測試裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種測試裝置，接收高速模式及低速模式的信號，用于測試被測試器件。其具有低速比較儀，能夠比上述低速比較儀更高速動作的高速比較儀，和根據(jù)上述被測試器件輸出的信號轉換用上述低速比較儀和上述高速比較儀中的哪個測量上述被測試器件輸出的被測量信號的轉換部。該測試裝置，還可以具有與高速比較儀并列設置的終端電阻器。
【專利說明】測試裝置【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及測試裝置。
【背景技術】
[0002]以前，在測試被測試器件的測試裝置中，廣為人知的是配置用于測量被測試器件的高速測試針的高速比較儀的裝置(例如，參照專利文獻I)。
[0003]專利文獻1:日本專利特表2006-500580號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]發(fā)明要解決的問題
[0005]在MIPI等規(guī)定的規(guī)格中，要求傳送動態(tài)轉換高速模式及低速模式的信號。由于這個緣故，要想測試與這樣的規(guī)格對應的器件，就必須接收高速模式及低速模式的信號。
[0006]解決問題的手段
[0007]在本發(fā)明的第I方式中，提供測試被測試器件的測試裝置，其具有低速比較儀，及能夠比上述低速比較儀高速動作的高速比較儀；及根據(jù)上述被測試器件輸出的信號轉換用上述低速比較儀和上述高速比較儀中的哪個測量上述被測試器件輸出的被測量信號的轉換部。
[0008]再者，上述發(fā)明的概要，沒有列舉出本發(fā)明必要的特征的全部。同時，這些的特征群的次級組合也能成為發(fā)明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]【圖1】是表示用于測試被測試器件200的測試裝置100的概要圖。
[0010]【圖2】是表示測量部10的構成例的圖。
[0011]【圖3】是表示測量部10其他的構成例的圖。
[0012]【圖4】是表示被測量信號的波形的一個例子的圖。
[0013]【圖5】是表示均衡器電路30其他的構成例的圖。
[0014]【圖6】是表示從圖2至圖5所示的轉換部32的構成例的圖。
[0015]【圖7】是表示轉換部32及電阻元件34的構成例的圖。
【具體實施方式】
[0016]下面通過發(fā)明的實施方式說明本發(fā)明，不過，以下的實施方式并非限定權利要求范圍所涉及的發(fā)明。同時，在實施方式中說明的特征的組合，并非全部是發(fā)明的解決手段所必須的。
[0017]圖1，是表示用于測試被測試器件200的測試裝置100的概要圖。測試裝置100，測試半導體集成電路等被測試器件200。被測試器件200，是高速模式及低速模式動態(tài)轉換的器件，輸出與模式對應的頻率的信號。動態(tài)轉換，是指在輸出信號期間所進行的模式切換。本例的測試裝置100具有圖形發(fā)生部102、波形整形部104、測量部10及判斷部106。
[0018]圖形發(fā)生部102，發(fā)生與用戶等給予的測試程序對應的測試圖形。測試圖形，包含對被測試器件200輸入的測試信號應該有的邏輯圖形，被測試器件200輸出的被測量信號應該有的期望值圖形等的圖形。波形整形部104，按照圖形發(fā)生部102輸出的測試圖形，對測試信號的波形進行整形。比如波形整形部104，輸出與測試信號的各周期中的邏輯值對應的電壓。
[0019]測量部10，測量被測試器件200按照測試信號而輸出的被測量信號。本例的測量部10，通過將被測量信號的電壓與預先確定的基準電壓進行比較，檢測出被測量信號的邏輯圖形。比如，測量部10輸出顯示被測量信號的電壓是否比預先決定的基準電壓大的2值的信號。測量部10可以在規(guī)定的時序取樣2值的信號，生成被測量信號的邏輯圖形。
[0020]判斷部106，比較測量部10測量出的邏輯圖形和期望值圖形。圖形發(fā)生部102，可以按照測試信號的邏輯圖形，生成該期望值圖形。根據(jù)這樣的構成，測試被測試器件200。
[0021]圖2,是表示測量部10的構成例的圖。本例的測量部10,具有:2個低速比較儀12-1及12-2 (總稱為低速比較儀12)、高速比較儀14、2個轉換部32-1及32-2 (總稱為轉換部32)、終端電阻器26、2個共通傳輸線16-1及16_2 (總稱為共通傳輸線16)、2個高速側傳輸線18-1及18-2 (總稱為高速側傳輸線18)、2個低速側傳輸線20_1及20_2 (總稱為低速側傳輸線20)、2個感應元件22-1及22-2 (總稱為感應元件22)、2個電阻元件24_1及24-2 (總稱為電阻元件24)。
[0022]各個共通傳輸線16，一端與被測試器件200的輸出引腳連接，傳送被測量信號。2個共通傳輸線16的一端連接被測試器件200的一組輸出引腳。該一組輸出引腳，可以是當被測試器件200是高速模式的情況下輸出差動信號，在被測試器件200是低速模式的情況下輸出2個單端信號的引腳。
[0023]各個低速側傳輸線20向對應的低速比較儀12傳送所對應的共通傳輸線16傳送出的被測量信號。在共通傳輸線16及低速比較儀12間的低速側傳輸線20中，包含感應元件22及電阻元件24。感應元件22及電阻元件24，可以包含在傳輸線寄生的成分，可包含在傳輸線上被設置的電阻器等的成分。
[0024]各個低速比較儀12將從低速側傳輸線20接收的被測量信號的信號電平與預先確定的基準電壓進行比較。低速比較儀12通過輸出根據(jù)比較結果的數(shù)字信號，輸出被測量信號的邏輯圖形。
[0025]各個高速側傳輸線18，向共同的高速比較儀14輸入對應的共通傳輸線16所傳送的被測量信號。各個高速側傳輸線18可以連接高速比較儀14的差動輸入。高速側傳輸線18及低速側傳輸線20，可相對于對應的共通傳輸線16分支設置。
[0026]高速比較儀14，是能夠比低速比較儀12更高速動作的比較儀。比如，高速比較儀14，能夠將比低速比較儀12能變換的被測量信號的上限的頻率還高頻率的被測量信號變換成2值或多值的信號。同時，低速比較儀12，能將比高速比較儀14能變換的被測量信號的振幅的上限更大振幅的被測量信號變換成2值或多值的信號。即，可以是低速比較儀12能處理低速大振幅的信號，高速比較儀14能處理高速小振幅的信號的比較儀。
[0027]終端電阻器26，相對高速比較儀14被并列設置，對高速側傳輸線18進行阻抗調(diào)整。終端電阻器26的一端，被高速比較儀14 一方的輸入連接，終端電阻器26的另一端被高速比較儀14的另一輸入連接。優(yōu)選終端電阻器26配置在高速比較儀14的附近。比如，終端電阻器26和高速比較儀14間的傳輸線長，最好比高速側傳輸線18的傳輸線長短。
[0028]轉換部32，按照被測試器件200輸出的信號轉換用低速比較儀12和高速比較儀14中的哪個測量被測試器件200輸出的被測量信號。在本例的轉換部32，設置在終端電阻器26和高速比較儀14之間。一方的轉換部32,被設置在終端電阻器26的一端與高速比較儀14的一方輸入之間。另一方的轉換部32被設置在終端電阻器26的另一端和高速比較儀14的另一方輸入之間。
[0029]在本例中，各個轉換部32，分別具有開關，當用低速比較儀12測量被測量信號時變?yōu)閿嗦窢顟B(tài)，當以高速比較儀14測量被測量信號時變?yōu)閷顟B(tài)。也就是，轉換部32在以低速比較儀12測量被測量信號時，從低速比較儀12輸入終端電性地分離高速比較儀14的輸入終端及終端電阻器26。
[0030]測試裝置100，可以按照被測試器件200輸出的信號，辨別被測量信號是高速模式和低速模式中的哪個模式的信號。比如，在被測試器件200輸出表不現(xiàn)在模式的模式信號時，測試裝置100基于該模式信號辨別被測試器件200的模式。同時，被測試器件200可以輸出預告將來的模式變換的信號。
[0031]同時，測試裝置100，可以按照被測量信號的頻率的變化，辨別被測試器件200模式的變換。測試裝置100，可以還具有測量被測量信號的頻率變化的測量部。同時，測試裝置100，也可以按照被測量信號的振幅的變化，辨別被測試器件200模式的變換。各個轉換部32，被測試器件200輸出高速模式的被測量信號時變?yōu)閷顟B(tài)，輸出低速模式的被測量信號時變?yōu)閿嗦窢顟B(tài)。
[0032]根據(jù)這樣的構成，在高速比較儀14的近旁配置終端電阻器26，在低速模式時，能從低速比較儀12分離終端電阻器26。同時，在接收被測量信號的期間中，因為轉換部32被動態(tài)控制，所以能測量低速模式及高速模式動態(tài)轉換的被測量信號。
[0033]但是，在圖2所示的測量部10中，如果將轉換部32控制成斷路狀態(tài)的話，則在跟高速側傳輸線18和轉換部32之間，產(chǎn)生了開路短接線。同時，因為終端電阻器26和高速比較儀14經(jīng)由轉換部32被連接，所以妨礙在高速比較儀14近旁配置終端電阻器26。
[0034]圖3，是表示測量部10的其他的構成例子的圖。本例的測量部10，在各個高速側傳輸線18上具有均衡器電路30。另外，轉換部32被設置在均衡器電路30內(nèi)。本例的高速側傳輸線18，向高速比較儀14及終端電阻器26傳送被測量信號。其它的構成，與圖2所示的測量部10相同。
[0035]本例的轉換部32被設置在高速側傳輸線18上，用低速比較儀12測量被測量信號時變?yōu)閿嗦窢顟B(tài)。由此，轉換部32在以低速比較儀12測量被測量信號時，從低速比較儀12的輸入終端電性地分離高速比較儀14的輸入終端及終端電阻器26。在本例中，所謂的電性地分離，指在低速模式中的被測量信號不對高速比較儀14及終端電阻器26傳送。
[0036]總之在本例中，即使是更高頻率的信號是可向高速比較儀14及終端電阻器26傳送的狀態(tài)，低速模式的被測量信號也能從高速比較儀14及終端電阻器26阻斷，則把高速比較儀14的輸入終端及終端電阻器26從低速比較儀12輸入終端電性地分離。
[0037]本例的均衡器電路30具有電阻元件34、感應元件36及電容元件38。均衡器電路30，調(diào)整各元件成分的值，以對在從被測試器件200到高速比較儀14為止的傳輸線上產(chǎn)生的信號的衰減、失真等進行補償。
[0038]本例的轉換部32，與在均衡器電路30中的電阻元件34串聯(lián)設置。根據(jù)這樣的構成，能使轉換部32的導通電阻作為在均衡器電路30中的電阻元件而發(fā)揮作用。因此，按照在轉換部32的導通電阻調(diào)整電阻元件34的電阻值。電阻元件34，可以具有電阻值可變的可變電阻器。均衡器電路30，可以按照在轉換部32的導通電阻的經(jīng)時變化調(diào)整可變電阻器的電阻值。
[0039]本例的電容元件38及感應元件36，相對于電阻元件34及轉換部32被并列設置。根據(jù)這樣的構成，在轉換部32是導通狀態(tài)的情況時，均衡器電路30具有作為均衡器的功能，在轉換部32是斷路狀態(tài)的情況時，具有作為高通濾波器的功能。由此，轉換部32，在作為低速比較儀12測量被測量信號時，能從低速比較儀12的輸入終端電性地分離高速比較儀14的輸入終端及終端電阻器26。
[0040]優(yōu)選該高通濾波器的截止頻率，比在低速模式的被測量信號的頻率(或數(shù)據(jù)傳送速度)更高，比在高速模式的被測量信號的頻率(或數(shù)據(jù)傳送速度)更低。在低速模式的被測量信號的數(shù)據(jù)傳送速度，比如是10Mbps，在高速模式的被測量信號的數(shù)據(jù)傳送速度，比如是 3Gbps。
[0041]根據(jù)這樣的構成，能防止在將轉換部32設置成斷路狀態(tài)的時候的開路短接線的發(fā)生。同時，因為能夠不經(jīng)由轉換部32，而將終端電阻器26連接于高速比較儀14，所以能緊鄰高速比較儀14配置終端電阻器26，能夠降低信號反射的影響。
[0042]同時，本例的轉換部32，可以是MOS模擬開關。由于使用MOS模擬開關，高速地開關動作成為可能。同時，MOS模擬開關的導通電阻為數(shù)歐姆左右，比較大，不過，由于使其作為均衡器電路30中的電阻元件而發(fā)揮作用，所以能有效地靈活運用所涉及的導通電阻。
[0043]圖4，是表示被測量信號的波形的一個例子的圖。在圖4中橫軸是時間，縱軸表示信號電平。本例的被測量信號，在轉換定時中，從高速模式(HS)改換為低速模式(LS)。如圖4所示，高速模式(HS)的被測量信號是差動信號，在低速模式(LS)的被測量信號是2個單端的信號。
[0044]測試裝置100，在該轉換定時中，將轉換部32從導通狀態(tài)轉換成斷路狀態(tài)。同時，在被測量信號從低速模式(LS)改換為高速模式(HS)時，測試裝置100將轉換部32從斷路狀態(tài)轉換成導通狀態(tài)。如上所述，測試裝置100，根據(jù)被測試器件200所輸出的信號檢測出該轉換定時。由此，能測量像圖4表示的那樣的動態(tài)模式轉換的被測量信號。
[0045]圖5，是表示均衡器電路30的其他的構成例的圖。本例的均衡器電路30，具有轉換部32、電阻元件34及電容元件38。電阻元件34及電容元件38，互相并列設置在共通傳輸線16和高速比較儀14之間。在共通傳輸線16和高速比較儀14之間，對電阻元件34和電容元件38雙方串聯(lián)設置轉換部32。在本例中，轉換部32的導通電阻作為均衡器電路30的電阻元件而發(fā)揮作用。
[0046]圖6，是表示從圖2到圖5所示的轉換部32的構成例子的圖。本例的轉換部32，具有半導體開關40，電阻器42及電阻器44。半導體開關40，比如是MOS模擬開關。半導體開關40，在高速側傳輸線18上面設置源極及漏極。電阻器42及電阻器44，將半導體開關40兩端(源極及漏極)連接到各自的基準電位。本例的基準電位是接地電位。據(jù)此，轉換部32也能作為衰減器而起作用。[0047]同時，測試裝置100，可以按照均衡器電路30或半導體開關40的溫度，控制半導體開關40的柵極施加的電壓VG。比如，測試裝置100，控制電壓VG以補償由于溫度變化而產(chǎn)生的半導體開關40導通電阻的變化。同時，測試裝置100，為了補償由于制造散差造成的2個半導體開關40的特性差，可以使對各個半導體開關40的柵極施加的電壓不同。
[0048]圖7，是轉換部32及電阻元件34的構成例子的圖。本例的轉換部32及電阻元件34都是半導體開關。電阻元件34的半導體開關，可以被控制成與轉換部32的半導體開關的開關狀態(tài)相同，同時，可以在被測試器件200的測試中控制成總是被導通的狀態(tài)。該半導體開關的導通電阻作為電阻元件34而發(fā)揮作用。
[0049]測試裝置100，可以根據(jù)均衡器電路30或半導體開關40的溫度控制對各半導體開關的柵極施加的電壓VGl及VG2。同時，測試裝置100也可以具有將各個半導體開關兩端連接到基準電位的電阻。同時，測試裝置100也可按照溫度等控制電阻元件34的半導體開關的柵極電壓VG2，使轉換部32的半導體開關的柵極電壓VGl不隨溫度等變化。
[0050]以上，用實施方式說明了本發(fā)明，不過，本發(fā)明的技術的范圍不受上述實施方式記載的范圍限定。本領域的專業(yè)人士明白，對上述實施方式能夠施加多種多樣的變更或改良，從專利權利要求書的記載可以明確，本發(fā)明的技術的范圍中也包含施加了這樣的變更或改良的形態(tài)。
[0051]應該注意的是，在權利要求、說明書和在附圖中表示的裝置、系統(tǒng)、程序，以及在方法中的動作、次序、步驟和階段等的各處理的執(zhí)行順序，只要沒有特別注明“比…先”、“在…之前”等，或者只要不是后邊的處理必須使用前面的處理的輸出，就可以以任意的順序實施。有關權利要求書、說明書和附圖中的動作流程，為了說明上的方便，說明中使用了“首先”、“其次”、等字樣，但即使這樣也不意味著以這個程序實施是必須的條件。
[0052]附圖標記說明
[0053]10...測量部，12... 低速比較儀，14...高速比較儀，16...共通傳輸線，18...高速側傳輸線,20...低速側傳輸線,22...感應兀件,24...電阻兀件，26...終端電阻器,30...均衡器電路,32...轉換部，34...電阻兀件，36…感應兀件,38...電容兀件，40…半導體開關，42,44...電阻器，100…測試裝置，102…圖形發(fā)生部，104…波形整形部，106…判斷部，200…被測試器件。
【權利要求】
1.一種測試裝置，是測試被測試器件的測試裝置，其具有: 低速比較儀； 高速比較儀，能夠比上述低速比較儀高速動作； 轉換部，根據(jù)上述被測試器件輸出的信號轉換用上述低速比較儀和上述高速比較儀中的哪個測量上述被測試器件輸出的被測量信號。
2.根據(jù)權利要求1所述的測試裝置，還具有: 與上述高速比較儀并列設置的終端電阻器； 上述轉換部，在用上述低速比較儀測量上述被測量信號時，從上述低速比較儀的輸入終端電性地分離上述高速比較儀的輸入終端及上述終端電阻器。
3.根據(jù)權利要求2所述的測試裝置，還具有: 傳送上述被測量信號的共通傳輸線； 對上述低速比較儀傳送上述共通傳輸線傳送的上述被測量信號的低速側傳輸線；對上述高速比較儀及上述終端電阻器傳送上述共通傳輸線傳送的上述被測量信號的高速側傳輸線； 上述轉換部，具有被設置在上述高速側傳輸線上的，用上述低速比較儀測量上述被測量信號時成為斷路狀態(tài)的開關。
4.根據(jù)權利要求3所述的測試裝置，還具有: 被設置在上述高速側傳輸線上的，具有電阻元件的均衡器電路； 上述開關，與上述電阻元件串聯(lián)設置。
5.根據(jù)權利要求4所述的測試裝置，其中: 上述開關是半導體開關； 上述測試裝置，根據(jù)上述均衡器電路或上述開關的溫度，控制對上述開關的柵極施加的電壓。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的測試裝置，其中: 上述均衡器電路，還具有和上述電阻元件并列設置的電容元件； 上述開關，與上述電容元件串聯(lián)設置。
7.根據(jù)權利要求4或5所述的測試裝置，其中: 上述均衡器電路，還具有與上述電阻元件并列設置的電容元件； 上述開關與上述電容元件并列設置。
8.根據(jù)權利要求4或5所述的測試裝置，其中: 還具有將上述開關兩端連接在各自的基準電位上的電阻。
【文檔編號】G01R31/00GK103513129SQ201310146384
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年4月24日 優(yōu)先權日:2012年6月19日
【發(fā)明者】加藤隆志 申請人:愛德萬測試株式會社