轉(zhuǎn)矩檢測裝置、以及具備該轉(zhuǎn)矩檢測裝置的轉(zhuǎn)向裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)矩檢測裝置、以及具備該轉(zhuǎn)矩檢測裝置的轉(zhuǎn)向裝置。轉(zhuǎn)矩檢測裝置（30）具備集磁單元（50）和傳感器外殼（80），其中，集磁單元（50）具有通過樹脂成形而形成為環(huán)狀的集磁支架（70）以及通過折彎金屬板而形成并且安裝于集磁支架（70）的外周面（70Y）的磁屏蔽件（60），傳感器外殼（80）與集磁單元（50）成形為一體。磁屏蔽件（60）具有屏蔽件主體（62）、屏蔽件端部（61）、以及彎折部分（64）。在磁屏蔽件60中，屏蔽件端部（61）的外側(cè)面（61B）與徑向（ZB）所成的第二角度，小于屏蔽件主體（62）的外周面（62Y）與徑向（ZB）所成的第一角度。
【專利說明】轉(zhuǎn)矩檢測裝置、以及具備該轉(zhuǎn)矩檢測裝置的轉(zhuǎn)向裝置
[0001]本申請主張于2012年12月25日提出的日本專利申請第2012-281665號的優(yōu)先權(quán)，并在此引用包括說明書、附圖、摘要在內(nèi)的全部內(nèi)容。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)矩檢測裝置、以及具備該轉(zhuǎn)矩檢測裝置的轉(zhuǎn)向裝置，其中，所述轉(zhuǎn)矩檢測裝置具有匯集來自磁軛的磁通的集磁單元和與集磁單元成形為一體的傳感器外殼。
【背景技術(shù)】
[0003]現(xiàn)有的轉(zhuǎn)矩檢測裝置具有集磁單元和傳感器外殼，其中，集磁單元具有集磁環(huán)、環(huán)支架、以及磁屏蔽件。該轉(zhuǎn)矩檢測裝置具有以下結(jié)構(gòu)，即:以集磁單元插入于在傳感器外殼形成的插入孔內(nèi)的狀態(tài)將集磁單元固定于傳感器外殼。日本特開2008-249598號公報(bào)示出了現(xiàn)有的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的一例。
[0004]現(xiàn)有的轉(zhuǎn)矩檢測裝置存在水從集磁單元與傳感器外殼之間侵入裝置內(nèi)部的可能性。因此，為了提高轉(zhuǎn)矩檢測裝置的防水性，考慮如圖12所示那樣通過使樹脂流入集磁單元210的外周側(cè)而將傳感器外殼220與集磁單元210成形為一體的結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)矩檢測裝置200。
[0005]集磁單元210具有集磁支架211、集磁環(huán)212、以及磁屏蔽件213。集磁單元210具有在集磁支架211的內(nèi)周面21IX安裝集磁環(huán)212并且在集磁支架211的外周面21IY安裝磁屏蔽件213的結(jié)構(gòu)。
[0006]磁屏蔽件213由金屬板形成。磁屏蔽件213在俯視下呈C字形狀。磁屏蔽件213在內(nèi)周面213X與集磁支架211的外周面211Y接觸。磁屏蔽件213具有屏蔽件主體213A以及屏蔽件端部213B。磁屏蔽件213具有屏蔽件端部213B與屏蔽件主體213A的周向的兩端部連續(xù)的結(jié)構(gòu)。在磁屏蔽件213中，屏蔽件主體213A與傳感器外殼220的徑向所成的角度(以下稱為第一角度ARl )、以及屏蔽件端部213B與傳感器外殼220的徑向所成的角度(以下稱為第二角度AR2)彼此相等。在磁屏蔽件213中，屏蔽件主體213A的外周面以及屏蔽件端部213B的外周面分別與傳感器外殼220的徑向ZB正交，因此第一角度ARl以及第二角度AR2為90°。
[0007]傳感器外殼220與磁屏蔽件213的外周面213Y以及屏蔽件端部213B的角部分213D緊貼。另外，屏蔽件端部213B的角部分213D由屏蔽件端部213B的端面213C和磁屏蔽件213的外周面213Y形成。
[0008]在轉(zhuǎn)矩檢測裝置200中，傳感器外殼220的線膨脹系數(shù)大于磁屏蔽件213的線膨脹系數(shù)。因此，伴隨著轉(zhuǎn)矩檢測裝置200的溫度變化而產(chǎn)生的傳感器外殼220的熱膨脹量比磁屏蔽件213的熱膨脹量多，傳感器外殼220的熱收縮量也比磁屏蔽件213的熱收縮量多。
[0009]因此，當(dāng)轉(zhuǎn)矩檢測裝置200被冷卻時，傳感器外殼220由于傳感器外殼220的熱收縮量與磁屏蔽件213的熱收縮量之差而推壓屏蔽件端部213B。詳細(xì)地說，傳感器外殼220由于傳感器外殼220的徑向的熱收縮量與磁屏蔽件213的徑向的熱收縮量之差而朝向內(nèi)側(cè)推壓磁屏蔽件213的外周面213Y。傳感器外殼220由于傳感器外殼220的周向的熱收縮量與磁屏蔽件213的周向的熱收縮量之差而沿周向推壓屏蔽件端部213B的端面213C。
[0010]另外，如圖13所示， 申請人:執(zhí)行了利用有限元素法(FEM)的解析，其結(jié)果是，了解到當(dāng)轉(zhuǎn)矩檢測裝置200被冷卻時，傳感器外殼220 (參照圖12)朝向徑向的內(nèi)側(cè)推壓屏蔽件端部213B的角部分213D的外周面的力的反力(以下稱為推壓反力)最大。由此，傳感器外殼220由于推壓反力而從屏蔽件端部213B的角部分213D的外周面向外側(cè)被推壓，因此，在從徑向的外側(cè)包圍屏蔽件端部213B的角部分213D的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的之一在于提供一種能夠抑制在傳感器外殼中的從徑向的外側(cè)包圍屏蔽件端部的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力的轉(zhuǎn)矩檢測裝置、以及具備該轉(zhuǎn)矩檢測裝置的轉(zhuǎn)向裝置。
[0012]本發(fā)明的一個方式即轉(zhuǎn)矩檢測裝置具備:永久磁鐵；磁軛，該磁軛配置于上述永久磁鐵所形成的磁場內(nèi)，并且該磁軛與上述永久磁鐵的相對位置變化；集磁單元，該集磁單元具有集磁支架、集磁環(huán)以及磁屏蔽件，上述集磁支架通過樹脂成型而形成為環(huán)狀、并且包圍上述磁軛，上述集磁環(huán)安裝于上述集磁支架的內(nèi)周面、并且匯集上述磁軛的磁通，上述磁屏蔽件通過折彎金屬板而形成、并且安裝于上述集磁支架的外周面；磁傳感器，該磁傳感器檢測由上述永久磁鐵、上述磁軛、以及上述集磁環(huán)所形成的磁路的磁通；以及傳感器外殼，該傳感器外殼通過向上述集磁單元的外周側(cè)流入的樹脂而與上述集磁單元形成為一體，上述磁屏蔽件具有屏蔽件主體、屏蔽件端部以及彎折部分，上述屏蔽件主體被上述傳感器外殼的內(nèi)表面與上述集磁支架的外周面夾持，上述屏蔽件端部構(gòu)成上述金屬板的周向的端部，上述彎折部分從上述屏蔽件主體被折彎而將上述屏蔽件主體與屏蔽件端部連結(jié)，上述屏蔽件端部的外側(cè)面與上述傳感器外殼的徑向所成的第二角度，小于上述屏蔽件主體的外周面與上述傳感器外殼的徑向所成的第一角度。
[0013]上述方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置中，由于第二角度小于第一角度，因此磁屏蔽件的屏蔽件端部的外側(cè)面不與傳感器外殼的徑向正交。由此，基于傳感器外殼的徑向的熱收縮量與磁屏蔽件的徑向的熱收縮量之差，而傳感器外殼沿徑向作用于磁屏蔽件的力，在屏蔽件端部分解成沿著屏蔽件端部的方向的分力、和垂直地推壓屏蔽件端部的分力。因此，垂直地推壓屏蔽件端部的分力，小于垂直地推壓圖12的轉(zhuǎn)矩檢測裝置200的磁屏蔽件213的屏蔽件端部213B的力。由此，屏蔽件端部推壓傳感器外殼的反力，也小于轉(zhuǎn)矩檢測裝置200的推壓反力。因此，抑制了在傳感器外殼中的從徑向的外側(cè)包圍屏蔽件端部的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力。
[0014]上述方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置中，上述屏蔽件端部可以由于上述彎折部分而比上述屏蔽件主體的外周面更朝上述集磁環(huán)延伸。
[0015]上述方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置中，上述彎折部分可以從上述屏蔽件主體朝向與上述集磁環(huán)相反的一側(cè)折彎，并且朝上述屏蔽件主體折彎，上述屏蔽件端部朝向上述屏蔽件主體延伸。
[0016]上述方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置中，上述磁屏蔽件可以在上述屏蔽件主體具有屏蔽件定位部，上述集磁支架具有支架定位部，通過使上述屏蔽件定位部與支架定位部嵌合，從而在上述集磁單元的周向上限制上述磁屏蔽件與上述集磁支架的相對位置的變化。
[0017]上述方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置中，通過使屏蔽件定位部與支架定位部嵌合，來確定磁屏蔽件相對于集磁支架的周向上的位置。因此，能夠針對各個轉(zhuǎn)矩檢測裝置的產(chǎn)品抑制磁屏蔽件相對于集磁支架的周向上的位置出現(xiàn)偏差的情況。
[0018]根據(jù)上述各方式，能夠抑制在傳感器外殼中的從徑向的外側(cè)包圍屏蔽件端部的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力。
[0019]可以將上述方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置作為轉(zhuǎn)向裝置的轉(zhuǎn)矩檢測裝置使用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是示出第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)向裝置的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0021]圖2是示出第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的分解立體構(gòu)造的立體圖。
[0022]圖3是示出第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的剖視構(gòu)造的剖視圖。
[0023]圖4是示出第一實(shí)施方式的集磁單元的分解立體構(gòu)造的立體圖。
[0024]圖5是示出第一實(shí)施方式的集磁單元的立體構(gòu)造的立體圖。
[0025]圖6是示出第一實(shí)施方式的集磁單元的側(cè)視圖，是從圖5的箭頭BC觀察的側(cè)視構(gòu)造的側(cè)視圖。
[0026]圖7A是示出第一實(shí)施方式的傳感器單元的剖視圖，是示出圖2的Z2-Z2平面上的傳感器外殼的基板支承部分以及其周邊的剖視構(gòu)造的剖視圖。
[0027]圖7B是示出第一實(shí)施方式的傳感器單元的剖視圖，是示出圖7A的單點(diǎn)劃線圓的放大構(gòu)造的放大圖。
[0028]圖8A是示出第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置中的永久磁鐵與各磁軛以及各集磁環(huán)之間的位置關(guān)系的展開圖。
[0029]圖8B是示出第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置中的永久磁鐵與各磁軛以及各集磁環(huán)之間的位置關(guān)系的展開圖。
[0030]圖8C是示出第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置中的永久磁鐵與各磁軛以及各集磁環(huán)之間的位置關(guān)系的展開圖。
[0031]圖9A是示出第二實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的傳感器單元的剖視圖，是示出傳感器外殼的基板支承部分以及其周邊的剖視構(gòu)造的剖視圖。
[0032]圖9B是示出第二實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的傳感器單元的剖視圖，是示出圖9A的單點(diǎn)劃線圓的放大構(gòu)造的放大圖。
[0033]圖10是示出其他實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的傳感器單元的剖視圖，是示出磁屏蔽件的屏蔽件端部以及其周邊的剖視構(gòu)造的剖視圖。
[0034]圖11是示出其他實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的傳感器單元的剖視圖，是示出磁屏蔽件的屏蔽件端部以及其周邊的剖視構(gòu)造的剖視圖。
[0035]圖12是示出比較例的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的一部分的剖視構(gòu)造的剖視圖。
[0036]圖13是示出比較例的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的磁屏蔽件的剖視圖，是示出屏蔽件端部的剖視構(gòu)造的剖視圖。【具體實(shí)施方式】
[0037]根據(jù)以下參照附圖對實(shí)施例進(jìn)行的詳細(xì)說明可了解本發(fā)明的上述以及更多的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中，對相同的部件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。
[0038]以下，參照附圖對本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0039]參照圖1對轉(zhuǎn)向裝置I的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0040]轉(zhuǎn)向裝置I具有轉(zhuǎn)向裝置主體10、輔助裝置20、以及轉(zhuǎn)矩檢測裝置30。轉(zhuǎn)向裝置I具有利用輔助裝置20輔助方向盤2的操作的作為雙齒輪輔助型的電動動力轉(zhuǎn)向裝置的結(jié)構(gòu)。
[0041]轉(zhuǎn)向裝置主體10具有管柱軸11、中間軸12、小齒輪軸13、齒條軸14、齒輪齒條機(jī)構(gòu)15、2個橫拉桿16、以及齒條外殼17。轉(zhuǎn)向裝置主體10使管柱軸11、中間軸12、以及小齒輪軸13伴隨著方向盤2的旋轉(zhuǎn)而一體旋轉(zhuǎn)。轉(zhuǎn)向裝置主體10通過小齒輪軸13的旋轉(zhuǎn)而使齒條軸14沿長度方向往復(fù)運(yùn)動。轉(zhuǎn)向裝置主體10通過使齒條軸14往復(fù)運(yùn)動而改變轉(zhuǎn)向輪3的轉(zhuǎn)向角。
[0042]小齒輪軸13具有第一軸13A、第二軸13B、以及扭桿13D。小齒輪軸13中，扭桿13D將第一軸13A與第二軸13B連結(jié)。
[0043]第一軸13A與中間軸12連結(jié)。第一軸13A與中間軸12 —體地旋轉(zhuǎn)。
[0044]第二軸13B具有小齒輪13C。第二軸13B在小齒輪13C與齒條軸14的第一齒條14A嚙合。
[0045]齒條軸14具有第一齒條14A以及第二齒條14B。
[0046]第一齒條14A具有在齒條軸14的長度方向的規(guī)定范圍形成的多個齒條齒。第二齒條14B在齒條軸14上形成于與第一齒條14A分離的部分。第二齒條14B具有在齒條軸14的長度方向的規(guī)定范圍形成的多個齒條齒。
[0047]齒輪齒條機(jī)構(gòu)15具有小齒輪軸13的小齒輪13C以及齒條軸14的第一齒條14A。齒輪齒條機(jī)構(gòu)15將小齒輪軸13的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換成齒條軸14的往復(fù)運(yùn)動。
[0048]齒條外殼17呈筒形狀。齒條外殼17在其內(nèi)部空間中收納有小齒輪軸13、齒條軸14、以及橫拉桿16的一部分。
[0049]輔助裝置20具有輔助馬達(dá)21、蝸桿軸22、蝸輪23、以及齒輪軸24。輔助裝置20中，輔助馬達(dá)21的輸出軸與蝸桿軸22連結(jié)。在輔助裝置20中，蝸桿軸22與蝸輪23嚙合。在輔助裝置20中，蝸輪23與齒輪軸24 —體旋轉(zhuǎn)。
[0050]在輔助裝置20中，齒輪軸24的小齒輪24A與第二齒條14B嚙合。輔助裝置20在將輔助馬達(dá)21的旋轉(zhuǎn)經(jīng)由蝸桿軸22以及蝸輪23減速后的狀態(tài)下向齒輪軸24傳遞而使齒輪軸24旋轉(zhuǎn)，從而將作用于齒條軸14的長度方向的力施加于齒條軸14。
[0051]轉(zhuǎn)矩檢測裝置30位于小齒輪軸13的周圍。轉(zhuǎn)矩檢測裝置30固定于齒條外殼17的固定部件17A。轉(zhuǎn)矩檢測裝置30檢測施加于小齒輪軸13的轉(zhuǎn)矩。
[0052]參照圖2以及圖3對轉(zhuǎn)矩檢測裝置30的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，在圖2中示出省略了基板單元90的傳感器單元40。
[0053]這里，作為與轉(zhuǎn)矩檢測裝置30相關(guān)的各方向而定義了軸向ZA、齒條分離方向ZA1、齒條接近方向ZA2、徑向ZB、內(nèi)側(cè)ZBl、外側(cè)ZB2、以及周向ZC。另外，徑向ZB相當(dāng)于傳感器外殼的徑向。另外，周向ZC相當(dāng)于集磁單元的周向。[0054]周向ZC表示圍繞小齒輪軸13 (參照圖3)的旋轉(zhuǎn)中心軸的方向。
[0055]軸向ZA表示沿著小齒輪軸13的旋轉(zhuǎn)中心軸的方向。軸向ZA由表示彼此相反的方向的齒條分離方向ZAl以及齒條接近方向ZA2規(guī)定。齒條分離方向ZAl表示與齒條軸14(參照圖1)分離的方向。齒條接近方向ZA2表示與齒條軸14接近的方向。
[0056]徑向ZB表示軸向ZA的法線方向。徑向ZB由表示彼此相反的方向的內(nèi)側(cè)ZBl以及外側(cè)ZB2規(guī)定。內(nèi)側(cè)ZBl表示與小齒輪軸13的旋轉(zhuǎn)中心軸接近的方向。外側(cè)ZB2表示與小齒輪軸13的旋轉(zhuǎn)中心軸分離的方向。
[0057]如圖2所示，轉(zhuǎn)矩檢測裝置30具有傳感器單元40、磁鐵單元100、以及磁軛單元110。轉(zhuǎn)矩檢測裝置30具有在傳感器單元40的內(nèi)部空間85內(nèi)收納磁鐵單元100以及磁軛單元110的結(jié)構(gòu)。
[0058]如圖3所示，轉(zhuǎn)矩檢測裝置30利用油封31密封轉(zhuǎn)矩檢測裝置30與第一軸13A之間的間隙。轉(zhuǎn)矩檢測裝置30利用O環(huán)32密封轉(zhuǎn)矩檢測裝置30與齒條外殼17的固定部件17A之間的間隙。
[0059]磁鐵單元100固定于第一軸13A。磁鐵單元100具有永久磁鐵101以及芯部102。磁鐵單元100構(gòu)成為使永久磁鐵101與芯部102彼此結(jié)合的集合體。
[0060]永久磁鐵101呈圓筒形狀。永久磁鐵101具有使N極以及S極在周向ZC相鄰的結(jié)構(gòu)(參照圖2)。永久磁鐵101在第一軸13A的周圍形成磁場。
[0061]芯部102固定于永久磁鐵101的內(nèi)周面。芯部102壓入于第一軸13A的外周面。芯部102抑制永久磁鐵101的磁通泄漏到比芯部102靠內(nèi)側(cè)ZBl的部位。
[0062]磁軛單元110以包圍磁鐵單元100的方式配置。
[0063]磁軛單元110固定于第二軸13B。磁軛單元110具有第一磁軛111、第二磁軛112、磁軛支架113、以及中間部件114。
[0064]磁軛支架113利用樹脂與第一磁軛111以及第二磁軛112 —體成形。磁軛支架113呈圓筒形狀。磁軛支架113隔著中間部件114固定于第二軸13B。
[0065]第一磁軛111呈圓環(huán)形狀。第一磁軛111位于磁軛支架113的齒條分離方向ZAl的部分。第一磁軛111具有多個齒部IllA以及多個連接部分IllB (參照圖8A?圖8C)。在第一磁軛111中，齒部IllA呈隨著朝向齒條接近方向ZA2而前端變細(xì)的錐形狀(參照圖8A?圖8C)。第一磁軛111具有通過連接部分11IB將沿周向ZC相鄰的齒部11IA彼此連接的結(jié)構(gòu)。第一磁軛111接受永久磁鐵101的磁通。第一磁軛111形成根據(jù)伴隨著扭桿13D的扭轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的、與永久磁鐵101之間的相對位置的變化而磁通密度變化的磁路。
[0066]第二磁軛112呈圓環(huán)形狀。第二磁軛112位于磁軛支架113的齒條接近方向ZA2的部分。第二磁軛112具有多個齒部112A以及多個連接部分112B (參照圖8A?圖8C)。在第二磁軛112中，齒部112A呈隨著朝向齒條分離方向ZAl而前端變細(xì)的錐形狀(參照圖8A?圖8C)。第二磁軛112具有通過連接部分112B將沿周向ZC相鄰的齒部112A彼此連接的結(jié)構(gòu)。在第二磁軛112中，在沿周向ZC相鄰的齒部IllA之間設(shè)有齒部112A。第二磁軛112接受永久磁鐵101的磁通。第二磁軛112形成根據(jù)伴隨著扭桿13D的扭轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的、與永久磁鐵101之間的相對位置的變化而磁通密度變化的磁路。
[0067]傳感器單兀40通過第一螺栓(圖不省略)固定于齒條外殼17的固定部件17A。傳感器單元40具有2個作為磁傳感器41的霍爾1C、集磁單元50、傳感器外殼80、以及基板單元90。
[0068]集磁單元50以包圍磁鐵單元100以及磁軛單元110的方式配置。集磁單元50呈以小齒輪軸13的旋轉(zhuǎn)中心軸為中心的圓環(huán)形狀。集磁單元50具有第一集磁環(huán)51、第二集磁環(huán)54、磁屏蔽件60、以及集磁支架70。集磁單元50構(gòu)成為在集磁支架70安裝有各集磁環(huán)51、54以及磁屏蔽件60的集合體。集磁單元50匯集磁軛單元110的磁通，并且使磁通朝向磁傳感器41流動。
[0069]2個磁傳感器41在周向ZC相鄰。磁傳感器41檢測由永久磁鐵101、各磁軛111,112、以及各集磁環(huán)51，54形成的磁路的磁通。磁傳感器41輸出與磁路的磁通密度對應(yīng)的電壓。磁傳感器41的輸出電壓被發(fā)送至轉(zhuǎn)向裝置I (參照圖1)的控制裝置(圖示省略)。
[0070]傳感器外殼80如圖2所示那樣利用樹脂與集磁單元50成形為一體。傳感器外殼80具有外殼主體81、基板支承部分82、基板安裝部分83、裝置安裝部分84、以及內(nèi)部空間85。傳感器外殼80具有利用相同的樹脂材料一體地形成外殼主體81、基板支承部分82、基板安裝部分83、以及裝置安裝部分84的結(jié)構(gòu)。
[0071]外殼主體81呈以小齒輪軸13的旋轉(zhuǎn)中心軸為中心的圓筒形狀。外殼主體81具有基礎(chǔ)部分81A、集磁收納部分81B、以及內(nèi)部空間85。外殼主體81具有利用相同的樹脂材料一體地形成基礎(chǔ)部分81A以及集磁收納部分81B的結(jié)構(gòu)。在外殼主體81中，集磁收納部分81B位于基礎(chǔ)部分81A的齒條分離方向ZA1。在外殼主體81中，在俯視傳感器外殼80的情況下基礎(chǔ)部分81A形成為橢圓形狀。
[0072]基板安裝部分83在俯視傳感器外殼80的情況下位于基板支承部分82的兩側(cè)。在基板安裝部分83具有供第二螺栓(圖示省略)插入的貫通孔。
[0073]裝置安裝部分84在俯視傳感器外殼80的情況下位于外殼主體81的基礎(chǔ)部分81A的長度方向的兩端部。裝置安裝部分84具有供第一螺栓插入的貫通孔。
[0074]基板支承部分82呈圓筒形狀?；逯С胁糠?2形成于外殼主體81的集磁收納部分81B。基板支承部分82從外殼主體81向外側(cè)ZB2突出。
[0075]如圖3所示，基板單元90具有電路基板91以及引線92?；鍐卧?0向控制裝置(圖不省略)輸出磁傳感器41的電壓信號。
[0076]在從傳感器外殼80的基板支承部分82側(cè)視的情況下電路基板91呈平板形狀。在電路基板91安裝有磁傳感器41。在電路基板91中，在與安裝磁傳感器41的面相反側(cè)的面安裝有引線92。
[0077]參照圖4對集磁單元50的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0078]集磁單元50具有第一集磁環(huán)51、第二集磁環(huán)54、磁屏蔽件60、以及集磁支架70。集磁單元50構(gòu)成為將第一集磁環(huán)51、第二集磁環(huán)54、磁屏蔽件60、以及集磁支架70結(jié)合而成的集合體。
[0079]第一集磁環(huán)51通過折彎金屬制的長板而形成。第一集磁環(huán)51在徑向ZB上與第一磁軛111 (參照圖3)的外周部分隔著間隙而對置。第一集磁環(huán)51具有環(huán)主體52以及2個集磁突起53。第一集磁環(huán)51具有將環(huán)主體52以及2個集磁突起53形成為一體的結(jié)構(gòu)。第一集磁環(huán)51匯集第一磁軛111的磁通。
[0080]環(huán)主體52呈形成有間隙的圓環(huán)形狀。
[0081 ] 集磁突起53在周向ZC上彼此相鄰。集磁突起53呈從環(huán)主體52的齒條接近方向ZA2的部分朝外側(cè)ZB2折彎而得的形狀。集磁突起53在軸向ZA上與磁傳感器41 (參照圖3)的齒條分離方向ZAl的面對置。
[0082]第二集磁環(huán)54通過折彎與第一集磁環(huán)51相同的金屬制的長板而形成。第二集磁環(huán)54在徑向ZB上與第二磁軛112(參照圖3)的外周部分隔著間隙而對置。第二集磁環(huán)54具有環(huán)主體55以及2個集磁突起56。第二集磁環(huán)54具有將環(huán)主體55以及2個集磁突起56形成為一體的結(jié)構(gòu)。第二集磁環(huán)54匯集第二磁軛112的磁通。
[0083]環(huán)主體55呈形成有間隙的圓環(huán)形狀。
[0084]集磁突起56在周向ZC上彼此相鄰。集磁突起56呈從環(huán)主體55的齒條分離方向ZAl的部分朝外側(cè)ZB2折彎而得的形狀。集磁突起56在軸向ZA上與磁傳感器41的齒條接近方向ZA2的面對置。
[0085]磁屏蔽件60通過折彎作為磁性體的一張金屬制的長板而形成。磁屏蔽件60具有屏蔽件端部61、屏蔽件主體62、分離部分63、以及彎折部分64。磁屏蔽件60具有將彎折部分64從屏蔽件主體62的周向ZC的端部朝內(nèi)側(cè)ZBl折彎而將屏蔽件主體62與屏蔽件端部61連結(jié)的結(jié)構(gòu)。磁屏蔽件60具有屏蔽件端部61形成長板的長度方向的端部的結(jié)構(gòu)。磁屏蔽件60具有將屏蔽件主體62形成為C字形狀的結(jié)構(gòu)。磁屏蔽件60具有作為沿周向ZC相鄰的屏蔽件端部61之間的部分而形成有分離部分63的結(jié)構(gòu)。磁屏蔽件60降低轉(zhuǎn)矩檢測裝置30 (參照圖3)的外部磁場對各集磁環(huán)51、54、各磁軛111、112、以及永久磁鐵101 (同樣參照圖3)形成的磁路的影響。
[0086]集磁支架70由樹脂材料形成。集磁支架70呈軸向ZA的兩側(cè)開口的圓環(huán)形狀。集磁支架70具有收納磁鐵單元100以及磁軛單元110 (參照圖3)的內(nèi)部空間。集磁支架70具有保持凸部71、貫通孔74、插入部分75、多個限制壁76、2個收納部分77、以及2個支架定位部78 (參照圖6)。集磁支架70保持第一集磁環(huán)51、第二集磁環(huán)54、以及磁屏蔽件60。
[0087]保持凸部71從集磁支架70的內(nèi)周面70X朝內(nèi)側(cè)ZBl突出。保持凸部71具有多個第一保持部分72以及多個第二保持部分73。
[0088]保持凸部71具有通過第一保持部分72以及第二保持部分73保持各集磁環(huán)51、54的功能。
[0089]第一保持部分72在集磁支架70的內(nèi)周面70X與第二保持部分73隔著間隙而位于軸向ZA的兩側(cè)的部分。
[0090]第二保持部分73在俯視集磁支架70的情況下形成為圓弧形狀。第二保持部分73在集磁支架70的內(nèi)周面70X位于軸向ZA的中央部分。
[0091]貫通孔74沿徑向ZB貫通集磁支架70。貫通孔74在集磁支架70上位于第一保持部分72與第二保持部分73之間的部分。貫通孔74為了在成型集磁支架70的模具中收納形成第一保持部分72的滑動芯部(圖示省略)而形成。
[0092]插入部分75沿徑向貫通集磁支架70。插入部分75具有插入孔75A、第一突起75B、以及第二突起75C。插入部分75具有利用限制壁76的一部分以及收納部分77形成插入孔75A的結(jié)構(gòu)。
[0093]第一突起75B成為用于確定第一集磁環(huán)51相對于集磁支架70的周向ZC上的位置的標(biāo)記。
[0094]第二突起75C成為用于確定第二集磁環(huán)54相對于集磁支架70的周向ZC上的位置的標(biāo)記。
[0095]限制壁76形成于集磁支架70的軸向ZA的兩端部。限制壁76從集磁支架70的外周面70Y向外側(cè)ZB2突出。限制壁76在軸向ZA上與磁屏蔽件60的軸向ZA的端面對置。限制壁76限制磁屏蔽件60相對于集磁支架70沿軸向ZA的移動。
[0096]收納部分77在周向ZC上與插入部分75彼此相鄰。收納部分77具有在周向ZC上的插入孔75A側(cè)的部分朝內(nèi)側(cè)ZBl凹陷的階梯形狀。收納部分77從齒條分離方向ZAl的限制壁76遍布齒條接近方向ZA2的限制壁76而形成。
[0097]參照圖5以及圖6，對各集磁環(huán)51、54以及磁屏蔽件60安裝于集磁支架70的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0098]如圖5所示，第一集磁環(huán)51被齒條分離方向ZAl的第一保持部分72以及第二保持部分73夾持。第一集磁環(huán)51從集磁支架70的內(nèi)側(cè)ZBl覆蓋齒條分離方向ZAl的貫通孔74。在第一集磁環(huán)51中，集磁突起53經(jīng)由插入部分75而向比集磁支架70靠外側(cè)ZB2突出。
[0099]第二集磁環(huán)54被齒條接近方向ZA2的第一保持部分72以及第二保持部分73夾持。第二集磁環(huán)54從集磁支架70的內(nèi)側(cè)ZBl覆蓋齒條接近方向ZA2的貫通孔74。在第二集磁環(huán)54中，集磁突起56經(jīng)由插入部分75而向比集磁支架70靠外側(cè)ZB2突出。
[0100]磁屏蔽件60的屏蔽件主體62的內(nèi)周面62X (參照圖4)與集磁支架70的外周面70Y (參照圖4)接觸。磁屏蔽件60從集磁支架70的外側(cè)ZB2覆蓋全部貫通孔74。
[0101]如圖6所示，集磁支架70的各支架定位部78與限制壁76形成為一體。支架定位部78形成為在軸向ZA上從限制壁76朝磁屏蔽件60延伸的凸部。
[0102]磁屏蔽件60在各屏蔽件定位部65嵌合于集磁支架70的各支架定位部78。磁屏蔽件60具有各屏蔽件定位部65形成為從磁屏蔽件60的軸向ZA的端面朝軸向ZA凹陷的凹部的結(jié)構(gòu)。磁屏蔽件60通過各屏蔽件定位部65與集磁支架70的各支架定位部78在周向ZC上接觸，在周向ZC上限制磁屏蔽件60以及集磁支架70的相對位置的變化。
[0103]參照圖7A?圖7B，對磁屏蔽件60的屏蔽件端部61以及其周邊的詳細(xì)構(gòu)造進(jìn)行說明。第一角度Al表示屏蔽件主體62的外周面62Y與徑向ZB之間所成的角度。第二角度A2表示屏蔽件端部61的外側(cè)面61B與徑向ZB之間所成的角度。
[0104]如圖7A所示，各屏蔽件端部61在徑向ZB上與集磁支架70的收納部分77對置。
[0105]屏蔽件主體62被集磁支架70的外周面70Y與傳感器外殼80的外殼主體81的內(nèi)表面8IC夾持。
[0106]如圖7B所示，屏蔽件端部61的端面61A在徑向ZB上與收納部分77隔著間隙對置。屏蔽件端部61的端面61A位于比屏蔽件主體62的外周面62Y以及集磁支架70的外周面70Y靠內(nèi)側(cè)ZBl的位置。
[0107]在磁屏蔽件60中，第二角度A2小于第一角度Al。另外，在本實(shí)施方式的磁屏蔽件60中，由于屏蔽件主體62的外周面62Y與徑向ZB正交，因此第一角度Al為90°。另外，在磁屏蔽件60中，由于屏蔽件端部61的外側(cè)面61B與徑向ZB平行，因此第二角度A2為0°。
[0108]傳感器外殼80與磁屏蔽件60的屏蔽件主體62的外周面62Y、彎折部分64的外側(cè)面64A、屏蔽件端部61的外側(cè)面61B、以及屏蔽件端部61的角部分61C緊貼。傳感器外殼80充填在屏蔽件端部61以及收納部分77的徑向ZB之間。[0109]參照圖7A?圖7B，對轉(zhuǎn)矩檢測裝置30的作用進(jìn)行說明。
[0110]由于傳感器外殼80的線膨脹系數(shù)大于磁屏蔽件60的線膨脹系數(shù)，因此，傳感器外殼80的周向ZC的熱收縮量小于磁屏蔽件60的周向ZC的熱收縮量。另外，傳感器外殼80的徑向ZB的熱收縮量小于磁屏蔽件60的徑向ZB的熱收縮量。因此，在磁屏蔽件60中，由于傳感器外殼80的徑向ZB的熱收縮量與磁屏蔽件60的徑向ZB的熱收縮量之差而產(chǎn)生傳感器外殼80沿徑向ZB作用于磁屏蔽件60的力、以下稱為第一推壓力。在磁屏蔽件60中，由于傳感器外殼80的周向ZC的熱收縮量與磁屏蔽件60的周向ZC的熱收縮量之差而產(chǎn)生傳感器外殼80沿周向ZC作用于磁屏蔽件60的力、以下稱為第二推壓力。另外， 申請人:在轉(zhuǎn)矩檢測裝置30中通過FEM解析了解到第一推壓力大于第二推壓力。
[0111]在轉(zhuǎn)矩檢測裝置30中，在磁屏蔽件60中，第二角度A2小于第一角度Al。第二角度A2為0°。由此，屏蔽件端部61的外側(cè)面61B所延伸的方向與第一推壓力所作用的方向?yàn)橄嗤较?。因此，抑制第一推壓力作用于屏蔽件端?1。因此，抑制了因第一推壓力而從屏蔽件端部61朝向傳感器外殼80的反力、以下稱為推壓反力的發(fā)生。
[0112]在屏蔽件端部61的角部分61C中，由于轉(zhuǎn)矩檢測裝置30被冷卻，雖然作用第二推壓力但是抑制作用第一推壓力的情況。屏蔽件端部61的角部分61C的推壓反力小于圖12的轉(zhuǎn)矩檢測裝置200的屏蔽件端部213B的角部分213D的推壓反力。因此，與轉(zhuǎn)矩檢測裝置200相比，抑制了在傳感器外殼80的從外側(cè)ZB2包圍屏蔽件端部61的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力。
[0113]另外，由于磁屏蔽件60的產(chǎn)品的偏差,有時存在第二角度A2并不嚴(yán)格地成為0°的磁屏蔽件60。這時，第一推壓力在屏蔽件端部61分解成沿著屏蔽件端部61的外側(cè)面61B的方向的分力、和垂直地推壓屏蔽件端部61的分力。垂直地推壓屏蔽件端部61的分力小于垂直地推壓轉(zhuǎn)矩檢測裝置200的磁屏蔽件213的屏蔽件端部213B的力。因此，推壓反力也小于轉(zhuǎn)矩檢測裝置200的推壓反力。
[0114]此外，在轉(zhuǎn)矩檢測裝置30中，屏蔽件端部61的角部分61C在徑向ZB與彎折部分64重疊。因此，第一推壓力作用于彎折部分64。即，抑制了第一推壓力直接作用于屏蔽件端部61的角部分61C。另外， 申請人:在轉(zhuǎn)矩檢測裝置30中通過FEM解析了解到從彎折部分64的外側(cè)面64A朝向傳感器外殼80的反力小于轉(zhuǎn)矩檢測裝置200的推壓反力。因此，抑制了在傳感器外殼80的從外側(cè)ZB2包圍屏蔽件端部61的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力。
[0115]參照圖8A?圖SC對轉(zhuǎn)矩檢測裝置30的磁通密度的檢測進(jìn)行說明。
[0116]圖8A示出在第一軸13A與第二軸13B (參照圖1)之間未施加轉(zhuǎn)矩的狀態(tài)、以下稱為中立狀態(tài)。圖8B示出在第一軸13A與第二軸13B之間施加有右向轉(zhuǎn)矩的狀態(tài)、以下稱為右旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。圖8C示出在第一軸13A與第二軸13B之間施加有左向轉(zhuǎn)矩的狀態(tài)、以下稱為左旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。
[0117]作為各磁軛111、112與永久磁鐵101之間的關(guān)系，定義了第一 N極對置面積、第一S極對置面積、第二 N極對置面積、以及第二 S極對置面積。
[0118]第一 N極對置面積表示第一磁軛111與永久磁鐵101的N極之間的對置面積。第
一S極對置面積表示第一磁軛111與永久磁鐵101的S極之間的對置面積。
[0119]第二 N極對置面積表示第二磁軛112與永久磁鐵101的N極之間的對置面積。第
二S極對置面積表不第二磁軛112與永久磁鐵101的S極之間的對置面積。[0120]如圖8A所示，在中立狀態(tài)下，第一磁軛111的齒部IllA的頂端部分以及第二磁軛112的齒部112A的頂端部分，位于永久磁鐵101的N極與S極之間的邊界部分。這時，第一 N極對置面積與第一 S極對置面積彼此相等。另外，第二 N極對置面積與第二 S極對置面積彼此相等。由此，在第一集磁環(huán)51的集磁突起53與第二集磁環(huán)54的集磁突起56之間不產(chǎn)生磁通。因此，磁傳感器41的輸出電壓示為O。
[0121]如圖8B所示，在右旋轉(zhuǎn)狀態(tài)下，由于從中立狀態(tài)開始在扭桿13D (參照圖1)產(chǎn)生扭轉(zhuǎn)，因此，各磁軛111、112與永久磁鐵101之間的相對位置變化。由此，第一 N極對置面積變得大于第一 S極對置面積。另外，第二 N極對置面積變得小于第二 S極對置面積。因此，從永久磁鐵101的N極流入第一磁軛111的磁通量，比從第一磁軛111朝向永久磁鐵101的S極流出的磁通量多。另外，從永久磁鐵101的N極流入第二磁軛112的磁通量，比從第二磁軛112朝向永久磁鐵101的S極流出的磁通量少。因此,磁通從第一集磁環(huán)51的集磁突起53向第二集磁環(huán)54的集磁突起56流動。磁傳感器41輸出與該磁通對應(yīng)的電壓。
[0122]如圖8C所示，在左旋轉(zhuǎn)狀態(tài)中，由于產(chǎn)生與右旋轉(zhuǎn)狀態(tài)相反方向的扭桿13D的扭轉(zhuǎn)，因此各磁軛111、112與永久磁鐵101之間的相對位置朝向與右旋轉(zhuǎn)狀態(tài)時相反方向發(fā)生變化。由此，第一 N極對置面積變得小于第一 S極對置面積。另外,第二 N極對置面積變得大于第二 S極對置面積。因此，從永久磁鐵101的N極流入第一磁軛111的磁通量變得比從第一磁軛111朝向永久磁鐵101的S極流出的磁通量少。
[0123]另外，從永久磁鐵101的N極流入第二磁軛112的磁通量變得比從第二磁軛112流入永久磁鐵101的S極的磁通量多。因此，磁通從第二集磁環(huán)54的集磁突起56向第一集磁環(huán)51的集磁突起53流動。磁傳感器41輸出與該磁通對應(yīng)的電壓。
[0124]本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)向裝置I具有以下有效的效果。
[0125]轉(zhuǎn)矩檢測裝置30具有第二角度A2小于第一角度Al的磁屏蔽件60。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，抑制第一推壓力作用于磁屏蔽件60的屏蔽件端部61。因此，抑制在傳感器外殼80中的從外側(cè)ZB2包圍屏蔽件端部61的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力。
[0126]轉(zhuǎn)矩檢測裝置30具有磁屏蔽件60的屏蔽件定位部65與集磁支架70的支架定位部78嵌合的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，磁屏蔽件60相對于集磁支架70的周向ZC上的位置被確定。因此，能夠?qū)D(zhuǎn)矩檢測裝置30的每個成品抑制磁屏蔽件60相對于集磁支架70的周向ZC上的位置出現(xiàn)偏差。
[0127]磁屏蔽件60具有屏蔽件端部61與彎折部分64在徑向ZB上重疊的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于第一推壓力作用于彎折部分64，因此，抑制在屏蔽件端部61作用第一推壓力。因此，提高了抑制在傳感器外殼80中的從外側(cè)ZB2包圍屏蔽件端部61的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力的效果。
[0128]圖9A?圖9B示出第二實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置30。作為與圖7A?圖7B所示的第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置30之間的主要區(qū)別點(diǎn)，轉(zhuǎn)矩檢測裝置30具有以下區(qū)別點(diǎn)。磁屏蔽件120的各屏蔽件端部121以及彎折部分123的形狀不同。從集磁支架70中省略了收納部分77的點(diǎn)不同。在傳感器外殼80中與各屏蔽件端部121對應(yīng)的部分的形狀不同。以下，對與第一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置30不同的點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)說明，關(guān)于與第一實(shí)施方式共同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記相同符號并省略部分說明或者全部說明。另外，圖9A?圖9B示出省略了基板單元90的狀態(tài)的傳感器單元40。另外，磁屏蔽件120與集磁支架70之間的周向ZC的定位構(gòu)造與圖6所示的第一實(shí)施方式的磁屏蔽件60與集磁支架70之間的周向ZC的定位構(gòu)造相同。
[0129]如圖9A所示，磁屏蔽件120通過折彎作為磁性體的一張金屬制的長板而形成。磁屏蔽件120具有屏蔽件端部121、屏蔽件主體122、彎折部分123、以及分離部分124。磁屏蔽件120具有使屏蔽件主體122形成為C字形狀的結(jié)構(gòu)。在磁屏蔽件120中，屏蔽件主體122被夾在集磁支架70的外周面70Y與傳感器外殼80的外殼主體81的內(nèi)表面81C之間。磁屏蔽件120具有由屏蔽件端部121形成長板的長度方向的端部的結(jié)構(gòu)。磁屏蔽件120具有作為在周向ZC上相鄰的屏蔽件端部121之間的部分而形成有分離部分124的結(jié)構(gòu)。
[0130]彎折部分123具有從屏蔽件主體122的周向ZC的端部朝向外側(cè)ZB2折彎并且朝向屏蔽件主體122折彎而形成的形狀。彎折部分123將屏蔽件主體122與屏蔽件端部121連結(jié)。
[0131]如圖9B所示，各屏蔽件端部121從彎折部分123朝向屏蔽件主體122延伸。在各屏蔽件端部121中，端面121A與屏蔽件主體122的外周面122Y接觸。另外，角部分121C由屏蔽件端部121的端面121A以及外側(cè)面121B形成。
[0132]在磁屏蔽件120中，第一角度Al表示屏蔽件主體122的外周面122Y與徑向ZB之間所成的角度。另外，在磁屏蔽件120中，第二角度A2表示屏蔽件端部121的外側(cè)面121B與徑向ZB之間所成的角度。另外，在本實(shí)施方式的磁屏蔽件120中，由于屏蔽件主體122的外周面122Y與徑向ZB正交，因此，第一角度Al為“90° ”。另外在磁屏蔽件120中，由于屏蔽件端部121的外側(cè)面121B與徑向ZB平行，因此第二角度A2為0°。
[0133]傳感器外殼80與屏蔽件主體122的外周面122Y、各屏蔽件端部121的外側(cè)面121B和角部分121C、以及彎折部分123的外側(cè)面123A緊貼。
[0134]本轉(zhuǎn)矩檢測裝置以及具備該轉(zhuǎn)矩檢測裝置的轉(zhuǎn)向裝置，包括與第一以及第二實(shí)施方式不同的其他實(shí)施方式。以下，示出作為本轉(zhuǎn)矩檢測裝置以及具備該轉(zhuǎn)矩檢測裝置的轉(zhuǎn)向裝置的其他實(shí)施方式的第一以及第二實(shí)施方式的變形例。另外，以下的各變形例能夠彼此組合。
[0135].第一實(shí)施方式的磁屏蔽件60中，在徑向ZB上屏蔽件端部61的角部分61C與彎折部分64重疊。但是，磁屏蔽件60的結(jié)構(gòu)并不限定于第一實(shí)施方式所例示的內(nèi)容。例如，變形例的磁屏蔽件60中，如圖10所示，在周向ZC上屏蔽件端部61的角部分61C位于比彎折部分64靠分離部分63側(cè)的位置。即，變形例的磁屏蔽件60中，在徑向ZB上屏蔽件端部61的角部分61C不與彎折部分64重疊。變形例的屏蔽件端部61，隨著朝向周向ZC的分離部分63側(cè)而向內(nèi)側(cè)ZBl延伸。
[0136]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第二角度A2小于第一角度Al。因此，屏蔽件端部61的外側(cè)面61B不與徑向ZB正交。由此,第一推壓力在屏蔽件端部61中分解成沿著屏蔽件端部61的方向的分力、和垂直地推壓屏蔽件端部61的分力。因此，垂直地推壓屏蔽件端部61的分力比垂直地推壓圖12的轉(zhuǎn)矩檢測裝置200的磁屏蔽件213的屏蔽件端部213B的力小。因此，抑制在傳感器外殼80中的從外側(cè)ZB2包圍屏蔽件端部61的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力。
[0137]?第一實(shí)施方式的磁屏蔽件60具有屏蔽件端部61通過彎折部分64而從屏蔽件主體62向內(nèi)側(cè)ZBl折彎的結(jié)構(gòu)。但是，磁屏蔽件60的結(jié)構(gòu)不限定于第一實(shí)施方式所例示的內(nèi)容。例如，變形例的磁 屏蔽件130如圖11所示那樣具有第一彎折部分133以及第二彎折部分134。變形例的磁屏蔽件130具有屏蔽件主體132、屏蔽件端部131、以及各彎折部分133、134形成為一體的結(jié)構(gòu)。第一彎折部分133具有從屏蔽件主體132向外側(cè)ZB2折彎的結(jié)構(gòu)。第二彎折部分134與第一彎折部分133連續(xù)。第二彎折部分134呈朝內(nèi)側(cè)ZBl開口的U字形狀。屏蔽件端部131與第二彎折部分134連續(xù)。屏蔽件端部131朝向內(nèi)側(cè)ZBl延伸。屏蔽件端部131與第二彎折部分134在周向ZC上重疊。
[0138]變形例的傳感器外殼80與第一彎折部分133的外側(cè)面133A和內(nèi)側(cè)面133B、第二彎折部分134的外側(cè)面134A和內(nèi)側(cè)面134B、屏蔽件端部131的端面131A、外側(cè)面131B、以及角部分131C緊貼。
[0139]變形例的集磁支架70代替支架定位部78而具有支架定位部79，該支架定位部79與磁屏蔽件130的由第一彎折部分133以及第二彎折部分134形成的部分嵌合。支架定位部79從集磁支架70的外周面70Y向外側(cè)ZB2突出。
[0140]?在上述變形例的磁屏蔽件60中，也能夠變更為屏蔽件端部131的角部分131C在徑向ZB上不與第二彎折部分134重疊的結(jié)構(gòu)。
[0141].在上述變形例的集磁支架70中也能夠省略支架定位部79。
[0142]?第二實(shí)施方式的磁屏蔽件120中，屏蔽件端部121的端面121A與屏蔽件主體122的外周面122Y接觸。但是，磁屏蔽件120的結(jié)構(gòu)不限定于第二實(shí)施方式所例示的內(nèi)容。例如，變形例的磁屏蔽件120中，屏蔽件端部121的端面121A與屏蔽件主體122的外周面122Y在徑向ZB上隔開間隙地對置。
[0143].第一以及第二實(shí)施方式的集磁單元50中，集磁支架70的作為凸部的支架定位部78與磁屏蔽件60的作為凹部的屏蔽件定位部65嵌合。但是，集磁支架70的支架定位部78與磁屏蔽件60的屏蔽件定位部65的嵌合構(gòu)造并不限定于各實(shí)施方式所例示的內(nèi)容。
[0144]例如，變形例的集磁單元50中，集磁支架70的作為凹部的支架定位部78與磁屏蔽件60的作為凸部的屏蔽件定位部65嵌合。
[0145].在第一以及第二實(shí)施方式的集磁單元50中，集磁支架70具有2個支架定位部78，磁屏蔽件60具有2個屏蔽件定位部65。但是，集磁單元50的定位件的個數(shù)并不限定于各實(shí)施方式所例示的內(nèi)容。例如，變形例的集磁單元50中,集磁支架70具有I個或者3個以上的支架定位部78，磁屏蔽件60具有I個或者3個以上的屏蔽件定位部65。
[0146]?第一以及第二實(shí)施方式的集磁單元50具有I個磁屏蔽件60、120。但是，集磁單元50的結(jié)構(gòu)并不限定于各實(shí)施方式所例示的內(nèi)容。例如，變形例的集磁單元50具有在軸向ZA上分割成多個的磁屏蔽件。
[0147]?第一以及第二實(shí)施方式的集磁單元50在集磁支架70的保持凸部71安裝有各集磁環(huán)51、54。但是，集磁支架70的結(jié)構(gòu)不限定于各實(shí)施方式所例示的內(nèi)容。例如，變形例的集磁單元50中集磁支架70與各集磁環(huán)51、54成形為一體。變形例的集磁支架70不具有保持凸部71以及貫通孔74。 [0148]?第一以及第二實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置30具有2個磁傳感器41。但是，磁傳感器41的個數(shù)并不限定于各實(shí)施方式所例示的內(nèi)容。例如，變形例的轉(zhuǎn)矩檢測裝置30具有I個磁傳感器41。變形例的轉(zhuǎn)矩檢測裝置30中，第一集磁環(huán)51具有I個集磁突起53，第二集磁環(huán)54具有I個集磁突起56。
[0149].第一以及第二實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩檢測裝置30作為磁傳感器41而使用了霍爾1C。但是，磁傳感器41的結(jié)構(gòu)并不限定于各實(shí)施方式所例示的內(nèi)容。例如，變形例的轉(zhuǎn)矩檢測裝置30中，作為磁傳感器41代替霍爾IC而具有霍爾元件或者M(jìn)R元件。
[0150].第一以及第二實(shí)施方式的轉(zhuǎn)向裝置I具有作為雙齒輪輔助型的電動動力轉(zhuǎn)向裝置的結(jié)構(gòu)。另一方面，變形例的轉(zhuǎn)向裝置I具有作為管柱輔助型、齒輪輔助型、齒條并行型、或者齒條同軸型的電動動力轉(zhuǎn)向裝置的結(jié)構(gòu)。
[0151]?第一以及第二實(shí)施方式的轉(zhuǎn)向裝置I具有作為具備輔助裝置20的電動動力轉(zhuǎn)向裝置的結(jié)構(gòu)。另一方面，變形例的轉(zhuǎn)向裝置I具有作為省略了輔助裝置20的機(jī)械式轉(zhuǎn)向裝置的結(jié)構(gòu)。
[0152]要點(diǎn)在于，只要是具有齒條軸以及齒輪軸的轉(zhuǎn)向裝置，則也能夠?qū)﹄p齒輪輔助型以外的電動動力轉(zhuǎn)向裝置、以及電動動力轉(zhuǎn)向裝置以外的轉(zhuǎn)向裝置應(yīng)用本轉(zhuǎn)向裝置。
[0153]接下來記載根據(jù)上述實(shí)施方式而能夠把握的轉(zhuǎn)矩檢測裝置的結(jié)構(gòu)。上述傳感器外殼的徑向上，上述屏蔽件端部與上述彎折部分重疊的轉(zhuǎn)矩檢測裝置。
[0154]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于第一推壓力作用于彎折部分，因此，抑制對屏蔽件端部作用第一推壓力。因此，提高了抑制在傳感器外殼的比磁屏蔽件靠外側(cè)的部分產(chǎn)生大的熱應(yīng)力的效果O
【權(quán)利要求】
1.一種轉(zhuǎn)矩檢測裝置，其特征在于， 具備: 永久磁鐵； 磁軛，該磁軛配置于所述永久磁鐵所形成的磁場內(nèi)，并且該磁軛與所述永久磁鐵的相對位置變化； 集磁單元，該集磁單元具有集磁支架、集磁環(huán)以及磁屏蔽件，所述集磁支架通過樹脂成型而形成為環(huán)狀、并且包圍所述磁軛，所述集磁環(huán)安裝于所述集磁支架的內(nèi)周面、并且匯集所述磁軛的磁通，所述磁屏蔽件通過折彎金屬板而形成、并且安裝于所述集磁支架的外周面； 磁傳感器，該磁傳感器檢測由所述永久磁鐵、所述磁軛、以及所述集磁環(huán)所形成的磁路的磁通；以及 傳感器外殼，該傳感器外殼通過向所述集磁單元的外周側(cè)流入的樹脂而與所述集磁單元形成為一體，所述磁屏蔽件具有屏蔽件主體、屏蔽件端部以及彎折部分，所述屏蔽件主體被所述傳感器外殼的內(nèi)表面與所述集磁支架的外周面夾持，所述屏蔽件端部構(gòu)成所述金屬板的周向的端部，所述彎折部分從所述屏蔽件主體被折彎而將所述屏蔽件主體與屏蔽件端部連結(jié)，所述屏蔽件端部的外側(cè)面與所述傳感器外殼的徑向所成的第二角度，小于所述屏蔽件主體的外周面與所述傳感器外殼的徑向所成的第一角度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)矩檢測裝置，其特征在于， 所述屏蔽件端部由于所述彎折部分而比所述屏蔽件主體的外周面更朝所述集磁環(huán)延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)矩檢測裝置，其特征在于， 所述彎折部分從所述屏蔽件主體向與所述集磁環(huán)相反的一側(cè)折彎，并且朝所述屏蔽件主體折彎，所述屏蔽件端部朝所述屏蔽件主體延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)矩檢測裝置，其特征在于， 所述磁屏蔽件在所述屏蔽件主體具有屏蔽件定位部， 所述集磁支架具有支架定位部， 通過使所述屏蔽件定位部嵌合于支架定位部，從而在所述集磁單元的周向上限制所述磁屏蔽件與所述集磁支架的相對位置的變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)矩檢測裝置，其特征在于， 所述磁屏蔽件在所述屏蔽件主體具有屏蔽件定位部， 所述集磁支架具有支架定位部， 通過使所述屏蔽件定位部嵌合于支架定位部，從而在所述集磁單元的周向上限制所述磁屏蔽件與所述集磁支架的相對位置的變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的轉(zhuǎn)矩檢測裝置，其特征在于， 所述磁屏蔽件在所述屏蔽件主體具有屏蔽件定位部， 所述集磁支架具有支架定位部， 通過使所述屏蔽件定位部嵌合于支架定位部，從而在所述集磁單元的周向上限制所述磁屏蔽件與所述集磁支架的相對位置的變化。
7.一種轉(zhuǎn)向 裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的轉(zhuǎn)矩檢測裝置。
【文檔編號】G01L3/10GK103900748SQ201310699719
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月25日
【發(fā)明者】幸村貴廣, 竹內(nèi)彰啟, 山下陽史, 飯?zhí)锟⌒? 大石武志 申請人:株式會社捷太格特