屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型提出了一種屏蔽結(jié)構(gòu)，使傳感器免受外界條件的干擾，包括頂部金屬遮擋物以及側(cè)面金屬遮擋物，所述側(cè)面金屬遮擋物包圍所述傳感器，所述頂部金屬遮擋物形成于所述傳感器的上方，并與所述側(cè)面金屬遮擋物相連。在傳感器的側(cè)面形成側(cè)面金屬遮擋物，在傳感器的上方形成頂部金屬遮擋物，由于所述側(cè)面金屬遮擋物包圍傳感器，能夠?qū)碜詡鞲衅鱾?cè)面的光線進行屏蔽，并且頂部金屬遮擋物能夠屏蔽來自傳感器頂部的光線，從而能夠?qū)崿F(xiàn)全面的對傳感器進行外界條件屏蔽，提高傳感器的精度。
【專利說明】屏蔽結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種屏蔽結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳感器(transducer/sensor)是一種檢測裝置,能感受到被測量的信息,并能將感受到的信息，按一定規(guī)律變換成為電信號或其他所需形式的信息輸出，以滿足信息的傳輸、處理、存儲、顯示、記錄和控制等要求。因此，傳感器被廣泛應(yīng)用在工業(yè)和消費電子領(lǐng)域。
[0003]大部分傳感器需要對外界條件進行屏蔽，例如光線，以防止外界條件對傳感器進行干擾。在現(xiàn)有技術(shù)中，傳感器的屏蔽通常采用金屬進行遮擋，請參考圖1和圖2，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖2為現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，傳感器10形成于襯底30上，金屬遮擋物20形成于所述傳感器10的上方，對來自上方的光線進行遮擋，防止光線干擾所述傳感器10。
[0004]然而，由于上述屏蔽結(jié)構(gòu)無法屏蔽來自傳感器10側(cè)面的光線，因而會影響所述傳感器10的精度。因此，如何對所述傳感器10進行有效的外界干擾屏蔽，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的在于提供一種屏蔽結(jié)構(gòu)，能夠全面的對傳感器進行外界條件屏蔽，提高傳感器的精度。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出了一種屏蔽結(jié)構(gòu)，使傳感器免受外界條件的干擾，所述結(jié)構(gòu)包括頂部金屬遮擋物以及側(cè)面金屬遮擋物，所述側(cè)面金屬遮擋物包圍所述傳感器，所述頂部金屬遮擋物形成于所述傳感器的上方，并與所述側(cè)面金屬遮擋物相連。
[0007]進一步的，所述側(cè)面金屬遮擋物設(shè)有開口。
[0008]進一步的，所述開口至少為一個。
[0009]進一步的，所述側(cè)面金屬遮擋物包括多個通孔連線以及金屬層，所述通孔連線連接相連的金屬層。
[0010]進一步的，所述頂部金屬遮擋物通過所述通孔連線與所述金屬層相連。
[0011]進一步的，所述傳感器形成于一襯底的表面。
[0012]進一步的，所述通孔連線連接所述金屬層與襯底。
[0013]進一步的，所述金屬層的層數(shù)為I?10層。
[0014]進一步的，所述側(cè)面金屬遮擋物的俯視圖為方形、圓形或者橢圓形。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果主要體現(xiàn)在:在傳感器的側(cè)面形成側(cè)面金屬遮擋物，在傳感器的上方形成頂部金屬遮擋物，由于所述側(cè)面金屬遮擋物包圍傳感器，能夠?qū)碜詡鞲衅鱾?cè)面的光線進行屏蔽，并且頂部金屬遮擋物能夠屏蔽來自傳感器頂部的光線，從而能夠?qū)崿F(xiàn)全面的對傳感器進行外界條件屏蔽，提高傳感器的精度?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0017]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0018]圖3為本實用新型一實施例中屏蔽結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0019]圖4為本實用新型一實施例中屏蔽結(jié)構(gòu)沿圖3的X方向的剖面示意圖；
[0020]圖5為本實用新型一實施例中屏蔽結(jié)構(gòu)沿圖3的Y方向的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0021]下面將結(jié)合示意圖對本實用新型的屏蔽結(jié)構(gòu)進行更詳細的描述，其中表示了本實用新型的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實用新型，而仍然實現(xiàn)本實用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本實用新型的限制。
[0022]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本實用新型由于不必要的細節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0023]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
[0024]請參考圖3、圖4和圖5，在本實施例中，提出了一種屏蔽結(jié)構(gòu)，使傳感器100免受外界條件的干擾，所述結(jié)構(gòu)包括頂部金屬遮擋物200以及側(cè)面金屬遮擋物300，所述側(cè)面金屬遮擋物300包圍所述傳感器100，所述頂部金屬遮擋物200形成于所述傳感器100的上方，并與所述側(cè)面金屬遮擋物300相連。
[0025]在本實施例中，所述側(cè)面金屬遮擋物300設(shè)有開口，所述開口為引線區(qū)域，用于填充形成引線，方便所述傳感器100與引線連接，其中，所述開口的個數(shù)大于等于I個，然而所述開口的越少越好，這樣便于遮擋更多光線。
[0026]在本實施例中，所述側(cè)面金屬遮擋物300包括多個通孔連線320以及金屬層310，所述通孔連線320連接相連的金屬層310，此結(jié)構(gòu)可以與半導(dǎo)體后段形成金屬互連線結(jié)構(gòu)的工藝一道形成，無需額外添加步驟形成，有利于降低生產(chǎn)成本，其中，所述通孔連線320可以為銅或者鎢，所述金屬層310的材質(zhì)可以為銅。
[0027]其中，所述頂部金屬遮擋物200通過通孔連線320與所述金屬層310相連，所述金屬層310的層數(shù)可以根據(jù)實際設(shè)計需要，即比所述傳感器100需要的金屬層數(shù)多I層即可，在本實施例中所述金屬層310的層數(shù)為I?10層，僅選取2層作為示意，如圖4和圖5所
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[0028]在本實施例中，所述傳感器100形成于一襯底400的表面，所述通孔連線320連接所述金屬層310與襯底400。
[0029]在本實施例中，所述側(cè)面金屬遮擋物300的俯視圖為方形，在本實用新型的其他實施例中，所述側(cè)面金屬遮擋物300的俯視圖還可以為圓形、橢圓形或者其他多邊形。[0030]綜上，在本實用新型實施例提供的屏蔽結(jié)構(gòu)中，在傳感器的側(cè)面形成側(cè)面金屬遮擋物，在傳感器的上方形成頂部金屬遮擋物，由于所述側(cè)面金屬遮擋物包圍傳感器，能夠?qū)碜詡鞲衅鱾?cè)面的光線進行屏蔽，并且頂部金屬遮擋物能夠屏蔽來自傳感器頂部的光線，從而能夠?qū)崿F(xiàn)全面的對傳感器進行外界條件屏蔽，提高傳感器的精度。
[0031]上述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不對本實用新型起到任何限制作用。任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對本實用新型揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本實用新型的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種屏蔽結(jié)構(gòu)，使傳感器免受外界條件的干擾，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)包括頂部金屬遮擋物以及側(cè)面金屬遮擋物，所述側(cè)面金屬遮擋物包圍所述傳感器，所述頂部金屬遮擋物形成于所述傳感器的上方，并與所述側(cè)面金屬遮擋物相連。
2.如權(quán)利要求1所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)面金屬遮擋物設(shè)有開口。
3.如權(quán)利要求2所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開口至少為一個。
4.如權(quán)利要求2所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)面金屬遮擋物包括多個通孔連線以及金屬層，所述通孔連線連接相連的金屬層。
5.如權(quán)利要求4所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述頂部金屬遮擋物通過所述通孔連線與所述金屬層相連。
6.如權(quán)利要求5所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳感器形成于一襯底的表面。
7.如權(quán)利要求6所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔連線連接所述金屬層與襯底。
8.如權(quán)利要求4所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬層的層數(shù)為I?10層。
9.如權(quán)利要求1所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)面金屬遮擋物的俯視圖為方形、圓形或者橢圓形。
【文檔編號】G01D11/24GK203629599SQ201320804357
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年12月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月9日
【發(fā)明者】蒲賢勇, 程勇 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司