專(zhuān)利名稱(chēng)：集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器及其檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微光電子機(jī)械系統(tǒng)(MOEMS)加速度傳感器領(lǐng)域，尤其涉及一種集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器。
背景技術(shù)：
微機(jī)械加速度傳感器(Micro-machined Acceleration Sensor)是微機(jī)電系統(tǒng)具有代表性的器件之一，它具有體積小、質(zhì)量輕、易集成的特點(diǎn)，是微型慣性測(cè)量組合的核心器件。例如，專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)為CN101788570A的專(zhuān)利文獻(xiàn)公開(kāi)了一種三明治型光學(xué)微機(jī)械加速度傳感器及其方法。它包括:激光光源、分光棱鏡、第一光電探測(cè)器、第一娃基底、第二硅基底、第一亞波長(zhǎng)光柵、彈性梁、位移執(zhí)行器、第二光電探測(cè)器、質(zhì)量塊、第二亞波長(zhǎng)光柵等。光從激光光源發(fā)出，通過(guò)擴(kuò)束透鏡組、分光棱鏡產(chǎn)生兩路激光，一路激光通過(guò)聚焦透鏡組，照射到第一光電探測(cè)器上；另一路激光通過(guò)分光棱鏡、玻璃基底、第一亞波長(zhǎng)光柵、第二亞波長(zhǎng)光柵，由第二光電探測(cè)器接收。隨著微機(jī)械加速度計(jì)性能的提高，應(yīng)用不斷向高精度領(lǐng)域發(fā)展。微加速度傳感器是武器裝備所需的關(guān)鍵傳感器之一，具有廣闊的軍事運(yùn)用前景。已有文獻(xiàn)報(bào)道將微加速度傳感器與微陀螺運(yùn)用于增程制導(dǎo)彈藥(ERGM)上，能有效改善彈藥的戰(zhàn)斗性能，但目前大部分微機(jī)械加速度傳感器的精度不高，不能適應(yīng)軍事裝備發(fā)展的需求。目前，隨著對(duì)微機(jī)械加速度傳感器性能要求的提高，特別是中高精度微加速度傳感器應(yīng)用需求的不斷擴(kuò)展，與光學(xué)測(cè)量和微光學(xué)技術(shù)相結(jié)合的高精度微光機(jī)電加速度傳感器的研究成為了 一個(gè)重要發(fā)展方向。例如，專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)為CN102759635A的專(zhuān)利文獻(xiàn)公開(kāi)了一種基于集成光柵壓電調(diào)制的微光學(xué)加速度傳感器及其方法，微光學(xué)加速度傳感器包括外殼，外殼內(nèi)設(shè)有沿光路依次布置的光源和光柵，所述外殼內(nèi)沿光路還設(shè)有底座、位于底座與光柵之間且滑動(dòng)安裝在所述外殼內(nèi)的MEMS傳感機(jī)構(gòu)和位于所述光柵與MEMS傳感機(jī)構(gòu)之間且一面固定在所述光柵上的壓電陶瓷部件，所述MEMS傳感機(jī)構(gòu)包括質(zhì)量塊和連接所述質(zhì)量塊的懸臂梁，所述質(zhì)量塊朝向所述光柵的一面為鍍有金屬鋁膜的反射面。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種高檢測(cè)精度和抗外界干擾強(qiáng)的集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器及其檢測(cè)方法。—種集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器，包括外殼，外殼內(nèi)設(shè)有沿光路依次布置的光源、光柵和MEMS傳感機(jī)構(gòu)，所述MEMS傳感機(jī)構(gòu)包括質(zhì)量塊和連接所述質(zhì)量塊的懸臂梁，所述質(zhì)量塊朝向光柵的一面為光反射面，還設(shè)有用于檢測(cè)干涉光束光強(qiáng)的光電探測(cè)器，所述的干涉光束為被光柵反射的光束和被光反射面反射的光束發(fā)生干涉形成；所述光柵和MEMS傳感機(jī)構(gòu)之間設(shè)有用于對(duì)所述光反射面出射光束進(jìn)行位相調(diào)制的電光晶體，還設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)所述電光晶體產(chǎn)生電光效應(yīng)的電壓驅(qū)動(dòng)模塊，以及根據(jù)所述光電探測(cè)器的信號(hào)得到相應(yīng)的加速度的信號(hào)處理模塊。所述光源優(yōu)選為垂直腔表面發(fā)射激光器，垂直腔表面發(fā)射激光器是一種低成本、高性能的特定波長(zhǎng)光源，具有測(cè)試簡(jiǎn)單、易耦舍以及易形成陣列等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。所述的MEMS傳感機(jī)構(gòu)還包括一矩形框，所述質(zhì)量塊位于矩形框的中部，所述懸臂梁連接在所述質(zhì)量塊和矩形框之間。述質(zhì)量塊位于矩形框的中心部位，以便于質(zhì)量塊的穩(wěn)固安放，所述質(zhì)量塊可以為矩形或圓形；懸臂梁和質(zhì)量塊的頂面處于同一平面，以保證光反射面的唯一性。所述光電探測(cè)器為光電二極管，光電二級(jí)管和電壓驅(qū)動(dòng)模塊均與信號(hào)處理模塊連接，信號(hào)處理模塊一方面通過(guò)控制電壓驅(qū)動(dòng)模塊來(lái)使電光晶體產(chǎn)生電光效應(yīng)，另一方面用于接收光電探測(cè)器收集的信息，信號(hào)處理模塊通過(guò)分析對(duì)比光電探測(cè)器所反饋的信息計(jì)算出質(zhì)量塊的位移量，所述信號(hào)處理模塊優(yōu)選為鎖相放大差分處理電路。所述外殼包括用于支撐MEMS傳感機(jī)構(gòu)的底座，所述底座帶有與所述質(zhì)量塊相適應(yīng)的容納腔，在有外界加速度作用下時(shí)，容納腔為質(zhì)量塊提供位移變化的空間。所述電光晶體的上下面均鍍有ITO透明導(dǎo)電膜，所述電壓驅(qū)動(dòng)模塊與ITO透明導(dǎo)電膜連接。電壓驅(qū)動(dòng)模塊向ITO透明導(dǎo)電膜輸出電壓，電光晶體在電場(chǎng)的作用下發(fā)生電光效應(yīng)，對(duì)透過(guò)電光晶體的光束進(jìn)行位相調(diào)制。所述光柵為鍍?cè)O(shè)在電光晶體頂面的金屬薄膜鉻，并采用電子束曝光制作而成的金屬光柵。本發(fā)明的微光學(xué)加速度傳感器工作過(guò)程如下:垂直腔表面發(fā)射激光器發(fā)出相干光束入射到金屬光柵上時(shí)，一部分光由光柵條直接反射，形成多級(jí)次的衍射光束；另一部分穿過(guò)光柵間隙透過(guò)電光晶體照射到質(zhì)量塊的光反射面，然后反射回來(lái)透過(guò)電光晶體，經(jīng)過(guò)光柵形成多級(jí)次的衍射光束；這兩部分相同級(jí)次的衍射光束產(chǎn)生干涉，干涉信號(hào)的強(qiáng)度被光電探測(cè)器收集。當(dāng)有外界加速度作用時(shí)，懸臂梁帶動(dòng)質(zhì)量塊發(fā)生位移時(shí)，光柵與質(zhì)量塊之間的距離發(fā)生變化，從而干涉信號(hào)的強(qiáng)度發(fā)生變化。電光晶體在電壓驅(qū)動(dòng)模塊的驅(qū)動(dòng)下產(chǎn)生電光效應(yīng)，使透過(guò)電光晶體的光束的位相產(chǎn)生變化，產(chǎn)生位相調(diào)制，通過(guò)檢測(cè)兩個(gè)不同級(jí)次衍射光強(qiáng)的信號(hào)，通過(guò)鎖相放大和差分技術(shù)可精確得到光柵和質(zhì)量塊之間的距離的變化，由此位移變化即可測(cè)得加速度的大小。本發(fā)明還提供了一種利用上述微光學(xué)加速度傳感器的檢測(cè)方法，包括:I)光源出射光束經(jīng)過(guò)光柵后投射到質(zhì)量塊的光反射面，被光柵反射的衍射光束和被光反射面反射經(jīng)過(guò)光柵產(chǎn)生的同級(jí)次衍射光束發(fā)生干涉，通過(guò)光電探測(cè)器測(cè)得干涉光束的第一強(qiáng)度信號(hào)；2)在有外界加速度作用時(shí)，質(zhì)量塊發(fā)生位移，光源出射光束經(jīng)過(guò)光柵后投射到質(zhì)量塊的光反射面，被光柵反射的衍射光束和被光反射面反射經(jīng)過(guò)光柵產(chǎn)生的同級(jí)次衍射光束發(fā)生干涉，然后通過(guò)光電探測(cè)器測(cè)得干涉光束的第二強(qiáng)度信號(hào)；3)對(duì)比兩次檢測(cè)到的干涉光束的強(qiáng)度信號(hào)，通過(guò)鎖相放大和差分技術(shù)得到質(zhì)量塊的位移量；4)根據(jù)質(zhì)量塊的位移量計(jì)算出加速度。
本發(fā)明將光柵干涉技術(shù)與MEMS結(jié)合，通過(guò)測(cè)量由外界加速度引起的光強(qiáng)變化，進(jìn)而可測(cè)得加速度。當(dāng)有相干光束入射到金屬光柵上時(shí)，一部分光由光柵條直接反射；另一部分通過(guò)光柵間隙照射到質(zhì)量塊的反射面，然后反射回來(lái)，這兩部分光干涉形成多級(jí)衍射光斑。本發(fā)明中的光柵與質(zhì)量塊組合構(gòu)成的結(jié)構(gòu)可等效為光柵光閥結(jié)構(gòu)，即構(gòu)成一個(gè)反射式相位光柵，金屬光柵為固定部分，質(zhì)量塊為可動(dòng)部分，可動(dòng)部分與固定部分之間的高度差改變即可影響各級(jí)次的衍射光強(qiáng)。以I級(jí)衍射光為例，其光強(qiáng)與位移的關(guān)系為:I=(4Iin/3i2) X sin2 (2 π d/λ ) (I)式中:Iin為入射光功率；d為金屬光柵與質(zhì)量塊之間的距離；λ為入射光的波長(zhǎng)。由式(I)可見(jiàn)，I級(jí)衍射光強(qiáng)隨位移d呈正弦變化，衍射光強(qiáng)通過(guò)光電二極管轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)，通過(guò)檢測(cè)光強(qiáng)變化，就可以得到位移變化，進(jìn)而可測(cè)量加速度。本發(fā)明的有益效果是:引入電光晶體作為調(diào)制器件，能夠大大提高傳感器的探測(cè)靈敏度；通過(guò)探測(cè)兩個(gè)不同級(jí)次衍射光強(qiáng)信號(hào)，采用鎖相放大和差分處理，降低電路噪聲，提聞系統(tǒng)測(cè)量精度。


圖1為本發(fā)明的微光學(xué)加速度傳感器的結(jié)構(gòu)總體圖。圖2和圖3為本發(fā)明的微光學(xué)加速度傳感器的原理示意圖。圖4為本發(fā)明金屬光柵的俯視圖。圖5為本發(fā)明電光晶體的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本發(fā)明MEMS傳感機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為信號(hào)調(diào)解原理圖。圖中，垂直腔表面發(fā)射激光器1、金屬光柵2、懸臂梁3、質(zhì)量塊4、電光晶體5、光電二極管6、光電二極管7、鎖相放大差分處理電路8、電壓驅(qū)動(dòng)模塊9、底座10、外殼11。
具體實(shí)施例方式如圖1所不,是本發(fā)明的微光學(xué)加速度傳感器,包括外殼11,位于外殼11底部的底座10，底座10上方設(shè)置有帶質(zhì)量塊4和懸臂梁3的MEMS傳感機(jī)構(gòu)，MEMS傳感機(jī)構(gòu)安裝在外殼11內(nèi)，底座10帶有與質(zhì)量塊4相適應(yīng)的容納腔，該容納腔為質(zhì)量塊4的位移變化提供空間，在MEMS傳感機(jī)構(gòu)上方設(shè)置金屬光柵2,金屬光柵2和MEMS傳感機(jī)構(gòu)之間設(shè)有電光晶體5,在金屬光柵2的上方及外殼11內(nèi)壁的頂部設(shè)置有垂直腔表面發(fā)射激光器1、光電二極管6和光電二極管7 ;如圖2和圖3所不,光電二極管6、光電二極管7和電壓驅(qū)動(dòng)模塊9均與鎖相放大差分處理電路8連接。如圖4所示，本發(fā)明中采用的金屬光柵的周期為2 μ m,即光柵條寬度為I μ m,間隙為I μ m。如圖5所示，電光晶體(如鈮酸鋰或者是鉭酸鋰)片的a面和b面各鍍上一層ITO透明導(dǎo)電膜作為電極，電壓驅(qū)動(dòng)模塊9為兩個(gè)電極提供電壓。本發(fā)明采用鍍膜和電子束刻蝕工藝，在電光晶體上制作金屬光柵使光柵與電光晶體作為一個(gè)整體形成調(diào)制測(cè)量部件，具體的由以下內(nèi)容實(shí)現(xiàn):首先在電光晶體(如鈮酸鋰或者是鉭酸鋰)的上下兩個(gè)面各鍍上一層ITO透明導(dǎo)電膜作為電極，然后在其中一面鍍金屬薄膜鉻Cr，通過(guò)電子束曝光制作出金屬光柵。MEMS傳感機(jī)構(gòu)通過(guò)體硅濕法刻蝕和ICP刻蝕加工出懸臂梁3和質(zhì)量塊4，如圖6所示，且懸臂梁3及質(zhì)量塊4的一面鍍有金屬Al薄膜，該面即為光反射面。MEMS傳感機(jī)構(gòu)采用“三明治”結(jié)構(gòu)的SOI (silicon on insulator)材料,該SOI基片最上層的單晶娃薄膜的厚度為10 μ m，中間的氧化層SiO2厚度為I μ m左右。質(zhì)量塊和懸臂梁的設(shè)計(jì)參數(shù)為:質(zhì)量塊的厚度為即為SOI基片的總厚度，形狀為圓形，直徑為3mm;懸臂梁的厚度為SOI上層單晶硅薄膜的厚度，即1(^111左右，長(zhǎng)寬為211111^0.3.!?？紤]到MEMS傳感機(jī)構(gòu)中質(zhì)量塊和懸臂梁的厚度不等，質(zhì)量塊的厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于懸臂梁的厚度，因此需要采用深硅ICP刻蝕工藝。本發(fā)明中采用的垂直腔表面發(fā)射激光器的功率為lmW，波長(zhǎng)為850nm，由恒功率電路驅(qū)動(dòng)；采用的光電二極管可探測(cè)的最小光電流為0.1nA,響應(yīng)靈敏度為0.6A/W。本發(fā)明的工作過(guò)程:垂直腔表面發(fā)射激光器I發(fā)出相干光束入射到金屬光柵2上時(shí),一部分光由金屬光柵2條直接反射，形成多級(jí)次的衍射光束；另一部分穿過(guò)金屬光柵2間隙透過(guò)電光晶體5照射到質(zhì)量塊4的光反射面，然后反射回來(lái)透過(guò)電光晶體5，經(jīng)過(guò)金屬光柵形成多級(jí)次的衍射光束；這兩部分相同級(jí)次的衍射光束產(chǎn)生干涉，干涉信號(hào)的強(qiáng)度被光電二極管6和光電二極管7收集；當(dāng)有外界加速度作用時(shí)，在慣性的作用下，懸臂梁3帶動(dòng)質(zhì)量塊4發(fā)生位移時(shí)，金屬光柵2與質(zhì)量塊4之間的距離發(fā)生變化，從而干涉信號(hào)的強(qiáng)度發(fā)生變化。電光晶體5在電壓驅(qū)動(dòng)模塊9的驅(qū)動(dòng)下產(chǎn)生電光效應(yīng)，使透過(guò)電光晶體5的光束的位相產(chǎn)生變化，產(chǎn)生位相調(diào)制，通過(guò)光電二極管6和光電二極管7收集這兩個(gè)不同級(jí)次衍射產(chǎn)生的干涉信號(hào)的強(qiáng)度；將兩次收集到的干涉信號(hào)的強(qiáng)度進(jìn)行對(duì)比分析，并通過(guò)鎖相放大和差分技術(shù)可精確得到光柵和質(zhì)量塊之間的 距離的變化，由此位移變化即可測(cè)得加速度的大小。本發(fā)明中的金屬光柵與質(zhì)量塊組合構(gòu)成的結(jié)構(gòu)可等效為光柵光閥結(jié)構(gòu)，即構(gòu)成一個(gè)反射式相位光柵，金屬光柵為固定部分，質(zhì)量塊為可動(dòng)部分，可動(dòng)部分與固定部分之間的高度差改變即可影響各級(jí)次的衍射光強(qiáng)。以I級(jí)衍射光為例，其光強(qiáng)與位移的關(guān)系為:I= (4Iin/ Ji2) X sin2 (2 π d/ λ ) (I)式中:Iin為入射光功率；d為金屬光柵與質(zhì)量塊之間的距離；λ為入射光的波長(zhǎng)。由式(I)可見(jiàn)，I級(jí)衍射光強(qiáng)隨位移d呈正弦變化，如圖7所示，b為位相調(diào)制信號(hào)，a為經(jīng)過(guò)調(diào)制后光電探測(cè)器探測(cè)到的交流信號(hào)，交流信號(hào)的幅值就是被測(cè)信號(hào)的大小。衍射光強(qiáng)通過(guò)光電二極管轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)，通過(guò)檢測(cè)光強(qiáng)變化，就可以得到位移變化，進(jìn)而可測(cè)量加速度。式(I)給出了一級(jí)衍射光強(qiáng)I與金屬光柵和質(zhì)量塊之間的距離d關(guān)系，則光強(qiáng)I對(duì)位移d的I階導(dǎo)數(shù)為a//ad = (8Iin/3T λ) Xsin(4 3id/A)可見(jiàn)，當(dāng)d等于λ /8的奇數(shù)倍時(shí)，光強(qiáng)對(duì)位移的靈敏度最大。因而，本發(fā)明中，令d的初始值Cltl為λ/8的奇數(shù)倍。當(dāng)有外界加速度作用時(shí)，一級(jí)衍射光的光強(qiáng)將發(fā)生改變，探測(cè)光強(qiáng)即可得到加速度。為使光強(qiáng)對(duì)位移的變化最為靈敏，通過(guò)加入電光晶體驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)進(jìn)行位相調(diào)制，可以大大提高檢測(cè)靈敏度。本發(fā)明的微光學(xué)加速度傳感器的靈敏度:由式(I)可知，假定初始質(zhì)量塊與光柵之間的距離(1=λ/2，對(duì)應(yīng)的光電流為O。當(dāng)光電流為0.1nA時(shí)，對(duì)應(yīng)的位移d為0.0868nm。本發(fā)明所采用的MEMS傳感機(jī)構(gòu)，Ig的加速度引起的質(zhì)量塊發(fā)生的最大位移改變量約為20 μ m,因而，對(duì)應(yīng)Inm的位移該變量測(cè)得的加速度約為4.34 μ g，即靈敏度在μ g量級(jí)。
權(quán)利要求
1.一種集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器，包括外殼，外殼內(nèi)設(shè)有沿光路依次布置的光源、光柵和MEMS傳感機(jī)構(gòu)，所述MEMS傳感機(jī)構(gòu)包括質(zhì)量塊和連接所述質(zhì)量塊的懸臂梁，所述質(zhì)量塊朝向光柵的一面為光反射面，還設(shè)有用于檢測(cè)干涉光束光強(qiáng)的光電探測(cè)器，所述的干涉光束為被光柵反射的光束和被光反射面反射的光束發(fā)生干涉形成；其特征在于，所述光柵和MEMS傳感機(jī)構(gòu)之間設(shè)有用于對(duì)所述光反射面出射光束進(jìn)行位相調(diào)制的電光晶體，還設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)所述電光晶體產(chǎn)生電光效應(yīng)的電壓驅(qū)動(dòng)模塊，以及根據(jù)所述光電探測(cè)器的信號(hào)得到相應(yīng)的加速度的信號(hào)處理模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器，其特征在于，所述的MEMS傳感機(jī)構(gòu)還包括一矩形框，所述質(zhì)量塊位于矩形框的中部，所述懸臂梁連接在所述質(zhì)量塊和矩形框之間。
3.如權(quán)利要求1所述的集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器，其特征在于，所述光電探測(cè)器為光電二極管。
4.如權(quán)利要求1所述的集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器，其特征在于，所述外殼包括用于支撐MEMS傳感機(jī)構(gòu)的底座，所述底座帶有與所述質(zhì)量塊相適應(yīng)的容納腔。
5.如權(quán)利要求4所述的集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器,其特征在于，所述電光晶體的上下面均鍍有ITO透明導(dǎo)電膜，所述電壓驅(qū)動(dòng)模塊與ITO透明導(dǎo)電膜連接。
6.如權(quán)利要求1所述的集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器，其特征在于，所述光柵為鍍?cè)O(shè)在電光晶體頂面的金屬薄膜鉻，并采用電子束曝光制作而成的金屬光柵。
7.一種利用權(quán)利要求1所述微光學(xué)加速度傳感器的檢測(cè)方法，其特征在于，包括: O光源出射光束經(jīng)過(guò)光柵后投射到質(zhì)量塊的光反射面，被光柵反射的衍射光束和被光反射面反射經(jīng)過(guò)光柵產(chǎn)生的同級(jí)次衍射光束發(fā)生干涉，通過(guò)光電探測(cè)器測(cè)得干涉光束的第一強(qiáng)度信號(hào)； 2)在有外界加速度作用時(shí)，質(zhì)量塊發(fā)生位移，光源出射光束經(jīng)過(guò)光柵后投射到質(zhì)量塊的光反射面，被光柵反射的衍射光束和被光反射面反射經(jīng)過(guò)光柵產(chǎn)生的同級(jí)次衍射光束發(fā)生干涉，然后通過(guò)光電探測(cè)器測(cè)得干涉光束的第二強(qiáng)度信號(hào)； 3)對(duì)比兩次檢測(cè)到的干涉光束的強(qiáng)度信號(hào)，通過(guò)鎖相放大和差分技術(shù)得到質(zhì)量塊的位移量; 4)根據(jù)質(zhì)量塊的位移量計(jì)算出加速度。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種集成光柵電光效應(yīng)的微光學(xué)加速度傳感器，包括外殼，外殼內(nèi)設(shè)有沿光路依次布置的光源、光柵和MEMS傳感機(jī)構(gòu)，所述MEMS傳感機(jī)構(gòu)包括質(zhì)量塊和連接所述質(zhì)量塊的懸臂梁，所述質(zhì)量塊朝向光柵的一面為光反射面，還設(shè)有用于檢測(cè)干涉光束光強(qiáng)的光電探測(cè)器，所述的干涉光束為被光柵反射的光束和被光反射面反射的光束發(fā)生干涉形成；所述光柵和MEMS傳感機(jī)構(gòu)之間設(shè)有用于對(duì)所述光反射面出射光束進(jìn)行位相調(diào)制的電光晶體，還設(shè)有用于驅(qū)動(dòng)所述電光晶體產(chǎn)生電光效應(yīng)的電壓驅(qū)動(dòng)模塊，以及根據(jù)所述光電探測(cè)器的信號(hào)得到相應(yīng)的加速度的信號(hào)處理模塊。本發(fā)明還公開(kāi)了利用上述微光學(xué)加速度傳感器的檢測(cè)方法。
文檔編號(hào)G01P15/093GK103175992SQ20131006110
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2013年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月27日
發(fā)明者侯昌倫 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)