晶片檢查用接口和晶片檢查裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠良好地使設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的電極與探針卡的探針抵接而不受探針卡的探針長度的影響的晶片檢查用接口。晶片檢查用接口(40)，包括：探針卡(43)，其在與晶片(W)相對的相對面具有多個探針(43b)；對探針卡(43)的與形成有探針(43b)的面相反一側(cè)的面進行支承的彈簧架(42)；隔著晶片(W)與探針卡(43)相對的臺狀的吸盤部件(45)；將吸盤部件(45)與彈簧架(42)之間的空間密封的筒狀的波紋管(46)，其一端固定在彈簧架(42)，另一端的下部凸緣(46b)與吸盤部件(45)抵接；對波紋管(46)的長度進行調(diào)節(jié)的長度調(diào)節(jié)機構(gòu)；對波紋管(46)的移動進行引導(dǎo)的導(dǎo)向部件(47)；和對吸盤部件(45)與彈簧架(42)之間的空間進行減壓的減壓路徑(51)。
【專利說明】晶片檢查用接口和晶片檢查裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有探針卡的晶片檢查用接口和晶片檢查裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]作為晶片檢查裝置，例如已知有對形成于晶片的多個半導(dǎo)體器件進行電特性檢查的探針裝置和老化檢查裝置。
[0003]圖7是表示現(xiàn)有技術(shù)的探針裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0004]在圖7中，探針裝置100包括:形成搬送晶片W的搬送區(qū)域的裝載室101 ;和進行形成在晶片W的多個半導(dǎo)體器件的電特性檢查的檢查室102，該探針裝置100構(gòu)成為利用控制裝置對裝載室101和檢查室102內(nèi)的各種設(shè)備進行控制，進行半導(dǎo)體器件的電特性檢查。檢查室102包括:載置由搬送臂103從裝載室101搬入的晶片W并在X、Y、Z和Θ方向上移動的載置臺106 ;配置在載置臺106的上方的彈簧架(pogo frame) 109 ;支承于彈簧架109的探針卡108 ;和與載置臺106合作進行設(shè)置于探針卡108的多個探針(檢查針)與形成在晶片W的多個半導(dǎo)體器件的各電極的對位(定位)的對位機構(gòu)110。通過對位機構(gòu)110與載置臺106的合作進行晶片W與探針卡108的對位，探針卡108的各探針與晶片W的各電極分別抵接，進行形成在晶片W的多個半導(dǎo)體器件的電特性檢查(例如，參照專利文獻I)。
[0005]在該探針裝置或具有多個檢查室的現(xiàn)有技術(shù)的晶片檢查裝置中，存在一種結(jié)構(gòu):在檢查室內(nèi)晶片支承體與探針卡之間的空間被減壓，由此晶片被吸引到探針卡，設(shè)置于該晶片的半導(dǎo)體器件的電極與設(shè)置于探針卡的探針抵接(例如，參照專利文獻2)。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開2004-140241號公報
[0009]專利文獻2:日本特開2012-063227號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明想要解決的技術(shù)問題
[0011]然而，在現(xiàn)有技術(shù)的晶片檢查裝置中，作為從外部對探針卡和與該探針卡相對的晶片支承體之間的空間(以下稱作“抵接空間”。)進行密封的密封部件，使用設(shè)置于晶片支承體的上表面外周部的凸緣狀的O形環(huán)，所以無法應(yīng)對探針的長度不同的多個探針卡，例如在應(yīng)用探針短的探針卡的情況下，為了過度地壓縮O形環(huán)使探針與半導(dǎo)體器件的電極可靠抵接，需要過度地對地接空間進行減壓，但是，此時，存在晶片發(fā)生變形或設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的探針跡(針跡)發(fā)生偏移，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的質(zhì)量下降的問題。
[0012]本發(fā)明的課題在于:提供一種能夠良好地使設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的電極與探針卡的探針抵接而不受探針卡的探針長度的影響的晶片檢查用接口和晶片檢查裝置。
[0013]用于解決課題的技術(shù)方案
[0014]為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片檢查用接口，包括:探針卡，其在與晶片相對的相對面具有與形成于該晶片的多個半導(dǎo)體器件的電極對應(yīng)設(shè)置的多個探針；對該探針卡的與形成有上述探針的面相反一側(cè)的面進行支承的支承板；隔著上述晶片與上述探針卡相對的臺狀的吸盤部件；將該吸盤部件與上述支承板之間的空間密封的筒狀的折皺部件，其一端固定在上述支承板，另一端與上述吸盤部件抵接；對該折皺部件的長度進行調(diào)節(jié)的長度調(diào)節(jié)機構(gòu)；對上述折皺部件的移動進行引導(dǎo)的引導(dǎo)部件；和對上述空間進行減壓的減壓路徑。
[0015]在本發(fā)明中，優(yōu)選上述長度調(diào)節(jié)機構(gòu)將上述折皺部件的長度調(diào)節(jié)成從上述探針卡的厚度與上述晶片的厚度之和減去規(guī)定的過驅(qū)量得到的長度。
[0016]在本發(fā)明中，優(yōu)選上述規(guī)定的過驅(qū)量為ΙΟμπι?150 μ m。
[0017]所述規(guī)定的過驅(qū)量為10 μ m?150 μ m。
[0018]在本發(fā)明中，優(yōu)選上述折皺部件在上述另一端具有凸緣部，通過該凸緣部與上述吸盤部件抵接。
[0019]在本發(fā)明中，優(yōu)選包括吸引上述凸緣部與上述吸盤部件的抵接面使上述凸緣部與上述吸盤部件緊貼的吸引路徑。
[0020]在本發(fā)明中，優(yōu)選上述折皺部件呈同心狀地配置有兩個折皺部件的雙重結(jié)構(gòu)。
[0021 ] 在本發(fā)明中，優(yōu)選包括對上述雙重結(jié)構(gòu)的折皺部件的折皺部件彼此間的壓力進行調(diào)整的壓力調(diào)整機構(gòu)。
[0022]在本發(fā)明中，優(yōu)選上述折皺部件為金屬制或合成樹脂性的波紋管。
[0023]為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片檢查裝置，包括:對形成于晶片的半導(dǎo)體器件的電特性進行檢查的檢查室；和將上述晶片搬入該檢查室或從該檢查室搬出上述晶片的搬送機構(gòu)，上述檢查室具有晶片檢查用接口，該晶片檢查用接口包括:探針卡，其在與晶片相對的相對面具有與形成于該晶片的多個半導(dǎo)體器件的電極對應(yīng)設(shè)置的多個探針；對該探針卡的與形成有上述探針的面相反一側(cè)的面進行支承的支承板；隔著上述晶片與上述探針卡相對的臺狀的吸盤部件；將該吸盤部件與上述支承板之間的空間密封的筒狀的折皺部件，其一端固定在上述支承板，另一端與上述吸盤部件抵接；對該折皺部件的長度進行調(diào)節(jié)的長度調(diào)節(jié)機構(gòu)；對上述折皺部件的移動進行引導(dǎo)的引導(dǎo)部件；和對上述空間進行減壓的減壓路徑。
[0024]發(fā)明效果
[0025]根據(jù)本發(fā)明，在吸盤部件與支承板之間設(shè)置有將蓋吸盤部件與支承板之間的空間密封的筒狀的折皺部件，該折皺部件的一端固定在支承板，另一端與吸盤部件抵接，所以通過長度調(diào)節(jié)機構(gòu)將該折皺部件的長度調(diào)整到規(guī)定的長度，例如從探針卡的厚度與晶片的厚度之和減去規(guī)定的過驅(qū)量得到的長度，因此在使載置有晶片的吸盤部件與折皺部件的另一端抵接時，設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的多個電極與探針卡分別抵接，由此能夠可靠地使設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的電極與探針卡的探針抵接，而不受探針卡的探針的長度的影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的晶片檢查裝置的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0027]圖2是圖1中的晶片檢查裝置的沿I1-1I線的截面圖。
[0028]圖3是概略地表示圖2中的配置在檢查部的晶片檢查用接口的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0029]圖4是表示利用圖3的晶片檢查裝置進行的設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的電特性檢查的工序的圖。
[0030]圖5是表示利用應(yīng)用與圖4中的晶片檢查用接口相比具有較短的探針的探針卡的晶片檢查裝置進行的設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的電特性檢查的工序的圖。
[0031]圖6是本發(fā)明的第二實施方式的晶片檢查裝置的晶片檢查用接口的截面圖。
[0032]圖7是表示現(xiàn)有的探針裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。

【具體實施方式】
[0033]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
[0034]圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的晶片檢查裝置的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是圖1中的晶片檢查裝置的沿I1-1I線的截面圖。該晶片檢查裝置是使設(shè)置于晶片的全部半導(dǎo)體器件的全部電極與探針卡的全部探針臨時抵接而執(zhí)行電特性檢查的統(tǒng)一接觸型的檢查裝置。
[0035]在圖1中，晶片檢查裝置70包括:對設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件進行電特性檢查的檢查區(qū)域S30 ;對該晶片檢查裝置70進行晶片、晶片盒、探針卡等的搬出搬入的搬出搬入?yún)^(qū)域SlO ;和設(shè)置在該搬出搬入?yún)^(qū)域SlO與檢查區(qū)域S30之間的搬送區(qū)域S20。
[0036]搬出搬入?yún)^(qū)域SlO分隔為多個單位搬出搬入?yún)^(qū)域11。在各單位搬出搬入?yún)^(qū)域11，例如設(shè)置有前置式晶圓傳送盒F的接受結(jié)構(gòu)。另外，還能夠與單位搬出搬入?yún)^(qū)域11的一部分相鄰地設(shè)置有對臨時對位裝置(預(yù)對位)或?qū)z查后的晶片進行針跡檢查的針跡檢查裝置(均省略圖示)。
[0037]在搬送區(qū)域S20設(shè)置有晶片的搬出搬入機構(gòu)21，該搬出搬入機構(gòu)21在搬送區(qū)域S20搬送從搬出搬入?yún)^(qū)域SlO接收的檢查前的晶片，將其交給檢查區(qū)域S30的后述的搬送機構(gòu)32，并且從檢查區(qū)域S30的搬送機構(gòu)32接收檢查后的晶片，將其搬送至搬出搬入?yún)^(qū)域S10。
[0038]在檢查區(qū)域S30設(shè)置有多個檢查部31 (測試儀)。相鄰的檢查部31彼此沒有被特意劃分區(qū)域，而是在連續(xù)的空間內(nèi)，分別排列有具有晶片檢查用接口 40的多個檢查部31。
[0039]在圖2中，晶片檢查裝置70的檢查區(qū)域S30被分為多層，在圖2中被分為三層，在各層，例如設(shè)置有相同數(shù)量的檢查部31，分別設(shè)置有在該檢查部31彼此間移動的搬送機構(gòu)32和省略圖示的對位裝置和對位用相機。搬送機構(gòu)32載置從在搬送區(qū)域S20移動的搬出搬入機構(gòu)21接受的檢查前的晶片，將其搬送到對應(yīng)的檢查部31，并且將從檢查部31接受的檢查后的晶片交給在搬送區(qū)域S20移動的搬出搬入機構(gòu)21。
[0040]圖3是表示圖2中的配置在檢查部的晶片檢查用接口的結(jié)構(gòu)的概略截面圖。
[0041]在圖3中，晶片檢查用接口 40包括:配置在檢查部31的頂部的由板狀部件構(gòu)成的頂板41 ;構(gòu)成該頂板41的下表面的支承板(以下彈簧架(pogo frame) 42 ;配置在該彈簧架42的下表面的探針卡43 ;從檢查部31的底部豎立設(shè)置并在圖3中上下方向上伸縮的棒狀的升降機構(gòu)(以下稱作“升降機”)44 ;和設(shè)置在該升降機44的頂部的臺狀的吸盤部件45。
[0042]探針卡43包括基板43a和設(shè)置在該基板43a的與晶片W相對的面的多個探針43b，并例如被吸附保持在彈簧架42。在彈簧架42的下表面，以包圍探針卡43的外周部的方式例如配置有波紋管46作為圓筒狀的折皺部件。作為波紋管46的一端的上端部經(jīng)由凸緣46a固定在彈簧架42，在作為另一端的下端部安裝有下部凸緣46b。波紋管46經(jīng)由下部凸緣46b與吸盤部件45的上表面抵接。
[0043]波紋管46能夠伸縮，通過使下部凸緣46b移位，能夠改變長度L(彈簧架42至凸緣46b的下表面的距離L)。當改變距離L時，引導(dǎo)凸緣46b的移動的引導(dǎo)部件(以下稱作“導(dǎo)向部件”)47與凸緣46b設(shè)置為一體，導(dǎo)向部件47沿著支柱48上下移動，引導(dǎo)下部凸緣46b在圖3中上下方向的移動。另外，在導(dǎo)向部件47設(shè)置有作為波紋管46的長度調(diào)節(jié)機構(gòu)的驅(qū)動單元(省略圖示)，通過驅(qū)動該驅(qū)動單元，導(dǎo)向部件47和波紋管46的下部凸緣46b發(fā)生移動對波紋管46的長度進行調(diào)節(jié)。
[0044]波紋管46的長度例如調(diào)整成從探針卡43的厚度與晶片W的厚度之和減去規(guī)定的過驅(qū)量得到的長度。過驅(qū)量是指用于在使設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的電極與探針卡43的探針43b抵接后，進而使晶片W向探針卡43移動(以下，將該移動稱作“過驅(qū)”)而使半導(dǎo)體器件的多個電極與探針卡43的多個探針43b可靠抵接的移動量。過驅(qū)量例如為10?150 μ m，根據(jù)作為電特性檢查的檢查對象的設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的種類、檢查條件等而定。
[0045]通過如上所述那樣調(diào)節(jié)波紋管46的長度L，使載置有晶片W的吸盤部件45與波紋管46的下部凸緣46b抵接時，設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的多個電極與設(shè)置于探針卡43的多個探針43b的前端部分別可靠地抵接。
[0046]吸盤部件45隨著搬送機構(gòu)32 (參照圖2)的移動而移動，從搬出搬入機構(gòu)21 (參照圖1)接收未檢查的晶片W，將其搬送到例如移動到與檢查部31相鄰的位置的對位裝置49，使吸盤部件45與晶片W對位，并使晶片W與設(shè)置在檢查部31的晶片檢查用接口 40的探針卡43對位。然后，吸盤部件45將與探針卡43對位后的晶片W搬送到晶片檢查用接口40的正下方，利用升降機44向上移向探針卡43，由此使該吸盤部件45的上表面與波紋管46的下部凸緣46b的下表面抵接。此時，設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的多個電極與探針卡43的多個探針43b的前端部各自良好且可靠地抵接。
[0047]在吸盤部件45的上表面與波紋管46的下部凸緣46b抵接的狀態(tài)下，經(jīng)由開口在吸盤部件45的與下部凸緣46b的抵接面上且被O形環(huán)53包圍的吸引路徑52吸引下部凸緣46b，由此使吸盤部件45與凸緣46b緊貼。然后，經(jīng)由開口在被彈簧架42、吸盤部件45和波紋管46包圍的空間S上的減壓路徑51，通過減壓單元對空間S進行減壓，由此保持設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的電極與探針卡43的探針43b的良好的抵接狀態(tài)。此時的空間S的壓力例如調(diào)整至-3?-15Pa。
[0048]保持設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的電極與探針卡43的探針43b可靠地抵接的抵接狀態(tài)后，檢查部31進行設(shè)置于晶片W的多個半導(dǎo)體器件的電特性檢查。
[0049]以下，對利用具有這種結(jié)構(gòu)的晶片檢查用接口的晶片檢查裝置進行的形成于晶片的半導(dǎo)體器件的電特性檢查進行具體說明。
[0050]圖4是表示利用圖3的晶片檢查裝置進行的設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的電特性檢查的工序的圖。
[0051]在圖4中，與后述的圖5中的晶片檢查用接口相比，該晶片檢查用接口 40包括具有比較長的探針的探針卡。
[0052]在實施設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的電特性檢查時，首先，在具有與作為電特性檢查的對象的半導(dǎo)體器件的電極對應(yīng)地設(shè)置有多個規(guī)定長度的探針43b的探針卡43的晶片檢查用接口 40中(圖4(A))，調(diào)整波紋管46的長度。
[0053]S卩，使晶片檢查用接口 40的導(dǎo)向部件47與下部凸緣46b —起通過省略圖示的驅(qū)動單元(波紋管的長度調(diào)節(jié)機構(gòu))在圖3中上下方向上移動，使波紋管46的長度調(diào)整到從探針卡43的厚度與晶片W的厚度之和減去過驅(qū)量、例如100 μ m得到的長度LI (圖4(B))。
[0054]接著，吸盤部件45被搬送機構(gòu)32移動，從搬出搬入機構(gòu)21接收未檢查的晶片W，將該晶片W搬送至移動至與包括晶片檢查用接口 40的檢查部31相鄰的位置的對位裝置49 (參照圖3)，使晶片W與吸盤部件45對位，并且使晶片W與晶片檢查用接口 40的探針卡43對位，然后吸盤部件45保持載置有晶片W的狀態(tài)，移動至晶片檢查用接口 40的下方(圖4(C))。
[0055]然后，升降機44使載置有與探針卡40對位后的晶片W的吸盤部件45向上方移動，使吸盤部件45的上表面與波紋管46的下部凸緣46b抵接。此時，設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的多個電極與探針卡43的多個探針43b的前端部分別抵接，并且晶片W向探針卡43以過驅(qū)動的方式移動例如100 μ m,由此使設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的多個電極與設(shè)置于探針卡43的多個探針43b分別可靠地抵接(圖4(D))。
[0056]接著，波紋管46的下部凸緣46b與吸盤部件45的抵接部經(jīng)由吸引路徑52被省略圖示的例如真空泵吸引，下部凸緣46b與吸盤部件45緊貼，然后，使被彈簧架42、吸盤部件45和波紋管46包圍的空間S經(jīng)由在吸盤部件45的上表面開口的減壓路徑51通過省略圖示的減壓單元減壓，保持設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的多個電極與探針卡43的多個探針43b的前端部的良好的接觸狀態(tài)。
[0057]如上述方式，使晶片W與支承于晶片檢查用接口 40的探針卡43接觸后，檢查部31進行設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的電特性檢查。
[0058]根據(jù)本實施方式，作為密封吸盤部件45與彈簧架42之間的空間S、且一端固定在彈簧架42、另一端與吸盤部件45抵接的筒狀的部件，使用波紋管46，并且設(shè)置有調(diào)節(jié)該波紋管的長度的長度調(diào)節(jié)機構(gòu)，所以能夠?qū)⒉y管46的長度調(diào)節(jié)成從探針卡43的厚度與晶片W的厚度之和減去規(guī)定的過驅(qū)量得到的最優(yōu)長度。即，能夠使波紋管46的長度根據(jù)探針卡43的探針43b的長度而改變，因此能夠使設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的電極與探針卡的探針以合適狀態(tài)抵接，良好地接觸，而不受探針卡43的探針43b的長度的影響，并且能夠提高半導(dǎo)體器件的電特性檢查的精度。
[0059]另外，在使晶片W與探針卡43抵接后，進一步以過驅(qū)動的方式移動規(guī)定的過驅(qū)量，所以能夠使半導(dǎo)體器件的電極與探針卡43的探針43b可靠接觸，減少接觸電阻。
[0060]另外，根據(jù)本實施方式，設(shè)置有引導(dǎo)波紋管與該波紋管的下部凸緣的移動的導(dǎo)向部件47，所以能夠防止波紋管伸長或縮短時的偏移。
[0061]接著，對利用應(yīng)用具有較短的探針的探針卡的晶片檢查裝置進行的設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的電特性檢查進行說明。
[0062]圖5是表示利用應(yīng)用與圖4中的晶片檢查用接口相比具有較短的探針的探針卡的晶片檢查裝置進行的設(shè)置于晶片的半導(dǎo)體器件的電特性檢查的工序的圖。
[0063]在圖5中，除了探針卡43的探針43c的長度與圖4的探針卡43的探針43b相比較短之外，各構(gòu)成部件的結(jié)構(gòu)與作用均與圖4相同，分別標注相同的附圖標記，省略說明。
[0064]在圖5中，將波紋管46的長度L2設(shè)為從探針卡43的厚度與晶片W的厚度之和減去規(guī)定的過驅(qū)量(例如100 μ m)的長度，但波紋管46的長度L2與圖4的波紋管46的長度LI的關(guān)系為LI > L2。這是因為，本實施方式的晶片檢查裝置的探針卡43的探針43c的長度比圖4的探針卡43的探針43b的長度短。
[0065]然而，在圖5中，探針卡43b的探針43c的前端部與波紋管46的下部凸緣46b的下表面的距離AL2(圖5(B))和圖4中的探針卡43的探針43b的前端部與波紋管46的下部凸緣46b的下表面的距離ALl (圖4(B))設(shè)為相同長度。距離AL2和距離ALl均設(shè)定為從晶片W的厚度減去規(guī)定的過驅(qū)量例如100 μ m得到的長度。由此，當吸盤部件45與波紋管46的下部凸緣46b抵接時，無論探針的長度如何，設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的電極與探針卡43的探針43c (43b)均能夠良好且可靠地抵接，能夠高精度地進行之后的半導(dǎo)體器件的電特性檢查。
[0066]圖6是本發(fā)明的第二實施方式的晶片檢查裝置的晶片檢查用接口的截面圖。該晶片檢查裝置的晶片檢查用接口 40與圖4的晶片檢查用接口不同之處在于，使用雙重結(jié)構(gòu)的波紋管56替代了波紋管46。
[0067]使用本實施方式的晶片檢查裝置進行的設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的電特性檢查與上述的圖4的情況同樣地進行，但利用省略圖示的壓力調(diào)整裝置對被雙重結(jié)構(gòu)的波紋管56的波紋管彼此包圍的空間進行加壓或減壓，由此能夠使波紋管55的下部凸緣56b移位，由此進行波紋管56的長度調(diào)整。
[0068]根據(jù)本實施方式，波紋管56采用雙重結(jié)構(gòu)，所以通過調(diào)整該雙重結(jié)構(gòu)的波紋管彼此間的壓力，由此能夠?qū)⒉y管56的長度調(diào)整到合適長度，所以與圖4的實施方式一樣，能夠使設(shè)置于晶片W的半導(dǎo)體器件的電極與探針卡的探針以合適狀態(tài)抵接，良好地接觸，而不受探針卡的探針的長度的影響，并且能夠提高半導(dǎo)體器件的電特性檢查的精度。
[0069]另外，在本實施方式中，設(shè)置有引導(dǎo)波紋管的移動的導(dǎo)向部件47，因此還能夠使用截面呈凸緣狀的O形環(huán)來替代波紋管。
[0070]以上，利用上述各實施方式，對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明不限于上述實施方式。
[0071]本申請主張基于2012年6月6日申請的日本申請第2012-128712號的優(yōu)先權(quán)，該日本申請所記載的全部內(nèi)容援引于本申請。
[0072]附圖標記說明
[0073]W 晶片
[0074]S 空間
[0075]32搬送機構(gòu)
[0076]40晶片檢查用接口
[0077]42彈簧架
[0078]43探針卡
[0079]43b 探針
[0080]44升降裝置(升降機)
[0081]45吸盤部件
[0082]46波紋管
[0083]46b下部凸緣
[0084]47導(dǎo)向部件
【權(quán)利要求】
1.一種晶片檢查用接口，其特征在于，包括: 探針卡，其在與晶片相對的相對面具有與形成于該晶片的多個半導(dǎo)體器件的電極對應(yīng)設(shè)置的多個探針； 對該探針卡的與形成有所述探針的面相反一側(cè)的面進行支承的支承板； 隔著所述晶片與所述探針卡相對的臺狀的吸盤部件； 將該吸盤部件與所述支承板之間的空間密封的筒狀的折皺部件，其一端固定在所述支承板，另一端與所述吸盤部件抵接； 對該折皺部件的長度進行調(diào)節(jié)的長度調(diào)節(jié)機構(gòu)； 對所述折皺部件的移動進行引導(dǎo)的引導(dǎo)部件；和 對所述空間進行減壓的減壓路徑。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片檢查用接口，其特征在于: 所述長度調(diào)節(jié)機構(gòu)將所述折皺部件的長度調(diào)節(jié)成從所述探針卡的厚度與所述晶片的厚度之和減去規(guī)定的過驅(qū)量得到的長度。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片檢查用接口，其特征在于: 所述規(guī)定的過驅(qū)量為10 μ m?150 μ m。
4.如權(quán)利要求1?3中任一項所述的晶片檢查用接口，其特征在于: 所述折皺部件在所述另一端具有凸緣部，通過該凸緣部與所述吸盤部件抵接。
5.如權(quán)利要求4所述的晶片檢查用接口，其特征在于，包括: 吸引所述凸緣部與所述吸盤部件的抵接面使所述凸緣部與所述吸盤部件緊貼的吸引路徑。
6.如權(quán)利要求1?5中的任一項所述的晶片檢查用接口，其特征在于: 所述折皺部件呈同心狀地配置有兩個折皺部件的雙重結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的晶片檢查用接口，其特征在于，包括: 對所述雙重結(jié)構(gòu)的折皺部件的折皺部件彼此間的壓力進行調(diào)整的壓力調(diào)整機構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1?7中任一項所述的晶片檢查用接口，其特征在于: 所述折皺部件為金屬制或合成樹脂性的波紋管。
9.一種晶片檢查裝置，其特征在于，包括: 對形成于晶片的半導(dǎo)體器件的電特性進行檢查的檢查室；和 將所述晶片搬入該檢查室或從該檢查室搬出所述晶片的搬送機構(gòu)， 所述檢查室具有晶片檢查用接口， 該晶片檢查用接口包括: 探針卡，其在與晶片相對的相對面具有與形成于該晶片的多個半導(dǎo)體器件的電極對應(yīng)設(shè)置的多個探針； 對該探針卡的與形成有所述探針的面相反一側(cè)的面進行支承的支承板； 隔著所述晶片與所述探針卡相對的臺狀的吸盤部件； 將該吸盤部件與所述支承板之間的空間密封的筒狀的折皺部件，其一端固定在所述支承板，另一端與所述吸盤部件抵接； 對該折皺部件的長度進行調(diào)節(jié)的長度調(diào)節(jié)機構(gòu)； 對所述折皺部件的移動進行引導(dǎo)的引導(dǎo)部件；和對所述空間進行減壓的減壓路徑。
【文檔編號】G01R31/28GK104380449SQ201380029802
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月6日
【發(fā)明者】山田浩史 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社