一種雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，包括從下向上依次疊加設(shè)置的襯底、底電極層、犧牲層、金屬層和氮化硅層，氮化硅層的頂面設(shè)有錨區(qū)，錨區(qū)一邊設(shè)有第二焊盤、第四焊盤和兩個(gè)第五焊盤，錨區(qū)另一邊設(shè)有第一焊盤、第三焊盤、第十焊盤和兩個(gè)第六焊盤；氮化硅層的中部設(shè)有第一扭擺梁，第一扭擺梁通過(guò)兩個(gè)第一支撐梁與錨區(qū)固定連接；第一扭擺梁的內(nèi)側(cè)設(shè)有第二扭擺梁；第一扭擺梁邊緣和第二扭擺梁邊緣布設(shè)有第一驅(qū)動(dòng)金屬線和第二驅(qū)動(dòng)金屬線；第一扭擺梁的底面設(shè)有第一電容和第二電容；第二扭擺梁的底面設(shè)有第三電容和第四電容。該磁場(chǎng)傳感器可以測(cè)量磁場(chǎng)幅度及角度，且該磁場(chǎng)傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
【專利說(shuō)明】一種雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】,具體來(lái)說(shuō)，涉及一種雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]磁場(chǎng)傳感器有著悠久的歷史，指南針的發(fā)明到現(xiàn)代交通導(dǎo)航，磁場(chǎng)傳感器越來(lái)越被人重視。
[0003]磁場(chǎng)傳感器與我們的生活息息相關(guān)，自然界和人類社會(huì)生活的許多地方都存在磁場(chǎng)或與磁場(chǎng)相關(guān)的信息。利用人工設(shè)置的永磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)，可作為許多種信息的載體。因此，探測(cè)、采集、存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)換、復(fù)現(xiàn)和監(jiān)控各種磁場(chǎng)和磁場(chǎng)中承載的各種信息的任務(wù)，自然就落在磁場(chǎng)傳感器身上。已研制出利用各種物理、化學(xué)和生物效應(yīng)的磁傳感器，并已在科研、生產(chǎn)和社會(huì)生活的各個(gè)方面得到廣泛應(yīng)用，承擔(dān)起探究種種信息的任務(wù)。
[0004]隨著微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展，大大推動(dòng)了 MEMS磁場(chǎng)傳感器的發(fā)展，出現(xiàn)了一些微型磁場(chǎng)傳感器的結(jié)構(gòu)，同時(shí)新發(fā)展的MEMS工藝能夠在硅襯底上利用IC (英文全稱為:integrated circuit,中文是:集成電路)后處理工藝制作各種機(jī)械結(jié)構(gòu)，為磁場(chǎng)傳感器的設(shè)計(jì)開辟了新的途徑，近年來(lái)，提出了一些微型磁場(chǎng)傳感器的結(jié)構(gòu)，如法國(guó)的VincentBeroulle、Laurent Latorre提出的MEMS磁場(chǎng)傳感器,在懸臂梁與錨區(qū)附近做壓阻,通過(guò)測(cè)量壓阻的輸出檢測(cè)磁場(chǎng)。扭擺式MEMS磁場(chǎng)傳感器最早由Beverley Eyre等人提出，測(cè)量在磁場(chǎng)作用下受力后結(jié)構(gòu)扭擺的幅度，來(lái)測(cè)量磁場(chǎng)的大小。這些磁場(chǎng)傳感器只能測(cè)量磁場(chǎng)的大小。磁場(chǎng)是一個(gè)矢量，所以對(duì)磁場(chǎng)方向信息很重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]技術(shù)問(wèn)題:本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，該磁場(chǎng)傳感器可以測(cè)量磁場(chǎng)幅度及角度，且該磁場(chǎng)傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
[0006]技術(shù)方案:為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，其特征在于，該磁場(chǎng)傳感器包括從下向上依次疊加設(shè)置的襯底、底電極層、犧牲層、金屬層和氮化硅層，犧牲層、金屬層和氮化硅層均為中空結(jié)構(gòu)，氮化硅層的頂面設(shè)有錨區(qū)，錨區(qū)一邊設(shè)有第二焊盤、第四焊盤和兩個(gè)第五焊盤，錨區(qū)另一邊設(shè)有第一焊盤、第三焊盤、第十焊盤和兩個(gè)第六焊盤；氮化硅層的中部設(shè)有第一扭擺梁，第一扭擺梁通過(guò)兩個(gè)第一支撐梁與錨區(qū)固定連接，第一扭擺梁和第一支撐梁處于懸空狀態(tài)；第一扭擺梁的內(nèi)側(cè)設(shè)有第二扭擺梁，第二扭擺梁通過(guò)兩個(gè)第二支撐梁與第一扭擺梁的內(nèi)壁固定連接，第二扭擺梁和第二支撐梁處于懸空狀態(tài)；第一扭擺梁邊緣和第二扭擺梁邊緣布設(shè)有第一驅(qū)動(dòng)金屬線和第二驅(qū)動(dòng)金屬線；第一扭擺梁的底面設(shè)有第一電容和第二電容，第一扭擺梁的頂面設(shè)有第一電容引線和第二電容引線；第二扭擺梁的底面設(shè)有第三電容和第四電容，第二扭擺梁的頂面和第一扭擺梁的頂面設(shè)有第三電容引線和第四電容引線；第一扭擺梁中設(shè)有含金屬柱的第一通孔和含金屬柱的第二通孔，第一電容通過(guò)第一通孔與第一電容引線的一端連接，第一電容引線的另一端與第一焊盤連接；第二電容通過(guò)第二通孔與第二電容引線的一端連接，第二電容引線的另一端與第二焊盤連接；第二扭擺梁中設(shè)有含金屬柱的第三通孔和含金屬柱的第四通孔，第三電容通過(guò)第三通孔與第三電容引線的一端連接，第三電容引線另一端與第三焊盤連接；第四電容通過(guò)第四通孔與第四電容引線一端連接，第四電容引線另一端與第四焊盤連接；第一驅(qū)動(dòng)金屬線的兩端分別與一個(gè)第五焊盤連接，第一扭擺梁上設(shè)有含金屬柱的第五通孔和含金屬柱的第六通孔，第一驅(qū)動(dòng)金屬線的第一中間端通過(guò)第五通孔的金屬柱與第一連接線的一端連接，第一驅(qū)動(dòng)金屬線的第二中間端通過(guò)第六通孔的金屬柱與第一連接線另一端連接；第二驅(qū)動(dòng)金屬線的兩端分別與一個(gè)第六焊盤連接，第一扭擺梁上設(shè)有含金屬柱的第七通孔和含金屬柱的第八通孔，第二驅(qū)動(dòng)金屬線的第三中間端通過(guò)第七通孔的金屬柱與第二連接線的一端連接，第二驅(qū)動(dòng)金屬線的第四中間端通過(guò)第八通孔的金屬柱與第二連接線的另一端連接；犧牲層中設(shè)有含有金屬柱的第九通孔，氮化硅層中設(shè)有含金屬柱的第十通孔，底電極層通過(guò)第九通孔、金屬層和第十通孔與第七焊盤連接。
[0007]進(jìn)一步，所述的第一電容和第二電容位于第一扭擺梁相對(duì)的兩條邊上，第一電容和第二電容均不與第一支撐梁連接在第一扭擺梁的同一邊上。
[0008]進(jìn)一步，所述的第一電容和第二電容位于第一扭擺梁的底面邊緣中心，第一電容和第二電容處于同一條直線上,且對(duì)稱分布。
[0009]進(jìn)一步，所述的第三電容和第四電容位于第二扭擺梁相對(duì)的兩條邊上，第三電容和第四電容均不與第二支撐梁連接在第二扭擺梁的同一邊上。
[0010]進(jìn)一步，所述的第三電容和第四電容位于第二扭擺梁的底面邊緣中心，第三電容和第四電容處于同一條直線上，且對(duì)稱分布。
[0011]有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
1.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)幅度和角度的測(cè)量。本發(fā)明的雙扭擺式的微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，利用兩個(gè)扭擺結(jié)構(gòu)能分別感應(yīng)相互垂直的磁場(chǎng)作用，這樣可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)磁場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)幅度可以比擬，通過(guò)從第一電容、第二電容、第三電容和第四電容變化關(guān)系從而可以得到磁場(chǎng)方向，同時(shí)可以得到磁場(chǎng)的幅度。
[0012]2.功耗小、性能可靠。本發(fā)明利用測(cè)量?jī)蓚€(gè)扭擺梁的位移，來(lái)測(cè)量磁場(chǎng)的方向。整個(gè)測(cè)量過(guò)程中所用的電流為直流電，另外，本發(fā)明將金屬線布設(shè)避免了相互作用力的抵消，在同樣的磁場(chǎng)條件下，彎曲板受力最大產(chǎn)生的位移也最大，因此功耗小。另外，電容檢測(cè)受外界環(huán)境影響較小，相對(duì)熱驅(qū)動(dòng)的傳感器而言，本磁場(chǎng)傳感器用洛倫茲力相對(duì)比較容易驅(qū)動(dòng)，性能可靠。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2是圖1中的a-a剖面圖。
圖3是圖1中的b-b剖面圖。
[0015]圖4是圖1中的c-c剖面圖。
[0016]圖5是圖1中的d-d剖面圖。
[0017]圖6是圖1中的e-e剖面圖。
[0018]圖7是圖1中的f_f剖面圖。[0019]圖中有:第一扭擺梁1、第一支撐梁2、第二扭擺梁3、第二支撐梁4、第一電容5、第二電容6、第三電容7、第四電容8、第一驅(qū)動(dòng)金屬線9、第二驅(qū)動(dòng)金屬線10、底電容11、襯底12、底電極層13、犧牲層14、金屬層15、氮化硅層16、錨區(qū)17、第三中間端18、第四中間端19、第一中間端20、第二中間端21、第一連接線22、第二連接線23、第一電容引線51、第二電容引線61、第三電容引線71、第四電容引線81、第一焊盤52、第二焊盤62、第三焊盤72、第四焊盤82、第五焊盤92、第六焊盤102、第七焊盤112、第一通孔53、第二通孔63、第三通孔73、第四通孔83、第五通孔93、第六通孔94、第七通孔103、第八通孔104、第七焊盤112、第十通孔113、第九通孔114。
具體實(shí)施方案
[0020]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0021]如圖1至圖7所示，本發(fā)明的一種雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，包括從下向上依次疊加設(shè)置的襯底12、底電極層13、犧牲層14、金屬層15和氮化娃層16。犧牲層14、金屬層15和氮化硅層16均為中空結(jié)構(gòu)。氮化硅層16的頂面設(shè)有錨區(qū)17。錨區(qū)17 —邊設(shè)有第二焊盤62、第四焊盤82和兩個(gè)第五焊盤92，錨區(qū)17另一邊設(shè)有第一焊盤52、第三焊盤72、第十焊盤112和兩個(gè)第六焊盤102。氮化硅層16的中部設(shè)有第一扭擺梁I。第一扭擺梁I通過(guò)兩個(gè)第一支撐梁2與錨區(qū)17固定連接。第一扭擺梁I和第一支撐梁2處于懸空狀態(tài)。第一扭擺梁I的內(nèi)側(cè)設(shè)有第二扭擺梁3，第二扭擺梁3通過(guò)兩個(gè)第二支撐梁4與第一扭擺梁I的內(nèi)壁固定連接。第二扭擺梁3和第二支撐梁4處于懸空狀態(tài)。第一扭擺梁I邊緣和第二扭擺梁2邊緣布設(shè)有第一驅(qū)動(dòng)金屬線9和第二驅(qū)動(dòng)金屬線10。第一扭擺梁I的底面設(shè)有第一電容5和第二電容6。第一扭擺梁I的頂面設(shè)有第一電容引線51和第二電容引線61。第二扭擺梁3的底面設(shè)有第三電容7和第四電容8，第二扭擺梁3的頂面和第一扭擺梁I的頂面設(shè)有第三電容引線71和第四電容引線81。第一扭擺梁I中設(shè)有含金屬柱的第一通孔53和含金屬柱的第二通孔63,第一電容5通過(guò)第一通孔53與第一電容引線51的一端連接，第一電容引線51的另一端與第一焊盤52連接。第二電容6通過(guò)第二通孔63與第二電容引線61的一端連接，第二電容引線61的另一端與第二焊盤62連接。第二扭擺梁3中設(shè)有含金屬柱的第三通孔73和含金屬柱的第四通孔83，第三電容7通過(guò)第三通孔73與第三電容引線71的一端連接，第三電容引線71另一端與第三焊盤72連接。第四電容8通過(guò)第四通孔83與第四電容引線81—端連接，第四電容引線81另一端與第四焊盤82連接；第一驅(qū)動(dòng)金屬線9的兩端分別與一個(gè)第五焊盤92連接，
第一扭擺梁I上設(shè)有含金屬柱的第五通孔93和含金屬柱的第六通孔94,第一驅(qū)動(dòng)金屬線9的第一中間端20通過(guò)第五通孔93的金屬柱與第一連接線22的一端連接，第一驅(qū)動(dòng)金屬線9的第二中間端21通過(guò)第六通孔94的金屬柱與第一連接線22另一端連接。第二驅(qū)動(dòng)金屬線10的兩端分別與一個(gè)第六焊盤102連接，第一扭擺梁I上設(shè)有含金屬柱的第七通孔103和含金屬柱的第八通孔104，第二驅(qū)動(dòng)金屬線10的第三中間端18通過(guò)第七通孔103的金屬柱與第二連接線23的一端連接，第二驅(qū)動(dòng)金屬線10的第四中間端19通過(guò)第八通孔104的金屬柱與第二連接線23的另一端連接。犧牲層14中設(shè)有含有金屬柱的第九通孔114，氮化硅層16中設(shè)有含金屬柱的第十通孔113，底電極層13通過(guò)第九通孔114、金屬層15和第十通孔113與第七焊盤112連接。[0022]進(jìn)一步，所述的第一電容5和第二電容6位于第一扭擺梁I相對(duì)的兩條邊上，第一電容5和第二電容6均不與第一支撐梁2連接在第一扭擺梁I的同一邊上。這樣兩個(gè)電容分布，在橫向磁場(chǎng)作用下發(fā)生扭轉(zhuǎn)時(shí)，電容所處的位置扭轉(zhuǎn)位移最大，這樣電容的變化也最大，提高橫向磁場(chǎng)測(cè)量的靈敏度。
[0023]進(jìn)一步，所述的第一電容5和第二電容6位于第一扭擺梁I的底面邊緣中心，第一電容5和第二電容6處于同一條直線上,且對(duì)稱分布。這樣兩個(gè)電容對(duì)稱分布，在橫向磁場(chǎng)作用下發(fā)生扭轉(zhuǎn)時(shí)，一些相同分量才可以抵消，留下絕對(duì)的差值，減小誤差。
[0024]進(jìn)一步，所述的第三電容7和第四電容8位于第二扭擺梁3相對(duì)的兩條邊上，第三電容7和第四電容8均不與第二支撐梁4連接在第二扭擺梁3的同一邊上。這樣兩個(gè)電容分布，在縱向磁場(chǎng)作用下發(fā)生扭轉(zhuǎn)時(shí)，電容所處的位置扭轉(zhuǎn)位移最大，這樣電容的變化也最大，提高縱向此處測(cè)量的靈敏度。
[0025]進(jìn)一步，所述的第三電容7和第四電容8位于第二扭擺梁3的底面邊緣中心，第三電容7和第四電容8處于同一條直線上,且對(duì)稱分布。這樣兩個(gè)電容對(duì)稱分布，在縱向磁場(chǎng)作用下發(fā)生扭轉(zhuǎn)時(shí)，一些相同分量才可以抵消，留下絕對(duì)的差值，減小誤差。進(jìn)一步，為減小驅(qū)動(dòng)金屬線在第一扭擺梁I和第二扭擺梁3之間相互作用，所述的驅(qū)動(dòng)金屬線在兩個(gè)扭擺梁中盡量處于相對(duì)較遠(yuǎn)的位置，這樣就能使電容所處的位置位移盡可能大，提高靈敏度。
[0026]該結(jié)構(gòu)的磁場(chǎng)傳感器工作過(guò)程是:如圖1所示，在磁場(chǎng)傳感器的第一驅(qū)動(dòng)金屬線
9、第二驅(qū)動(dòng)金屬線10中施加一個(gè)任意的直流電流，在磁場(chǎng)作用下，結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生變形，測(cè)量第一電容5、第二電容6、第三電容7和第四電容8的電容變化。第一電容5和第二電容6位于第一扭擺梁I的底面邊緣中心，第一電容5和第二電容6處于同一條直線上,且對(duì)稱分布。在橫向磁場(chǎng)Bh (Bh為磁場(chǎng)的橫向分量)的作用下,第一驅(qū)動(dòng)金屬線9和第二驅(qū)動(dòng)金屬線10中(假設(shè)電流是順時(shí)針方向)就會(huì)受磁場(chǎng)力的作用，第一電容5在第一扭擺梁I所處的位置就會(huì)向下彎曲，電容變小，第二電容6在第一扭擺梁I所處的位置就會(huì)向上彎曲，電容變大。由于第三電容7和第四電容8處于第二扭擺梁3外側(cè)中心，電容不會(huì)發(fā)生變化。這樣可以得到第一電容5和第二電容6變化的絕對(duì)值是相等的，由電容變化可以得到彎曲量，進(jìn)而可以根據(jù)第一扭擺梁I的扭轉(zhuǎn)系數(shù)，得到第一扭擺梁I的受力從而得到橫向磁場(chǎng)Bh的值。并且，通過(guò)第一電容5和第二電容6的電容變化量,可以得到橫向磁場(chǎng)的方向。
[0027]同樣，第三電容7和第四電容8位于第二扭擺梁3的底面邊緣中心，第三電容7和第四電容8處于同一條直線上,且對(duì)稱分布。在縱向磁場(chǎng)Bv (Bv為磁場(chǎng)的橫向分量)的作用下，第一驅(qū)動(dòng)金屬線9和第二驅(qū)動(dòng)金屬線10中(假設(shè)電流是順時(shí)針方向)就會(huì)受磁場(chǎng)力的作用，第四電容8在第二扭擺梁3所處的位置就會(huì)向下彎曲，電容變小，第三電容7在第二扭擺梁3所處的位置就會(huì)向上彎曲，電容變大。這樣可以得到第三電容7和第四電容8變化的絕對(duì)值是相等的，電容變化可以得到彎曲量，進(jìn)而可以根據(jù)第二扭擺梁3的扭轉(zhuǎn)系數(shù)，得到第二扭擺梁3的受力從而得到縱向磁場(chǎng)Bv的值。并且，通過(guò)第三電容7和第四電容8的電容變化量，可以得到縱向磁場(chǎng)的方向。這樣可以得到磁場(chǎng)方向和大小。
【權(quán)利要求】
1.一種雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，其特征在于，該磁場(chǎng)傳感器包括從下向上依次疊加設(shè)置的襯底(12)、底電極層(13)、犧牲層(14)、金屬層(15)和氮化硅層(16)，犧牲層(14)、金屬層(15)和氮化娃層(16)均為中空結(jié)構(gòu)， 氮化硅層(16)的頂面設(shè)有錨區(qū)(17)，錨區(qū)(17)—邊設(shè)有第二焊盤(62)、第四焊盤(82)和兩個(gè)第五焊盤(92)，錨區(qū)(17)另一邊設(shè)有第一焊盤(52)、第三焊盤(72)、第十焊盤(112)和兩個(gè)第六焊盤(102);氮化硅層(16)的中部設(shè)有第一扭擺梁(1)，第一扭擺梁(I)通過(guò)兩個(gè)第一支撐梁(2)與錨區(qū)(17)固定連接，第一扭擺梁(I)和第一支撐梁(2)處于懸空狀態(tài)；第一扭擺梁(I)的內(nèi)側(cè)設(shè)有第二扭擺梁(3)，第二扭擺梁(3)通過(guò)兩個(gè)第二支撐梁(4)與第一扭擺梁(I)的內(nèi)壁固定連接，第二扭擺梁(3)和第二支撐梁(4)處于懸空狀態(tài)；第一扭擺梁(I)邊緣和第二扭擺梁(2)邊緣布設(shè)有第一驅(qū)動(dòng)金屬線(9)和第二驅(qū)動(dòng)金屬線(10);第一扭擺梁(I)的底面設(shè)有第一電容(5)和第二電容(6)，第一扭擺梁(I)的頂面設(shè)有第一電容引線(51)和第二電容引線(61);第二扭擺梁(3)的底面設(shè)有第三電容(7)和第四電容(8)，第二扭擺梁(3)的頂面和第一扭擺梁(I)的頂面設(shè)有第三電容引線(71)和第四電容引線(81);第一扭擺梁(I)中設(shè)有含金屬柱的第一通孔(53)和含金屬柱的第二通孔(63)，第一電容(5)通過(guò)第一通孔(53)與第一電容引線(51)的一端連接，第一電容引線(51)的另一端與第一焊盤(52)連接；第二電容(6)通過(guò)第二通孔(63)與第二電容引線(61)的一端連接，第二電容引線(61)的另一端與第二焊盤(62)連接；第二扭擺梁(3)中設(shè)有含金屬柱的第三通孔(73)和含金屬柱的第四通孔(83)，第三電容(7)通過(guò)第三通孔(73)與第三電容引線(71)的一端連接，第三電容引線(71)另一端與第三焊盤(72)連接；第四電容(8)通過(guò)第四通孔(83)與第四電容引線(81)—端連接，第四電容引線(81)另一端與第四焊盤(82)連接；第一驅(qū)動(dòng)金屬線(9)的兩端分別與一個(gè)第五焊盤(92)連接， 第一扭擺梁(I)上設(shè)有含金屬柱的第五通孔(93)和含金屬柱的第六通孔(94)，第一驅(qū)動(dòng)金屬線(9)的第一中間端.(20)通過(guò)第五通孔(93)的金屬柱與第一連接線(22)的一端連接，第一驅(qū)動(dòng)金屬線(9)的第二中間端(21)通過(guò)第六通孔(94)的金屬柱與第一連接線(22)另一端連接；第二驅(qū)動(dòng)金屬線(10)的兩端分別與一個(gè)第六焊盤(102)連接，第一扭擺梁(I)上設(shè)有含金屬柱的第七通孔(103)和含金屬柱的第八通孔(104)，第二驅(qū)動(dòng)金屬線(10)的第三中間端(18)通過(guò)第七通孔(103)的金屬柱與第二連接線(23)的一端連接，第二驅(qū)動(dòng)金屬線(10)的第四中間端(19)通過(guò)第八通孔(104)的金屬柱與第二連接線(23)的另一端連接；犧牲層(14)中設(shè)有含有金屬柱的第九通孔(114)，氮化硅層(16)中設(shè)有含金屬柱的第十通孔(113)，底電極層(13)通過(guò)第九通孔(114)、金屬層(15)和第十通孔(113)與第七焊盤(112)連接。
2.按照權(quán)利要求1所述的雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，其特征在于，所述的第一電容(5)和第二電容(6)位于第一扭擺梁(I)相對(duì)的兩條邊上，第一電容(5)和第二電容(6)均不與第一支撐梁(2 )連接在第一扭擺梁(I)的同一邊上。
3.按照權(quán)利要求2所述的雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，其特征在于，所述的第一電容(5)和第二電容(6)位于第一扭擺梁(I)的底面邊緣中心，第一電容(5)和第二電容(6)處于同一條直線上，且對(duì)稱分布。
4.按照權(quán)利要求1所述的雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，其特征在于，所述的第三電容(7)和第四電容(8)位于第二扭擺梁(3)相對(duì)的兩條邊上，第三電容(7)和第四電容(8)均不與第二支撐梁(4)連接在第二扭擺梁(3)的同一邊上。
5.按照權(quán)利要求4所述的雙扭擺式微機(jī)電磁場(chǎng)傳感器，其特征在于，所述的第三電容(7)和第四電容(8)位于第二扭擺梁(3)的底面邊緣中心，第三電容(7)和第四電容(8)處于同一條直線上， 且對(duì)稱分布。
【文檔編號(hào)】G01R33/02GK103472410SQ201310455985
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】陳潔, 梁秋實(shí), 周志浩, 薛銘豪, 景晟 申請(qǐng)人:東南大學(xué)