一種檢測觸頭參數(shù)的基座的制作方法
【專利摘要】一種檢測觸頭參數(shù)的基座，其中所述基座（1）用于斷路器或接觸器，所述基座（1）的內(nèi)部設(shè)置有用于檢測所述動觸頭（2）觸頭參數(shù)的標(biāo)記,所述標(biāo)記根據(jù)所述動觸頭（2）觸頭參數(shù)的理論值設(shè)置。本實(shí)用新型的檢測觸頭參數(shù)的基座，省時省力、誤差小、檢測精確度高且成本低。
【專利說明】一種檢測觸頭參數(shù)的基座
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及低壓電氣【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是一種檢測觸頭參數(shù)的基座。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的斷路器、接觸器等低壓電氣產(chǎn)品在制造完成后需要進(jìn)行開距、超程以及同步等觸頭參數(shù)的檢測，以確保產(chǎn)品質(zhì)量。
[0003]其中，開距的檢測需要配備相應(yīng)的檢具；超程的檢測不但要配備卡尺或高度尺及水平尺等，同時還要準(zhǔn)備記錄紙和筆來記錄每相檢測的數(shù)據(jù)，再計(jì)算，而且還要單拆單量各相；而同步的檢測為人工裝配時將中相動觸頭用工具下壓目測看三相是否與靜觸頭同時接觸。以上的人工測量、計(jì)算的方式，工序繁鎖，人工讀數(shù)和測量誤差累積大，特別是針對大殼架產(chǎn)品的檢測，其靜觸頭拆卸很不方便，觸頭參數(shù)的測量既費(fèi)時費(fèi)力又誤差大，同時還不能每臺產(chǎn)品都檢測，只能采取抽檢方式，不能有效保證每臺產(chǎn)品的觸頭參數(shù)均符合產(chǎn)品設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。
[0004]為此，現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)了專門用于檢測開距和超程的檢測裝置，如中國專利文獻(xiàn)CN201909616U公開了一種塑殼斷路器的開距超程測量裝置，該裝置包括機(jī)架、夾具、激光測量組件、輔助插片組件、輔助插片組件的升降機(jī)構(gòu)、輔助插片組件的支架及控制器，所述夾具、激光測量組件、輔助插片組件、輔助插片組件的升降機(jī)構(gòu)、輔助插片組件的支架及控制器設(shè)置在機(jī)架上。再如中國專利文獻(xiàn)CN102590740A公開了一種交流接觸器開距和超程自動測試裝置及方法，主要解決了現(xiàn)有的交流接觸器在檢測觸頭開距和超程參數(shù)時采用人工測試，存在勞動強(qiáng)度大、工作效率低及誤差大的問題，其機(jī)架上設(shè)有自動夾具，自動夾具的一側(cè)設(shè)有與交流接觸器的各接線端相對應(yīng)的檢測探針組，檢測探針組固定在直線往復(fù)裝置上并由直線往復(fù)裝置驅(qū)動其與交流接觸器接通和斷開；直線往復(fù)裝置的安裝板與滾珠絲杠相連，滾珠絲杠由伺服電機(jī)驅(qū)動，其中還設(shè)有伸入交流接觸器浮動指示件的中間探針。
[0005]雖然，上述檢測裝置的檢測精度高、誤差小，但是對于斷路器和接觸器的生產(chǎn)廠家來說需要單獨(dú)購買，導(dǎo)致生產(chǎn)成本大幅提高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]為了解決以上現(xiàn)有技術(shù)中斷路器和接觸器等產(chǎn)品的觸頭參數(shù)檢測，要么步驟繁瑣、誤差大、精確度低，要么成本高的問題，從而提供一種檢測精確度較高且成本低的檢測觸頭參數(shù)的基座及其制造方法、檢測方法。
[0007]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)問題，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0008]一種檢測觸頭參數(shù)的基座，用于斷路器或接觸器，所述基座的內(nèi)部設(shè)置有用于檢測所述動觸頭觸頭參數(shù)的標(biāo)記，所述標(biāo)記根據(jù)所述動觸頭觸頭參數(shù)的理論值設(shè)置。
[0009]上述檢測觸頭參數(shù)的基座中，所述標(biāo)記還根據(jù)所述動觸頭上觀測物的位置設(shè)置。
[0010]上述檢測觸頭參數(shù)的基座中，所述標(biāo)記以所述基座的底面為基準(zhǔn)并設(shè)置于所述基座的內(nèi)側(cè)壁上。[0011]上述檢測觸頭參數(shù)的基座中，所述標(biāo)記為標(biāo)記臺階面或標(biāo)記線，所述標(biāo)記臺階面成型在所述基座的所述內(nèi)側(cè)壁上，所述標(biāo)記線直接刻畫或粘貼在所述基座的所述內(nèi)側(cè)壁上。
[0012]上述檢測觸頭參數(shù)的基座中，所述標(biāo)記包括開距參考系和/或超程參考系；所述開距參考系和所述超程參考系可設(shè)置于所述基座的相同或不同內(nèi)側(cè)壁。
[0013]上述檢測觸頭參數(shù)的基座中，所述開距參考系包括開距理論標(biāo)記；所述超程參考系包括超程理論標(biāo)記。
[0014]上述檢測觸頭參數(shù)的基座中，所述開距參考系還包括開距上標(biāo)記和/或開距下標(biāo)記；所述超程參考系還包括超程上標(biāo)記和/或超程下標(biāo)記。
[0015]上述檢測觸頭參數(shù)的基座中，所述開距參考系包括開距上標(biāo)記和開距下標(biāo)記；所述超程參考系包括超程上標(biāo)記和超程下標(biāo)記。
[0016]上述檢測觸頭參數(shù)的基座中，所述動觸頭的所述觀測物為觀測面、觀測點(diǎn)或觀測線。
[0017]一種上述檢測觸頭參數(shù)的基座的制造方法，包括以下步驟，
[0018]①根據(jù)觸頭參數(shù)的理論值，計(jì)算出以所述基座的底面為基準(zhǔn)時標(biāo)記的設(shè)置位置；
[0019]②在所述基座的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置所述標(biāo)記。
[0020]上述制造方法中，所述步驟①還包括，根據(jù)事先選取的動觸頭上觀測物的位置計(jì)算出以所述基座的底面為基準(zhǔn)時標(biāo)記的設(shè)置位置。
[0021]上述制造方法中，在所述步驟②之后還包括根據(jù)所述基座上所述標(biāo)記位置在動觸頭上相應(yīng)選取觀測物的步驟。
[0022]上述制造方法中，在所述步驟①之前還包括計(jì)算出觸頭參數(shù)的理論值的步驟。
[0023]一種采用上述檢測觸頭參數(shù)的基座對動觸頭進(jìn)行觸頭參數(shù)測量的檢測方法，包括，
[0024]①當(dāng)所述標(biāo)記為開距理論標(biāo)記和超程理論標(biāo)記時，則在脫扣狀態(tài)時，觀察各相動觸頭上的觀測物與所述開距理論標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物向所述開距理論標(biāo)記方向的投影均有部分落在所述開距理論標(biāo)記上，則該產(chǎn)品開距合格，否則不合格；在合閘狀態(tài)時，觀查各相所述觀測物與所述超程理論標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物向所述超程理論標(biāo)記方向的投影均有部分落在所述超程理論標(biāo)記上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；如果開距和超程均合格且每相的超程值與所述超程理論標(biāo)記相比均不超過0.5毫米，則產(chǎn)品同步合格，否則不合格；
[0025]②當(dāng)所述標(biāo)記為開距上標(biāo)記、開距下標(biāo)記、超程上標(biāo)記和超程下標(biāo)記時，或者所述標(biāo)記為開距理論標(biāo)記、開距上標(biāo)記、開距下標(biāo)記、超程理論標(biāo)記、超程上標(biāo)記和超程下標(biāo)記時，則在脫扣狀態(tài)時，觀察各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述開距上標(biāo)記和所述開距下標(biāo)記之間，或者每相所述觀測物向所述開距上標(biāo)記或所述開距下標(biāo)記方向的投影均有部分落在所述開距上標(biāo)記或所述開距下標(biāo)記上，則該產(chǎn)品開距合格，否則不合格；在合閘狀態(tài)時，觀察各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述超程上標(biāo)記和所述超程下標(biāo)記之間，或者每相所述觀測物向所述超程上標(biāo)記或所述超程下標(biāo)記方向的投影均有部分落在所述超程上標(biāo)記或所述超程下標(biāo)記上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；如果開距和超程均合格且每相的超程值與所述超程理論標(biāo)記相比均不超過0.5毫米，則產(chǎn)品同步合格，否則不合格；
[0026]③當(dāng)所述標(biāo)記為超程理論標(biāo)記和超程上標(biāo)記時，則在合閘狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述超程理論標(biāo)記和所述超程上標(biāo)記之間，或者每相所述觀測物向所述超程理論標(biāo)記或所述超程上標(biāo)記方向的投影均有部分落在所述超程理論標(biāo)記或所述超程上標(biāo)記上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；
[0027]④當(dāng)所述標(biāo)記為開距理論標(biāo)記、開距上標(biāo)記、超程理論標(biāo)記和超程上標(biāo)記時，則在脫扣狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述開距理論標(biāo)記和所述開距上標(biāo)記之間，或者每相所述觀測物向所述開距理論標(biāo)記或所述開距上標(biāo)記方向的投影均有部分落在所述開距理論標(biāo)記或所述開距上標(biāo)記上，則該產(chǎn)品開距合格，否則不合格；在合閘狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述超程理論標(biāo)記和所述超程上標(biāo)記之間，或者每相所述觀測物向所述超程理論標(biāo)記或所述超程上標(biāo)記方向的投影均有部分落在所述超程理論標(biāo)記或所述超程上標(biāo)記上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；如果開距和超程均合格且每相的超程值與所述超程理論標(biāo)記相比均不超過0.5毫米，則產(chǎn)品同步合格，否則不合格；
[0028]⑤當(dāng)所述標(biāo)記為開距理論標(biāo)記、開距下標(biāo)記、超程理論標(biāo)記和超程下標(biāo)記時，則在脫扣狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述開距理論標(biāo)記和所述開距下標(biāo)記之間，或者每相所述觀測物向所述開距理論標(biāo)記或所述開距下標(biāo)記方向的投影均有部分落在所述開距理論標(biāo)記或所述開距下標(biāo)記上，則該產(chǎn)品開距合格，否則不合格；在合閘狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述超程理論標(biāo)記和所述超程下標(biāo)記之間，或者每相所述觀測物向所述超程理論標(biāo)記或所述超程下標(biāo)記方向的投影均有部分落在所述超程理論標(biāo)記或所述超程下標(biāo)記上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；如果開距和超程均合格且每相的超程值與所述超程理論標(biāo)記相比均不超過0.5毫米，則產(chǎn)品同步合格，否則不合格。
[0029]本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0030](I)本實(shí)用新型提供的檢測觸頭參數(shù)的基座，其內(nèi)部設(shè)置有用于檢測動觸頭觸頭參數(shù)的標(biāo)記，標(biāo)記根據(jù)動觸頭觸頭參數(shù)的理論值設(shè)置。上述設(shè)計(jì)使得斷路器、接觸器等低壓電氣設(shè)備，能夠利用基座來觀測產(chǎn)品的開距、超程和同步，誤差較小、精確度也比較高，而且成本低。
[0031](2)本實(shí)用新型提供的檢測觸頭參數(shù)的基座，其標(biāo)記還可根據(jù)動觸頭上觀測物的位置設(shè)置，即先選擇好動觸頭上的觀測物，然后再根據(jù)觸頭參數(shù)的理論值設(shè)置標(biāo)記，實(shí)現(xiàn)方式靈活多變，但都能夠簡單、便利的實(shí)現(xiàn)對產(chǎn)品開距、超程和同步的檢測，誤差小、成本低。
[0032](3)本實(shí)用新型提供的檢測觸頭參數(shù)的基座，其標(biāo)記以基座的底面為基準(zhǔn)并設(shè)置于基座的內(nèi)側(cè)壁上，利于設(shè)計(jì)和加工制造。
[0033](4)本實(shí)用新型提供的檢測觸頭參數(shù)的基座，其標(biāo)記可為標(biāo)記臺階面或標(biāo)記線，結(jié)構(gòu)簡單，而且實(shí)現(xiàn)方式靈活多變。
[0034](5)本實(shí)用新型提供的檢測觸頭參數(shù)的基座，其標(biāo)記包括開距參考系和超程參考系；開距參考系和超程參考系可設(shè)置于基座的相同或不同內(nèi)側(cè)壁，可適應(yīng)不同產(chǎn)品需要。
[0035](6)本實(shí)用新型提供的檢測觸頭參數(shù)的基座的制造方法，方法簡便、易于實(shí)現(xiàn)，而且加工成本也很低。[0036](7)本實(shí)用新型提供的檢測觸頭參數(shù)的基座的制造方法，可先設(shè)置好標(biāo)記再選擇動觸頭上的觀測物，也可以先選擇好觀測物再設(shè)計(jì)相應(yīng)的標(biāo)記，選擇靈活，方法簡便。
[0037](8)本實(shí)用新型提供的檢測觸頭參數(shù)的基座的檢測方法，簡便、易于操作，省時省力，而且誤差較小。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0038]為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0039]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一檢測觸頭參數(shù)的基座的俯視圖；
[0040]圖2是圖1的A-A向剖視圖；
[0041]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一檢測觸頭參數(shù)的基座進(jìn)行開距檢測的示意圖；
[0042]圖4是圖3的B-B向剖視圖；
[0043]圖5是圖3的C-C向剖視圖；
[0044]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例一檢測觸頭參數(shù)的基座進(jìn)行超程檢測的示意圖；
[0045]圖7是圖6的D-D向剖視圖；
[0046]圖8是圖6的E-E向剖視圖；
[0047]圖9是動觸頭示意圖；
[0048]圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例二檢測觸頭參數(shù)的基座進(jìn)行超程檢測的示意圖。
[0049]圖中附圖標(biāo)記表示為:1_基座，2-動觸頭，3-靜觸頭，4-開距理論標(biāo)記，5-開距上標(biāo)記，6-開距下標(biāo)記，7-超程理論標(biāo)記，8-超程上標(biāo)記、9-超程下標(biāo)記，10-輔助平面，11-交點(diǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0050]實(shí)施例一
[0051]如圖1和圖2所示，是本實(shí)用新型檢測觸頭參數(shù)的基座及其制造方法、檢測方法的優(yōu)選實(shí)施方式。
[0052]所述檢測觸頭參數(shù)的基座1，用于斷路器或接觸器，所述基座I的內(nèi)部設(shè)置有用于檢測所述動觸頭2觸頭參數(shù)的標(biāo)記，所述標(biāo)記根據(jù)所述動觸頭2觸頭參數(shù)的理論值設(shè)置。在本實(shí)施例中，所述基座I用于斷路器，所述動觸頭2為轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)式動觸頭。在本實(shí)施例中，選取所述動觸頭2的輔助平面10為觀測物，這樣更易于目測或用簡單工具的測量，如圖9所示。
[0053]如圖3-8所示，所述標(biāo)記以所述基座I的底面為基準(zhǔn)并設(shè)置于所述基座I的內(nèi)側(cè)壁上。所述標(biāo)記為標(biāo)記臺階面，所述標(biāo)記臺階面成型在所述基座I的所述內(nèi)側(cè)壁上。所述標(biāo)記包括開距參考系和超程參考系；所述開距參考系和所述超程參考系可設(shè)置于所述基座I的相同或不同內(nèi)側(cè)壁。在本實(shí)施例中，所述開距參考系和所述超程參考系設(shè)置于所述基座I的相同內(nèi)側(cè)壁；所述開距參考系包括開距理論標(biāo)記4、開距上標(biāo)記5和開距下標(biāo)記6 ;所述超程參考系包括超程理論標(biāo)記7、超程上標(biāo)記8和超程下標(biāo)記9。
[0054]上述檢測觸頭參數(shù)的基座的制造方法，包括以下步驟，
[0055]①根據(jù)觸頭參數(shù)的理論值，計(jì)算出以所述基座I的底面為基準(zhǔn)時所述標(biāo)記的設(shè)置位置；在本實(shí)施例中觸頭參數(shù)的理論值已知。
[0056]②在所述基座I的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置所述標(biāo)記。
[0057]③根據(jù)所述基座I上所述標(biāo)記位置在所述動觸頭2上相應(yīng)選取觀測物。
[0058]采用上述所述檢測觸頭參數(shù)的基座對動觸頭進(jìn)行觸頭參數(shù)測量的檢測方法，包括:
[0059]所述標(biāo)記為開距理論標(biāo)記4、開距上標(biāo)記5、開距下標(biāo)記6、超程理論標(biāo)記7、超程上標(biāo)記8和超程下標(biāo)記9時，則在在脫扣狀態(tài)時，觀察各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述開距上標(biāo)記5和所述開距下標(biāo)記6之間，或者每相所述觀測物向所述開距上標(biāo)記5或所述開距下標(biāo)記6方向的投影均有部分落在所述開距上標(biāo)記5或所述開距下標(biāo)記6上，即以圖4的角度來看至少存在一個交點(diǎn)11，則該產(chǎn)品開距合格，否則不合格。
[0060]在合閘狀態(tài)時，觀察各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述超程上標(biāo)記8和所述超程下標(biāo)記9之間，或者每相所述觀測物向所述超程上標(biāo)記8或所述超程下標(biāo)記9方向的投影均有部分落在所述超程上標(biāo)記8或所述超程下標(biāo)記9上，即存在至少一個交點(diǎn)，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；如果開距和超程均合格且每相的超程值與所述超程理論標(biāo)記7相比均不超過0.5毫米，則產(chǎn)品同步合格，否則不合格。
[0061]實(shí)施例二
[0062]如圖10所示，在本實(shí)施例中，檢測觸頭參數(shù)的基座I用于接觸器，其動觸頭2相對基座為直動式動觸頭。
[0063]與實(shí)施例一的區(qū)別在于，在本實(shí)施例中，標(biāo)記根據(jù)觸頭參數(shù)的理論值和所述動觸頭2上觀測物的位置設(shè)置，即事先選好所述動觸頭2上的所述觀測物。
[0064]所述標(biāo)記僅包括超程參考系；所述超程參考系包括超程理論標(biāo)記7和超程上標(biāo)記8。
[0065]所述檢測觸頭參數(shù)的基座的制造方法，包括以下步驟，
[0066]①根據(jù)觸頭參數(shù)的理論值和事先選取的所述動觸頭2所述觀測物的位置，計(jì)算出以所述基座I的底面為基準(zhǔn)時所述標(biāo)記的設(shè)置位置；在本實(shí)施例中觸頭參數(shù)的理論值已知。
[0067]②在所述基座I的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置所述標(biāo)記。
[0068]采用上述所述檢測觸頭參數(shù)的基座對動觸頭進(jìn)行觸頭參數(shù)測量的檢測方法，包括:
[0069]所述標(biāo)記為所述超程理論標(biāo)記7和所述超程上標(biāo)記8，在合閘狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述超程理論標(biāo)記7和所述超程上標(biāo)記8之間，或者每相所述觀測物向所述超程理論標(biāo)記7或所述超程上標(biāo)記8方向的投影均有部分落在所述超程理論標(biāo)記7或所述超程上標(biāo)記8上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格。
[0070]在其他實(shí)施例中，所述標(biāo)記可根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品需要僅為開距參考系，標(biāo)記還可為標(biāo)記線，所述標(biāo)記線直接刻畫或粘貼在所述基座I的所述內(nèi)側(cè)壁上；或者標(biāo)記為標(biāo)記點(diǎn)也可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的。同樣，動觸頭2的觀測物還可為觀測點(diǎn)或觀測線。
[0071]在其他實(shí)施例中，所述開距參考系和所述超程參考系可設(shè)置于所述基座I的不同內(nèi)側(cè)壁。
[0072]在其他實(shí)施例中，在所述制造方法的所述步驟①之前還包括計(jì)算出觸頭參數(shù)的理論值的步驟。
[0073]在其他實(shí)施例中，開距參考系可為開距理論標(biāo)記，或者開距上標(biāo)記和開距理論標(biāo)記，或者為開距理論標(biāo)記和開距下標(biāo)記，或者開距上標(biāo)記和開距下標(biāo)記；同樣，超程參考系可為超程理論標(biāo)記，或者超程理論標(biāo)記和超程下標(biāo)記，或者超程上標(biāo)記和超程下標(biāo)記。
[0074]在其他實(shí)施例中，當(dāng)所述標(biāo)記為開距理論標(biāo)記4和超程理論標(biāo)記7時，則在脫扣狀態(tài)時，觀察各相動觸頭2上的觀測物與所述開距理論標(biāo)記4的相對位置，若每相所述觀測物向所述開距理論標(biāo)記4方向的投影均有部分落在所述開距理論標(biāo)記4上，則該產(chǎn)品開距合格，否則不合格；在合閘狀態(tài)時，觀查各相所述觀測物與所述超程理論標(biāo)記7的相對位置，若每相所述觀測物向所述超程理論標(biāo)記7方向的投影均有部分落在所述超程理論標(biāo)記7上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；如果開距和超程均合格且每相的超程值與所述超程理論標(biāo)記7相比均不超過0.5毫米，則產(chǎn)品同步合格，否則不合格。
[0075]在其他實(shí)施例中，當(dāng)所述標(biāo)記為開距上標(biāo)記5、開距下標(biāo)記6、超程上標(biāo)記8和超程下標(biāo)記9時，則在脫扣狀態(tài)時，觀察各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述開距上標(biāo)記5和所述開距下標(biāo)記6之間，或者每相所述觀測物向所述開距上標(biāo)記5或所述開距下標(biāo)記6方向的投影均有部分落在所述開距上標(biāo)記5或所述開距下標(biāo)記6上，則該產(chǎn)品開距合格，否則不合格；在合閘狀態(tài)時，觀察各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述超程上標(biāo)記8和所述超程下標(biāo)記9之間，或者每相所述觀測物向所述超程上標(biāo)記8或所述超程下標(biāo)記9方向的投影均有部分落在所述超程上標(biāo)記8或所述超程下標(biāo)記9上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；如果開距和超程均合格且每相的超程值與所述超程理論標(biāo)記7相比均不超過0.5毫米，則產(chǎn)品同步合格，否則不合格。
[0076]在其他實(shí)施例中，當(dāng)所述標(biāo)記為開距理論標(biāo)記4、開距上標(biāo)記5、超程理論標(biāo)記7和超程上標(biāo)記8時，則在脫扣狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述開距理論標(biāo)記4和所述開距上標(biāo)記5之間，或者每相所述觀測物向所述開距理論標(biāo)記4或所述開距上標(biāo)記5方向的投影均有部分落在所述開距理論標(biāo)記4或所述開距上標(biāo)記5上，則該產(chǎn)品開距合格，否則不合格；在合閘狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述超程理論標(biāo)記7和所述超程上標(biāo)記8之間，或者每相所述觀測物向所述超程理論標(biāo)記7或所述超程上標(biāo)記8方向的投影均有部分落在所述超程理論標(biāo)記7或所述超程上標(biāo)記8上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；如果開距和超程均合格且每相的超程值與所述超程理論標(biāo)記7相比均不超過0.5毫米，則產(chǎn)品同步合格，否則不合格。
[0077]在其他實(shí)施例中，當(dāng)所述標(biāo)記為開距理論標(biāo)記4、開距下標(biāo)記6、超程理論標(biāo)記7和超程下標(biāo)記9時，則在脫扣狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述開距理論標(biāo)記4和所述開距下標(biāo)記6之間，或者每相所述觀測物向所述開距理論標(biāo)記4或所述開距下標(biāo)記6方向的投影均有部分落在所述開距理論標(biāo)記4或所述開距下標(biāo)記6上，則該產(chǎn)品開距合格，否則不合格；在合閘狀態(tài)時，觀測各相所述觀測物與所述標(biāo)記的相對位置，若每相所述觀測物均位于所述超程理論標(biāo)記7和所述超程下標(biāo)記9之間，或者每相所述觀測物向所述超程理論標(biāo)記7或所述超程下標(biāo)記9方向的投影均有部分落在所述超程理論標(biāo)記7或所述超程下標(biāo)記9上，則該產(chǎn)品超程合格，否則不合格；如果開距和超程均合格且每相的超程值與所述超程理論標(biāo)記7相比均不超過0.5毫米，則產(chǎn)品同步合格，否則不合格。
[0078] 顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本實(shí)用新型創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測觸頭參數(shù)的基座，用于斷路器或接觸器，其特征在于:所述基座(I)的內(nèi)部設(shè)置有用于檢測所述動觸頭(2)觸頭參數(shù)的標(biāo)記，所述標(biāo)記根據(jù)所述動觸頭(2)觸頭參數(shù)的理論值設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測觸頭參數(shù)的基座，其特征在于:所述標(biāo)記還根據(jù)所述動觸頭(2)上觀測物的位置設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測觸頭參數(shù)的基座，其特征在于:所述標(biāo)記以所述基座(I)的底面為基準(zhǔn)并設(shè)置于所述基座(I)的內(nèi)側(cè)壁上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測觸頭參數(shù)的基座，其特征在于:所述標(biāo)記為標(biāo)記臺階面或標(biāo)記線，所述標(biāo)記臺階面成型在所述基座(I)的所述內(nèi)側(cè)壁上，所述標(biāo)記線直接刻畫或粘貼在所述基座(I)的所述內(nèi)側(cè)壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的檢測觸頭參數(shù)的基座，其特征在于:所述標(biāo)記包括開距參考系和/或超程參考系；所述開距參考系和所述超程參考系可設(shè)置于所述基座(I)的相同或不同內(nèi)側(cè)壁。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測觸頭參數(shù)的基座，其特征在于:所述開距參考系包括開距理論標(biāo)記(4);所述超程參考系包括超程理論標(biāo)記(7)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測觸頭參數(shù)的基座，其特征在于:所述開距參考系還包括開距上標(biāo)記(5)和/或開距下標(biāo)記(6);所述超程參考系還包括超程上標(biāo)記(8)和/或超程下標(biāo)記(9)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測觸頭參數(shù)的基座，其特征在于:所述開距參考系包括開距上標(biāo)記(5)和開距下標(biāo)記(6);所述超程參考系包括超程上標(biāo)記(8)和超程下標(biāo)記(9)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測觸頭參數(shù)的基座，其特征在于:所述動觸頭(2)的所述觀測物為觀測面、觀測點(diǎn)或觀測線。
【文檔編號】G01B5/14GK203518914SQ201320691205
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月4日
【發(fā)明者】杜和艷, 葉青, 宋志文 申請人:德力西電氣有限公司