功率偏差檢測裝置制造方法
【專利摘要】一種功率偏差檢測裝置，包括電流采樣器、電壓采樣器、示波器、存儲器以及處理器。示波器用于得到所述晶體管輸出功率最大時的實(shí)際工作電流值、實(shí)際工作電壓值以及實(shí)際持續(xù)時間；存儲器內(nèi)存儲有一安全操作面積圖表，所述安全操作面積圖表包括多個在特定持續(xù)時間下的功率曲線；處理器用于根據(jù)所述實(shí)際持續(xù)時間從所述安全操作面積圖表中找出相應(yīng)的功率曲線，以及根據(jù)所述實(shí)際工作電壓值及找出的功率曲線找出相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作電流值；所述處理器還根據(jù)所述實(shí)際持續(xù)時間、找出的功率曲線對應(yīng)的特定持續(xù)時間、實(shí)際工作電流值以及標(biāo)準(zhǔn)工作電流值計(jì)算所述晶體管的功率偏差。所述功率偏差檢測裝置能實(shí)現(xiàn)晶體管功率偏差的自動檢測。
【專利說明】功率偏差檢測裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種功率偏差檢測裝置，特別是關(guān)于一種檢測晶體管的實(shí)際功率與標(biāo) 準(zhǔn)功率之間偏差的檢測裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET)以及三極管（Bipolar Junction Transistor, BJT)等晶體管是應(yīng)用 較廣泛的開關(guān)管。例如，MOSFET在電源電路，如Buck電路中作為開關(guān)管使用。MOSFET的工 作性能直接影響了 Buck電路的工作性能。在MOSFET的產(chǎn)品說明書（datasheet)中，一般 會提供一個MOSFET的安全工作面積（Sage Operating Area, S0A)圖表，以表征通過電流、 電壓及功率等參數(shù)限定的安全工作區(qū)域。使用者通過手動查詢安全工作圖表來判斷晶體管 的工作性能。然而，目前還沒有出現(xiàn)一種能對晶體管的功率偏差進(jìn)行自動檢測從而判斷晶 體管工作性能的檢測裝置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種可對晶體管的功率偏差進(jìn)行檢測的功率偏差檢測 裝置，以判斷晶體管的工作性能。
[0004] 一種功率偏差檢測裝置，用于檢測一晶體管的實(shí)際功率與標(biāo)準(zhǔn)功率的偏差，所述 功率偏差檢測裝置包括： 電流采樣器，用于檢測待測晶體管的實(shí)際工作電流； 電壓采樣器，用于檢測待測晶體管的實(shí)際工作電壓； 示波器，電性連接至所述電流采樣器及電壓采樣器，所述示波器用于根據(jù)所述實(shí)際工 作電流及實(shí)際工作電壓得到所述晶體管輸出功率最大時的實(shí)際工作電流值及實(shí)際工作電 壓值，并根據(jù)所述實(shí)際工作電流及實(shí)際工作電壓獲得所述晶體管工作在放大區(qū)的實(shí)際持續(xù) 時間； 存儲器，其內(nèi)存儲有一安全操作面積圖表，所述安全操作面積圖表包括多個在特定持 續(xù)時間下的功率曲線；以及 處理器，電性連接至所述示波器及存儲器，用于根據(jù)所述實(shí)際持續(xù)時間從所述安全操 作面積圖表中找出相應(yīng)的功率曲線，以及根據(jù)所述晶體管輸出功率最大時的所述實(shí)際工作 電壓值及找出的功率曲線找出相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作電流值；所述處理器還根據(jù)所述實(shí)際持續(xù)時 間、找出的功率曲線對應(yīng)的特定持續(xù)時間、所述晶體管輸出功率最大時的實(shí)際工作電流值 以及標(biāo)準(zhǔn)工作電流值計(jì)算所述晶體管的功率偏差。
[0005] 所述的功率偏差檢測裝置通過示波器配合電流采樣器及電壓采樣器檢測待測晶 體管的實(shí)際工作電流、實(shí)際工作電壓及實(shí)際持續(xù)時間，并通過處理器從安全操作面積圖表 中找出相應(yīng)的特定持續(xù)時間及標(biāo)準(zhǔn)工作電流，并進(jìn)行相關(guān)計(jì)算即可自動判斷待測晶體管的 工作可靠性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施方式的功率偏差檢測裝置的功能模塊圖。
[0007] 圖2為使用圖1所示的功率偏差檢測裝置的進(jìn)行的檢測的晶體管的應(yīng)用電路圖。
[0008] 圖3為圖1所示的功率偏差檢測裝置的存儲器存儲的安全操作面積圖表的示意 圖。
[0009] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種功率偏差檢測裝置，用于檢測一晶體管的實(shí)際功率與標(biāo)準(zhǔn)功率的偏差，其特征 在于，所述功率偏差檢測裝置包括： 電流采樣器，用于檢測待測晶體管的實(shí)際工作電流； 電壓采樣器，用于檢測待測晶體管的實(shí)際工作電壓； 示波器，電性連接至所述電流采樣器及電壓采樣器，所述示波器用于根據(jù)所述實(shí)際工 作電流及實(shí)際工作電壓得到所述晶體管輸出功率最大時的實(shí)際工作電流值及實(shí)際工作電 壓值，并根據(jù)所述實(shí)際工作電流及實(shí)際工作電壓獲得所述晶體管工作在放大區(qū)的實(shí)際持續(xù) 時間； 存儲器，其內(nèi)存儲有一安全操作面積圖表，所述安全操作面積圖表包括多個在特定持 續(xù)時間下的功率曲線；以及 處理器，電性連接至所述示波器及存儲器，用于根據(jù)所述實(shí)際持續(xù)時間從所述安全操 作面積圖表中找出相應(yīng)的功率曲線，以及根據(jù)所述晶體管輸出功率最大時的實(shí)際工作電壓 值及找出的功率曲線找出相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作電流值；所述處理器還根據(jù)所述實(shí)際持續(xù)時間、 找出的功率曲線對應(yīng)的特定持續(xù)時間、所述晶體管輸出功率最大時的實(shí)際工作電流值以及 標(biāo)準(zhǔn)工作電流值計(jì)算所述晶體管的功率偏差。
2. 如權(quán)利要求1所述的功率偏差檢測裝置，其特征在于：所述處理器找出的功率曲線 為與所述實(shí)際持續(xù)時間最接近的特定持續(xù)時間對應(yīng)的功率曲線。
3. 如權(quán)利要求2所述的功率偏差檢測裝置，其特征在于：所述處理器計(jì)算所述功率偏 T… j 差的具體公式為：功率偏差=-生-X ，其中，Tdelay表示實(shí)際持續(xù)時間，T表示 T Id 與所述實(shí)際持續(xù)時間最接近的特定持續(xù)時間，Idx表示所述晶體管輸出功率最大時的實(shí)際 工作電流值，Id表示標(biāo)準(zhǔn)工作電流值。
4. 如權(quán)利要求1所述的功率偏差檢測裝置，其特征在于：所述處理器與所述示波器之 間通過通用輸入輸出接口進(jìn)行通信。
5. 如權(quán)利要求1所述的功率偏差檢測裝置，其特征在于：所述功率偏差檢查裝置還包 括負(fù)載，所述負(fù)載電性連接至所述晶體管及處理器，以使所述晶體管工作于放大區(qū)。
6. 如權(quán)利要求1所述的功率偏差檢測裝置，其特征在于：所述負(fù)載為電性連接至所述 處理器的電子負(fù)載，所述電子負(fù)載與所述處理器之間通過通用輸入輸出接口進(jìn)行通信。
【文檔編號】G01R21/06GK104459302SQ201310434827
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】白云, 童松林 申請人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司