渦流探傷方法以及裝置制造方法
渦流探傷方法以及裝置制造方法
【專利摘要】包括：同步步驟(S3，S4)，使線圈驅(qū)動部件對勵磁線圈施加的勵磁電壓的相位與元件驅(qū)動部件對磁阻抗效應(yīng)元件施加的、頻率比勵磁電壓高的驅(qū)動電壓的相位同步，所述勵磁線圈用于在被檢測體中產(chǎn)生渦流，所述磁阻抗效應(yīng)元件用于檢測在所述勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化；以及磁場檢測步驟(S5)，通過磁阻抗效應(yīng)元件檢測由于在被檢測體中產(chǎn)生的渦流而在勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化。
【專利說明】渦流探傷方法以及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及渦流探傷方法以及裝置，詳細(xì)而言，涉及使用了磁阻抗效應(yīng)元件的渦 流探傷方法以及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，以金屬材料等導(dǎo)電體作為被檢測體，為了檢測在被檢測體的內(nèi)部或表面存 在的傷而進行使用了磁傳感器的渦流探傷。在這樣的渦流探傷中使用的磁傳感器中，可舉 出磁通量傳感器、巨磁阻傳感器（GMR傳感器）、磁阻抗傳感器（以下，稱為MI傳感器）等。 其中，MI傳感器靈敏度尤其高，通過使用MI傳感器進行渦流探傷，能夠檢測在被檢測體的 表面存在的微小的傷。
[0003] 作為MI傳感器，使用磁阻抗效應(yīng)元件。作為該磁阻抗效應(yīng)元件，例如可舉出非晶 態(tài)（amorphous)磁線。若在非晶態(tài)磁線中流過高頻的電流，則該線的阻抗通過集膚效應(yīng)，根 據(jù)外部磁場而發(fā)生變化。將這樣的現(xiàn)象稱為磁阻抗效應(yīng)，將產(chǎn)生該效應(yīng)的非晶態(tài)磁線稱為 磁阻抗效應(yīng)元件。
[0004] -直在進行如下的方法，即使用產(chǎn)生這樣的磁阻抗效應(yīng)的非晶態(tài)磁線，檢查被檢 測體的表面的傷（參照專利文獻1)。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1 :特開2001 - 183347號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 發(fā)明要解決的課題
[0009] 另外，在使用非晶態(tài)磁線進行渦流探傷時，對勵磁線圈和非晶態(tài)磁線分別施加規(guī) 定頻率的電壓，但有時相對于對勵磁線圈施加的電壓的相位，在對非晶態(tài)磁線施加的電壓 的相位中產(chǎn)生偏差。這是因為如下原因：在對勵磁線圈施加的電壓的頻率以及對非晶態(tài)磁 線施加的電壓的頻率中分別產(chǎn)生微小的偏差。由于這樣的相位的偏差在測定磁場的變化時 殘留成為噪聲，所以成為被檢測體的探傷精度降低的原因，不理想。
[0010] 在這一點上，在上述專利文獻1中公開的技術(shù)是沿著與勵磁線圈的繞線方向平行 的方向配置非晶態(tài)磁線而檢測被檢測體表面的傷的技術(shù)，并不是降低噪聲的技術(shù)，依然存 在課題。
[0011] 本發(fā)明是為了解決上述的課題而完成的，其目的在于，提供一種能夠通過渦流探 傷而高精度地測定在被檢測體中存在的傷的渦流探傷方法以及裝置。
[0012] 為解決課題的手段
[0013] 為了達(dá)到上述的目的，技術(shù)方案1的渦流探傷方法的特征在于，包括：同步步驟， 使線圈驅(qū)動部件對勵磁線圈施加的勵磁電壓的相位與元件驅(qū)動部件對磁阻抗效應(yīng)元件施 加的、頻率比勵磁電壓高的驅(qū)動電壓的相位同步，所述勵磁線圈用于在被檢測體中產(chǎn)生渦 流，所述磁阻抗效應(yīng)元件用于檢測在所述勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化；以及磁場檢測步 驟，通過所述磁阻抗效應(yīng)元件檢測由于在所述被檢測體中產(chǎn)生的渦流而在所述勵磁線圈中 產(chǎn)生的磁場的變化。
[0014] 技術(shù)方案2的渦流探傷方法的特征在于，在技術(shù)方案1中，通過從所述線圈驅(qū)動部 件對所述元件驅(qū)動部件輸入觸發(fā)信號，進行所述同步步驟，若輸入所述觸發(fā)信號，則從所述 元件驅(qū)動部件，所述驅(qū)動電壓以脈沖串波輸出。
[0015] 技術(shù)方案3的渦流探傷裝置的特征在于，包括：勵磁線圈，在被檢測體中產(chǎn)生渦 流；磁阻抗效應(yīng)元件，檢測所述勵磁線圈的磁場的變化；線圈驅(qū)動部件，對所述勵磁線圈施 加預(yù)先決定的頻率的勵磁電壓而對所述勵磁線圈進行勵磁；元件驅(qū)動部件，對所述磁阻抗 效應(yīng)元件施加頻率比所述勵磁線圈高的驅(qū)動電壓；以及同步部件，使所述線圈驅(qū)動部件施 加的勵磁電壓的相位與所述元件驅(qū)動部件施加的驅(qū)動電壓的相位同步。
[0016] 技術(shù)方案4的渦流探傷裝置的特征在于，在技術(shù)方案3中，若從所述線圈驅(qū)動部件 對所述元件驅(qū)動部件輸入觸發(fā)信號，則所述同步部件使得從所述元件驅(qū)動部件以脈沖串波 輸出驅(qū)動電壓。
[0017] 發(fā)明效果
[0018] 根據(jù)技術(shù)方案1的渦流探傷方法，由于使對勵磁線圈施加勵磁電壓的定時與對磁 阻抗效應(yīng)元件施加電壓的定時同步，所以不會產(chǎn)生驅(qū)動電壓的相位相對于勵磁電壓的相位 中的任意定時的偏差。
[0019] 因此，由于降低了因相位的偏移而產(chǎn)生的噪聲，所以能夠更高精度地檢測在被檢 測體的表面存在的傷。
[0020] 根據(jù)技術(shù)方案3的渦流探傷裝置，使對勵磁線圈施加勵磁電壓的定時與對磁阻抗 效應(yīng)元件施加驅(qū)動電壓的定時以預(yù)先決定的周期同步。因此，能夠獲得與技術(shù)方案1相同 的效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021] 圖1是本發(fā)明的渦流探傷裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
[0022] 圖2是表示本發(fā)明的渦流探傷方法的流程圖。
[0023] 圖3是表示進行了同步的勵磁線圈驅(qū)動信號以及線驅(qū)動信號的信號波形。
[0024] 圖4A是形成了人造傷的被檢測體的俯視圖。
[0025] 圖4B是沿著圖4A的IV-IV線的剖視圖。
[0026] 圖5A是表示進行了本發(fā)明的探傷方法的探傷結(jié)果的一例的圖。
[0027] 圖5B是表示進行了以往的探傷方法的探傷結(jié)果的一例的圖。
[0028] 圖6A是表示進行了本發(fā)明的探傷方法的探傷結(jié)果的其他的例的圖。
[0029] 圖6B是表示進行了以往的探傷方法的探傷結(jié)果的其他的例的圖。
[0030] 圖7A是表示進行了本發(fā)明的探傷方法的探傷結(jié)果的再其他的例的圖。
[0031] 圖7B是表示進行了以往的探傷方法的探傷結(jié)果的再其他的例的圖。
【具體實施方式】
[0032] 以下，參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的實施方式。
[0033] 圖1是本發(fā)明的渦流探傷裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。渦流探傷裝置1包括勵磁線圈2、非 晶態(tài)磁線（磁阻抗效應(yīng)元件）3、勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器（線圈驅(qū)動部件）4、傳感器電路 5、檢波電路6以及個人計算機（以下，稱為PC)7。
[0034] 勵磁線圈2是螺旋狀的線圈，非晶態(tài)磁線3從勵磁線圈2的中心側(cè)朝向徑向外側(cè) 的端部而配置。這樣構(gòu)成的勵磁線圈2以及非晶態(tài)磁線3用作探頭8。探頭8配置在被檢 測體10的檢查面11上，使用探頭8檢查檢查面11。另外，勵磁線圈2也可以是空心線圈 等。此外，被檢測體10是導(dǎo)電性的構(gòu)件，例如舉出鐵、鋁、鈦、不銹鋼等的金屬體、具有導(dǎo)電 性的碳類構(gòu)件以及金屬類結(jié)構(gòu)物等。
[0035] 勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對勵磁線圈2施加規(guī)定的信號頻率、即規(guī)定的頻率的 電壓。將通過勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4而進行了勵磁的勵磁線圈2接近被檢測體10的 檢查面11，從而使得在檢查面11中產(chǎn)生渦流。
[0036] 傳感器電路5包括線驅(qū)動信號發(fā)生器（元件驅(qū)動部件）51、響應(yīng)信號提取電路52 而構(gòu)成。線驅(qū)動信號發(fā)生器51對非晶態(tài)磁線3施加規(guī)定的信號頻率、即規(guī)定的頻率的電壓。 響應(yīng)信號提取電路52是輸出與非晶態(tài)磁線3的阻抗變化對應(yīng)的電壓的電路。
[0037] 檢波電路6是將勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4的電壓作為參考信號，對在響應(yīng)信號 提取電路52中提取到的電壓、S卩非晶態(tài)磁線3的響應(yīng)信號進行同步檢波，并輸出振幅以及 相位信息的電路。
[0038] PC7包括運算裝置71以及監(jiān)視器裝置72。在運算裝置71中，對從檢波電路6輸 入的信號進行處理，以將與表面?zhèn)嘘P(guān)的信號容易判別為噪聲信號而顯示在監(jiān)視器裝置72 中。
[0039] 對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的頻率是比對勵磁線圈2施加的電壓的頻率還高的頻 率。為了檢測在被檢測體10的檢查面11的傷等的缺陷，優(yōu)選提高對非晶態(tài)磁線3施加的 電壓的頻率。詳細(xì)而言，優(yōu)選勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對勵磁線圈2施加的電壓的頻率 范圍為100kHz?10MHz，線驅(qū)動信號發(fā)生器51對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的頻率范圍為 10MHz以上。對勵磁線圈2施加的電壓的頻率以及對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的頻率根據(jù) 要檢測的傷的大小而分別選擇。
[0040] 勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4連接到線驅(qū)動信號發(fā)生器51。通過這樣連接，能夠如 后所述那樣從勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號。
[0041] 通過對勵磁線圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加規(guī)定頻率的電壓，并使探頭8接近 被檢測體10而使勵磁線圈2勵磁的同時使探頭8沿著被檢測體10移動，從而進行在本發(fā) 明的渦流探傷裝置1中的被檢測體10的檢查。
[0042] 使用這樣構(gòu)成的渦流探傷裝置1，說明檢查被檢測體10的檢查面11的渦流探傷方 法。在圖2中，表示檢查面11的渦流探傷方法的流程圖，以下，基于該流程圖進行說明。另 夕卜，設(shè)為勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4施加的電壓的頻率以及線驅(qū)動信號發(fā)生器51施加的電 壓的頻率分別預(yù)先設(shè)定。
[0043] 在步驟S1中，對勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4設(shè)定要對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入 的觸發(fā)信號的發(fā)生定時。觸發(fā)信號的發(fā)生定時被設(shè)定為配合勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4的 頻率而發(fā)生。在本實施方式中，設(shè)定為在勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4中設(shè)定的頻率的每一 個周期產(chǎn)生觸發(fā)信號。
[0044] 在步驟S2中，對線驅(qū)動信號發(fā)生器51設(shè)定脈沖串波（〃'一 7卜波）的波數(shù)。脈 沖串波是指將正弦波、方波、斜型波形、脈沖波形等持續(xù)由規(guī)定的周期而指定的時間（即， 波數(shù)）持續(xù)的波形信號。在該步驟中設(shè)定的脈沖串波的波數(shù)，優(yōu)選設(shè)定為在對勵磁線圈2 施加的電壓的頻率的一個周期中，在對勵磁線圈2施加的電壓的頻率與對非晶態(tài)磁線3施 加的電壓的頻率之比以下且較多。例如，在對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的頻率為15MHz、對 勵磁線圈2施加的電壓的頻率為1MHz的情況下，優(yōu)選將脈沖串波的波數(shù)設(shè)為10個波以上。 通過將脈沖串波的波數(shù)設(shè)為較多，能夠在檢波電路6中處理來自非晶態(tài)磁線3的響應(yīng)信號。 另一方面，若在電壓的頻率的一個周期中的脈沖串波的波數(shù)少，則難以在檢波電路6中處 理來自非晶態(tài)磁線3的響應(yīng)信號，所以不理想。
[0045] 在步驟S3中，分別驅(qū)動勵磁線圈2以及非晶態(tài)磁線3,若從勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生 器4對勵磁線圈2施加的電壓的相位成為在上述步驟S1中設(shè)定的發(fā)生定時，則從勵磁線圈 驅(qū)動信號發(fā)生器4對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號（同步步驟）。
[0046] 在步驟S4中，若對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號，則從線驅(qū)動信號發(fā)生器51 對非晶態(tài)磁線3以預(yù)先設(shè)定的頻率施加脈沖串波（同步步驟）。
[0047] 詳細(xì)而言，圖3表示對勵磁線圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加的電壓的波形。如 圖3所示，在勵磁線圈驅(qū)動電壓通過了位置P的時刻發(fā)生觸發(fā)信號，且在從位置P經(jīng)過時間 t之后輸出線驅(qū)動電壓的脈沖串波。另外，時間t是預(yù)先決定的固定的時間。此外，也可以 沒有時間t，也可以若對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號，則輸出線驅(qū)動電壓的脈沖串 波。
[0048] 在步驟S5中，經(jīng)由響應(yīng)信號提取電路52通過檢波電路檢測非晶態(tài)磁線3中的阻 抗變化（磁場檢測步驟）。
[0049] 這樣，在本實施方式中，在預(yù)先決定的定時從勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對線驅(qū) 動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號，若輸入該觸發(fā)信號，則線驅(qū)動信號發(fā)生器51對非晶態(tài)磁線 3以預(yù)先決定的頻率施加電壓。
[0050] 由此，由于對勵磁線圈2施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施加的電壓 的頻率的相位成為取得同步的狀態(tài)，能夠降低基于相位的偏差的噪聲，所以能夠進一步提 高探傷精度。因此，連在被檢測體10的檢查面11存在的1mm以下的微小的傷也能夠高精 度地檢測。
[0051] 此外，若從勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號，則 從線驅(qū)動信號發(fā)生器51將電壓作為脈沖串波而施加到非晶態(tài)磁線3。由此，對勵磁線圈2 施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的脈沖串波中的相位成為始終取 得同步的狀態(tài)。因此，能夠降低因這些頻率的相位的偏差所引起的噪聲，能夠精度更好地檢 測在檢查面11存在的傷。
[0052] 另外，在上述的本實施方式中，作為磁阻抗效應(yīng)元件而使用了非晶態(tài)磁線，但也可 以使用非晶態(tài)磁帶等。
[0053] 實施例
[0054] 以下，將舉出實施例說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于以下的實施例。
[0055] 使用本發(fā)明的渦流探傷裝置1以及上述的渦流探傷方法，對被檢測體10使用鈦材 料而進行了表面?zhèn)臋z測。
[0056] 圖4A是在以下說明的各實施例中使用的被檢測體10的俯視圖，圖4B是沿著圖4A 的IV-IV線的剖視圖。在本實施例中使用的鈦材料中形成人造傷12,如圖4A、圖4B所示， 以傷長度L、傷寬度W、傷深度D形成人造傷12。分別改變該傷長度L、傷寬度W、以及傷深度 D，沿著圖4A所示的箭頭的方向移動探頭8的同時，通過上述的渦流探傷方法進行了渦流探 傷。另外，在本實施例中，利用了長度2mm、直徑20μπι的非晶態(tài)磁線。此外，在以下所示的 各實施例中，作為比較例也表示以往所進行的不使對勵磁線圈2施加的信號頻率的相位與 對非晶態(tài)磁線3施加的信號頻率的相位同步而進行了渦流探傷的情況。
[0057] 〈實施例1 >
[0058] 對形成了人造傷12的傷長度L :0· 6mm、傷寬度W :0· 08mm、傷深度D :0· 3mm的鈦材 料，將勵磁線圈驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為1MHz、將線驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為15MHz，對勵磁線 圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加信號頻率而測定了阻抗的變化。在圖5A、圖5B中分別表示 結(jié)果。
[0059] 圖5A是表示通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖， 圖5B是表示作為比較例，不使對勵磁線圈2施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施 加的電壓的頻率的相位同步而進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖。圖5A、圖5B中分別表 示的范圍S表示在探頭8通過了在鈦材料中形成的人造傷12時的電壓變化的范圍。
[0060] 可知與圖5B所示的以往的渦流探傷方法相比，圖5A的本發(fā)明的渦流探傷方法的 結(jié)果，噪聲大幅降低。此外，在通過圖5A所示的本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的 情況下的S/N比為6. 8。另一方面，在通過圖5B所示的以往的探傷方法進行了渦流探傷的 情況下的S/N比為2. 6。這樣，可知若通過圖5A所示的本發(fā)明的渦流探傷方法進行渦流探 傷，則能夠比以往的探傷方法在整體上降低噪聲，連微小的傷也能夠高精度地檢測。
[0061] 〈實施例2>
[0062] 對形成了人造傷12的傷長度L :0· 6mm、傷寬度W :0· 08mm、傷深度D :0· 3mm的鈦材 料，將勵磁線圈驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為2MHz，將線驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為25MHz，對勵磁線 圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加電壓而測定了阻抗的變化。在圖6A、圖6B中分別表示結(jié) 果。
[0063] 圖6A是表示通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖， 圖6B是表示作為比較例，不使對勵磁線圈2施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施 加的電壓的頻率的相位同步而進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖。另外，圖6A、圖6B中 分別表示的范圍S與上述實施例1相同。
[0064] 如圖6A所示，在通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的S/N比為 3. 4。另一方面，在通過圖6B所示的以往的探傷方法進行了渦流探傷的情況下的S/N比為 1. 9。這樣，確認(rèn)了能夠獲得與上述實施例1相同的效果。
[0065] 〈實施例3 >
[0066] 對形成了人造傷12的傷長度L :3. 0mm、傷寬度W :0· 3mm、傷深度D :0· 8mm的鈦材 料，將勵磁線圈驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為100kHz、將線驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為25MHz，對勵磁 線圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加電壓而測定了阻抗的變化。在圖7A、圖7B中分別表示結(jié) 果。
[0067] 圖7A是表示通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖， 圖7B是表示作為比較例，不使對勵磁線圈2施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施 加的電壓的頻率的相位同步而進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖。另外，圖7A、圖7B中 分別表示的范圍S與上述實施例1相同。
[0068] 如圖7A所示，在通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的S/N比為 13. 4。另一方面，在通過圖7B所示的以往的探傷方法進行了渦流探傷的情況下的S/N比為 9.8。如本實施例那樣，確認(rèn)了即使是在對勵磁線圈2施加的電壓的頻率低的情況下，也能 夠獲得與上述實施例1相同的效果。
[0069] 以上，通過作為在本實施方式的渦流探傷裝置1以及渦流探傷方法中利用的頻 率，將對勵磁線圈2施加的電壓的頻率設(shè)為100kHz?2MHz，將對非晶態(tài)磁線3施加的電壓 的頻率設(shè)為10MHz以上，從而獲得了能夠高精度地檢測在被檢測體10的檢查面11存在的 傷的結(jié)果。
[0070] 關(guān)于勵磁線圈2,根據(jù)上述內(nèi)容，由于通過從100kHz?2MHz中選擇電壓的頻率而 獲得了良好的結(jié)果，所以即使從100kHz?10MHz中選擇勵磁線圈2的電壓的頻率，也能夠 獲得同樣的效果。
[0071] 標(biāo)號說明
[0072] 1渦流探傷裝置
[0073] 2勵磁線圈
[0074] 3非晶態(tài)磁線（磁阻抗效應(yīng)元件）
[0075] 4勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器（線圈驅(qū)動部件）
[0076] 5傳感器電路
[0077] 6檢波電路
[0078] 10被檢測體
[0079] 51線驅(qū)動信號發(fā)生器（元件驅(qū)動部件）
[0080] 52響應(yīng)信號提取電路
【權(quán)利要求】
1. 一種渦流探傷方法，其特征在于，包括： 同步步驟，使線圈驅(qū)動部件對勵磁線圈施加的勵磁電壓的相位與元件驅(qū)動部件對磁阻 抗效應(yīng)元件施加的、頻率比勵磁電壓高的驅(qū)動電壓的相位同步，所述勵磁線圈用于在被檢 測體中產(chǎn)生渦流，所述磁阻抗效應(yīng)元件用于檢測在所述勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化；以 及 磁場檢測步驟，通過所述磁阻抗效應(yīng)元件檢測由于在所述被檢測體中產(chǎn)生的渦流而在 所述勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化。
2. 如權(quán)利要求1所述的渦流探傷方法，其特征在于， 通過從所述線圈驅(qū)動部件對所述元件驅(qū)動部件輸入觸發(fā)信號，進行所述同步步驟， 若輸入所述觸發(fā)信號，則從所述元件驅(qū)動部件以脈沖串波輸出所述驅(qū)動電壓。
3. -種渦流探傷裝置，其特征在于，包括： 勵磁線圈，在被檢測體中產(chǎn)生渦流； 磁阻抗效應(yīng)元件，檢測所述勵磁線圈的磁場的變化； 線圈驅(qū)動部件，對所述勵磁線圈施加預(yù)先決定的頻率的勵磁電壓而對所述勵磁線圈進 行勵磁； 元件驅(qū)動部件，對所述磁阻抗效應(yīng)元件施加頻率比所述勵磁線圈高的驅(qū)動電壓；以及 同步部件，使所述線圈驅(qū)動部件施加的勵磁電壓的相位與所述元件驅(qū)動部件施加的驅(qū) 動電壓的相位同步。
4. 如權(quán)利要求3所述的渦流探傷裝置，其特征在于， 若從所述線圈驅(qū)動部件對所述元件驅(qū)動部件輸入觸發(fā)信號，則所述同步部件使得從所 述元件驅(qū)動部件以脈沖串波輸出驅(qū)動電壓。
【文檔編號】G01N27/90GK104126117SQ201380010135
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年2月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月20日
【發(fā)明者】津田明憲, 畠中宏明, 河井寬記 申請人:株式會社Ihi
【專利摘要】包括：同步步驟(S3，S4)，使線圈驅(qū)動部件對勵磁線圈施加的勵磁電壓的相位與元件驅(qū)動部件對磁阻抗效應(yīng)元件施加的、頻率比勵磁電壓高的驅(qū)動電壓的相位同步，所述勵磁線圈用于在被檢測體中產(chǎn)生渦流，所述磁阻抗效應(yīng)元件用于檢測在所述勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化；以及磁場檢測步驟(S5)，通過磁阻抗效應(yīng)元件檢測由于在被檢測體中產(chǎn)生的渦流而在勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化。
【專利說明】渦流探傷方法以及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及渦流探傷方法以及裝置，詳細(xì)而言，涉及使用了磁阻抗效應(yīng)元件的渦 流探傷方法以及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，以金屬材料等導(dǎo)電體作為被檢測體，為了檢測在被檢測體的內(nèi)部或表面存 在的傷而進行使用了磁傳感器的渦流探傷。在這樣的渦流探傷中使用的磁傳感器中，可舉 出磁通量傳感器、巨磁阻傳感器（GMR傳感器）、磁阻抗傳感器（以下，稱為MI傳感器）等。 其中，MI傳感器靈敏度尤其高，通過使用MI傳感器進行渦流探傷，能夠檢測在被檢測體的 表面存在的微小的傷。
[0003] 作為MI傳感器，使用磁阻抗效應(yīng)元件。作為該磁阻抗效應(yīng)元件，例如可舉出非晶 態(tài)（amorphous)磁線。若在非晶態(tài)磁線中流過高頻的電流，則該線的阻抗通過集膚效應(yīng)，根 據(jù)外部磁場而發(fā)生變化。將這樣的現(xiàn)象稱為磁阻抗效應(yīng)，將產(chǎn)生該效應(yīng)的非晶態(tài)磁線稱為 磁阻抗效應(yīng)元件。
[0004] -直在進行如下的方法，即使用產(chǎn)生這樣的磁阻抗效應(yīng)的非晶態(tài)磁線，檢查被檢 測體的表面的傷（參照專利文獻1)。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1 :特開2001 - 183347號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 發(fā)明要解決的課題
[0009] 另外，在使用非晶態(tài)磁線進行渦流探傷時，對勵磁線圈和非晶態(tài)磁線分別施加規(guī) 定頻率的電壓，但有時相對于對勵磁線圈施加的電壓的相位，在對非晶態(tài)磁線施加的電壓 的相位中產(chǎn)生偏差。這是因為如下原因：在對勵磁線圈施加的電壓的頻率以及對非晶態(tài)磁 線施加的電壓的頻率中分別產(chǎn)生微小的偏差。由于這樣的相位的偏差在測定磁場的變化時 殘留成為噪聲，所以成為被檢測體的探傷精度降低的原因，不理想。
[0010] 在這一點上，在上述專利文獻1中公開的技術(shù)是沿著與勵磁線圈的繞線方向平行 的方向配置非晶態(tài)磁線而檢測被檢測體表面的傷的技術(shù)，并不是降低噪聲的技術(shù)，依然存 在課題。
[0011] 本發(fā)明是為了解決上述的課題而完成的，其目的在于，提供一種能夠通過渦流探 傷而高精度地測定在被檢測體中存在的傷的渦流探傷方法以及裝置。
[0012] 為解決課題的手段
[0013] 為了達(dá)到上述的目的，技術(shù)方案1的渦流探傷方法的特征在于，包括：同步步驟， 使線圈驅(qū)動部件對勵磁線圈施加的勵磁電壓的相位與元件驅(qū)動部件對磁阻抗效應(yīng)元件施 加的、頻率比勵磁電壓高的驅(qū)動電壓的相位同步，所述勵磁線圈用于在被檢測體中產(chǎn)生渦 流，所述磁阻抗效應(yīng)元件用于檢測在所述勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化；以及磁場檢測步 驟，通過所述磁阻抗效應(yīng)元件檢測由于在所述被檢測體中產(chǎn)生的渦流而在所述勵磁線圈中 產(chǎn)生的磁場的變化。
[0014] 技術(shù)方案2的渦流探傷方法的特征在于，在技術(shù)方案1中，通過從所述線圈驅(qū)動部 件對所述元件驅(qū)動部件輸入觸發(fā)信號，進行所述同步步驟，若輸入所述觸發(fā)信號，則從所述 元件驅(qū)動部件，所述驅(qū)動電壓以脈沖串波輸出。
[0015] 技術(shù)方案3的渦流探傷裝置的特征在于，包括：勵磁線圈，在被檢測體中產(chǎn)生渦 流；磁阻抗效應(yīng)元件，檢測所述勵磁線圈的磁場的變化；線圈驅(qū)動部件，對所述勵磁線圈施 加預(yù)先決定的頻率的勵磁電壓而對所述勵磁線圈進行勵磁；元件驅(qū)動部件，對所述磁阻抗 效應(yīng)元件施加頻率比所述勵磁線圈高的驅(qū)動電壓；以及同步部件，使所述線圈驅(qū)動部件施 加的勵磁電壓的相位與所述元件驅(qū)動部件施加的驅(qū)動電壓的相位同步。
[0016] 技術(shù)方案4的渦流探傷裝置的特征在于，在技術(shù)方案3中，若從所述線圈驅(qū)動部件 對所述元件驅(qū)動部件輸入觸發(fā)信號，則所述同步部件使得從所述元件驅(qū)動部件以脈沖串波 輸出驅(qū)動電壓。
[0017] 發(fā)明效果
[0018] 根據(jù)技術(shù)方案1的渦流探傷方法，由于使對勵磁線圈施加勵磁電壓的定時與對磁 阻抗效應(yīng)元件施加電壓的定時同步，所以不會產(chǎn)生驅(qū)動電壓的相位相對于勵磁電壓的相位 中的任意定時的偏差。
[0019] 因此，由于降低了因相位的偏移而產(chǎn)生的噪聲，所以能夠更高精度地檢測在被檢 測體的表面存在的傷。
[0020] 根據(jù)技術(shù)方案3的渦流探傷裝置，使對勵磁線圈施加勵磁電壓的定時與對磁阻抗 效應(yīng)元件施加驅(qū)動電壓的定時以預(yù)先決定的周期同步。因此，能夠獲得與技術(shù)方案1相同 的效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021] 圖1是本發(fā)明的渦流探傷裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
[0022] 圖2是表示本發(fā)明的渦流探傷方法的流程圖。
[0023] 圖3是表示進行了同步的勵磁線圈驅(qū)動信號以及線驅(qū)動信號的信號波形。
[0024] 圖4A是形成了人造傷的被檢測體的俯視圖。
[0025] 圖4B是沿著圖4A的IV-IV線的剖視圖。
[0026] 圖5A是表示進行了本發(fā)明的探傷方法的探傷結(jié)果的一例的圖。
[0027] 圖5B是表示進行了以往的探傷方法的探傷結(jié)果的一例的圖。
[0028] 圖6A是表示進行了本發(fā)明的探傷方法的探傷結(jié)果的其他的例的圖。
[0029] 圖6B是表示進行了以往的探傷方法的探傷結(jié)果的其他的例的圖。
[0030] 圖7A是表示進行了本發(fā)明的探傷方法的探傷結(jié)果的再其他的例的圖。
[0031] 圖7B是表示進行了以往的探傷方法的探傷結(jié)果的再其他的例的圖。
【具體實施方式】
[0032] 以下，參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的實施方式。
[0033] 圖1是本發(fā)明的渦流探傷裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。渦流探傷裝置1包括勵磁線圈2、非 晶態(tài)磁線（磁阻抗效應(yīng)元件）3、勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器（線圈驅(qū)動部件）4、傳感器電路 5、檢波電路6以及個人計算機（以下，稱為PC)7。
[0034] 勵磁線圈2是螺旋狀的線圈，非晶態(tài)磁線3從勵磁線圈2的中心側(cè)朝向徑向外側(cè) 的端部而配置。這樣構(gòu)成的勵磁線圈2以及非晶態(tài)磁線3用作探頭8。探頭8配置在被檢 測體10的檢查面11上，使用探頭8檢查檢查面11。另外，勵磁線圈2也可以是空心線圈 等。此外，被檢測體10是導(dǎo)電性的構(gòu)件，例如舉出鐵、鋁、鈦、不銹鋼等的金屬體、具有導(dǎo)電 性的碳類構(gòu)件以及金屬類結(jié)構(gòu)物等。
[0035] 勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對勵磁線圈2施加規(guī)定的信號頻率、即規(guī)定的頻率的 電壓。將通過勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4而進行了勵磁的勵磁線圈2接近被檢測體10的 檢查面11，從而使得在檢查面11中產(chǎn)生渦流。
[0036] 傳感器電路5包括線驅(qū)動信號發(fā)生器（元件驅(qū)動部件）51、響應(yīng)信號提取電路52 而構(gòu)成。線驅(qū)動信號發(fā)生器51對非晶態(tài)磁線3施加規(guī)定的信號頻率、即規(guī)定的頻率的電壓。 響應(yīng)信號提取電路52是輸出與非晶態(tài)磁線3的阻抗變化對應(yīng)的電壓的電路。
[0037] 檢波電路6是將勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4的電壓作為參考信號，對在響應(yīng)信號 提取電路52中提取到的電壓、S卩非晶態(tài)磁線3的響應(yīng)信號進行同步檢波，并輸出振幅以及 相位信息的電路。
[0038] PC7包括運算裝置71以及監(jiān)視器裝置72。在運算裝置71中，對從檢波電路6輸 入的信號進行處理，以將與表面?zhèn)嘘P(guān)的信號容易判別為噪聲信號而顯示在監(jiān)視器裝置72 中。
[0039] 對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的頻率是比對勵磁線圈2施加的電壓的頻率還高的頻 率。為了檢測在被檢測體10的檢查面11的傷等的缺陷，優(yōu)選提高對非晶態(tài)磁線3施加的 電壓的頻率。詳細(xì)而言，優(yōu)選勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對勵磁線圈2施加的電壓的頻率 范圍為100kHz?10MHz，線驅(qū)動信號發(fā)生器51對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的頻率范圍為 10MHz以上。對勵磁線圈2施加的電壓的頻率以及對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的頻率根據(jù) 要檢測的傷的大小而分別選擇。
[0040] 勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4連接到線驅(qū)動信號發(fā)生器51。通過這樣連接，能夠如 后所述那樣從勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號。
[0041] 通過對勵磁線圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加規(guī)定頻率的電壓，并使探頭8接近 被檢測體10而使勵磁線圈2勵磁的同時使探頭8沿著被檢測體10移動，從而進行在本發(fā) 明的渦流探傷裝置1中的被檢測體10的檢查。
[0042] 使用這樣構(gòu)成的渦流探傷裝置1，說明檢查被檢測體10的檢查面11的渦流探傷方 法。在圖2中，表示檢查面11的渦流探傷方法的流程圖，以下，基于該流程圖進行說明。另 夕卜，設(shè)為勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4施加的電壓的頻率以及線驅(qū)動信號發(fā)生器51施加的電 壓的頻率分別預(yù)先設(shè)定。
[0043] 在步驟S1中，對勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4設(shè)定要對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入 的觸發(fā)信號的發(fā)生定時。觸發(fā)信號的發(fā)生定時被設(shè)定為配合勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4的 頻率而發(fā)生。在本實施方式中，設(shè)定為在勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4中設(shè)定的頻率的每一 個周期產(chǎn)生觸發(fā)信號。
[0044] 在步驟S2中，對線驅(qū)動信號發(fā)生器51設(shè)定脈沖串波（〃'一 7卜波）的波數(shù)。脈 沖串波是指將正弦波、方波、斜型波形、脈沖波形等持續(xù)由規(guī)定的周期而指定的時間（即， 波數(shù)）持續(xù)的波形信號。在該步驟中設(shè)定的脈沖串波的波數(shù)，優(yōu)選設(shè)定為在對勵磁線圈2 施加的電壓的頻率的一個周期中，在對勵磁線圈2施加的電壓的頻率與對非晶態(tài)磁線3施 加的電壓的頻率之比以下且較多。例如，在對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的頻率為15MHz、對 勵磁線圈2施加的電壓的頻率為1MHz的情況下，優(yōu)選將脈沖串波的波數(shù)設(shè)為10個波以上。 通過將脈沖串波的波數(shù)設(shè)為較多，能夠在檢波電路6中處理來自非晶態(tài)磁線3的響應(yīng)信號。 另一方面，若在電壓的頻率的一個周期中的脈沖串波的波數(shù)少，則難以在檢波電路6中處 理來自非晶態(tài)磁線3的響應(yīng)信號，所以不理想。
[0045] 在步驟S3中，分別驅(qū)動勵磁線圈2以及非晶態(tài)磁線3,若從勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生 器4對勵磁線圈2施加的電壓的相位成為在上述步驟S1中設(shè)定的發(fā)生定時，則從勵磁線圈 驅(qū)動信號發(fā)生器4對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號（同步步驟）。
[0046] 在步驟S4中，若對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號，則從線驅(qū)動信號發(fā)生器51 對非晶態(tài)磁線3以預(yù)先設(shè)定的頻率施加脈沖串波（同步步驟）。
[0047] 詳細(xì)而言，圖3表示對勵磁線圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加的電壓的波形。如 圖3所示，在勵磁線圈驅(qū)動電壓通過了位置P的時刻發(fā)生觸發(fā)信號，且在從位置P經(jīng)過時間 t之后輸出線驅(qū)動電壓的脈沖串波。另外，時間t是預(yù)先決定的固定的時間。此外，也可以 沒有時間t，也可以若對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號，則輸出線驅(qū)動電壓的脈沖串 波。
[0048] 在步驟S5中，經(jīng)由響應(yīng)信號提取電路52通過檢波電路檢測非晶態(tài)磁線3中的阻 抗變化（磁場檢測步驟）。
[0049] 這樣，在本實施方式中，在預(yù)先決定的定時從勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對線驅(qū) 動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號，若輸入該觸發(fā)信號，則線驅(qū)動信號發(fā)生器51對非晶態(tài)磁線 3以預(yù)先決定的頻率施加電壓。
[0050] 由此，由于對勵磁線圈2施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施加的電壓 的頻率的相位成為取得同步的狀態(tài)，能夠降低基于相位的偏差的噪聲，所以能夠進一步提 高探傷精度。因此，連在被檢測體10的檢查面11存在的1mm以下的微小的傷也能夠高精 度地檢測。
[0051] 此外，若從勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器4對線驅(qū)動信號發(fā)生器51輸入觸發(fā)信號，則 從線驅(qū)動信號發(fā)生器51將電壓作為脈沖串波而施加到非晶態(tài)磁線3。由此，對勵磁線圈2 施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施加的電壓的脈沖串波中的相位成為始終取 得同步的狀態(tài)。因此，能夠降低因這些頻率的相位的偏差所引起的噪聲，能夠精度更好地檢 測在檢查面11存在的傷。
[0052] 另外，在上述的本實施方式中，作為磁阻抗效應(yīng)元件而使用了非晶態(tài)磁線，但也可 以使用非晶態(tài)磁帶等。
[0053] 實施例
[0054] 以下，將舉出實施例說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于以下的實施例。
[0055] 使用本發(fā)明的渦流探傷裝置1以及上述的渦流探傷方法，對被檢測體10使用鈦材 料而進行了表面?zhèn)臋z測。
[0056] 圖4A是在以下說明的各實施例中使用的被檢測體10的俯視圖，圖4B是沿著圖4A 的IV-IV線的剖視圖。在本實施例中使用的鈦材料中形成人造傷12,如圖4A、圖4B所示， 以傷長度L、傷寬度W、傷深度D形成人造傷12。分別改變該傷長度L、傷寬度W、以及傷深度 D，沿著圖4A所示的箭頭的方向移動探頭8的同時，通過上述的渦流探傷方法進行了渦流探 傷。另外，在本實施例中，利用了長度2mm、直徑20μπι的非晶態(tài)磁線。此外，在以下所示的 各實施例中，作為比較例也表示以往所進行的不使對勵磁線圈2施加的信號頻率的相位與 對非晶態(tài)磁線3施加的信號頻率的相位同步而進行了渦流探傷的情況。
[0057] 〈實施例1 >
[0058] 對形成了人造傷12的傷長度L :0· 6mm、傷寬度W :0· 08mm、傷深度D :0· 3mm的鈦材 料，將勵磁線圈驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為1MHz、將線驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為15MHz，對勵磁線 圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加信號頻率而測定了阻抗的變化。在圖5A、圖5B中分別表示 結(jié)果。
[0059] 圖5A是表示通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖， 圖5B是表示作為比較例，不使對勵磁線圈2施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施 加的電壓的頻率的相位同步而進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖。圖5A、圖5B中分別表 示的范圍S表示在探頭8通過了在鈦材料中形成的人造傷12時的電壓變化的范圍。
[0060] 可知與圖5B所示的以往的渦流探傷方法相比，圖5A的本發(fā)明的渦流探傷方法的 結(jié)果，噪聲大幅降低。此外，在通過圖5A所示的本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的 情況下的S/N比為6. 8。另一方面，在通過圖5B所示的以往的探傷方法進行了渦流探傷的 情況下的S/N比為2. 6。這樣，可知若通過圖5A所示的本發(fā)明的渦流探傷方法進行渦流探 傷，則能夠比以往的探傷方法在整體上降低噪聲，連微小的傷也能夠高精度地檢測。
[0061] 〈實施例2>
[0062] 對形成了人造傷12的傷長度L :0· 6mm、傷寬度W :0· 08mm、傷深度D :0· 3mm的鈦材 料，將勵磁線圈驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為2MHz，將線驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為25MHz，對勵磁線 圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加電壓而測定了阻抗的變化。在圖6A、圖6B中分別表示結(jié) 果。
[0063] 圖6A是表示通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖， 圖6B是表示作為比較例，不使對勵磁線圈2施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施 加的電壓的頻率的相位同步而進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖。另外，圖6A、圖6B中 分別表示的范圍S與上述實施例1相同。
[0064] 如圖6A所示，在通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的S/N比為 3. 4。另一方面，在通過圖6B所示的以往的探傷方法進行了渦流探傷的情況下的S/N比為 1. 9。這樣，確認(rèn)了能夠獲得與上述實施例1相同的效果。
[0065] 〈實施例3 >
[0066] 對形成了人造傷12的傷長度L :3. 0mm、傷寬度W :0· 3mm、傷深度D :0· 8mm的鈦材 料，將勵磁線圈驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為100kHz、將線驅(qū)動電壓的頻率設(shè)定為25MHz，對勵磁 線圈2以及非晶態(tài)磁線3分別施加電壓而測定了阻抗的變化。在圖7A、圖7B中分別表示結(jié) 果。
[0067] 圖7A是表示通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖， 圖7B是表示作為比較例，不使對勵磁線圈2施加的電壓的頻率的相位與對非晶態(tài)磁線3施 加的電壓的頻率的相位同步而進行了渦流探傷的情況下的結(jié)果的圖。另外，圖7A、圖7B中 分別表示的范圍S與上述實施例1相同。
[0068] 如圖7A所示，在通過本發(fā)明的渦流探傷方法進行了渦流探傷的情況下的S/N比為 13. 4。另一方面，在通過圖7B所示的以往的探傷方法進行了渦流探傷的情況下的S/N比為 9.8。如本實施例那樣，確認(rèn)了即使是在對勵磁線圈2施加的電壓的頻率低的情況下，也能 夠獲得與上述實施例1相同的效果。
[0069] 以上，通過作為在本實施方式的渦流探傷裝置1以及渦流探傷方法中利用的頻 率，將對勵磁線圈2施加的電壓的頻率設(shè)為100kHz?2MHz，將對非晶態(tài)磁線3施加的電壓 的頻率設(shè)為10MHz以上，從而獲得了能夠高精度地檢測在被檢測體10的檢查面11存在的 傷的結(jié)果。
[0070] 關(guān)于勵磁線圈2,根據(jù)上述內(nèi)容，由于通過從100kHz?2MHz中選擇電壓的頻率而 獲得了良好的結(jié)果，所以即使從100kHz?10MHz中選擇勵磁線圈2的電壓的頻率，也能夠 獲得同樣的效果。
[0071] 標(biāo)號說明
[0072] 1渦流探傷裝置
[0073] 2勵磁線圈
[0074] 3非晶態(tài)磁線（磁阻抗效應(yīng)元件）
[0075] 4勵磁線圈驅(qū)動信號發(fā)生器（線圈驅(qū)動部件）
[0076] 5傳感器電路
[0077] 6檢波電路
[0078] 10被檢測體
[0079] 51線驅(qū)動信號發(fā)生器（元件驅(qū)動部件）
[0080] 52響應(yīng)信號提取電路
【權(quán)利要求】
1. 一種渦流探傷方法，其特征在于，包括： 同步步驟，使線圈驅(qū)動部件對勵磁線圈施加的勵磁電壓的相位與元件驅(qū)動部件對磁阻 抗效應(yīng)元件施加的、頻率比勵磁電壓高的驅(qū)動電壓的相位同步，所述勵磁線圈用于在被檢 測體中產(chǎn)生渦流，所述磁阻抗效應(yīng)元件用于檢測在所述勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化；以 及 磁場檢測步驟，通過所述磁阻抗效應(yīng)元件檢測由于在所述被檢測體中產(chǎn)生的渦流而在 所述勵磁線圈中產(chǎn)生的磁場的變化。
2. 如權(quán)利要求1所述的渦流探傷方法，其特征在于， 通過從所述線圈驅(qū)動部件對所述元件驅(qū)動部件輸入觸發(fā)信號，進行所述同步步驟， 若輸入所述觸發(fā)信號，則從所述元件驅(qū)動部件以脈沖串波輸出所述驅(qū)動電壓。
3. -種渦流探傷裝置，其特征在于，包括： 勵磁線圈，在被檢測體中產(chǎn)生渦流； 磁阻抗效應(yīng)元件，檢測所述勵磁線圈的磁場的變化； 線圈驅(qū)動部件，對所述勵磁線圈施加預(yù)先決定的頻率的勵磁電壓而對所述勵磁線圈進 行勵磁； 元件驅(qū)動部件，對所述磁阻抗效應(yīng)元件施加頻率比所述勵磁線圈高的驅(qū)動電壓；以及 同步部件，使所述線圈驅(qū)動部件施加的勵磁電壓的相位與所述元件驅(qū)動部件施加的驅(qū) 動電壓的相位同步。
4. 如權(quán)利要求3所述的渦流探傷裝置，其特征在于， 若從所述線圈驅(qū)動部件對所述元件驅(qū)動部件輸入觸發(fā)信號，則所述同步部件使得從所 述元件驅(qū)動部件以脈沖串波輸出驅(qū)動電壓。
【文檔編號】G01N27/90GK104126117SQ201380010135
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年2月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月20日
【發(fā)明者】津田明憲, 畠中宏明, 河井寬記 申請人:株式會社Ihi
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