專利名稱：金屬蒸鍍裝置的鍍金盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造裝備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種應(yīng)用于金屬蒸鍍裝置的鍍金盤。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的失效分析實驗室中，常用掃描電子顯微鏡SEM來分析材料表面形貌及觀察成像的材料表征。掃描電子顯微鏡主要是利用二次電子信號成像來觀察樣品的表面形態(tài)，即用極狹窄的電子束去掃描樣品，通過電子束與樣品的相互作用使得樣品產(chǎn)生二次電子發(fā)射，二次電子能夠產(chǎn)生樣品表面放大的形貌像，這個像是在樣品被掃描時按時序建立起來的，即使用逐點成像的方法獲得放大像。當(dāng)掃描電子顯微鏡應(yīng)用于不導(dǎo)電的樣品時，需要通過蒸鍍金、鉬、鈀等金屬元素消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象，并可以提高觀測效果。現(xiàn)有的金屬蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖可以參見附圖1，該蒸鍍裝置包括真空室(1)，用于維持所述真空室(I)的真空度的真空泵(2)，用于產(chǎn)生氣化金屬小粒子的蒸鍍源(3)，用于承載多個樣品(5)的鍍金盤(4’)。一般情況下，樣品(5)被直接放置在鍍金盤(4’)上進行蒸鍍。然而，在半導(dǎo)體芯片失效分析實驗中，樣品的制備方法較為特殊，需要觀測樣品的截面或者表面的形貌特征，很多時候樣品高度不一且數(shù)量較多，因此往往需要分為多次來進行蒸鍍，工作效率降低了許多。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，改良金屬蒸鍍裝置的鍍金盤，提高樣品的蒸鍍效
率。 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種金屬蒸鍍裝置的鍍金盤，包括基體，尤其的，在所述基體的一個表面上開設(shè)有多個條狀的槽，所述多個槽具有兩種以上的槽深度尺寸，且槽的深度方向與所述基體的表面呈銳角。優(yōu)選的，所述槽的深度尺寸為固定的兩種；或者，相鄰的槽的深度尺寸逐漸增加；或者，槽的深度尺寸根據(jù)該槽距離基體的中心的距離遠(yuǎn)近逐漸改變。優(yōu)選的，所述槽包括多個沿著第一方向延伸的第一槽、以及多個沿著第二方向延伸的第二槽，第一方向與第二方向不平行，且第一槽具有第一深度、第二槽具有第二深度，第一深度不第二深度不同。本發(fā)明的技術(shù)方法通過巧妙合理地設(shè)計，在同一個鍍金盤上放置不同高度的樣品同時達(dá)到截面與表面都鍍上金屬粒子的效果，提高了蒸鍍效率，對失效分析、結(jié)構(gòu)分析等提供了極大的幫助。以下將通過實施例對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與優(yōu)點展開進一步闡述。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種金屬蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明鍍金盤的立體圖；圖3是圖2的主視圖；圖4是圖2的鍍金盤承載了樣品的示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例作詳細(xì)說明:本實施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進行實施，給出了詳細(xì)的實施方式，但本發(fā)明的保護范圍不限于下述的實施例。參見圖2、圖3，本發(fā)明提供了一種改進的金屬蒸鍍裝置的鍍金盤4，其首先包括一個大致呈圓盤狀的基體40，并且，在所述基體40的一個表面上的開設(shè)了多個條狀的槽。所述槽包括多個沿著第一方向延伸的第一槽41、以及多個沿著第二方向延伸的第二槽42，第一方向與第二方向不平行，在本實施例中，第一方向與第二方向垂直。在其它的實施方式中，第一方向還可以與第二方向呈30°、45°、60°等。所述第一槽41、第二槽42縱橫交錯，因此能夠布置更多的樣品5。為了能夠滿足不同樣品的高度需求，槽組41中的槽的具體深度按照不同樣品的高度來設(shè)定成具有不同深度尺寸。例如，在本實施例中，第一槽41與第二槽42分別具有I毫米與5毫米的兩種深度尺寸。在其它實施方式中，還可以使得相鄰的槽的深度尺寸逐漸增加，或者是槽的深度尺寸根據(jù)該槽距離基體40的中心的距離遠(yuǎn)近漸進改變，例如距離中心最近處的槽的深度為5毫米，與其相鄰的槽的深度為4.5毫米，再遠(yuǎn)處的槽的深度為4毫米，……，直至最邊緣處的槽的深度為I毫米。為了滿足半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域?qū)τ诙嗣婧捅砻嫱瑫r鍍金的要求，槽的深度方向與基體40表面呈銳角，例如45°、60°等，此時樣品與基體40表面傾斜布置，因而能夠同時進行端面與表面的鍍金。槽的寬度為可根據(jù)實際樣品厚度來設(shè)計。參見圖4，多個樣品5分別卡設(shè)在第一槽41與第二槽42中，根據(jù)樣品5高度的差異，較高的樣品5放置在5毫米深的第二槽42內(nèi)、較低的樣品5放置在I毫米深的第一槽41內(nèi)，且各個樣品的表面有圖形的一面傾斜朝上放置，因此可以滿足端面與表面的同時鍍金。本發(fā)明雖然 以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種金屬蒸鍍裝置的鍍金盤，包括基體，其特征在于，在所述基體的一個表面上開設(shè)有多個條狀的槽，所述多個槽具有兩種以上的槽深度尺寸，且槽的深度方向與所述基體的表面呈銳角。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍金盤，其特征在于，所述槽的深度尺寸為固定的兩種。
3.如權(quán)利要求1所述的鍍金盤，其特征在于，相鄰的槽的深度尺寸逐漸增加。
4.如權(quán)利要求1所述的鍍金盤，其特征在于，槽的深度尺寸根據(jù)該槽距離基體的中心的距離遠(yuǎn)近逐漸改變。
5.如權(quán)利要求1所述的鍍金盤，其特征在于，所述槽包括多個沿著第一方向延伸的第一槽、以及多個沿著第二方向延伸的第二槽，第一方向與第二方向不平行，且第一槽具有第一深度、第二槽具有第二深度，第一深度 與第二深部不同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于金屬蒸鍍裝置的鍍金盤，包括基體，尤其的，在所述基體的一個表面上開設(shè)有多個條狀的槽，所述多個槽具有兩種以上的槽深度尺寸，且槽的深度方向與所述基體的表面呈銳角。本發(fā)明的技術(shù)方法通過巧妙合理地設(shè)計，在同一個鍍金盤上放置不同高度的樣品，同時達(dá)到截面與表面都鍍上金屬粒子的效果，提高了蒸鍍效率，對失效分析、結(jié)構(gòu)分析等提供了極大的幫助。
文檔編號G01N1/36GK103225069SQ201310156160
公開日2013年7月31日 申請日期2013年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月28日
發(fā)明者史燕萍 申請人:上海華力微電子有限公司