一種晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)及方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)及方法，其中所述晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)包括：承載平臺(tái)、激光發(fā)生器、標(biāo)準(zhǔn)圖形板；所述承載平臺(tái)用以承載晶片；所述激光發(fā)生器設(shè)于所述承載平臺(tái)承載的晶片的一側(cè)，用以發(fā)射線(xiàn)狀激光射線(xiàn)照射到所述承載平臺(tái)承載的晶片表面上；所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板設(shè)于所述承載平臺(tái)承載的晶片的另一側(cè)，用以顯現(xiàn)經(jīng)所述晶片折射后的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形。本發(fā)明利用線(xiàn)狀激光射線(xiàn)經(jīng)過(guò)微變形的晶片表面反射時(shí)，在微變形區(qū)域的反射角度會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致反射后得到的線(xiàn)狀鏡像有明顯變化的原理實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶片變形的檢測(cè)，該檢測(cè)方式操作簡(jiǎn)單，準(zhǔn)確率達(dá)到95%以上，大幅度節(jié)省勞動(dòng)成本，縮短了檢測(cè)時(shí)間，提高了檢測(cè)流程的工作效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，為檢驗(yàn)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的可靠性，在生產(chǎn)前會(huì)消耗特定硅片來(lái)測(cè)試機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性和狀況。這類(lèi)特定硅片在使用后需經(jīng)過(guò)特定工藝處理才能恢復(fù)到前期狀況，才能循環(huán)使用，但在處理過(guò)程中，硅片會(huì)發(fā)生熱變形等狀況，如果此類(lèi)硅片進(jìn)入生產(chǎn)線(xiàn)會(huì)造成機(jī)臺(tái)報(bào)警、晶片滑走等狀況。
[0003]在沒(méi)有有效的檢測(cè)設(shè)備之前，晶片在做回收處理過(guò)程中，為防止存在熱變形狀況的晶片進(jìn)入生產(chǎn)線(xiàn)，需要增加3次人工目檢站點(diǎn)，這種方式不但造成大量人力資源的浪費(fèi)，而且由于目檢標(biāo)準(zhǔn)因人而異，還不可避免的發(fā)生遺漏問(wèn)題。
[0004]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展以及與計(jì)算機(jī)技術(shù)的結(jié)合，針對(duì)上述問(wèn)題得出了各種各樣的解決方案，如申請(qǐng)?zhí)枮?00510036191.8的專(zhuān)利文獻(xiàn)提出的基于圖像處理的晶片檢測(cè)系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括基座、晶元盤(pán)和圖像采集卡，其中基座上安裝有X方向步進(jìn)電機(jī)和Y方向步進(jìn)電機(jī)，X方向步進(jìn)電機(jī)和Y方向步進(jìn)電機(jī)分別通過(guò)X方向傳動(dòng)絲桿和Y方向傳動(dòng)絲桿與晶元盤(pán)相連接，晶元盤(pán)上安裝有鏡頭和光源，鏡頭通過(guò)支架與基座相連接，還通過(guò)CCD和數(shù)據(jù)線(xiàn)與PC機(jī)內(nèi)的圖像采集卡相連接，X方向步進(jìn)電機(jī)和Y方向步進(jìn)電機(jī)通過(guò)驅(qū)動(dòng)板卡外接PC機(jī)。當(dāng)晶元盤(pán)每移動(dòng)一個(gè)晶片間距，(XD、鏡頭和光源采集晶片圖像，并將采集信號(hào)通過(guò)圖像采集卡傳輸給PC機(jī)進(jìn)行圖像處理。該系統(tǒng)通過(guò)采集晶片的圖像獲取晶片的信息，對(duì)圖像進(jìn)行檢測(cè)獲取晶元的檢測(cè)結(jié)果。該方案雖然實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶片的自動(dòng)檢測(cè)，但是圖像的采集受背景光、環(huán)境光源以及其他環(huán)境因素影響較大，因此檢測(cè)結(jié)果有一定的誤差。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)及方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中變形晶片不易檢測(cè)剔除的問(wèn)題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)及方法，其中所述晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)包括:承載平臺(tái)、激光發(fā)生器、標(biāo)準(zhǔn)圖形板；所述承載平臺(tái)用以承載晶片；所述激光發(fā)生器設(shè)于所述承載平臺(tái)承載的晶片的一側(cè)，用以發(fā)射線(xiàn)狀激光射線(xiàn)照射到所述承載平臺(tái)承載的晶片表面上；所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板設(shè)于所述承載平臺(tái)承載的晶片的另一側(cè)，用以顯現(xiàn)經(jīng)所述晶片折射后的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形。
[0007]優(yōu)選地，所述激光發(fā)生器架設(shè)于所述承載平臺(tái)上，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板設(shè)于所述承載平臺(tái)上與所述激光發(fā)生器正對(duì)的位置處。
[0008]優(yōu)選地，所述激光發(fā)生器發(fā)射的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的入射角為30?40度；所述線(xiàn)狀激光射線(xiàn)為十字激光射線(xiàn)。
[0009]優(yōu)選地，所述激光發(fā)生器架設(shè)于所述承載平臺(tái)的一側(cè)，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板設(shè)于所述承載平臺(tái)的另一側(cè)且與所述激光發(fā)生器正對(duì)。[0010]優(yōu)選地，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板上設(shè)有基準(zhǔn)圖形；當(dāng)所述線(xiàn)性激光射線(xiàn)為十字激光射線(xiàn)時(shí)，所述基準(zhǔn)圖形為等距離橫縱線(xiàn)。
[0011]所述檢測(cè)方法包括:檢測(cè)經(jīng)晶片反射的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影是否發(fā)生變形，若未發(fā)生變形則表示該晶片沒(méi)有變形，否則表示該晶片已變形。
[0012]優(yōu)選地，采用承載平臺(tái)固定承載所述晶片；采用激光發(fā)生器發(fā)射所述線(xiàn)狀激光射線(xiàn)；采用標(biāo)準(zhǔn)圖形板顯示經(jīng)過(guò)反射的線(xiàn)性激光射線(xiàn)的投影中顯示的線(xiàn)性激光線(xiàn)是否發(fā)生變形，若未發(fā)生變形則表示該晶片沒(méi)有變形，否則表示該晶片已變形。
[0013]優(yōu)選地，所述線(xiàn)狀激光射線(xiàn)為十字激光射線(xiàn)，若所述十字激光射線(xiàn)的投影中顯示的兩條直線(xiàn)垂直，則表示該晶片沒(méi)有變形；若投影中的兩條直線(xiàn)不垂直，則表示該晶片已變形。
[0014]優(yōu)選地，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板上設(shè)有能夠直觀衡量投影中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形的基準(zhǔn)圖形；當(dāng)所述線(xiàn)性激光射線(xiàn)為十字激光射線(xiàn)時(shí)，所述基準(zhǔn)圖形為等距離橫縱線(xiàn)。
[0015]優(yōu)選地，所述線(xiàn)性激光射線(xiàn)的入射角根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板與所述晶片的距離變化而調(diào)節(jié)，所述入射角大于O度小于90度。
[0016]如上所述，本發(fā)明所述的晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)及方法，具有以下有益效果:本發(fā)明利用線(xiàn)狀激光射線(xiàn)經(jīng)過(guò)微變形的晶片表面反射時(shí)，在微變形區(qū)域的反射角度會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致反射后得到的線(xiàn)狀鏡像有明顯變化的原理實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶片變形的檢測(cè)，該檢測(cè)方式操作簡(jiǎn)單，準(zhǔn)確率達(dá)到95%以上，大幅度節(jié)省勞動(dòng)成本，縮短了檢測(cè)時(shí)間，提高了檢測(cè)流程的工作效率。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1a為本發(fā)明所述的晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖1b為本發(fā)明所述的十字激光射線(xiàn)的投影未發(fā)生變形的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖1c為本發(fā)明所述的十字激光射線(xiàn)的投影發(fā)生變形的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2a為本發(fā)明所述的晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2b為本發(fā)明所述的十字激光射線(xiàn)的投影未發(fā)生變形的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2c為本發(fā)明所述的十字激光射線(xiàn)的投影發(fā)生變形的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖3為本發(fā)明所述的晶片變形檢測(cè)方法的流程示意圖。
[0024]圖4為采用圖1a所示結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所述的晶片變形檢測(cè)方法的流程示意圖。
[0025]元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0026]11,21承載平臺(tái)
[0027]12,22激光發(fā)生器
[0028]13、23標(biāo)準(zhǔn)圖形板
[0029]14、24晶片
[0030]15、25線(xiàn)狀激光射線(xiàn)
[0031]16、26投影
[0032]17、27基準(zhǔn)圖形
【具體實(shí)施方式】[0033]以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0034]請(qǐng)參閱附圖。須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語(yǔ)，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0035]實(shí)施例
[0036]本實(shí)施例提供一種晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)，如圖1a所示，該系統(tǒng)包括:承載平臺(tái)11、激光發(fā)生器12、標(biāo)準(zhǔn)圖形板13 ;所述承載平臺(tái)11用以承載晶片14 ;所述激光發(fā)生器12設(shè)于所述承載平臺(tái)11承載的晶片14的一側(cè)，用以發(fā)射線(xiàn)狀激光射線(xiàn)15 (激光波長(zhǎng)可為635nm)照射到所述承載平臺(tái)11承載的晶片14表面上；所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板13設(shè)于所述承載平臺(tái)11承載的晶片14的另一側(cè)，用以顯現(xiàn)經(jīng)所述晶片14折射后的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影16中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形。所述激光發(fā)生器12架設(shè)于所述承載平臺(tái)11上，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板13設(shè)于所述承載平臺(tái)11上與所述激光發(fā)生器正對(duì)的位置處。所述激光發(fā)生器12發(fā)射的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)15的入射角根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板13與所述晶片14的距離變化而調(diào)節(jié)，選擇范圍在O?90度之間，可優(yōu)選30?40度。
[0037]如圖lb、lc所示，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板13上設(shè)有基準(zhǔn)圖形17，根據(jù)該基準(zhǔn)圖形17可直觀判斷所述投影16中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形，若未發(fā)生變形則表示該晶片14的表面沒(méi)有發(fā)生彎曲，否則表示該晶片14的表面存在彎曲。進(jìn)一步，當(dāng)所述線(xiàn)性激光射線(xiàn)15為十字激光射線(xiàn)時(shí)，所述基準(zhǔn)圖形17為等距離橫縱線(xiàn)。若所述十字激光射線(xiàn)的投影中顯示的兩條直線(xiàn)垂直，則表示該晶片沒(méi)有變形；若投影中的兩條直線(xiàn)不垂直，則表示該晶片已變形。該等距離橫縱線(xiàn)的存在可更準(zhǔn)確直觀地幫助判斷投影中顯示的兩條直線(xiàn)是否垂直。
[0038]如圖2a所示，所述晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)包括:承載平臺(tái)21、激光發(fā)生器22、標(biāo)準(zhǔn)圖形板23 ;所述激光發(fā)生器22架設(shè)于所述承載平臺(tái)21的一側(cè)，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板23設(shè)于所述承載平臺(tái)21的另一側(cè)且與所述激光發(fā)生器22正對(duì)。所述激光發(fā)生器22發(fā)射線(xiàn)狀激光射線(xiàn)25 (激光波長(zhǎng)可為635nm)照射到所述承載平臺(tái)21承載的晶片24表面上；所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板23顯現(xiàn)經(jīng)所述晶片14折射后的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影26。所述激光發(fā)生器22發(fā)射的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)25的入射角根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板23與所述晶片24的距離變化而調(diào)節(jié)，選擇范圍在O?90度之間，可優(yōu)選30?40度。
[0039]如圖2b、2c所示，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板23上設(shè)有基準(zhǔn)圖形27，根據(jù)該基準(zhǔn)圖形27可直觀判斷所述投影26中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形，若未發(fā)生變形則表示該晶片24的表面沒(méi)有發(fā)生彎曲，否則表示該晶片24的表面存在彎曲。
[0040]進(jìn)一步，當(dāng)所述線(xiàn)性激光射線(xiàn)25為十字激光射線(xiàn)時(shí)，所述基準(zhǔn)圖形27為等距離橫縱線(xiàn)。若所述十字激光射線(xiàn)的投影中顯示的兩條直線(xiàn)垂直，則表示該晶片沒(méi)有變形；若投影中的兩條直線(xiàn)不垂直，則表示該晶片已變形。該等距離橫縱線(xiàn)的存在可更準(zhǔn)確直觀地幫助判斷投影中顯示的兩條直線(xiàn)是否垂直。[0041]本發(fā)明中，所述晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)可以如圖1a所示，將激光發(fā)生器2和標(biāo)準(zhǔn)圖形板3都架設(shè)于所述承載平臺(tái)I上，也可以如圖2a所示，將激光發(fā)生器2和標(biāo)準(zhǔn)圖形板3都架設(shè)于所述承載平臺(tái)I外部，不論承載平臺(tái)1、激光發(fā)生器2以及標(biāo)準(zhǔn)圖形板3三者之間的位置關(guān)系如何，只要其滿(mǎn)足利用經(jīng)晶片反射的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影是否發(fā)生變形這一工作原理來(lái)檢測(cè)晶片的表面是否發(fā)生彎曲，那么該結(jié)構(gòu)都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0042]本發(fā)明還提供一種晶片變形檢測(cè)方法，如圖3所示，該檢測(cè)方法包括:檢測(cè)經(jīng)晶片反射的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形，若未發(fā)生變形則表示該晶片沒(méi)有變形，否則表示該晶片已變形。本發(fā)明所述的晶片變形檢測(cè)方法可以由圖la、圖2a所示的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，可以由其他類(lèi)型的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，本發(fā)明所述的晶片變形檢測(cè)方法的保護(hù)范圍不受其實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的限制，凡是利用本發(fā)明所述的晶片變形檢測(cè)方法進(jìn)行晶片變形檢測(cè)的過(guò)程均包括在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0043]以圖1a所示的晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)為例，具體說(shuō)明由圖1a所示的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明所述的檢測(cè)方法的過(guò)程，如圖4所示，該過(guò)程包括:
[0044]采用承載平臺(tái)11固定承載一晶片14。
[0045]采用激光發(fā)生器12發(fā)射線(xiàn)狀激光射線(xiàn)15照射到所述晶片的表面。
[0046]采用標(biāo)準(zhǔn)圖形板13顯示經(jīng)過(guò)反射的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影16中顯示的線(xiàn)性激光線(xiàn)是否發(fā)生變形，若未發(fā)生變形則表示該晶片14沒(méi)有變形，否則表示該晶片14已變形。
[0047]進(jìn)一步，所述線(xiàn)狀激光射線(xiàn)15為十字激光射線(xiàn)，若所述十字激光射線(xiàn)的投影中顯示的兩條直線(xiàn)垂直，則表示該晶片沒(méi)有變形；若投影中的兩條直線(xiàn)不垂直，則表示該晶片已變形。
[0048]所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板13上設(shè)有能夠直觀衡量投影中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形的基準(zhǔn)圖形17 ;根據(jù)該基準(zhǔn)圖形17可以更準(zhǔn)確更直觀地判斷出投影16中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形。當(dāng)所述線(xiàn)性激光射線(xiàn)15為十字激光射線(xiàn)時(shí)，所述基準(zhǔn)圖形17為等距離橫縱線(xiàn)。
[0049]所述線(xiàn)狀激光射線(xiàn)15的入射角可以根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板13與所述晶片14的距離的變化而調(diào)節(jié)，所述入射角的調(diào)節(jié)范圍為大于O度小于90度。在實(shí)際應(yīng)用中，可優(yōu)選30?40度。
[0050]本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)原理為:線(xiàn)狀激光射線(xiàn)經(jīng)過(guò)微變形的晶片表面反射時(shí)，在微變形區(qū)域的反射角度會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致反射后得到的線(xiàn)狀鏡像有明顯變化，且隨著線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的入射角度的加大，這種鏡像變形程度也同時(shí)變大，對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)圖形板上的基準(zhǔn)圖形就可以快速準(zhǔn)確的判斷晶片的熱變形狀況。本發(fā)明在實(shí)際應(yīng)用中的準(zhǔn)確率達(dá)到95%，應(yīng)用本發(fā)明后，原本3人輪流作業(yè)的工作現(xiàn)在可由I人完成，人員工作效率大幅度增加。
[0051]本發(fā)明所述的晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)及檢測(cè)方法可應(yīng)用在硅片的回收工藝過(guò)程中，快速剔除狀況異常的硅片，避免不必要的死機(jī)。
[0052]綜上所述，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0053]上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)包括: 承載平臺(tái)，用以承載晶片； 激光發(fā)生器，設(shè)于所述承載平臺(tái)承載的晶片的一側(cè)，用以發(fā)射線(xiàn)狀激光射線(xiàn)照射到所述承載平臺(tái)承載的晶片表面上； 標(biāo)準(zhǔn)圖形板，設(shè)于所述承載平臺(tái)承載的晶片的另一側(cè)，用以顯現(xiàn)經(jīng)所述晶片折射后的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于:所述激光發(fā)生器架設(shè)于所述承載平臺(tái)上，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板設(shè)于所述承載平臺(tái)上與所述激光發(fā)生器正對(duì)的位置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于:所述激光發(fā)生器發(fā)射的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的入射角為30?40度；所述線(xiàn)狀激光射線(xiàn)為十字激光射線(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于:所述激光發(fā)生器架設(shè)于所述承載平臺(tái)的一側(cè)，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板設(shè)于所述承載平臺(tái)的另一側(cè)且與所述激光發(fā)生器正對(duì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的晶片變形檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于:所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板上設(shè)有基準(zhǔn)圖形；當(dāng)所述線(xiàn)性激光射線(xiàn)為十字激光射線(xiàn)時(shí)，所述基準(zhǔn)圖形為等距離橫縱線(xiàn)。
6.一種晶片變形檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)方法包括: 檢測(cè)經(jīng)晶片反射的線(xiàn)狀激光射線(xiàn)的投影中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形，若未發(fā)生變形則表示該晶片沒(méi)有變形，否則表示該晶片已變形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片變形檢測(cè)方法，其特征在于: 采用承載平臺(tái)固定承載所述晶片； 采用激光發(fā)生器發(fā)射所述線(xiàn)狀激光射線(xiàn)； 采用標(biāo)準(zhǔn)圖形板顯示經(jīng)過(guò)反射的線(xiàn)性激光射線(xiàn)的投影中顯示的線(xiàn)性激光線(xiàn)是否發(fā)生變形，若未發(fā)生變形則表示該晶片沒(méi)有變形，否則表示該晶片已變形。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的晶片變形檢測(cè)方法，其特征在于:所述線(xiàn)狀激光射線(xiàn)為十字激光射線(xiàn)，若所述十字激光射線(xiàn)的投影中顯示的兩條直線(xiàn)垂直，則表示該晶片沒(méi)有變形；若投影中的兩條直線(xiàn)不垂直，則表示該晶片已變形。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片變形檢測(cè)方法，其特征在于:所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板上設(shè)有能夠直觀衡量投影中的直線(xiàn)是否發(fā)生變形的基準(zhǔn)圖形；當(dāng)所述線(xiàn)性激光射線(xiàn)為十字激光射線(xiàn)時(shí)，所述基準(zhǔn)圖形為等距離橫縱線(xiàn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片變形檢測(cè)方法，其特征在于:所述線(xiàn)性激光射線(xiàn)的入射角根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)圖形板與所述晶片的距離變化而調(diào)節(jié)，所述入射角大于O度小于90度。
【文檔編號(hào)】G01B11/16GK103925886SQ201310015071
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年1月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月15日
【發(fā)明者】張恒輝, 湯敬計(jì), 林佳佳 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司