一種帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，包括高壓端屏蔽環(huán)、上法蘭、器身、底座和接線盒；所述高壓端屏蔽環(huán)位于所述器身頂部，通過上法蘭與所述器身連接；所述器身底部固定在所述底座上，所述接線盒設(shè)置于所述底座上。在降低耦合電容分壓器的電容量的基礎(chǔ)上，保證分壓器的分壓比不受外界物體及電場變化影響，本發(fā)明提供一種帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，可以作為耦合電容器用于EVT，以提高EVT二次系統(tǒng)耐受暫態(tài)過程的能力；也可以作為具有分壓器功能的支柱絕緣子，用于變電站電壓的監(jiān)測與電網(wǎng)暫態(tài)過電壓的測量，用于變電站及線路系統(tǒng)調(diào)試的一次電壓監(jiān)測；還可以用于絕緣性能更高的低功耗CVT中。
【專利說明】一種帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種分壓器，具體講涉及一種帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器。
【背景技術(shù)】
[0002]變電站的接地電阻及地網(wǎng)殘余電感，比性能優(yōu)良的高壓實驗室的接地阻抗要大很多，甚至相差一個至兩個數(shù)量級。電網(wǎng)出現(xiàn)暫態(tài)過電壓時，會通過容性設(shè)備的脈沖電流引起容性設(shè)備接地端的電位瞬間升高，這一現(xiàn)象對在所謂地電位的二次設(shè)備的分壓器類設(shè)備而言，會產(chǎn)生極大的危害。
[0003]智能電網(wǎng)一個特點是將原來遠離一次設(shè)備的后臺二次設(shè)備前移至一次設(shè)備附近，包括大量的狀態(tài)監(jiān)測裝置，以實現(xiàn)變壓器、開關(guān)、組合電器(GIS)等設(shè)備的智能化。
[0004]二次系統(tǒng)、狀態(tài)監(jiān)測系統(tǒng)等屬于弱電系統(tǒng)。變電站的接地網(wǎng)并非時時刻刻處于地電位狀態(tài)，它與地電位之間存在殘余電感，且直流接地電阻也在歐姆數(shù)量。當(dāng)一次設(shè)備(變壓器，開關(guān)，互感器等)高壓端入口等效電容較大時，在電網(wǎng)發(fā)生暫態(tài)過程(如雷擊過電壓，操作過電壓等)作用下，由于接地網(wǎng)殘余電感與接地電阻的存在，一次設(shè)備的接地端可能出現(xiàn)瞬間電位升高的現(xiàn)象。這種暫態(tài)過程的地電位升高，對于一次設(shè)備本身而言危害并不大，但是地電位的瞬間升高，對于一次設(shè)備附近安裝的弱電系統(tǒng)危害極大。因為瞬間電位的升高，會在弱電系統(tǒng)信號輸入端與工作電源的地電位之間產(chǎn)生較大電位差。過去往往注意提高信號輸入端的限幅保護，提高信號輸入端與電源、信號傳輸、自身元器件的絕緣水平，卻沒有注意對地電位瞬間升高的抑制。
[0005]對于傳統(tǒng)的互感器，遭遇這種暫態(tài)過電壓時，高頻干擾信號經(jīng)過數(shù)十米至數(shù)百米的二次引線傳輸，過電壓基本上都衰減了，對后臺連接的繼電保護裝置、電度表、監(jiān)測儀表及自動裝置，構(gòu)成的危害程度已經(jīng)大大降低。
[0006]電子式互感器或互感器的數(shù)字化，是智能電網(wǎng)一個重要特征。與傳統(tǒng)電力互感器的差異在于，不少類型電力互感器的數(shù)字化或電子式互感器的二次系統(tǒng)(弱電設(shè)備)從后臺前移至一次設(shè)備附近。對于數(shù)字化的電力互感器和電子式互感器而言，二次系統(tǒng)裝置就地安裝，各種過電壓，特別是隔離開關(guān)操作產(chǎn)生的高頻分量較多的過電壓，導(dǎo)致一次設(shè)備接地端的地電位瞬間升高，嚴重威脅電子式互感器的二次系統(tǒng)，出現(xiàn)亂碼、死機、信息丟失等現(xiàn)象，甚至導(dǎo)致二次設(shè)備損毀，嚴重影響到智能電網(wǎng)的發(fā)展。以電容分壓型的EVT為例，二次系統(tǒng)與耦合電容分壓器的低壓端相連接，耦合電容分壓器的電容量越大，暫態(tài)過程導(dǎo)致的耦合電容分壓器地電位瞬間升高越嚴重。如果降低耦合電容分壓器的電容量，外電場干擾又會導(dǎo)致耦合電容分壓器的誤差增大。
[0007]申請?zhí)枮?01080046212.3的專利公開了一種接地屏蔽電容器，包括耦合到第一金屬層的第一參考電壓和耦合到第二金屬層的第二參考電壓；多個指狀物中的第一指狀物類型在第一區(qū)域稱合到第一金屬層而在第二區(qū)域稱合到第一金屬層和第二金屬層；多個指狀物中的第二指狀物類型在第一區(qū)域耦合到第二金屬層而在第二區(qū)域耦合到第一金屬層和第二金屬層；另外第一指狀物類型和第二指狀物類型交替定位于彼此旁邊。接地屏蔽電容器主要特點是:電容器中間包含有源器件，通過電容量的疊加最終達到需要的電容值，且通過中心端子接地，所以叫做接地屏蔽電容器。但是該接地屏蔽電容器沒有有源器件，也不是通過一層一層的耦合電容量的疊加達到最終的電容值，電容量是在電容屏蔽管壓制過程中就已經(jīng)產(chǎn)生的，不通過外部的疊加。
[0008]申請?zhí)枮?01110189935.5的發(fā)明專利公開一種具有噪聲屏蔽裝置的電力電容器，其包括電力電容器及所述殼體；殼體的底端設(shè)有底部屏蔽層，底部屏蔽層與殼體底部的形狀相匹配；殼體的頂端設(shè)有頂蓋屏蔽層，頂蓋屏蔽層與殼體的頂端形狀相匹配。該發(fā)明底部屏蔽層安裝于殼體外的底端或殼體內(nèi)的底端，頂蓋屏蔽層安裝于殼體外的頂端或殼體內(nèi)的頂端；底部屏蔽層與頂蓋屏蔽層均通過泡沫鋁制成，底部屏蔽層與頂蓋屏蔽層的材質(zhì)超輕，能夠吸音隔音，吸能及電子屏蔽電磁波的作用，吸收噪聲的頻譜范圍廣，而且不會影響電力電容器的通風(fēng)散熱，能夠降低電力電容器的噪聲水平，結(jié)構(gòu)簡單緊湊，安裝使用方便，屏蔽效果好，使用壽命長，使用成本低，安全可靠。
[0009]其主要特點是:底部屏蔽層與頂蓋屏蔽層的物理設(shè)計，突出所使用的材料是泡沫鋁制成，材質(zhì)超輕，能夠吸音隔音，吸能及電子屏蔽電磁波的作用，吸收噪聲的頻譜范圍廣，而且不會影響電力電容器的通風(fēng)散熱，能夠降低電力電容器的噪聲水平。屬于材料的應(yīng)用。
[0010]申請?zhí)枮?01110451815.8的專利公開一種帶分壓屏蔽的分體倒立式標(biāo)準電容器，提供的是一種高絕緣強度、可在額定電壓下無限制時間運行，高精度、可移動的帶分壓屏蔽的分體倒立式標(biāo)準電容器。包括高壓殼體、絕緣支撐套管和帶小輪底座。高壓殼體即是電容器的高壓電極，高壓電極和低壓電極全部由鋁合金加工而成，尺寸精準，電容量穩(wěn)定；絕緣支撐套管為整體注射成型的空心復(fù)合絕緣子，內(nèi)部加裝雙極分壓屏蔽，具有極高的電氣絕緣強度；下部底座上安裝有重載萬向輪，可方便的進行移動。其采用倒立式標(biāo)準電容器的結(jié)構(gòu)設(shè)計EVT分壓器部分，可有效提高EVT的可靠性，但是對于電壓等級大于220kV的情況，倒立式標(biāo)準電容器結(jié)構(gòu)內(nèi)部電場分布不及耦合電容器結(jié)構(gòu)均勻，事故率高，造價也昂
蟲
貝ο
[0011]申請?zhí)枮?01210069310.X的發(fā)明專利公開一種便攜式雙屏蔽標(biāo)準電容器，它可以改變以往測量套管電場干擾較大、操作安全性差的弊端，有效提高測量數(shù)據(jù)的可靠性。包括電容器和屏蔽層，在絕緣桶內(nèi)設(shè)有內(nèi)屏蔽層，內(nèi)屏蔽層內(nèi)部充有SF6絕緣氣體，內(nèi)屏蔽層中設(shè)有電容器組；絕緣桶上部設(shè)均壓罩，絕緣桶底部設(shè)絕緣底座；電容器組一端引線引出至均壓罩，另一端引線引出至設(shè)在絕緣桶上的測量端；電容器組的外部包設(shè)聚酯耐熱膠帶。
[0012]其主要特點是:包括電容器和屏蔽層，在絕緣桶內(nèi)設(shè)有內(nèi)屏蔽層，內(nèi)屏蔽層的內(nèi)部充有SF6絕緣氣體，內(nèi)屏蔽層中設(shè)有電容器組；絕緣桶上部設(shè)有均壓罩，絕緣桶底部設(shè)有絕緣底座；電容器組一端引線引出至均壓罩，電容器組另一端引線引出至設(shè)在絕緣桶上的測量端；電容器組的外部包設(shè)有聚酯耐熱膠帶。
[0013]耦合電容分壓器主要用于測量交流電壓，不僅用于戶內(nèi)實驗室試驗和變電站現(xiàn)場試驗，也可以用于CVT和EVT中。外電場的干擾來源很多，如相臨設(shè)備是否帶電，高壓引線產(chǎn)生的分布電容，耦合電容分壓器安置的高度及周邊物體等，都會對耦合電容分壓器的分壓比有影響。西北第一條750kV線路交接試驗時發(fā)現(xiàn)，由耦合電容分壓器和電磁單元構(gòu)成的CVT，高壓引線位置的變動，使得誤差曲線發(fā)生0.38%的偏移。以往為了減少外電場對CVT誤差特性的干擾影響，往往采用增加耦合電容器電容量的方法，這不僅增大了設(shè)備的制造成本、工藝和試驗難度，也不利耦合電容分壓器單元元件場強的設(shè)計。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]在降低耦合電容分壓器的電容量的基礎(chǔ)上，保證分壓器的分壓比不受外界物體及電場變化影響，本發(fā)明提供一種帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，可以作為耦合電容器用于EVT，以提高EVT 二次系統(tǒng)耐受暫態(tài)過程的能力；也可以作為具有分壓器功能的支柱絕緣子，用于變電站電壓的監(jiān)測與電網(wǎng)暫態(tài)過電壓的測量，用于變電站及線路系統(tǒng)調(diào)試的一次電壓監(jiān)測；還可以用于絕緣性能更高的低功耗CVT中。
[0015]為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采取如下技術(shù)方案:
[0016]本發(fā)明提供一種帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，所述分壓器包括高壓端屏蔽環(huán)、上法蘭、器身、底座和接線盒；所述高壓端屏蔽環(huán)位于所述器身頂部，通過上法蘭與所述器身連接；所述器身底部固定在所述底座上，所述接線盒設(shè)置于所述底座上。
[0017]所述器身包括套管、器身本體、帶電位梯度屏蔽筒和低壓端屏蔽環(huán)；所述帶電位梯度屏蔽筒、低壓端屏蔽環(huán)和套管從內(nèi)向外依次設(shè)置于所述器身本體外側(cè)，所述帶電位梯度屏蔽筒與所述低壓端屏蔽環(huán)平行，并垂直于所述底座設(shè)置。
[0018]所述器身本體內(nèi)部充滿絕緣介質(zhì)，所述絕緣介質(zhì)為油性絕緣介質(zhì)和氣體絕緣介質(zhì)。
[0019]所述套管包括環(huán)氧玻璃絲筒和傘群；所述環(huán)氧玻璃絲筒位于所述傘群內(nèi)部，所述傘群為整體澆注成型的液態(tài)硅橡膠傘群；所述傘群上每兩個傘伸出之間的距離為50?IOOmm之間。
[0020]所述套管的長度與所述帶電位梯度屏蔽筒的高度相等。
[0021]所述帶電位梯度屏蔽筒包括連接端子、環(huán)形屏蔽層、電纜紙和連接環(huán)；所述連接端子位于所述環(huán)形屏蔽層上端，所述電纜紙包裹在所述環(huán)形屏蔽層外部，所述帶電位梯度屏蔽筒通過所述連接端子和上法蘭連接，并通過所述連接環(huán)與底座連接。
[0022]所述帶電位梯度屏蔽筒設(shè)有I?3個，相鄰帶電位梯度屏蔽筒之間的間距為15?25mm0
[0023]所述器身本體包括電容和金屬連接片，每兩個電容之間通過所述金屬連接片連接，并用絕緣支架和綁扎帶固定。
[0024]所述高壓端屏蔽環(huán)和低壓端屏蔽環(huán)均采用均壓環(huán)。
[0025]所述上法蘭采用的材料是0Crl3Al，其用碳含量為0.075%、硅含量為0.94%、錳含量為0.97%、磷含量為0.035%、硫含量為0.025%、鉻含量為14.0%、余量為鐵的合金制備，所
述的百分數(shù)為重量百分數(shù)。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于:
[0027]1.與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中的電容量是在電容屏蔽管壓制過程中就已經(jīng)產(chǎn)生的，不通過外部的疊加，采用梯度卷制技術(shù)，對周圍的電場進行屏蔽，通過卷制的帶電位梯度屏蔽筒，讓電容器中形成一層或多層等電位區(qū)域，最終達到屏蔽的效果；
[0028]2.可以極大地降低耦合電容分壓器的電容量，減少了通過分壓器的脈沖電流幅值，從而降低了電網(wǎng)暫態(tài)過電壓導(dǎo)致的分壓器地電位升高現(xiàn)象，可提高電子式電壓互感器(EVT) 二次系統(tǒng)的安全性與可靠性；[0029]3.本發(fā)明顯著降低了耦合電容分壓器電容元件的電場強度，這使得耦合電容分壓器內(nèi)部可以用環(huán)保絕緣介質(zhì)(如氮氣、二氧化碳等)替代常用的電容器油(礦物油)、SF6氣體等對環(huán)境有危害的絕緣介質(zhì)；
[0030]4.本發(fā)明可作為耦合電容器用于EVT，以提高EVT 二次系統(tǒng)耐受暫態(tài)過程的能力；也可以作為具有分壓器功能的支柱絕緣子，用于變電站電壓的監(jiān)測與電網(wǎng)暫態(tài)過電壓的測量，用于變電站及線路系統(tǒng)調(diào)試的一次電壓監(jiān)測；還可以用于絕緣性能更高的低功耗CVT中。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1是單級帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器示意圖；
[0032]圖2是雙極帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器示意圖；
[0033]圖3是三級帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器示意圖；
[0034]圖4是單級結(jié)構(gòu)的帶電位梯度屏蔽筒示意圖；
[0035]圖5是采用第一種單級波浪結(jié)構(gòu)的帶電位梯度屏蔽筒示意圖；
[0036]圖6是采用第二種單級波浪結(jié)構(gòu)的帶電位梯度屏蔽筒示意圖；
[0037]圖7是采用第一種雙級級波浪結(jié)構(gòu)的帶電位梯度屏蔽筒示意圖；
[0038]圖8是采用第二種雙級級波浪結(jié)構(gòu)的帶電位梯度屏蔽筒示意圖；
[0039]圖9是帶電位梯度屏蔽筒內(nèi)部電容示意圖；
[0040]其中，1-高壓端屏蔽環(huán)，2-上法蘭，3-套管，4-帶電位梯度屏蔽筒，5-絕緣介質(zhì)，6-器身本體，7-低壓端屏蔽環(huán)，8-底座，9-接線盒，10-第二級帶電位梯度屏蔽筒，11-第三級帶電位梯度屏蔽筒，12-連接端子，13-環(huán)形屏蔽層，14-電纜紙，15-連接環(huán)，16-極間電容。
【具體實施方式】
[0041]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0042]為了降低小容量耦合電容分壓器受到周邊物體、電場變化等因素對分壓比誤差影響的程度，在小容量耦合電容分壓器器身本體外側(cè)，安置一個或多個同軸結(jié)構(gòu)的帶電位梯度屏蔽筒(如圖1-圖3)，起到緩解外電場對器身本體的干擾。帶電位梯度屏蔽筒數(shù)量越多，且彼此之間的距離越大屏蔽防護效果越好，因此要根據(jù)準確度等級需求確定帶電位梯度的屏蔽筒的數(shù)量。
[0043]等電位梯度屏蔽筒的電位分布方向是至上而下的，與中間部位安裝的器身本體相同，對相應(yīng)的電容分壓器元件起到屏蔽防護作用。
[0044]當(dāng)外部分布電容及周邊電場對電容分壓器產(chǎn)生影響時，首先影響的是帶電位梯度的屏蔽筒，然后再影響小容量耦合電容分壓器器身。同軸結(jié)構(gòu)等電位梯度的屏蔽筒，起到緩解緩沖外部分布電容和周邊電場對小容量耦合電容分壓器分壓比的影響。多安置幾個同軸結(jié)構(gòu)等電位梯度屏蔽，“屏蔽”外界分布電容和周邊電場的效果會更好。
[0045]同軸結(jié)構(gòu)的電位梯度屏蔽的整體電容量及屏蔽電極數(shù)量，對小容量耦合電容分壓器器身的分壓比也有影響。整體電容量越大，“屏蔽”效果越好，但是同軸結(jié)構(gòu)的電位梯度屏蔽的體積會增大。同軸結(jié)構(gòu)的電位梯度屏蔽電極數(shù)越多，電位梯度越致密。[0046]電壓等級越高、準確度要求越高，采用的同軸結(jié)構(gòu)帶電位梯度的屏蔽筒越多，小容量耦合電容分壓器器身的電容量取值越高。
[0047]實施例1
[0048]本發(fā)明提供本發(fā)明提供一種帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，如圖4-圖9，分壓器包括高壓端屏蔽環(huán)1、上法蘭2、器身、底座8和接線盒9 ;所述高壓端屏蔽環(huán)I位于所述器身頂部，通過上法蘭2與所述器身連接；所述器身底部固定在所述底座8上，所述接線盒9設(shè)置于所述底座8上。
[0049]所述器身包括套管3、器身本體6、帶電位梯度屏蔽筒4和低壓端屏蔽環(huán)7 ;所述帶電位梯度屏蔽筒4、低壓端屏蔽環(huán)7和套管3從內(nèi)向外依次設(shè)置于所述器身本體6外側(cè)，所述帶電位梯度屏蔽筒4與所述低壓端屏蔽環(huán)7平行，并垂直于所述底座8設(shè)置。
[0050]所述器身本體6內(nèi)部充滿絕緣介質(zhì)5,所述絕緣介質(zhì)5為油性絕緣介質(zhì)和氣體絕緣介質(zhì)。
[0051]所述套管3包括環(huán)氧玻璃絲筒和傘群；所述環(huán)氧玻璃絲筒位于所述傘群內(nèi)部，所述傘群為整體澆注成型的液態(tài)硅橡膠傘群；所述傘群上每兩個傘伸出之間的距離為50?IOOmm之間。
[0052]所述套管3的長度與所述帶電位梯度屏蔽筒4的高度相等。
[0053]所述帶電位梯度屏蔽筒4包括連接端子12、環(huán)形屏蔽層13、電纜紙14和連接環(huán)15 ;所述連接端子12位于所述環(huán)形屏蔽層13上端，所述電纜紙14包裹在所述環(huán)形屏蔽層13外部，所述帶電位梯度屏蔽筒4通過所述連接端子12和上法蘭2連接，并通過所述連接環(huán)15與底座8連接。
[0054]所述帶電位梯度屏蔽筒設(shè)有I?3個，分別為4、10和11，相鄰帶電位梯度屏蔽筒4之間的間距為15?25mm。
[0055]所述器身本體6包括電容和金屬連接片，每兩個電容之間通過所述金屬連接片連接，并用絕緣支架和綁扎帶固定。
[0056]所述高壓端屏蔽環(huán)I和低壓端屏蔽環(huán)7均采用均壓環(huán)。
[0057]所述上法蘭2采用的材料是OCrl3A1，其用碳含量為0.075%、硅含量為0.94%、錳含量為0.97%、磷含量為0.035%、硫含量為0.025%、鉻含量為14.0%、余量為鐵的合金制備，所
述的百分數(shù)為重量百分數(shù)。
[0058]帶屏蔽的小容量耦合電容分壓器的電壓等級為220kV，其準確度等級為0.2級。套管3采用硅橡膠復(fù)合絕緣結(jié)構(gòu)，高度2200mm，內(nèi)徑355mm。套管3內(nèi)部采用的絕緣介質(zhì)5選擇使用二氧化碳氣體，其額定工作壓強為0.5MPa。器身本體6采用傳統(tǒng)的CVT耦合電容分壓器電容芯子繞制及捆扎結(jié)構(gòu)，電容量150pF。電容芯子采用聚酯薄膜作為層間絕緣。帶屏蔽的小容量耦合電容分壓器采用兩個帶電位梯度的屏蔽筒的結(jié)構(gòu)，見圖2。其中帶電位梯度屏蔽筒5，采用波浪結(jié)構(gòu)的等電位屏蔽筒，見圖6;帶電位梯度的屏蔽筒，采用雙級波浪結(jié)構(gòu)的等電位屏蔽筒，見圖8。低壓端屏蔽環(huán)7高度220mm，外徑335mm。
[0059]本發(fā)明可以極大地降低耦合電容分壓器的電容量，減少了通過分壓器的脈沖電流幅值，從而降低了電網(wǎng)暫態(tài)過電壓導(dǎo)致的分壓器地電位升高現(xiàn)象，可提高電子式電壓互感器(EVT) 二次系統(tǒng)的安全性與可靠性。本發(fā)明顯著降低了I禹合電容分壓器電容兀件的電場強度，這使得耦合電容分壓器內(nèi)部可以用環(huán)保絕緣介質(zhì)(如氮氣、二氧化碳等)替代常用的電容器油(礦物油)、SF6氣體等對環(huán)境有危害的絕緣介質(zhì)。
[0060] 最后應(yīng)當(dāng)說明的是:以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其限制，盡管參照上述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:依然可以對本發(fā)明的【具體實施方式】進行修改或者等同替換，而未脫離本發(fā)明精神和范圍的任何修改或者等同替換，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述分壓器包括高壓端屏蔽環(huán)、上法蘭、器身、底座和接線盒；所述高壓端屏蔽環(huán)位于所述器身頂部，通過上法蘭與所述器身連接；所述器身底部固定在所述底座上，所述接線盒設(shè)置于所述底座上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述器身包括套管、器身本體、帶電位梯度屏蔽筒和低壓端屏蔽環(huán)；所述帶電位梯度屏蔽筒、低壓端屏蔽環(huán)和套管從內(nèi)向外依次設(shè)置于所述器身本體外側(cè)，所述帶電位梯度屏蔽筒與所述低壓端屏蔽環(huán)平行，并垂直于所述底座設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述器身本體內(nèi)部充滿絕緣介質(zhì)，所述絕緣介質(zhì)為油性絕緣介質(zhì)和氣體絕緣介質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述套管包括環(huán)氧玻璃絲筒和傘群；所述環(huán)氧玻璃絲筒位于所述傘群內(nèi)部，所述傘群為整體澆注成型的液態(tài)硅橡膠傘群；所述傘群上每兩個傘伸出之間的距離為50?IOOmm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述套管的長度與所述帶電位梯度屏蔽筒的高度相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述帶電位梯度屏蔽筒包括連接端子、環(huán)形屏蔽層、電纜紙和連接環(huán)；所述連接端子位于所述環(huán)形屏蔽層上端，所述電纜紙包裹在所述環(huán)形屏蔽層外部，所述帶電位梯度屏蔽筒通過所述連接端子和上法蘭連接，并通過所述連接環(huán)與底座連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述帶電位梯度屏蔽筒設(shè)有I?3個，相鄰帶電位梯度屏蔽筒之間的間距為15?25mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述器身本體包括電容和金屬連接片，每兩個電容之間通過所述金屬連接片連接，并用絕緣支架和綁扎帶固定。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述高壓端屏蔽環(huán)和低壓端屏蔽環(huán)均采用均壓環(huán)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電位梯度屏蔽的耦合電容分壓器，其特征在于:所述上法蘭采用的材料是0Crl3Al，其用碳含量為0.075%、硅含量為0.94%、錳含量為0.97%、磷含量為0.035%、硫含量為0.025%、鉻含量為14.0%、余量為鐵的合金制備，所述的百分數(shù)為重量百分數(shù)。
【文檔編號】G01R15/06GK103575951SQ201310562587
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月13日
【發(fā)明者】王歡, 王曉琪, 項瓊, 汪泉, 吳士普, 汪本進, 余春雨, 李璿, 毛安瀾, 杜研, 馮宇 申請人:國家電網(wǎng)公司, 中國電力科學(xué)研究院