取工具從細(xì)胞物質(zhì)移開時(shí),細(xì)線狀物有時(shí)會(huì)保持所述拾取工具和培養(yǎng)皿中的細(xì)胞物質(zhì)之間相接觸。這種細(xì)線狀物可以破壞并且可能污染所述拾取工具裝置。通過測(cè)量檢驗(yàn)位置(例如可以在培養(yǎng)皿的上方數(shù)毫米)的電容,可檢測(cè)這種線狀物的存在,使得可以采取適當(dāng)?shù)膭?dòng)作。尤其是在根據(jù)本發(fā)明的拾取工具保持器被設(shè)置用于可移除地保持拾取工具的方法的實(shí)施例中,當(dāng)該拾取工具保持器適合于夾持和釋放拾取工具時(shí),能夠使這樣的動(dòng)作在檢測(cè)到殘留線狀物的情況下自動(dòng)化。優(yōu)選地,于是所述方法包括以下步驟:在所述檢驗(yàn)位置下所測(cè)得的電容不同于所述初始電容的情況下從所述拾取工具保持器釋放所述拾取工具,使得所述拾取工具落入到所述培養(yǎng)皿中;并且所述方法可選地包括丟棄所述培養(yǎng)皿的步驟。這些步驟可以以自動(dòng)方式容易地執(zhí)行,使得沒有對(duì)丟棄培養(yǎng)皿必要的人為干涉耗時(shí)。
[0020]在根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例中,其中所述方法包括提供導(dǎo)電材料的環(huán)形元件來作為所述由導(dǎo)電材料制成的支撐體的步驟以及將透明電絕緣材料的元件或?qū)悠瑠A置于所述支撐體和所述培養(yǎng)皿之間的步驟,可從所述培養(yǎng)皿的下方提供照明以有助于確定細(xì)胞物質(zhì)在培養(yǎng)皿中的位置。
[0021]優(yōu)選地,所述方法包括以下步驟:使用由導(dǎo)電塑料制成的拾取工具,使得所述拾取工具可任意使用。盡管在拾取工具拾取細(xì)胞物質(zhì)之后和被用于拾取進(jìn)一步的細(xì)胞物質(zhì)之前可徹底地清潔拾取工具,但是根據(jù)本發(fā)明的方法的實(shí)施例優(yōu)選在每當(dāng)細(xì)胞物質(zhì)必須從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取時(shí)使用新的拾取工具。按照這種方式,可以實(shí)現(xiàn)從培養(yǎng)皿拾取細(xì)胞物質(zhì)的可靠的、廉價(jià)的和快速的方式。
[0022]本發(fā)明還涉及一種根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的用于執(zhí)行從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法的組件,該組件包括:
[0023]-拾取工具裝置,所述拾取工具裝置包括導(dǎo)電材料的拾取工具保持器,該拾取工具保持器以電絕緣的方式被安裝到所述拾取工具裝置上,該拾取工具保持器保持由導(dǎo)電材料制成的拾取工具,該拾取工具以導(dǎo)電的方式被所述拾取工具保持器保持;
[0024]-培養(yǎng)皿,所述培養(yǎng)皿由電絕緣材料制成;
[0025]-支撐體,所述支撐體由導(dǎo)電材料制成并且用于支撐所述培養(yǎng)皿;
[0026 ]-定位裝置,所述定位裝置用于將所述拾取工具定位到所述培養(yǎng)皿上方的初始位置,并且所述定位裝置用于分別朝向所述培養(yǎng)皿降低所述拾取工具以及遠(yuǎn)離所述培養(yǎng)皿提升所述拾取工具;
[0027]-控制器,所述控制器用于控制所述定位裝置的運(yùn)動(dòng);
[0028]-測(cè)量裝置,所述測(cè)量裝置用于執(zhí)行電容測(cè)量以便確定由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的電容,所述測(cè)量裝置適合于在所述拾取工具處于初始位置時(shí)確定由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的初始電容并且適合于將代表所述初始電容的信號(hào)提供給所述控制器,所述測(cè)量裝置適合于在朝向所述培養(yǎng)皿降低所述拾取工具時(shí)確定由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的電容并且適合于將代表所測(cè)得的電容的信號(hào)提供給所述控制器;
[0029]-該控制器包括比較器,所述比較器用于執(zhí)行降低所述拾取工具期間的電容與所述初始電容的比較并且用于提供指示該比較的比較信號(hào),該控制器至少基于所述比較信號(hào)來控制所述定位裝置的運(yùn)動(dòng)。
[0030]優(yōu)選地,根據(jù)本發(fā)明的組件的實(shí)施例在組件的獨(dú)權(quán)中描述。[0031]參考附圖,在一些示例性實(shí)施例的以下詳細(xì)說明中描述本發(fā)明的進(jìn)一步的目標(biāo)、方面、效果和細(xì)節(jié)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0032]圖1為根據(jù)本發(fā)明的用于執(zhí)行用于從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法的組件的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]圖1為根據(jù)本發(fā)明的用于執(zhí)行用于從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法的組件的示意圖。
[0034]所述組件包括拾取工具裝置1,所述拾取工具裝置I包括導(dǎo)電材料的拾取工具保持器2。所述拾取工具保持器2以電絕緣的方式被安裝到所述拾取工具裝置I上。所述拾取工具保持器2適合于以導(dǎo)電的方式保持由導(dǎo)電材料制造的拾取工具3。所述拾取工具3可以由金屬制造,但是所述拾取工具3還可以由導(dǎo)電的塑性材料(例如,包括碳的塑料)制造。
[0035]此外,根據(jù)本發(fā)明的組件包括培養(yǎng)皿4,所述培養(yǎng)皿4由例如玻璃或電絕緣塑料的電絕緣材料制造。所述培養(yǎng)皿4包含培養(yǎng)基11,所述培養(yǎng)基11上存在有例如菌落12的細(xì)胞物質(zhì)12。所述培養(yǎng)皿4支撐在由導(dǎo)電材料制造的支撐體5上。所述培養(yǎng)皿4可以直接地或間接地通過將電絕緣材料的元件或?qū)悠瑠A置于所述培養(yǎng)皿4和所述支撐體5之間被支撐在導(dǎo)電的支撐體5中。在圖1中示出的實(shí)施例中,所述支撐體5為導(dǎo)電材料的環(huán)形元件,所述環(huán)形元件包圍有透明的電絕緣材料的層6,所述培養(yǎng)皿4可以支撐在所述環(huán)形元件上。按照這種方式,可從所述培養(yǎng)皿4的下方提供照明以有助于確定細(xì)胞物質(zhì)在所述培養(yǎng)皿4中的位置。應(yīng)注意的是,所述層6在替代性的實(shí)施例中還可以被放置在環(huán)形支撐體5的上部。
[0036]定位裝置7被布置用于將所述拾取工具3 (和所述拾取工具保持器2)定位到所述培養(yǎng)皿4上方的初始位置。在例如微處理器8或用于控制所述定位裝置的操作的任何其它的適合的裝置的控制器的控制下,該定位裝置7可以分別朝向所述培養(yǎng)皿降低所述拾取工具3以及遠(yuǎn)離所述培養(yǎng)皿提升所述拾取工具3。另外,所述定位裝置7可以在與所述培養(yǎng)皿4的平面平行的平面中使所述拾取工具3移位。所述移位在圖1中利用雙向箭頭XY和意性地指示。所述微處理器8利用信號(hào)線9被連接到所述定位裝置7上,以便正確地控制所述定位裝置7。
[0037]圖1中示出的組件進(jìn)一步包括用于在所述拾取工具3接觸所述細(xì)胞物質(zhì)12或所述培養(yǎng)基11時(shí)進(jìn)行檢測(cè)或測(cè)量的測(cè)量裝置10。所述測(cè)量裝置10可以執(zhí)行電容測(cè)量以便確定由所述拾取工具3和所述支撐體5組成的系統(tǒng)的電容。在圖1中示出的實(shí)施例中,所述測(cè)量裝置10由振蕩電路18組成,所述振蕩電路18還起交流電壓源的作用,所述振蕩電路18通過電引線14被連接到所述拾取工具保持器2上并且通過另一電引線15被連接到所述環(huán)形支撐體5上。在該實(shí)施例中,所述振蕩電路18提供了具有值在大約1.25和大約
3.5伏(V)之間的電壓,所述振蕩電路18具有可以在100和150千赫(kHz)的范圍內(nèi)選擇的固定頻率。如圖1中的圖表所示意性地示出的,所提供的交流電壓V為鋸齒電壓。
[0038]所述振蕩電路18例如可以包括運(yùn)算放大器多諧振蕩器。振蕩電路的振蕩頻率取決于由電引線14、拾取工具保持器2、拾取工具3、細(xì)胞物質(zhì)和/或培養(yǎng)基11、培養(yǎng)皿4、絕緣元件/層6、環(huán)形支撐體和電引線15組成的測(cè)量電路的電容的值。此外,在所述拾取工具3與所述細(xì)胞物質(zhì)12分離的情況下(圖1中的實(shí)線所示),電容由所述拾取工具3和所述細(xì)胞物質(zhì)12和/或培養(yǎng)基11之間存在的氣柱確定。如圖1中的虛線所示,當(dāng)拾取工具3'與所述細(xì)胞物質(zhì)12和/或培養(yǎng)基11接觸時(shí),該氣柱不存在。所述振蕩電路18通過測(cè)量線19被連接到所述微處理器8上。所述微處理器在圖示的實(shí)施例中包括用于顯示測(cè)量結(jié)果的顯示屏20。
[0039]因此,所述測(cè)量裝置10可以確定由所述拾取工具3和所述支撐體5(除了其它以外)組成的系統(tǒng)在所 述拾取工具3的初始位置的初始電容,如圖1中的實(shí)線所示,所述初始位置遠(yuǎn)高于所述培養(yǎng)皿4。在該初始位置,所述測(cè)量裝置10將代表初始的電容的信號(hào)提供給所述微處理器8。在本發(fā)明的實(shí)施例中,代表初始電容的該信號(hào)為所述振蕩電路18的振蕩頻率,所述頻率可以在所述顯示屏上示出。
[0040]當(dāng)朝向所述培養(yǎng)皿4降低所述拾取工具3時(shí),所述測(cè)量裝置10繼續(xù)確定所述電容(即,振蕩頻率)并且連續(xù)地將代表振蕩頻率的信號(hào)提供給所述微處理器8。所述微處理器包括比較器21,所述比較器21用于執(zhí)行在所述拾取工具3的降低期間的電容(即,振蕩頻率)與所述初始電容(即,初始振蕩頻率)的比較。在所述拾取工具3'接觸所述細(xì)胞物質(zhì)12的時(shí)刻,所述系統(tǒng)的電容改變,這具有直接的后果,即,所述振蕩電路的振蕩頻率改變。所述微處理器8的比較器21檢測(cè)該改變并且提供表明該改變(或比較)的比較信號(hào),所述比較信號(hào)被所述微處理器使用以控制所述定位裝置7的運(yùn)動(dòng)。在所述拾取工具3的降低期間所測(cè)量的振蕩頻率(即,電容)偏離初始振蕩頻率的情況下,例如當(dāng)所述拾取工具3接觸所述細(xì)胞物質(zhì)時(shí),所述控制器基于由所述比較器21提供的比較信號(hào)而立即停止所述拾取工具3的降低。按照這種方式,可以保證所述拾取工具不穿透所述細(xì)胞物質(zhì)并且僅細(xì)胞物質(zhì)與所述拾取工具接觸。
[0041]在所述拾取工具3'接觸所述細(xì)胞物質(zhì)12的情況下,流經(jīng)所述測(cè)量電路并且因此還流經(jīng)所述細(xì)胞物質(zhì)的電流小于0.1毫安(mA),這對(duì)細(xì)胞物質(zhì)的生長(zhǎng)無害。流經(jīng)所述測(cè)量電路的電路在圖1中通過字母A示意性地指示。[0042]在所述拾取工具3已經(jīng)接觸所述細(xì)胞物質(zhì)12并且所述微處理器已經(jīng)控制所述定位裝置7以停止所述拾取工具沿所述培養(yǎng)皿的方向的運(yùn)動(dòng)之后,所述微處理器8控制所述定位裝置以使所述拾取工具3的運(yùn)動(dòng)方向,即,從所述細(xì)胞物質(zhì)12中移開所述拾取工具3。
[0043]盡管所述拾取工具3與由所述拾取工具3攜帶的細(xì)胞物質(zhì)可以直接地被轉(zhuǎn)移以便進(jìn)一步處理,但是如現(xiàn)有技術(shù)已知的,目前在本發(fā)明最優(yōu)選的實(shí)施例中,所述微處理器8控制所述定位裝置7的反向運(yùn)動(dòng),使得所述拾取工具3首先遠(yuǎn)離接觸位置朝向檢驗(yàn)位置而移開預(yù)定距離(初始位置和接觸位置的中間)并且被保持在該檢驗(yàn)位置。在該檢驗(yàn)位置下,包含所述拾取工具3和所述環(huán)形支撐體5的測(cè)量電路的振蕩頻率(即,電容)被測(cè)量。在該檢驗(yàn)位置下確定的振蕩頻率偏離初始振蕩頻率(如由比較器21確定)的情況下,所述微處理器8提供警告信號(hào),所述警告信號(hào)指示存在有仍將所述拾取工具3和所述培養(yǎng)基上的細(xì)胞物質(zhì)12連接的線狀細(xì)胞物質(zhì)。該警告信號(hào)可以被提供給操作者,操作者可以采取適當(dāng)?shù)膭?dòng)作。
[0044]然而,因?yàn)橄胍故叭〖?xì)胞物質(zhì)和轉(zhuǎn)移細(xì)胞物質(zhì)盡可能地自動(dòng)化,所以在目前最優(yōu)選的實(shí)施例中,使用了適合于可移除地保持所述拾取工具3的拾取工具保持器2。因此,所述拾取工具保持器2適合于例如利用可移位的指狀物或任何其它適合的裝置來夾持和釋放所述拾取工具3。按照這種方式,所述警告信號(hào)可以被使用以在檢驗(yàn)位置測(cè)量的振蕩頻率(即,電容)與初始振蕩頻率(即,初始電容)不同的情況下從所述拾取工具保持器2釋放所述拾取工具3,使得所述拾取工具3落至所述培養(yǎng)皿4中。然后,所述培養(yǎng)皿4與已經(jīng)掉落到所述培養(yǎng)皿4中的拾取工具3 —起可以通過本身已知的任何適合的自動(dòng)裝置來丟棄。另外,當(dāng)拾取工具保持器適合于可移除地保持所述拾取工具時(shí),每當(dāng)必須從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)時(shí),可以使用新的拾取工具。
[0045]上述測(cè)量裝置是可以在從初始位置朝向培養(yǎng)皿運(yùn)動(dòng)的期間所述拾取工具接觸所述細(xì)胞物質(zhì)時(shí)被用于測(cè)量 電容的變化的許多測(cè)量裝置的一種。本發(fā)明不限于特定裝置,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何測(cè)量裝置可以在本發(fā)明中使用。另外,沒有詳細(xì)地描述所述定位裝置,因?yàn)閷?duì)于該定位裝置而言,適合于使所述拾取工具至少沿垂直尺寸移位的任何已知的裝置可以在本發(fā)明中使用。
[0046]因此,上述組件通常執(zhí)行用于從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法,所述方法順序地包括以下步驟:使拾取工具朝向所述細(xì)胞物質(zhì)移位;確定所述拾取工具和所述細(xì)胞物質(zhì)之間的接觸;以及將所述拾取工具從所述細(xì)胞物質(zhì)移開從而拾取細(xì)胞物質(zhì),其中,確定所述拾取工具和所述細(xì)胞物質(zhì)之間的接觸的步驟通過執(zhí)行電容測(cè)量來執(zhí)行。當(dāng)所測(cè)得的電容偏離初始電容時(shí),所述拾取工具的降低被停止在接觸位置。在拾取工具的接觸位置被測(cè)量的情況下,該確定的位置還可以被微處理器使用以控制用于移動(dòng)所述拾取工具的定位裝置的操作。例如,所述拾取工具可以在不同的速度下被移位,例如,從初始位置以較高的速度開始并且當(dāng)拾取工具接近上一周期的接觸位置時(shí)減小速度。這是可能的,因?yàn)榭梢约僭O(shè)所述培養(yǎng)基的表面通常是水平的。
【權(quán)利要求】
1.用于從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法,所述方法順序地包括以下步驟: 使拾取工具朝向所述細(xì)胞物質(zhì)移位, 確定所述拾取工具和所述細(xì)胞物質(zhì)之間的接觸,以及 將所述拾取工具從所述細(xì)胞物質(zhì)移開從而拾取細(xì)胞物質(zhì),其中,確定所述拾取工具和所述細(xì)胞物質(zhì)之間的接觸的步驟通過執(zhí)行電容測(cè)量進(jìn)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述方法進(jìn)一步包括以下步驟: 將所述培養(yǎng)皿放置到由導(dǎo)電材料制成的支撐體上; 使用由電絕緣材料制成的培養(yǎng)皿; 使用由導(dǎo)電材料制成的拾取工具; 將所述拾取工具放置在遠(yuǎn)高于所述培養(yǎng)皿的初始位置; 在所述拾取工具處于所述初始位置時(shí)測(cè)量由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的初始電容; 沿朝向所述培養(yǎng)皿的方向從所述初始位置降低所述拾取工具; 在降低所述拾取工具期間測(cè)量由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述方法進(jìn)一步包括步驟:當(dāng)所測(cè)得的電容偏離所述初始電容時(shí),在接觸位置下停止降低所述拾取工具。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述方法進(jìn)一步包括步驟:當(dāng)所測(cè)得的電容偏離所述初始電容時(shí),測(cè)量所述拾取工具的接觸位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述方法進(jìn)一步包括以下步驟:將所述拾取工具從所述接觸位置朝向檢驗(yàn)位置移開預(yù)定距離并且將所述拾取工具保持在所述檢驗(yàn)位置;以及在所述檢驗(yàn)位置下測(cè)量由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法,其中,所述方法進(jìn)一步包括提供用于可移除地保持拾取工具的拾取工具保持器,所述拾取工具保持器適合于夾持和釋放拾取工具。
7.根據(jù)權(quán)利要求5和6所述的方法,其中,所述方法進(jìn)一步包括步驟:在所述檢驗(yàn)位置下所測(cè)得的電容不同于所述初始電容的情況下從所述拾取工具保持器釋放所述拾取工具,使得所述拾取工具落入到所述培養(yǎng)皿中;并且所述方法可選地包括丟棄所述培養(yǎng)皿的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或從屬于權(quán)利要求2的權(quán)利要求3-7中任一項(xiàng)所述的方法,其中,所述方法包括:提供導(dǎo)電材料的環(huán)形元件來作為所述由導(dǎo)電材料制成的支撐體的步驟;以及將透明電絕緣材料的元件或?qū)悠瑠A置于所述支撐體和所述培養(yǎng)皿之間的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的方法,其中,所述方法包括使用由導(dǎo)電塑料制成的拾取工具的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的方法,其中,所述方法包括每當(dāng)必須從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)時(shí)使用新的拾取工具的步驟。
11.用于執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的用于從培養(yǎng)皿中的培養(yǎng)基的表面拾取細(xì)胞物質(zhì)的方法的組件,所述組件包括: 拾取工具裝置,所述拾取工具裝置包括導(dǎo)電材料的拾取工具保持器,所述拾取工具保持器以電絕緣的方式被安裝到所述拾取工具裝置上,所述拾取工具保持器保持由導(dǎo)電材料制成的拾取工具,所述拾取工具以導(dǎo)電的方式被所述拾取工具保持器保持; 培養(yǎng)皿,所述培養(yǎng)皿由電絕緣材料制成; 支撐體,所述支撐體由導(dǎo)電材料制成并且用于支撐所述培養(yǎng)皿; 定位裝置,所述定位裝置用于將所述拾取工具定位到所述培養(yǎng)皿上方的初始位置,并且所述定位裝置用于分別朝向所述培養(yǎng)皿降低所述拾取工具以及遠(yuǎn)離所述培養(yǎng)皿提升所述拾取工具; 控制器,所述控制器用于控制所述定位裝置的運(yùn)動(dòng); 測(cè)量裝置,所述測(cè)量裝置用于執(zhí)行電容測(cè)量以便確定由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的電容,所述測(cè)量裝置適合于在所述拾取工具處于初始位置時(shí)確定由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的初始電容并且適合于將代表所述初始電容的信號(hào)提供給所述控制器,所述測(cè)量裝置適合于在朝向所述培養(yǎng)皿降低所述拾取工具時(shí)確定由所述拾取工具和所述支撐體組成的系統(tǒng)的電容并且適合于將代表所測(cè)得的電容的信號(hào)提供給所述控制器; 所述控制器包括比較器,所述比較器用于執(zhí)行降低所述拾取工具期間的電容與所述初始電容的比較并且用于提供指示所述比較的比較信號(hào),所述控制器至少基于所述比較信號(hào)來控制所述定位裝置的運(yùn)動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的組件,其中,所述控制器適合于當(dāng)在降低所述拾取工具期間所測(cè)得的電容偏離所述初始電容時(shí)停止降低所述拾取工具。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的組件,其中,所述拾取工具保持器適合于可移除地保持拾取工具。
14.根據(jù)權(quán)利要求11、12或13所述的組件,其中,所述支撐體為導(dǎo)電材料的環(huán)形元件,并且其中,透明電絕緣材料的元件或?qū)悠粖A置于所述支撐體和所述培養(yǎng)皿之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求11、12、13或14所述的組件,其中,所述拾取工具由導(dǎo)電塑料制成。
【文檔編號(hào)】G01N15/10GK103958661SQ201280058605
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月29日
【發(fā)明者】耶特瑟·博特馬, 馬泰恩·克雷夫斯特拉, 馬泰恩·山大·貝恩特森, 蒂諾·沃爾特·凡德希 申請(qǐng)人:Bd克斯特拉有限公司