等離子體用高頻電源及使用它的icp發(fā)光分光分析裝置制造方法
【專利摘要】提供一種等離子體用高頻電源及使用它的ICP發(fā)光分光分析裝置，能夠充分冷卻安裝于高頻電路板的元件并連續(xù)點亮等離子體火焰。該等離子體用高頻電源(30)具備殼體(31)和配置在殼體(31)的內(nèi)部的高頻電路板(32)，在高頻電路板(32)安裝有用于對高頻感應(yīng)線圈(21)提供高頻電流的元件，還具備冷卻高頻電路板(32)的冷卻塊(34)和將空氣吹到高頻電路板(32)的元件的風(fēng)扇(33)，在冷卻塊(34)的表面形成有能夠通過使空氣流通來冷卻空氣的散熱片(34b)，在殼體(31)中設(shè)置有用于將流過散熱片(34b)的空氣提供給風(fēng)扇(33)的吸氣側(cè)的空氣流路(31a)。
【專利說明】等離子體用高頻電源及使用它的ICP發(fā)光分光分析裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種等離子體用高頻電源及使用該等離子體用高頻電源的ICP(Inductive Coupled Plasma:電感稱合等離子體)發(fā)光分光分析裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在ICP發(fā)光分光分析裝置中，將試樣導(dǎo)入到等離子體火焰來進行激勵發(fā)光，利用衍射光柵使該發(fā)出的光發(fā)生波長色散并利用光檢測器進行檢測，由此獲取發(fā)光光譜。然后，根據(jù)發(fā)光光譜中出現(xiàn)的光譜線(亮線光譜)的波長的種類來對試樣中含有的元素進行定性分析(鑒定)，并且根據(jù)該亮線光譜的強度對該元素進行定量分析(例如參照專利文獻I)。
[0003]圖5是表示以往的ICP發(fā)光分光分析裝置的一例的概要結(jié)構(gòu)圖。ICP發(fā)光分光分析裝置200具備:用于形成等離子體火焰22的發(fā)光分光分析用等離子體炬18、試樣氣體提供部44、等離子體用氣體提供部41、冷卻用氣體提供部42、檢測光的測光部43、用于提供高頻電流I的等離子體用高頻電源130以及對ICP發(fā)光分光分析裝置200整體進行控制的計算機(控制部)150。
[0004]發(fā)光分光分析用等離子體炬18具備:圓筒形狀的試樣氣體管11 ;圓筒形狀的等離子體用氣體管12，其以空出空間的方式覆蓋試樣氣體管11的外周面；圓筒形狀的冷卻劑氣體管13，其以空出空間的方式覆蓋等離子體用氣體管12的外周面；以及高頻感應(yīng)線圈21，其在冷卻劑氣體管13的外周面的前端部分纏繞2?3圈。
[0005]等離子體用氣體提供部41使氬氣在試樣氣體管11的外周面與等離子體用氣體管12的內(nèi)周面之間以比較低的速度向上方流通。由此，從形成在試樣氣體管11的外周面與等離子體用氣體管12的內(nèi)周面之間的流路的上端部噴出氬氣，所噴出的氬氣由于被高頻感應(yīng)線圈21所形成的高頻電磁場加速的電子而發(fā)生電離，由此生成氬陽離子和電子。所生成的電子進一步撞擊氬，從而使電離增殖而在上端部形成穩(wěn)定的等離子體火焰22。
[0006]冷卻用氣體提供部42使氬氣在等離子體用氣體管12的外周面與冷卻劑氣體管13的內(nèi)周面之間以比較高的速度向上方流通。由此，從形成在等離子體用氣體管12的外周面與冷卻劑氣體管13的內(nèi)周面之間的流路的上端部噴出氬氣，所噴出的氬氣在形成于上端部的等離子體火焰22的外側(cè)向上方流動。
[0007]而且，當分析試樣時,使試樣和IS氣在由試樣氣體管11的內(nèi)周面圍成的空間中向上方流通。試樣隨著氬氣從試樣氣體管11的前端部噴出，從而被導(dǎo)入到等離子體火焰22。其結(jié)果是試樣中含有的化合物與等離子體火焰22接觸，由此化合物被原子化或者離子化從而進行激勵發(fā)光。
[0008]測光部43具有:殼體43a ;聚光透鏡43b，其將從發(fā)光分光分析用等離子體炬18射出的光導(dǎo)入到殼體43a內(nèi)部；衍射光柵43c,其使該光發(fā)生波長色散；以及光檢測器43d,其檢測發(fā)光光譜。
[0009]計算機150由CPU151和鍵盤、鼠標等輸入裝置52構(gòu)成，基于由光檢測器43d檢測出的發(fā)光光譜，根據(jù)亮線光譜的波長的種類對試樣中含有的元素進行定性分析，并且根據(jù)該亮線光譜的強度對該元素進行定量分析。
[0010]另外，在如上所述的ICP發(fā)光分光分析裝置200中，設(shè)置有用于向高頻感應(yīng)線圈21提供高頻電流I的等離子體用高頻電源130。等離子體用高頻電源130具備:殼體131，其具有開口部131a、131b ;高頻電路板132，其配置在殼體131的內(nèi)部；以及冷卻用風(fēng)扇133，其配置在殼體131的開口部131a附近。
[0011]殼體131是具有內(nèi)部空間的長方體形狀(例如50cmX 20cmX 35cm)，在其下表面形成有開口部131a，并且在其上表面形成有開口部131b。
[0012]高頻電路板132具有兩片平板形狀的FR4(Flame Retardant Type(阻燃劑型)4,熱傳導(dǎo)率0.33ff/mk)制的基板(例如30cmX20cmX 1.6mm),在基板的上表面安裝有用于向高頻感應(yīng)線圈21提供高頻電流I的元件即晶體管、大型的電容器、放大電路等。另外，涂布有普遍使用的潤滑脂(熱傳導(dǎo)率0.9ff/mk)。而且，高頻電路板132被配置在殼體131的內(nèi)部的中央部。
[0013]冷卻用風(fēng)扇133被配置成在開口部131a附近、吸氣側(cè)為下側(cè)而排氣側(cè)為上側(cè)。而且，通過風(fēng)扇的旋轉(zhuǎn)使空氣從殼體131的開口部131a通過殼體131的內(nèi)部向殼體131的開口部131b流通。
[0014]根據(jù)這種等離子體用高頻電源130，在提供高頻電流I時高頻電路板132的元件發(fā)熱，因此通過使冷卻用風(fēng)扇133進行旋轉(zhuǎn)而使空氣流通，由此散出高頻電路板132的元件所產(chǎn)生的熱。
[0015]另外，還存在如下一種ICP發(fā)光分光分析裝置:設(shè)為將來自高頻感應(yīng)線圈21的反射波變小的結(jié)構(gòu)，在等離子體用高頻電源130與高頻感應(yīng)線圈21之間設(shè)置匹配箱，利用匹配箱改變電容器容量從而使阻抗匹配。
[0016]專利文獻1:日本特開平11-101748號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0017]發(fā)明要解決的問題
[0018]然而，在如上所述的ICP發(fā)光分光分析裝置200中，在高頻電路板132的基板上表面安裝有多個晶體管、大型的電容器等，另外具有多級的放大電路，因此成本高且為大型裝置。
[0019]本發(fā)明人為了實現(xiàn)小型化、成本降低，制作了如下的高頻電源:將高頻電源的控制方式從安裝多個晶體管、大型的電容器等的以往的頻率固定的電容調(diào)諧方式變?yōu)樽约ふ袷幏绞?，并在高頻電路板上安裝了功率M0SFET、小型的陶瓷電容器、脈沖變壓器、圖案、L(電感器、LC電路的L銅板)、旁路電容器。在自激振蕩方式的情況下，為了減少由高頻電流要流經(jīng)的圖案所具有的電感產(chǎn)生的電力損耗，需要通過使用功率半導(dǎo)體元件來最短地繪制圖案，從而實現(xiàn)小型化。
[0020]另外，由于各元件的熱量密度(發(fā)熱量)升高，因此決定使用使冷卻水(制冷劑)在內(nèi)部流通的金屬制(例如銅制)的冷卻塊來代替使空氣流通的冷卻用風(fēng)扇。也就是說，用冷卻塊將熱量密度(發(fā)熱量500W)非常高的功率MOSFET冷卻，并且以自然空氣冷卻的方式將小型的陶瓷電容器、脈沖變壓器、圖案、L(電感器)、旁路電容器冷卻。但是，小型的陶瓷電容器、L(電感器)、脈沖變壓器的冷卻不充分。[0021]此外，僅使用使空氣流通的冷卻用風(fēng)扇，即使以強制空氣冷卻的方式將功率M0SFET、小型的陶瓷電容器、脈沖變壓器、圖案、L(電感器)、旁路電容器冷卻，冷卻也不充分。
[0022]用于解決問題的方案
[0023]因此，本發(fā)明人對將高頻電路板的元件冷卻的冷卻方法進行了研究。獲知了由于部件的結(jié)構(gòu)、安裝到基板的安裝方法(例如與基板的接觸面積的大小)的不同，而在安裝于高頻電路板的基板的元件中存在適合通過熱傳導(dǎo)散熱的元件(功率M0SFET、圖案)和不適合通過熱傳導(dǎo)散熱的元件(小型的陶瓷電容器、L(電感器))。由此，發(fā)現(xiàn)以下辦法:用冷卻塊將適合通過熱傳導(dǎo)散熱的元件冷卻，并且以直接接觸來自冷卻用風(fēng)扇的風(fēng)的強制空氣冷卻的方式將不適合通過熱傳導(dǎo)散熱的元件冷卻。另外發(fā)現(xiàn)以下辦法:將用冷卻塊冷卻后的空氣提供給冷卻用風(fēng)扇的吸氣側(cè)。
[0024]S卩，本發(fā)明的等離子體用高頻電源具備殼體和配置在上述殼體的內(nèi)部的高頻電路板，上述高頻電路板中安裝有用于對高頻感應(yīng)線圈提供高頻電流的元件，該等離子體用高頻電源的特征在于，還具備將上述高頻電路板冷卻的冷卻塊和將空氣吹到上述高頻電路板的元件的風(fēng)扇，在上述冷卻塊中形成有能夠通過使空氣流通來冷卻空氣的散熱片，上述殼體中設(shè)置有用于將流過上述散熱片的空氣提供給上述風(fēng)扇的吸氣側(cè)的空氣流路。
[0025]發(fā)明的效果
[0026]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的等離子體用高頻電源，能夠充分冷卻安裝于高頻電路板的元件并且可連續(xù)點亮等離子體火焰。
[0027](用于解決其它問題的方案以及效果)
[0028]另外，在上述發(fā)明的等離子體用高頻電源中，可以通過將上述風(fēng)扇和上述高頻電路板相向地配置，并且將不適合用上述冷卻塊冷卻的元件配置在上述高頻電路板上的與上述風(fēng)扇排出空氣的部位相向的區(qū)域，來將空氣直接吹到這些元件。
[0029]另外，在上述發(fā)明的等離子體用高頻電源中，不適合用上述冷卻塊冷卻的元件可以是電容器、脈沖變壓器以及電感器。
[0030]另外，在上述發(fā)明的等離子體用高頻電源中，可以是上述殼體的內(nèi)部密閉，上述殼體的內(nèi)部具備上述冷卻塊、上述風(fēng)扇以及上述空氣流路。
[0031]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的等離子體用高頻電源，在酸性氛圍、包含海水的氛圍等嚴酷的環(huán)境中使用ICP發(fā)光分光分析裝置的情況下，有時灰塵等與空氣一起從殼體的開口部侵入，該灰塵等附著于高頻電路板的元件等使元件短路或者腐蝕而損壞，但在本發(fā)明中由于使等離子體用高頻電源的殼體的內(nèi)部為密閉空間而灰塵等不會侵入，因此能夠防止高頻電路板的元件損壞。
[0032]此外，在本發(fā)明中，等離子體用高頻電源的殼體的內(nèi)部為密閉空間，阻斷大氣，但只要能夠進行如下操作即可:使從元件奪取熱而變暖的空氣通過形成于冷卻塊的散熱片，來被冷卻塊放掉熱，從而對風(fēng)扇的吸氣側(cè)提供冷卻后的空氣。
[0033]另外，在本發(fā)明的等離子體用高頻電源中，也可以在上述冷卻塊的上表面配置上述高頻電路板并且在上述冷卻塊的下表面形成上述散熱片，在上述高頻電路板的上方配置上述風(fēng)扇。
[0034]另外，在本發(fā)明的等離子體用高頻電源中，也可以在上述冷卻塊的內(nèi)部形成有用于使制冷劑流通的制冷劑流路，或者上述冷卻塊安裝有帕爾貼元件。
[0035]而且，在本發(fā)明的ICP發(fā)光分光分析裝置中，也可以具備:如上所述的等離子體用高頻電源；等離子體炬，其具有高頻感應(yīng)線圈；測光部，其檢測光；以及控制部，其使用上述等離子體炬形成等離子體火焰，并將試樣導(dǎo)入到等離子體火焰來分析元素。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0036]圖1是表示實施方式所涉及的ICP發(fā)光分光分析裝置的一例的概要結(jié)構(gòu)圖。
[0037]圖2是圖1所示的等離子體用高頻電源的剖面立體圖。
[0038]圖3的(a)是表不聞頻電路板的俯視圖，圖3的(b)是表不聞頻電路板的側(cè)視圖。
[0039]圖4是表示熱電路網(wǎng)的圖。
[0040]圖5是表示以往的ICP發(fā)光分光分析裝置的一例的概要結(jié)構(gòu)圖。
[0041]附圖標記說明
[0042]18:發(fā)光分光分析用等離子體炬；21:高頻感應(yīng)線圈；22:等離子體火焰；30:等離子體用聞頻電源；31:殼體；31a:風(fēng)道(空氣流路)；32:聞頻電路板；33:冷卻用風(fēng)扇；34:冷卻銅塊(冷卻塊)；34a:制冷劑流路；34b:散熱片。
【具體實施方式】
[0043]以下，使用【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的實施方式。此外，本發(fā)明并不限定于以下要說明那樣的實施方式，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)包含各種方式。
[0044]圖1是表示實施方式所涉及的ICP發(fā)光分光分析裝置的一例的概要結(jié)構(gòu)圖，圖2是圖1所示的等離子體用高頻電源的剖面立體圖。此外，對與ICP發(fā)光分光分析裝置200相同的結(jié)構(gòu)附加相同的附圖標記。
[0045]ICP發(fā)光分光分析裝置100具備:用于形成等離子體火焰22的發(fā)光分光分析用等離子體炬18、試樣氣體提供部44、等離子體用氣體提供部41、冷卻用氣體提供部42、檢測光的測光部43、用于提供高頻電流I的等離子體用高頻電源30以及對ICP發(fā)光分光分析裝置100整體進行控制的計算機(控制部)50。
[0046]等離子體用高頻電源30具備:密閉的殼體31、配置在殼體31的內(nèi)部的高頻電路板32、配置在殼體31的內(nèi)部的冷卻銅塊34、配置在殼體31的內(nèi)部的冷卻用風(fēng)扇33以及配置在殼體31的外部的制冷劑提供部71。
[0047]殼體31是具有內(nèi)部空間的長方體形狀(例如30cmX30cmX30cm)，其內(nèi)部密閉。也就是說，灰塵等不會侵入到殼體31的內(nèi)部。
[0048]在此，圖3的(a)是表不聞頻電路板的一例的俯視圖，圖3的(b)是表不聞頻電路板的一例的側(cè)視圖。高頻電路板32具有平板形狀的FR4(Flame Retardant Type4,熱傳導(dǎo)率0.33ff/mk)制的基板(例如27cmX 18cmX 1.6mm)，在基板的上表面安裝有用于對高頻感應(yīng)線圈21提供高頻電流I的元件，即功率M0SFET32e、小型的陶瓷電容器32c、脈沖變壓器32a、圖案32b以及L(電感器)32d，并且在基板的下表面安裝有旁路電容器32f。另外，為了良好地向冷卻塊進行熱傳導(dǎo)，涂布了高熱傳導(dǎo)潤滑脂(熱傳導(dǎo)率2.8W/mk，信越化學(xué)工業(yè)制)。而且，高頻電路板32被配置在殼體31內(nèi)部的中央部。
[0049]冷卻銅塊34是長方體(例如15cmX15cmX5cm)，在其內(nèi)部蜿蜒曲折地形成有用于使冷卻水(制冷劑)流通的制冷劑流路34a，在一個側(cè)面形成有流路入口和流路出口，在下表面形成有散熱片34b。散熱片34b由多個鋁制的板狀體形成，各板狀體以從冷卻銅塊34的一個側(cè)面延伸到另一個側(cè)面且平行的方式配置。
[0050]而且，配置成使冷卻銅塊34的上表面與高頻電路板32的基板的下表面接觸。根據(jù)這樣的冷卻銅塊34，通過使冷卻水(例如5°C?31°C )在制冷劑流路34a中流通，由此冷卻銅塊34自身被冷卻，進而聞頻電路板32的基板被冷卻，由此聞頻電路板32的基板上安裝的元件(功率M0SFET32e、脈沖變壓器32a、圖案32b、旁路電容器32f、小型的陶瓷電容器32c)被冷卻。
[0051]冷卻用風(fēng)扇33在高頻電路板32的上方與高頻電路板32上表面相向地配置，使得吸氣側(cè)為上側(cè)而排氣側(cè)為下側(cè)。然后，通過進行旋轉(zhuǎn)使空氣從吸氣側(cè)向排氣側(cè)流通。此時，冷卻用風(fēng)扇33被配置成直接對脈沖變壓器32a、L(電感器)32d、小型的陶瓷電容器32c等不適合通過熱傳導(dǎo)進行冷卻的元件送風(fēng)。
[0052]另外，在殼體31的內(nèi)部設(shè)置有用于將流過散熱片34b的空氣提供給冷卻用風(fēng)扇33的吸氣側(cè)的風(fēng)道(空氣流路)31a。具體地說，風(fēng)道31a形成為:使空氣在冷卻銅塊34的下方從左側(cè)向右側(cè)流通，在殼體31的右部從下側(cè)向上側(cè)流通，在殼體31的上部從右側(cè)向左側(cè)流通，在通過冷卻用風(fēng)扇33的內(nèi)部之后，被吹到高頻電路板32的元件，再次在冷卻銅塊34的下方從左側(cè)向右側(cè)流通。也就是說，空氣在殼體31的內(nèi)部進行循環(huán)。而且，當空氣在冷卻銅塊34的下方從左側(cè)向右側(cè)流通時，流過散熱片34b。
[0053]根據(jù)這種冷卻用風(fēng)扇33和風(fēng)道31a，當提供高頻電流I時高頻電路板32的元件發(fā)熱，因此反復(fù)進行以下動作:使冷卻用風(fēng)扇33進行旋轉(zhuǎn)，由此空氣在冷卻銅塊34的散熱片34b從左側(cè)向右側(cè)流通而被冷卻，該冷卻后的空氣在通過冷卻用風(fēng)扇33的內(nèi)部之后被吹到高頻電路板32的元件，由此散出高頻電路板32的元件(功率M0SFET32e、脈沖變壓器32a、圖案32b、旁路電容器32f、小型的陶瓷電容器32c、L(電感器)32d)所產(chǎn)生的熱，變暖的空氣再次在冷卻銅塊34的散熱片34b從左側(cè)向右側(cè)流通而被冷卻。
[0054]計算機(控制部)50由通用的計算機裝置構(gòu)成，如果將其硬件模塊化并進行說明，則計算機(控制部)50由CPU51和鍵盤、鼠標等輸入裝置52構(gòu)成。另外，如果將CPU51進行處理的功能模塊化并進行說明，則具有基于發(fā)光光譜進行定性分析和定量分析的測量部51b以及高頻電源控制部51a。
[0055]高頻電源控制部51a基于來自輸入裝置52的輸入信號來控制高頻電路板32、冷卻用風(fēng)扇33以及制冷劑提供部71。具體地說，當操作者從輸入裝置52輸入了輸入信號“等離子體點亮”時，從高頻電路板32的元件對高頻感應(yīng)線圈21提供高頻電流I，并且使用制冷劑提供部71使冷卻水在冷卻銅塊34的制冷劑流路34a中流通，使用冷卻用風(fēng)扇33使空氣在風(fēng)道31a中流通。另外，當操作者從輸入裝置52輸入了輸入信號“等離子體熄滅”時，停止從高頻電路板32的元件對高頻感應(yīng)線圈21提供高頻電流I，并且停止使用制冷劑提供部71使冷卻水在冷卻銅塊34的制冷劑流路34a中流通，停止使用冷卻用風(fēng)扇33使空氣在風(fēng)道31a中流通。
[0056]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的ICP發(fā)光分光分析裝置100，能夠充分冷卻安裝于高頻電路板32的元件并且可連續(xù)點亮等離子體火焰22。另外，通過使等離子體用高頻電源30的殼體31的內(nèi)部為密閉空間，能夠防止由灰塵等的侵入引起的高頻電路板32的元件損壞。[0057]<其它實施方式>
[0058]在上述ICP發(fā)光分光分析裝置100中，設(shè)為以下結(jié)構(gòu):在冷卻銅塊34的內(nèi)部蜿蜒曲折地形成有用于使冷卻水流通的制冷劑流路34a，但也可以設(shè)為如下結(jié)構(gòu):冷卻銅塊34安裝有帕爾貼元件。
[0059][實施例]
[0060]以下，通過實施例進一步詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些實施例。
[0061]制作實施方式所涉及的等離子體用高頻電源30的熱電路網(wǎng)，通過使用下式進行計算來算出通過電流為20.7Arms時的安裝于高頻電路板32的各元件等的表面溫度。
[0062]圖4是表示熱電路網(wǎng)的圖。此外，Tw是冷卻水的溫度，Tb是冷卻銅塊34的表面溫度，Tg是空氣的溫度。另外，Tl是脈沖變壓器32a的表面溫度，T2是圖案32b的表面溫度，T3是小型的陶瓷電容器32c的表面溫度，T9是旁路電容器32f的表面溫度，T5是功率M0SFET32e的表面溫度，T4是L(電感器)32d的表面溫度。此外，Q是熱量，R是熱電阻。
[0063]Tl-Tg=QlXRl
[0064]T2-Tg=Q2 X R2
[0065]T3-Tg=Q3 X R3
[0066]T4-Tg=Q4 X R4
[0067]T5-Tg=Q5 X R5
[0068]Tl-Tb=Q6XR6
[0069]T2-Tb=Q7 X R7
[0070]T3-Tb=Q8 X R8
[0071]T9-Tb=Q9 X R9
[0072]T5-Tb=Q10XR10
[0073]Tg-Tw=QllXRll
[0074]Tb-Tw=Q12XR12
[0075]Ql+Q6=ll.2
[0076]Q2+Q7=5.7
[0077]Q3+Q8=6
[0078]Q4=4.8
[0079]Q9=4.4
[0080]Q5+Q10=571
[0081 ] Ql1=Q1+Q2+Q3+Q4+Q5
[0082]Q12=598.3-Q1-Q2-Q3-Q4-Q5
[0083]其結(jié)果是，當冷卻水的溫度Tw=31°C時，脈沖變壓器32a的表面溫度Tl=53.2°C，圖案32b的表面溫度T2=52°C，小型的陶瓷電容器32c的表面溫度T3=65°C，旁路電容器32f的表面溫度T9=63°C，L(電感器)32d的表面溫度T4=57°C，功率M0SFET32e的表面溫度T5=78.2 V，冷卻銅塊34的表面溫度Tb=50.8°C，空氣的溫度Tg=35.7 V。
[0084]如上所述，根據(jù)實施方式所涉及的等離子體用高頻電源30，能夠充分冷卻安裝于聞頻電路板32的兀件。
[0085]產(chǎn)業(yè)h的可利用件 [0086] 本發(fā)明能夠利用于ICP發(fā)光分光分析裝置等。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體用高頻電源，具備: 殼體；以及 高頻電路板，其配置在上述殼體的內(nèi)部， 其中，上述高頻電路板中安裝有用于對高頻感應(yīng)線圈提供高頻電流的元件， 該等離子體用高頻電源的特征在于，還具備: 冷卻塊，其將上述聞頻電路板冷卻；以及 風(fēng)扇，其將空氣吹到上述高頻電路板的元件， 其中，在上述冷卻塊中形成有能夠通過使空氣流通來冷卻空氣的散熱片， 上述殼體中設(shè)置有用于將流過上述散熱片的空氣提供給上述風(fēng)扇的吸氣側(cè)的空氣流路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體用高頻電源，其特征在于， 將上述風(fēng)扇和上述高頻電路板相向地配置，并且將不適合用上述冷卻塊冷卻的元件配置在上述高頻電路板上的與上述風(fēng)扇排出空氣的部位相向的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體用高頻電源，其特征在于， 不適合用上述冷卻塊冷卻的元件是電容器、脈沖變壓器以及電感器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的等離子體用高頻電源，其特征在于， 上述殼體的內(nèi)部密閉， 在上述殼體的內(nèi)部具備上述冷卻塊、上述風(fēng)扇以及上述空氣流路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的等離子體用高頻電源，其特征在于， 在上述冷卻塊的上表面配置有上述高頻電路板，并且在上述冷卻塊的下表面形成有上述散熱片， 在上述高頻電路板的上方配置有上述風(fēng)扇。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的等離子體用高頻電源，其特征在于， 在上述冷卻塊的內(nèi)部形成有用于使制冷劑流通的制冷劑流路，或者上述冷卻塊中安裝有帕爾貼元件。
7.—種ICP發(fā)光分光分析裝置，其特征在于，具備: 根據(jù)權(quán)利要求1?6中的任一項所述的等離子體用高頻電源； 等離子體炬，其具有高頻感應(yīng)線圈； 測光部，其檢測光；以及 控制部，其使用上述等離子體炬形成等離子體火焰，并將試樣導(dǎo)入到等離子體火焰來分析元素。
【文檔編號】G01N21/73GK103781272SQ201310471413
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月25日
【發(fā)明者】松下知義 申請人:株式會社島津制作所