電觸頭和電氣部件用插座的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供防止電氣部件的端子與電觸頭在連續(xù)性試驗(yàn)后發(fā)生黏附、使耐久性提高的電觸頭以及使用了該電觸頭的電氣部件用插座。該發(fā)明的電觸頭具有：由通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的材料形成的第1層，和形成于該第1層的外側(cè)的、由通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的速度慢于前述第1層的材料形成的第2層。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電觸頭和電氣部件用插座

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電連接于半導(dǎo)體裝置(以下稱(chēng)為“1C封裝”)等電氣部件的電觸頭、以及配置有該電觸頭的電氣部件用插座。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，作為這種電觸頭(electriccontact)，已知的是，作為電氣部件用插座的IC插座中設(shè)置的探針。該IC插座被配置在布線(xiàn)基板上，且容納有作為檢查對(duì)象的IC封裝，該IC封裝的端子與布線(xiàn)基板的電極經(jīng)由該探針進(jìn)行電連接。
[0003]該探針成為在基材上形成有基底層、表層的結(jié)構(gòu)，另一方面，IC封裝的端子為不設(shè)有鉛而主要成分為錫的、所謂的無(wú)鉛焊錫形成；通過(guò)它們的接觸而彼此進(jìn)行電連接，從而進(jìn)行連續(xù)性試驗(yàn)(continuity test)(參照例如專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本再表2007/034921號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

_7] 發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0008]然而，對(duì)于這種以往的產(chǎn)品而言，在進(jìn)行了連續(xù)性試驗(yàn)后將IC封裝從IC插座取下時(shí)，有時(shí)IC封裝的端子會(huì)黏附于探針而難以取下。并且，在這樣的狀態(tài)下剝離IC封裝的端子時(shí)，產(chǎn)生了探針的頂端部分容易損傷、探針的耐久性會(huì)降低這樣的問(wèn)題。尤其是，在高溫(例如150°C以上)下進(jìn)行了連續(xù)性試驗(yàn)后，黏附變得顯著，成為大問(wèn)題。
[0009]因此，本發(fā)明的課題在于，提供能夠防止電氣部件(IC封裝)的端子與電觸頭(探針)在連續(xù)性試驗(yàn)后發(fā)生黏附、使耐久性提高的電觸頭以及電氣部件用插座。
[0010]用于解決問(wèn)題的方案
[0011]為了實(shí)現(xiàn)所述課題，本發(fā)明人等進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)了以下內(nèi)容。即，可知連續(xù)性試驗(yàn)中在電氣部件的端子與電觸頭接觸的狀態(tài)下加熱時(shí)，作為電氣部件的端子的材料的錫在電觸頭的材料上熔入并擴(kuò)散而形成合金，如果此時(shí)的熔入并擴(kuò)散的速度過(guò)快，則由于急劇地形成合金，從而引起電氣部件的端子與電觸頭的黏附。但是，如果作為電氣部件的端子的材料的錫不熔入并擴(kuò)散至電觸頭的材料中，則容易產(chǎn)生附著于電觸頭的錫氧化而容易構(gòu)成絕緣體從而妨礙電連接這樣的故障。由此發(fā)現(xiàn):作為電氣部件的端子的材料的錫以適度的速度熔入并擴(kuò)散至電觸頭的材料中而形成合金的情況能夠確保電氣部件的端子與電觸頭的電連接，并且防止電氣部件的端子與電觸頭的黏附，從而提高電觸頭和電氣部件用插座的耐久性。
[0012]此處，本發(fā)明的電觸頭具有:通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的第I層，和形成于該第I層的外側(cè)的、通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的速度慢于前述第I層的第2層。
[0013]本發(fā)明的電觸頭優(yōu)選還具備:具有導(dǎo)電性的基材、和形成于該基材的外側(cè)的以Ni作為主要成分的基底層，在該基底層的外側(cè)形成有前述第I層，并且在該第I層的外側(cè)形成有前述第2層。
[0014]本發(fā)明的電觸頭優(yōu)選具備作為前述第I層的基材，在該基材的外側(cè)形成有前述第2層。
[0015]本發(fā)明的電觸頭優(yōu)選前述第2層為Ag層或Ag合金層。
[0016]本發(fā)明的電觸頭優(yōu)選前述第2層為Ag鍍層或Ag合金鍍層，所述Ag合金鍍層包含Ag、和重量比小于該Ag的重量比的Au、Cu、Pd或Sn。
[0017]本發(fā)明的電觸頭優(yōu)選前述第I層為Pd層或Pd合金層。
[0018]本發(fā)明的電觸頭優(yōu)選前述第I層為Pd鍍層或Pd合金鍍層，所述Pd合金鍍層包含Pd、和重量比小于該P(yáng)d的重量比的Ag、Au、Cu或Sn。
[0019]本發(fā)明的電觸頭優(yōu)選前述第I層為厚度0.1 μ m以上且5 μ m以下的Pd層，并且，前述第2層為厚度0.Ιμ--以上且20 μ m以下的Ag層。
[0020]本發(fā)明的電氣部件用插座的特征在于，其具備:插座主體；容納部,其用于容納電氣部件，所述電氣部件具備包含Sn的端子；以及電觸頭，其配置于前述插座主體，用于與前述端子接觸；在前述電觸頭的表面上形成有:通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的第I層，和形成于該第I層的外側(cè)的、通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的速度慢于前述第I層的第2層。
[0021]發(fā)明的效果
[0022]本發(fā)明的電觸頭設(shè)置成具有:通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的第I層，和形成于該第I層的外側(cè)的、通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的速度慢于前述第I層的第2層，所以能夠確保電氣部件的端子與電觸頭的電連接并且在連續(xù)性試驗(yàn)之后能夠防止電氣部件的端子與電觸頭黏附，因此能夠提高耐久性。
[0023]本發(fā)明的電觸頭在基材的外側(cè)形成Ni基底層并且在該Ni基底層的外側(cè)形成第1、第2層，由此能夠在該基材的表面上密合性良好地形成第1、第2層。
[0024]本發(fā)明的電觸頭使用基材作為第I層，且在該基材的外側(cè)形成第2層，從而能夠簡(jiǎn)化電觸頭的制造工序，降低制造成本。
[0025]本發(fā)明的電觸頭將第2層制成為Ag層或Ag合金層，由此能夠得到加熱時(shí)Sn熔入速度充分慢的第2層。
[0026]本發(fā)明的電觸頭通過(guò)將第2層制成為Ag鍍層或Ag合金鍍層，所述Ag合金鍍層包含Ag和重量比小于該Ag的重量比的Au、Cu、Pd或Sn，則加熱時(shí)，能夠得到Sn熔入速度充分慢的第2層。
[0027]本發(fā)明的電觸頭通過(guò)將第I層制成為Pd層或Pd合金層，能夠得到加熱時(shí)Sn熔入的第I層。
[0028]本發(fā)明的電觸頭通過(guò)將第I層制成為Pd鍍層或Pd合金鍍層，所述Pd合金鍍層包含Pd和重量比小于該P(yáng)d的重量比的Ag、Au、Cu或Sn，能夠得到加熱時(shí)Sn熔入的第I層。
[0029]本發(fā)明的電觸頭通過(guò)將前述第I層制成為厚度0.1 μ m以上且5 μ m以下的Pd層并且將前述第2層制成為厚度0.1 μ m以上且20 μ m以下的Ag層，加熱時(shí)可以將Sn熔入至第2層的速度設(shè)為慢于熔入至第I層的速度。
[0030]通過(guò)本發(fā)明的電氣部件用插座，能夠防止電氣部件的端子與電觸頭黏附，因此，能夠提高電氣部件用插座的耐久性。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I所述的IC插座中的探針附近的放大剖視圖。
[0032]圖2是表示在圖1的IC插座中安裝有IC封裝和布線(xiàn)基板的狀態(tài)的放大剖視圖。
[0033]圖3是表示同實(shí)施方式I所述的探針的接觸部的的放大示意剖視圖。
[0034]圖4為表示同實(shí)施方式I的焊錫附著的比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果的探針的平面圖。
[0035]圖5為表示同實(shí)施方式I的高溫試驗(yàn)次數(shù)與焊錫附著的比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果的探針的平面圖。
[0036]圖6為用于說(shuō)明同實(shí)施方式I的高溫試驗(yàn)次數(shù)與焊錫附著狀態(tài)的探針的示意圖。
[0037]圖7為用于說(shuō)明現(xiàn)有的高溫試驗(yàn)前后的焊錫附著狀態(tài)的探針的示意圖。
[0038]圖8為用于說(shuō)明現(xiàn)有的高溫試驗(yàn)前后的焊錫附著狀態(tài)的探針的示意圖。
[0039]圖9為表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的焊錫附著的比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果的觸針的平面圖。
[0040]圖10的(a)為圖9的(C)的H部放大圖，(b)為圖10的(a)的J部剖視圖，(C)為圖10的(b)的K部放大圖。
[0041]圖11的(a)為圖9的(e)的I部放大圖，(b)為圖11的(a)的L部剖視圖，(C)為圖11的(b)的M部放大圖。
[0042]圖12為表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的由黏附導(dǎo)致的探針的接觸部的邊緣破損的比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果的、探針的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0043]以下，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0044][發(fā)明的實(shí)施方式I]
[0045]圖1?圖8表示本發(fā)明的實(shí)施方式I。
[0046]作為該實(shí)施方式I的“電氣部件用插座”的IC插座10，如圖1和圖2所示，被固定于布線(xiàn)基板I上，在上部安裝有作為“電氣部件”的IC封裝2，將作為布線(xiàn)基板I的電極Ia與IC封裝2的“端子”的焊球2a電連接地構(gòu)成，應(yīng)用于例如對(duì)于IC封裝2的老化試驗(yàn)等連續(xù)性試驗(yàn)的試驗(yàn)裝置等。
[0047]該實(shí)施方式I的IC封裝2在大致方形狀的封裝主體2b的下面設(shè)置有多個(gè)焊球2a，該焊球2a由主要成分為Sn且不含有鉛的所謂的無(wú)鉛焊錫成形而成。
[0048]另外，IC插座10具備:具有上側(cè)板材11和下側(cè)板材12的插座主體13，和以矩陣狀配置于該插座主體13且縱向貫通插座主體13而配置的多個(gè)作為電觸頭的探針14。插座主體13在上側(cè)板材11與下側(cè)板材12被固定螺絲(圖略)固定的狀態(tài)下通過(guò)定位銷(xiāo)(圖略)而定位在布線(xiàn)基板I上。需要說(shuō)明的是，上側(cè)板材11上設(shè)置有容納IC封裝2并能夠上下移動(dòng)的作為“容納部”的浮板15。
[0049]該實(shí)施方式I中，IC封裝2的焊球2a的配置間距和與焊球2a電連接的布線(xiàn)基板I的電極Ia的配置間距相同。探針14的配置間距也與這些配置間距相同。
[0050]各探針14如圖1和圖2所示，沿著長(zhǎng)度方向的軸線(xiàn)L具備:第I柱塞20，在其頂端具有與布線(xiàn)基板I的電極Ia電接觸的接觸部20a ;第2柱塞30，在其頂端具有與IC封裝2的焊球2a電接觸的接觸部30a ;和筒狀部件40，其連接在該第I柱塞20與第2柱塞30之間。該筒狀部件40的內(nèi)部容納有螺旋彈簧50，所述螺旋彈簧50將第I柱塞20與第2柱塞30以沿著軸線(xiàn)L向彼此分開(kāi)的方向施力。
[0051]第I柱塞20具備突出部20b和比突出部20b粗的插入部20c，所述突出部20b的頂端設(shè)置有用于與布線(xiàn)基板I的電極Ia接觸的大致圓錐形的接觸部20a。其中，插入部20c以能夠在筒狀部件40內(nèi)滑動(dòng)地接觸的狀態(tài)容納在筒狀部件40內(nèi)，第I柱塞20的突出方向(下方向)的移動(dòng)被形成于筒狀部件40的下端部的卡定部40a限制。另外，在插入部20c的端部，用于對(duì)螺旋彈簧50進(jìn)行卡定的支承部20d —體地形成為以軸線(xiàn)L為中心的圓錐形狀。另外，突出部20b以能夠在下側(cè)板材12的貫通孔12a中滑動(dòng)的方式貫穿下側(cè)板材12。
[0052]第2柱塞30具備突出部30b和比突出部30b粗的插入部30c，所述突出部30b的頂端設(shè)置有用于與IC封裝2的焊球2a接觸的大致王冠形狀的接觸部30a。其中，插入部30c以能夠在筒狀部件40內(nèi)滑動(dòng)地接觸的狀態(tài)容納在筒狀部件40內(nèi)，第2柱塞30的突出方向(上方向)的移動(dòng)被形成于筒狀部件40的上端部的卡定部40b限制。另外，在插入部30c的端部，用于對(duì)螺旋彈簧50進(jìn)行卡定的支承部30d —體地形成為以軸線(xiàn)L為中心的圓錐形狀。另外，突出部30b由上側(cè)平板11突出，接觸部30a以能夠在可容納IC封裝2的焊球2a的浮板15的貫通孔15a中滑動(dòng)的方式貫穿浮板15。
[0053]接著，針對(duì)該實(shí)施方式I中的探針14的材料，使用圖3?圖8進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，此處，針對(duì)探針14的第2柱塞30的材料進(jìn)行特別說(shuō)明。
[0054]該實(shí)施方式I的探針14的第2柱塞30，如圖3所示那樣，成為由基材31、基底層32、作為“第I層”的表層33、以及作為“第2層”的第2表層34層疊而成的結(jié)構(gòu)。其中，基材31由具有導(dǎo)電性的材料成形成，此處，由Be-Cu(鈹銅)合金成形而成。另外，基底層32由2?3μπι的Ni鍍層成形而成。需要說(shuō)明的是，基材31、基底層32也可以由其他適宜的材料成形而成。
[0055]進(jìn)而，第I表層33由通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的材料、在此為Pd鍍層構(gòu)成。第I表層33的厚度只要為0.1 μ m以上，則能夠得到Sn熔入并擴(kuò)散的功能。進(jìn)一步而言，由于Sn經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間熔入并擴(kuò)散，優(yōu)選為0.2 μ m以上的厚度。另外，如果第I表層33過(guò)厚，則容易產(chǎn)生裂縫等問(wèn)題，所以?xún)?yōu)選為5 μ m以下。需要說(shuō)明的是，對(duì)于第I表層33，只要是通過(guò)施加熱而使Sn以規(guī)定的速度熔入并擴(kuò)散的材料則也可以由Pd單體以外的材料形成，例如，也可以由Pd的重量比較大且包含Ag、Au、Cu、Sn中的任意一者的Pd合金層中的一種形成。作為它們的例子，可列舉出:Pd的重量比較大的Pd-Ag層、Pd-Sn層、Pd-Au層、Pd-Ag-Cu層、Pd-Ag-Sn層等。其中，Pd合金中，Pd-Co (鈷)合金、Pd-Ni合金也并不適合于用作第I表層33。
[0056]該P(yáng)d鍍層例如可以通過(guò)基于濕式鍍敷的制法、或基于離子鍍的制法來(lái)成形。
[0057]在基于該濕式鍍的制法中，實(shí)施Ni鍍敷2?3 μ m作為基底層32，在其上形成作為密合層的觸擊電鍍Au鍍層，還重疊Pd鍍層作為第I表層33。需要說(shuō)明的是，如前所述，作為第I表層33，除了鍍敷Pd單體以外，也可以鍍敷Pd的重量比較大且包含Ag、Au、Cu、Sn中的任意一者的Pd合金中的一種(例如，Pd的重量比較大的Pd-Ag、Pd-Sn、Pd-Au、Pd-Ag-Cu、Pd-Ag-Sn 等)。
[0058]另外，在基于離子鍍的制法中，實(shí)施Ni鍍敷2?3μπι作為基底層32，在其上通過(guò)離子鍍附著Pd作為第I表層33。需要說(shuō)明的是，如前所述，作為第I表層33，也可以為除了鍍敷Pd單體以外還附著Pd的重量比較大且包含Ag、Au、Cu、Sn中的任意一者的Pd合金中的一種狀態(tài)的物質(zhì)(可列舉出例如:Pd的重量比較大的狀態(tài)下附著Pd-Ag、Pd-Sn、Pd-Au、Pd-Ag-Cu、Pd-Ag-Sn 等的情況)。
[0059]另外進(jìn)而，第2表層34由通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散且其擴(kuò)散速度慢于第I表層33的材料、在此為Ag鍍層構(gòu)成。如果第2表層34的厚度為0.1 μ m以上，則能夠減緩Sn向第I表層33的擴(kuò)散。進(jìn)一步講，由于在150°C以上也能起作用，可以為0.3μπι以上。進(jìn)一步講，由于在180°C以上也能起作用，可以為Iym以上。另外，如果第2表層34過(guò)厚，則容易產(chǎn)生用環(huán)帶鍍敷裝置運(yùn)輸速度變慢而在途中工序中干燥等問(wèn)題，所以?xún)?yōu)選為20μπι以下。進(jìn)一步講，為了對(duì)IC插座10與探針14的嵌合尺寸沒(méi)有影響，優(yōu)選為1ym以下。該Ag層由第I表層33的上面起與前述的第I表層33的制法同樣地通過(guò)基于濕式鍍敷的制法或基于離子鍍的制法來(lái)成形而成。需要說(shuō)明的是，對(duì)于第2表層34，只要是通過(guò)施加熱而使Sn以慢于第I表層33的規(guī)定的速度熔入并擴(kuò)散的材料，則也可以由Ag單體以外的材料形成，例如，也可以由Ag的重量比較大且包含Au、Cu、Pd、Sn中的任意一者的Ag合金層中的一種形成。作為其例子，可列舉出:Ag的重量比較大的Ag-Sn層、Ag-Au層、Ag-Cu層、Ag-Pd層等。
[0060]使用具備了具有這樣構(gòu)成的第2柱塞30的探針14的IC插座10時(shí)，將多個(gè)探針14分別安裝在插座主體13，如圖1所示，以使第I柱塞20的接觸部20a向下方突出且使第2柱塞30的接觸部30a出于浮板15的貫通孔15a中的狀態(tài)進(jìn)行配置。并且，將該IC插座10定位固定于布線(xiàn)基板1，如圖2所示那樣，使第I柱塞20的接觸部20a接觸布線(xiàn)基板I的電極la。此時(shí)，螺旋彈簧50在筒狀部件40內(nèi)被第I柱塞20的插入部20c的支承部20d壓縮。
[0061]其后，將IC封裝2容納于浮板15，將焊球2a容納于貫通孔15a。在該狀態(tài)下使浮板15下降時(shí)，第2柱塞30的接觸部30a接觸焊球2a，進(jìn)一步下降時(shí)，如圖2所示那樣，螺旋彈簧50在筒狀部件40內(nèi)被第2柱塞30的插入部30c支承部30d壓縮。
[0062]接著，通過(guò)這樣用第I柱塞20和第2柱塞30來(lái)壓縮螺旋彈簧50，能夠用該螺旋彈簧50將第I柱塞20的接觸部20a與第2柱塞30的接觸部30a向彼此分開(kāi)的方向施力，使布線(xiàn)基板I的電極Ia與IC封裝2的焊球2a接觸，在該狀態(tài)下實(shí)施IC封裝2的老化試驗(yàn)等連續(xù)性試驗(yàn)。
[0063]通過(guò)這樣進(jìn)行連續(xù)性試驗(yàn)，對(duì)于以往的IC插座而言，在連續(xù)性試驗(yàn)后將IC封裝2從IC插座10取下時(shí)，IC封裝2的焊球2a與探針14的第2柱塞30發(fā)生黏附，但在該實(shí)施方式I中，能夠確保焊球2a與第2柱塞30電連接，防止焊球2a與第2柱塞30的黏附，提聞探針14和IC插座10的耐久性。
[0064]即，現(xiàn)有技術(shù)中，探針14的第2柱塞30中由于只設(shè)置有表層33，所述表層33為在老化環(huán)境(例如，125°C?180°C )下通過(guò)施加熱而使Sn以比較快的速度熔入并擴(kuò)散的材料即以Pd或Pd作為主要成分的合金的鍍層；所以，以具有無(wú)鉛焊錫的端子(焊球2a)的IC封裝2作為對(duì)象進(jìn)行連續(xù)性試驗(yàn)時(shí)，焊球2a的Sn比較快地熔入探針14側(cè)且急劇地形成大量的Sn-Pd合金，結(jié)果產(chǎn)生焊球2a與探針14在連續(xù)性試驗(yàn)之后由該急劇地形成的Sn-Pd合金發(fā)生黏附這樣的問(wèn)題。并且，想要將這種狀態(tài)的焊球2a與探針14強(qiáng)行剝離時(shí)，會(huì)成為探針14的表層33殘留有大量焊錫的狀態(tài)、或者探針14的表層33損傷，從而使探針14的耐久性降低。
[0065]但是，本實(shí)施方式I中，探針14的第2柱塞30中，在由通過(guò)施加熱而使Sn以比較快的速度熔入并擴(kuò)散的材料即以Pd或Pd作為主要成分的合金的鍍層所成形的第I表層33的外側(cè)，設(shè)置有:由通過(guò)施加熱而使Sn進(jìn)一步熔入并擴(kuò)散但其擴(kuò)散的速度慢于第I表層33的材料即以Ag或Ag作為主要成分的合金的鍍層所成形的第2表層34，所以焊球2a的Sn向探針14側(cè)熔入速度變慢,結(jié)果,不會(huì)急劇地形成Ag-Sn合金、Sn-Pd合金急劇地而是緩緩地形成。由此，能夠防止在連續(xù)性試驗(yàn)之后，焊球2a與探針14由形成的Ag-Sn合金、Sn-Pd合金黏附的故障。
[0066]特別是，在老化環(huán)境下(例如，125°C?180°C )、高溫的環(huán)境下(例如，150°C?1800C )下，IC封裝2的焊球2a的Sn比Pd等更容易熔入并擴(kuò)散，然而在兩者之間夾設(shè)Ag或Ag合金等通過(guò)施加熱而使Sn雖然熔入并擴(kuò)散然而其擴(kuò)散的速度慢的材料形成的層，即便在這樣的情況下，也能夠抑制Sn熔入并擴(kuò)散的速度，能夠防止焊球2a與探針14黏附這樣的故障。
[0067]如此看來(lái)，在連續(xù)性試驗(yàn)之后，探針14的表層難以殘留大量的焊錫，另外，探針14的表層難以損傷，能夠提聞探針14的耐久性。
[0068]另外，如果焊球2a的Sn不熔入并擴(kuò)散至第2柱塞30的材料中，則附著于探針14的Sn氧化而容易構(gòu)成絕緣體，從而妨礙電連接。但是，本實(shí)施方式I中，通過(guò)在焊球2a與Pd層之間具有:Sn以適當(dāng)?shù)乃俣热廴氩U(kuò)散至第2柱塞30的材料中而形成合金的、由Ag等材料形成的層，從而能夠確保焊球2a與第2柱塞30的電連接，并且如前所述地能夠防止焊球2a與第2柱塞30的黏附。
[0069]接著，針對(duì)驗(yàn)證本發(fā)明效果的第I評(píng)價(jià)試驗(yàn)，使用圖4進(jìn)行說(shuō)明。
[0070]此處，對(duì)于具備在Pd鍍層即第I表層的外側(cè)層疊有Ag鍍層即第2表層的第2柱塞的本發(fā)明的實(shí)施方式I的探針與具備在外側(cè)具有Pd-Ag合金鍍層即表層的第2柱塞的現(xiàn)有的探針，對(duì)高溫試驗(yàn)后IC封裝的焊球的焊錫成為合金而黏附在探針上的量進(jìn)行了比較。
[0071](I)試驗(yàn)內(nèi)容
[0072]使用前述的具有實(shí)施方式I的構(gòu)成(在Pd鍍層的第I表層的外側(cè)層疊有Ag鍍層的第2表層而成的構(gòu)成)的探針的IC插座兩種、與具有對(duì)于該探針將層疊第2柱塞的第I表層和第2表層的構(gòu)成變更為Pd-Ag合金鍍層的單層而構(gòu)成的探針的IC插座一種，同時(shí)地進(jìn)行了高溫試驗(yàn)。
[0073]本試驗(yàn)中使用的探針和IC封裝的焊球制成如下的規(guī)格。需要說(shuō)明的是，該說(shuō)明書(shū)中，將在⑶層的外側(cè)層疊有㈧層的構(gòu)成記為“ (A)/⑶”。
[0074](2)兩種具有Ag/Pd層疊鍍層的探針(實(shí)施方式)的規(guī)格
[0075]兩者的基材均使用Be-Cu。
[0076]兩者的探針的形狀，如圖1所示的接觸部30a那樣，接觸部形成為大致王冠形狀。
[0077]該接觸部通過(guò)濕式鍍敷而形成以下那樣的層疊。
[0078]S卩，形成2?3 μ m的Ni鍍層，在其外側(cè)形成作為密合層的觸擊電鍍Au鍍層，進(jìn)而第一種為將由Pd鍍層形成的第I表層0.5 μ m與由Ag鍍層形成的第2表層0.5 μ m層疊而成的。另外，第二種為由Pd鍍層形成的第I表層0.5 μ m與由Ag鍍層形成的第2表層1.0 μ m層疊而成的。
[0079](3) 一種具有Ag-Pd合金鍍層的探針(現(xiàn)有例)的規(guī)格
[0080]基材使用Be-Cu。
[0081]探針的形狀如圖1所示的接觸部30a那樣，接觸部形成為大致王冠形狀。
[0082]在該接觸部通過(guò)濕式鍍敷而形成以下那樣的層。
[0083]S卩，形成2?3μπι的Ni鍍層，在其外側(cè)形成作為密合層的觸擊電鍍Au鍍層，進(jìn)而,交互地層疊0.5μηι的Pd鍍層和0.5μηι的Ag鍍層，其后，使用恒溫槽以特定的溫度使Pd和Ag進(jìn)行熱擴(kuò)散,從而形成Ag-Pd合金層。
[0084](4) IC封裝的焊球規(guī)格
[0085]Sn_3Ag-0.5Cu
[0086](5)試驗(yàn)方法
[0087].焊錫附著量的測(cè)定法:使用KEYENCEC0RP0RAT10N制激光顯微鏡VK-9500進(jìn)行。
[0088].試驗(yàn)條件之I
[0089]周?chē)鷾囟?室溫?150°C
[0090]試驗(yàn)時(shí)間:24小時(shí)
[0091]?試驗(yàn)循環(huán)之I
[0092]a.將IC封裝安裝于IC插座。
[0093]b.升溫至150°C為止
[0094]c.保持在150°C 24小時(shí)
[0095]d.降溫至室溫為止
[0096]e.從IC插座取下IC封裝。
[0097]f.計(jì)測(cè)探針接觸部的焊錫附著量。
[0098].試驗(yàn)條件之2
[0099]周?chē)鷾囟?室溫?180 °C
[0100]試驗(yàn)時(shí)間:24小時(shí)
[0101]?試驗(yàn)循環(huán)之2
[0102]a.將IC封裝安裝于IC插座。
[0103]b.升溫至180°C為止
[0104]c.保持在180°C 24小時(shí)
[0105]d.降溫至室溫為止
[0106]e.從IC插座取下IC封裝。
[0107]f.計(jì)測(cè)探針接觸部的焊錫附著量。
[0108](6)結(jié)果
[0109]進(jìn)行上述試驗(yàn)，進(jìn)行了各探針的接觸部的分析。
[0110]試驗(yàn)條件之I和試驗(yàn)循環(huán)之I (150°C X 24小時(shí))下進(jìn)行的試驗(yàn)中，得到如下結(jié)果:如圖4的(a)所示的Al部分那樣，現(xiàn)有的具有Pd-Ag合金鍍層的探針的焊錫附著量多；如圖4的(b)所示的BI部分那樣，本發(fā)明的實(shí)施方式I的具有Ag0.5 μ m/Pd0.5 μ m層疊鍍層的探針的焊錫附著量少。還得到如下結(jié)果:如圖4的(c)所示的Cl部分那樣，本發(fā)明的實(shí)施方式I的具有Agl.0 μ m/Pd0.5 μ m層疊鍍層的探針的焊錫附著量更少。
[0111]試驗(yàn)條件之2和試驗(yàn)循環(huán)之2 (180°C X 24小時(shí))下進(jìn)行的試驗(yàn)中，得到如下結(jié)果:如圖4的(d)所示的A2部分那樣，現(xiàn)有的具有Pd-Ag合金鍍層的探針的焊錫附著量多；如圖4的(e)所示的B2部分那樣，本發(fā)明的實(shí)施方式I的具有Ag0.5 μ m/Pd0.5 μ m層疊鍍層的探針的焊錫附著量少。還得到如下結(jié)果:如圖4的(f)所示的C2部分那樣，本發(fā)明的實(shí)施方式I的具有Agl.0 μ m/Pd0.5 μ m層疊鍍層的探針的焊錫附著量更少。
[0112]由此，得到如下結(jié)果:本發(fā)明的實(shí)施方式I的具有Ag/Pd層疊鍍層的探針與現(xiàn)有的具有Pd-Ag合金鍍層的探針相比較，可以說(shuō)150°C?180°C的溫度條件下，焊球與探針不易黏附。
[0113]接著，針對(duì)驗(yàn)證本發(fā)明效果的第2評(píng)價(jià)試驗(yàn)，使用圖5進(jìn)行說(shuō)明。
[0114]此處，對(duì)于具備在Pd鍍層即第I表層的外側(cè)層疊有Ag鍍層即第2表層的第2柱塞的本發(fā)明的實(shí)施方式I的探針與具備在外側(cè)具有Pd-Ag合金鍍層即表層的第2柱塞的現(xiàn)有的探針，實(shí)施數(shù)次高溫試驗(yàn)，對(duì)于IC封裝的焊球的焊錫成為合金而黏附在探針上的量相對(duì)于試驗(yàn)次數(shù)進(jìn)行比較。
[0115](I)試驗(yàn)內(nèi)容
[0116]使用前述的具有實(shí)施方式I的構(gòu)成(在Pd鍍層的第I表層的外側(cè)層疊有Ag鍍層的第2表層而成的構(gòu)成)的探針的IC插座、與具有對(duì)于該探針將層疊第2柱塞的第I表層和第2表層的構(gòu)成變更為Pd-Ag合金鍍層的單層的構(gòu)成的探針的IC插座，同時(shí)地進(jìn)行了數(shù)次高溫試驗(yàn)。
[0117]本試驗(yàn)中使用的探針和IC封裝的焊球制成如下的規(guī)格。
[0118](2)具有Ag/Pd層疊鍍層的探針(實(shí)施方式)的規(guī)格
[0119]基材使用Be-Cu。
[0120]探針的形狀如圖1所示的接觸部30a那樣，接觸部形成為大致王冠形狀。
[0121 ] 在該接觸部通過(guò)濕式鍍敷而形成以下那樣的層疊。
[0122]S卩，形成2?3 μ m的Ni鍍層，在其外側(cè)形成作為密合層的觸擊電鍍Au鍍層，進(jìn)而將由Pd鍛層形成的弟I表層0.5 μ m與由Ag鍛層形成的弟2表層0.5 μ m層置。
[0123](3)具有Ag-Pd合金鍍層的探針(現(xiàn)有例)的規(guī)格
[0124]基材使用Be-Cu。
[0125]探針的形狀如圖1所示的接觸部30a那樣，接觸部形成為大致王冠形狀。
[0126]在該接觸部通過(guò)濕式鍍敷而形成以下那樣的層。
[0127]S卩，形成2?3 μ m的Ni鍍層，在其外側(cè)形成作為密合層的觸擊電鍍Au鍍層，進(jìn)而,交互地層疊0.5μηι的Pd鍍層和0.5μηι的Ag鍍層，其后，使用恒溫槽以特定的溫度使Pd和Ag進(jìn)行熱擴(kuò)散,從而形成Ag-Pd合金層。
[0128](4) IC封裝的焊球規(guī)格
[0129]Sn-3Ag-0.5Cu
[0130](5)試驗(yàn)方法
[0131].焊錫附著量的測(cè)定法:使用KEYENCEC0RP0RAT10N制激光顯微鏡VK-9500進(jìn)行。
[0132]?試驗(yàn)條件
[0133]周?chē)鷾囟?室溫?150°C
[0134]試驗(yàn)時(shí)間:24小時(shí)(總計(jì)240小時(shí))
[0135]?試驗(yàn)循環(huán)
[0136]a.將IC封裝安裝于IC插座。
[0137]b.升溫至150°C為止
[0138]c.保持在150°C 24小時(shí)
[0139]d.降溫至室溫為止
[0140]e.從IC插座取下IC封裝。
[0141]f.計(jì)測(cè)探針接觸部的焊錫附著量。
[0142]g.重復(fù)a?f 10次
[0143](6)結(jié)果
[0144]進(jìn)行上述試驗(yàn)，進(jìn)行了各探針的接觸部的分析。
[0145]如圖5的(a)的Fl部分(高溫試驗(yàn)I次)、圖5的(b)的F2部分(高溫試驗(yàn)2次)、圖5的(c)的F3部分(高溫試驗(yàn)5次)、圖5的⑷的F4部分(高溫試驗(yàn)10次)所示，本發(fā)明的實(shí)施方式I的具有Ag/Pd層疊鍍層的探針得到如下結(jié)果:第I次高溫試驗(yàn)后的焊錫附著量少，之后，隨著試驗(yàn)次數(shù)增加，焊錫附著量逐漸地增加。與此相對(duì)，如圖5的(e)的Gl部分(高溫試驗(yàn)I次)、圖5的(f)的G2部分(高溫試驗(yàn)10次)所示，得到如下結(jié)果:現(xiàn)有的具有Pd-Ag合金鍍層的探針，在第I次高溫試驗(yàn)之后焊錫附著量馬上變多、且第I次與第10次焊錫附著量幾乎沒(méi)有差別。
[0146]由此，得到如下結(jié)果:本發(fā)明的實(shí)施方式I的具有Ag/Pd層疊鍍層的探針與現(xiàn)有的具有Pd-Ag合金鍍層的探針相比較，可以說(shuō)能夠抑制第I次試驗(yàn)中急劇地形成合金，結(jié)果焊球與探針不易黏附。
[0147]即，本發(fā)明的實(shí)施方式I中，如圖6的(a)所示，高溫試驗(yàn)前的探針14的狀態(tài)為:在焊球2a的Sn與第2柱塞30的第I表層33的Pd之間存在有第2表層34的Ag，所以I次高溫試驗(yàn)中沒(méi)有急劇地形成Sn合金，然而按照?qǐng)D6的(b)所示的高溫試驗(yàn)I次之后、圖6的(c)所示的高溫試驗(yàn)5次之后、圖6的⑷所示的高溫試驗(yàn)10次之后的順序逐漸地形成了 Ag-Sn合金和Sn-Pd合金。結(jié)果，焊球2a與探針14的第2柱塞30的黏附變難。
[0148]與此相對(duì)，現(xiàn)有的只具有Pd-Ag合金鍍層的表層的探針在125°C的高溫試驗(yàn)中沒(méi)有急劇地形成Sn-Pd-Ag合金,然而在150°C以上的高溫試驗(yàn)中急劇地形成了 Sn-Pd-Ag合金。即，由表示高溫試驗(yàn)前的探針的狀態(tài)的圖7的(a)、與表示在125°C下進(jìn)行了 I次高溫試驗(yàn)之后的探針的狀態(tài)的圖7的(b)可知，125°C的高溫試驗(yàn)中沒(méi)有急劇地進(jìn)行。另一方面，由表示高溫試驗(yàn)前的探針的狀態(tài)的圖8的(a)、與在150°C以上進(jìn)行了 I次高溫試驗(yàn)之后的探針的狀態(tài)的圖8的(b)可知，特別是150°C以上的高溫試驗(yàn)中，僅進(jìn)行了 I次試驗(yàn)就急劇地形成了 Sn-Pd-Ag合金。結(jié)果，焊球2a與探針14的第2柱塞30的黏附變?nèi)菀住?br> [0149]需要說(shuō)明的是，該實(shí)施方式I中，針對(duì)探針14的第2柱塞30的材料進(jìn)行了說(shuō)明，探針14的其它部位也可以用同樣的材料來(lái)構(gòu)成。
[0150][發(fā)明的實(shí)施方式2]
[0151]圖9?圖11表示本發(fā)明的實(shí)施方式2。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的實(shí)施方式2中，除了以下說(shuō)明的事項(xiàng)以外，與前述實(shí)施方式I相同，因此除了與前述實(shí)施方式I不同的事項(xiàng)以外，賦予相同的符號(hào)而省略說(shuō)明。
[0152]該實(shí)施方式2為將前述的實(shí)施方式I中的探針14的材料用于板彈簧形狀的觸針而成的，所述板彈簧形狀的觸針具有與焊錫鍍引線(xiàn)接觸的板狀的接觸部。
[0153]以下，對(duì)該實(shí)施方式2中的觸針的材料進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，此處，對(duì)與觸針的焊錫鍍引線(xiàn)接觸的板狀的接觸部的材料特別地進(jìn)行說(shuō)明。
[0154]該實(shí)施方式2的觸針的接觸部與圖3所示的第2柱塞30同樣地，為由基材31、基底層32、作為“第I層”的第I表層33、作為“第2層”的第2表層34層疊而成的結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，詳細(xì)的結(jié)構(gòu)等與前述的實(shí)施方式I同樣的，省略說(shuō)明。
[0155]接著，針對(duì)驗(yàn)證本發(fā)明效果的第3評(píng)價(jià)試驗(yàn)，使用圖9?圖11進(jìn)行說(shuō)明。
[0156]此處，對(duì)于具有在Pd鍍層即第I表層的外側(cè)層疊有Ag鍍層即第2表層的接觸部的本發(fā)明的實(shí)施方式2的觸針與具備在外側(cè)具有Pd-Ag合金鍍層即表層的接觸部的現(xiàn)有的觸針，對(duì)高溫試驗(yàn)后IC封裝的焊球的焊錫成為合金而黏附在探針上的量進(jìn)行了比較。
[0157](I)試驗(yàn)內(nèi)容
[0158]使用前述的具有實(shí)施方式2的構(gòu)成(在Pd鍍層的第I表層的外側(cè)層疊有Ag鍍層的第2表層而成的構(gòu)成)的觸針的IC插座兩種與具有對(duì)于該觸針將層疊接觸部的第I表層和第2表層的構(gòu)成變更為Pd-Ag合金鍍層的單層的構(gòu)成的觸針的IC插座一種，同時(shí)地進(jìn)行了高溫試驗(yàn)。
[0159]本試驗(yàn)中使用的探針和IC封裝的焊錫鍍引線(xiàn)制成如下的規(guī)格。
[0160](2)具有Ag/Pd層疊鍍層的觸針兩種(實(shí)施方式)的規(guī)格
[0161]兩者的基材均使用Be-Cu。
[0162]兩者的觸針的形狀均形成為板彈簧形狀，所述板彈簧形狀具有與焊錫鍍引線(xiàn)接觸的板狀的接觸部。
[0163]在該接觸部通過(guò)濕式鍍敷而形成以下那樣的層疊。
[0164]S卩，形成2?3 μ m的Ni鍍層，在其外側(cè)形成作為密合層的觸擊電鍍Au鍍層，進(jìn)而第一種為將由Pd鍍層形成的第I表層0.5 μ m與由Ag鍍層形成的第2表層0.3 μ m層疊而成的。另外，第二種為由Pd鍍層形成的第I表層0.5 μ m與由Ag鍍層形成的第2表層0.7 μ m層疊而成的。
[0165](3) 一種具有Ag-Pd合金鍍層的觸針I(yè) (現(xiàn)有例子)的規(guī)格
[0166]基材使用Be-Cu。
[0167]觸針的形狀均形成為板彈簧形狀，所述板彈簧形狀具有與焊錫鍍引線(xiàn)接觸的板狀的接觸部。
[0168]在該接觸部通過(guò)濕式鍍敷而形成以下那樣的層。
[0169]S卩，形成2?3 μ m的Ni鍍層，在其外側(cè)形成作為密合層的觸擊電鍍Au鍍層，進(jìn)而,交互地層疊0.5μηι的Pd鍍層和0.5μηι的Ag鍍層，其后，使用恒溫槽以特定的溫度使Pd和Ag進(jìn)行熱擴(kuò)散,從而形成Ag-Pd合金層。
[0170](4) IC封裝的焊錫鍍引線(xiàn)規(guī)格
[0171]純Sn 鍍層 10 μ m
[0172](5)試驗(yàn)方法
[0173].焊錫附著量的測(cè)定法:使用KEYENCEC0RP0RAT10N制激光顯微鏡VK-9500進(jìn)行。
[0174]?試驗(yàn)條件之I
[0175]周?chē)鷾囟?室溫?125°C
[0176]試驗(yàn)時(shí)間:24小時(shí)
[0177]?試驗(yàn)循環(huán)之I
[0178]a.將IC封裝安裝于IC插座。
[0179]b.升溫至125°C為止
[0180]c.保持在125°C 24小時(shí)
[0181]d.降溫至室溫為止
[0182]e.從IC插座取下IC封裝。
[0183]f.計(jì)測(cè)觸針接觸部的焊錫附著量。
[0184]?試驗(yàn)條件之2
[0185]周?chē)鷾囟?室溫?150°C
[0186]試驗(yàn)時(shí)間:24小時(shí)
[0187]?試驗(yàn)循環(huán)之2
[0188]a.將IC封裝安裝于IC插座。
[0189]b.升溫至150°C為止
[0190]c.保持在150°C 24小時(shí)
[0191]d.降溫至室溫為止
[0192]e.從IC插座取下IC封裝。
[0193]f.計(jì)測(cè)觸針接觸部的焊錫附著量。
[0194](6)結(jié)果
[0195]進(jìn)行上述試驗(yàn)，對(duì)各觸針的接觸部進(jìn)行了分析。
[0196]試驗(yàn)條件之I和試驗(yàn)循環(huán)之1(125°C X24小時(shí))下進(jìn)行的試驗(yàn)中，如圖9的(a)和圖9的(b)所示，現(xiàn)有的具有Pd-Ag合金鍍層的觸針和本發(fā)明的實(shí)施方式2的具有Ag0.3 μ m/Pd0.5 μ m層疊鍍層的觸針均沒(méi)有焊錫附著，沒(méi)有差別。
[0197]試驗(yàn)條件之2和試驗(yàn)循環(huán)之2(150°C X 24小時(shí))下進(jìn)行的試驗(yàn)中，得到如下結(jié)果:如圖9的(c)的H部分及將其放大的圖10的(a)?圖10的(c)所示，現(xiàn)有的具有Pd-Ag合金鍍層的觸針的焊錫附著量變多，如圖9的(d)所示，本發(fā)明的實(shí)施方式2的具有Ag0.3ym/Pd0.5μπι層疊鍍層的觸針的焊錫附著量少。另外，還得到如下結(jié)果:如圖9的(e)的I部分及將其放大的圖11的(a)?圖11的(c)所示，本發(fā)明的實(shí)施方式2的具有Ag0.7μπι/Pd0.5 μ m層疊鍍層的觸針的焊錫附著量更少。
[0198]由此，得到如下結(jié)果:本發(fā)明的實(shí)施方式2的具有Ag/Pd層疊鍍層的觸針與現(xiàn)有的具有Pd-Ag合金鍍層的觸針相比較，可以說(shuō)150°C以上的溫度條件下，焊球與觸針不易黏附。
[0199]需要說(shuō)明的是，該實(shí)施方式2中，對(duì)于觸針的與焊錫鍍引線(xiàn)接觸的接觸部的材料進(jìn)行說(shuō)明，但觸針的其他的部位也可以用同樣的材料來(lái)構(gòu)成。
[0200]另外，前述的實(shí)施方式1，2中，作為探針、觸針的材料，使用了構(gòu)成基材的材料、或使用了在基底層的外側(cè)以第I層和第2層作為表層而構(gòu)成第I表層及第2表層的材料，不限定于此?？梢岳?，沒(méi)有基底層，用在基材的外側(cè)形成了第I表層和第2表層的材料，該第I表層及第2表層具有如前述的實(shí)施方式1,2這樣的構(gòu)成。
[0201][發(fā)明的實(shí)施方式3]
[0202]圖12表示本發(fā)明的實(shí)施方式3。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的實(shí)施方式3中，除了以下說(shuō)明的事項(xiàng)以外，與前述實(shí)施方式1、2相同，因此除了與前述實(shí)施方式1、2不同的事項(xiàng)以外，賦予相同的符號(hào)而省略說(shuō)明。
[0203]該實(shí)施方式3，作為本發(fā)明的第I層，不是表層，使用金屬的基材，而是在該基材的表面形成作為第2層的表層。
[0204]以下，針對(duì)驗(yàn)證本發(fā)明效果的第4評(píng)價(jià)試驗(yàn)，使用圖12進(jìn)行說(shuō)明。
[0205]此處，對(duì)于具備在用Pd-Ag合金形成的基材的外側(cè)層疊有由Ag鍍層形成的表層的第2柱塞的本發(fā)明的實(shí)施方式3的探針與具備只由Pd-Ag合金基材形成的第2柱塞的現(xiàn)有的探針，對(duì)在高溫試驗(yàn)之后探針的第2柱塞的大致王冠形狀的接觸部凸出的邊緣部分黏附在IC封裝的焊球上而破損的量進(jìn)行了比較。
[0206](I)試驗(yàn)內(nèi)容
[0207]使用具有前述的構(gòu)成(在Pd-Ag合金的第I層(此處所述的基材)的外側(cè)層疊有Ag鍍層的第2層(此處所述的表層)而成的構(gòu)成)的探針的IC插座、與具有對(duì)于該探針只將第2柱塞的構(gòu)成變更為Pd-Ag合金的基材的構(gòu)成的探針的IC插座，同時(shí)地進(jìn)行了高溫試驗(yàn)。
[0208]本試驗(yàn)中使用的探針和IC封裝的焊球制成如下的規(guī)格。
[0209](2)具有Ag/Pd-Ag層疊結(jié)構(gòu)的探針(實(shí)施方式)的規(guī)格
[0210]基材使用Pd-Ag合金。
[0211]探針的形狀如圖1所示的接觸部30a那樣，接觸部形成為大致王冠形狀。
[0212]在該接觸部通過(guò)濕式鍍敷而形成以下那樣的層疊。
[0213]即，在基材的外側(cè)通過(guò)Ag鍍敷形成0.5 μ m的表層。
[0214](3)只有Pd-Ag合金基材的探針(現(xiàn)有的例子)的方式
[0215]基材使用Pd-Ag合金。
[0216]探針的形狀如圖1所示的接觸部30a那樣，接觸部形成為大致王冠形狀。
[0217](4) IC封裝的焊球規(guī)格
[0218]Sn-3Ag-0.5Cu
[0219](5)試驗(yàn)方法
[0220].焊錫附著量的測(cè)定法:使用KEYENCEC0RP0RAT10N制激光顯微鏡VK-9500進(jìn)行。
[0221]?試驗(yàn)條件
[0222]周?chē)鷾囟?室溫?125°C
[0223]試驗(yàn)時(shí)間:24小時(shí)
[0224].試驗(yàn)循環(huán)
[0225]a.將IC封裝安裝于IC插座。
[0226]b.升溫至125°C為止
[0227]c.保持在125°C 24小時(shí)
[0228]d.降溫至室溫為止
[0229]e.從IC插座取下IC封裝。
[0230]f.計(jì)測(cè)探針接觸部的邊緣部分破損的量
[0231](6)結(jié)果
[0232]進(jìn)行上述試驗(yàn)，進(jìn)行了各探針的接觸部的分析。
[0233]得到如下結(jié)果:如圖12的(a)的D部分所示，在現(xiàn)有的只有Pd-Ag合金基材的探針中，其邊緣部分的破損量多；如圖12的(b)的E部分所示，在本發(fā)明的實(shí)施方式3的具有Ag/Pd-Ag層疊結(jié)構(gòu)的探針中，其邊緣部分的破損量少。
[0234]由此得到如下結(jié)論:本發(fā)明的實(shí)施方式3的具有Ag/Pd-Ag層疊結(jié)構(gòu)的探針與現(xiàn)有的只由Pd-Ag合金基材的探針相比較，可以說(shuō)即便在低于150°C的125°C的溫度條件下，焊球與探針也難以黏附。
[0235]需要說(shuō)明的是，前述的實(shí)施方式I?3中，第2層(第2表層)為最表層，但不限定于此，只要不妨礙Sn以適當(dāng)?shù)乃俣热廴氩U(kuò)散等的、能夠保持本發(fā)明的效果的狀態(tài)，則也可以為在第2層的外側(cè)(表面?zhèn)?還具有表層的構(gòu)成。
[0236]另外，前述實(shí)施方式1、3中，將作為“電觸頭”的探針、觸針適用于IC插座，但不限定于此，也可以適用于其它產(chǎn)品。
[0237]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0238]I布線(xiàn)基板
[0239]Ia 電極
[0240]2 IC封裝(電氣部件)
[0241]2a焊球(端子)
[0242]10 IC插座(電氣部件用插座)
[0243]13插座主體
[0244]14探針(電觸頭)
[0245]15浮板(容納部)
[0246]20第I柱塞
[0247]30第2柱塞
[0248]30a接觸部
[0249]31 基材
[0250]32基底層
[0251]33第I表層(第I層)
[0252]34第2表層(第2層)
[0253]40筒狀部件
[0254]50螺旋彈簧
【權(quán)利要求】
1.一種電觸頭，其特征在于，其具有: 通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的第I層，和 形成于該第I層的外側(cè)的、通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的速度慢于所述第I層的第2層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電觸頭，其特征在于， 該電觸頭還具備:具有導(dǎo)電性的基材、和形成于該基材的外側(cè)的以Ni作為主要成分的基底層， 在該基底層的外側(cè)形成有所述第I層，并且 在該第I層的外側(cè)形成有所述第2層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電觸頭，其特征在于， 該電觸頭具備作為所述第I層的基材， 在該基材的外側(cè)形成有所述第2層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的電觸頭，其特征在于，所述第2層為Ag層或含Ag合金層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的電觸頭,其特征在于， 所述第2層為Ag鍍層或Ag合金鍍層， 所述Ag合金鍍層包含Ag、和重量比小于該Ag的重量比的Au、Cu、Pd或Sn。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的電觸頭，其特征在于，所述第I層為Pd層或PdI=Iο
7.根據(jù)權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的電觸頭，其特征在于， 所述第I層為Pd鍍層或Pd合金鍍層， 所述Pd合金鍍層包含Pd、和重量比小于該P(yáng)d的重量比的Ag、Au、Cu或Sn。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的電觸頭，其特征在于，所述第I層為厚度0.1 μ m以上且5 μ m以下的Pd層，并且，所述第2層為厚度0.1 μ m以上且20 μ m以下的Ag層。
9.一種電氣部件用插座，其特征在于， 其具備:插座主體；容納部，其用于容納電氣部件，所述電氣部件具備包含Sn的端子；以及電觸頭，其配置于所述插座主體，用于與所述端子接觸； 在所述電觸頭的表面形成有: 通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的第I層，和 形成于該第I層的外側(cè)的、通過(guò)施加熱而使Sn熔入并擴(kuò)散的速度慢于所述第I層的第2層。
【文檔編號(hào)】G01R1/067GK104364660SQ201380029941
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2013年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月6日
【發(fā)明者】小田享弘 申請(qǐng)人:恩普樂(lè)股份有限公司