一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置及測量方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置及測量方法。測量裝置主要由轉(zhuǎn)動平臺、樣品臺、加熱裝置、法拉第筒、電流放大器及收集極等組成。法拉第筒內(nèi)壁鍍有一層碳，與偏壓裝置及電流放大裝置相連，用于測量入射一次電流。收集極為平板結(jié)構(gòu)，上表面涂有一層熒光粉，方便調(diào)節(jié)和聚焦電子束光斑；下表面鍍有一層碳，抑制在收集過程中電子倍增現(xiàn)象的發(fā)生。收集極與偏壓裝置及電流放大裝置相連，用以測量材料表面發(fā)射的二次電子流。通過轉(zhuǎn)動裝置可以實現(xiàn)多塊樣品的同時測量，節(jié)省了測量時間。加熱裝置及溫度控制裝置可以將樣品溫度精確控制在30～300℃范圍，用以研究溫度對二次電子發(fā)射系數(shù)的影響。本發(fā)明為測量二次電子發(fā)射系數(shù)提供了一種新的電子收集裝置，實現(xiàn)不同溫度下二次電子發(fā)射系數(shù)的測量。
【專利說明】一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置及測量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于固體材料二次電子發(fā)射系數(shù)測量【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置及測量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]入射電子轟擊固體表面使得固體中發(fā)射出電子的現(xiàn)象稱為二次電子發(fā)射。將出射電子的數(shù)目與入射電子數(shù)目的比值稱為二次電子發(fā)射系數(shù)S，其決定靜電流流出還是流入固體表面。二次電子發(fā)射系數(shù)S與材料性質(zhì)及其表面狀態(tài)(材料溫度、表面粗糙度等)有關(guān)，不同材料的二次電子發(fā)射系數(shù)δ差異很大。二次電子發(fā)射系數(shù)δ是關(guān)于入射電子能量及角度的函數(shù)，隨著入射能量的增加，δ先增加后減小，角度不同δ也不相同。δ>1說明相對于入射電子有更多的電子從固體發(fā)射出來，因而會出現(xiàn)次級電子倍增現(xiàn)象，絕緣材料表面會帶同正電荷；δ〈I表明出射電子數(shù)目小于入射電子，絕緣材料表面帶負電荷。二次電子發(fā)射系數(shù)測量由一次電子流Ip和二次電子流Is獲得，根據(jù)計算公式S=Is/Ip得到該入射電子能量下的發(fā)射系數(shù)。改變不同的電子入射能量，從而獲得材料的二次電子發(fā)射系數(shù)曲線。
[0003]二次電子倍增效應是導致材料沿面閃絡及表面帶電等現(xiàn)象的關(guān)鍵因素，精確測量二次電子發(fā)射系數(shù)就顯得尤為重要。此外，在等離子體物理、掃描電鏡以及空間材料等領(lǐng)域，二次電子發(fā)射系數(shù)也是表征材料介電性能的重要參數(shù)。金屬材料的二次電子發(fā)射系數(shù)因其自身的導電性測量相對比較容易，介質(zhì)材料在電子轟擊之后會表面帶電，給測量帶來困難。近年來，二次電子發(fā)射系數(shù)的精確測量已經(jīng)成為國內(nèi)外電氣絕緣及材料領(lǐng)域的研究執(zhí)占。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明解決的問題在于提供一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置及測量方法，用于實現(xiàn)測量金屬以及介質(zhì)材料的二次電子發(fā)射系數(shù)曲線。
[0005]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0006]一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，包括在真空室內(nèi)平行布置的樣品臺和收集極，收集極上開設有束斑小孔，電子槍發(fā)射穿過束斑小孔的電子束；樣品臺的下端設有與轉(zhuǎn)動軸相連接的轉(zhuǎn)動平臺，樣品臺上設有多個樣品放置位，法拉第筒設置在轉(zhuǎn)動平臺上，樣品臺的樣品放置位、法拉第筒通過轉(zhuǎn)動平臺的轉(zhuǎn)動交替位于束斑小孔的下方；收集極、法拉第筒分別與真空室外的電流檢測裝置相連接。
[0007]所述的法拉第筒通過法拉第筒偏壓裝置與電流放大器相連接，輸出一次電流Ip ；
[0008]收集極通過收集極偏壓裝置與電流放大器相連接，輸出二次電流Is ；
[0009]電流放大器與電流顯示/數(shù)據(jù)采集處理裝置相連接。
[0010]所述的收集極的上表面涂有熒光粉，熒光粉在受到電子轟擊后會發(fā)光，通過是否有熒光粉發(fā)光判別電子束是否垂直入射進入束斑小孔；收集極的下表面鍍碳；[0011]所述的束斑小孔的孔軸線與電子槍的入射方向一致；
[0012]所述的收集極偏壓裝置為+10?100V的正偏壓裝置，進而收集極可有效收集其表面產(chǎn)生的二次電子。
[0013]所述的法拉第筒的端口與樣品臺上的樣品處于同一水平高度，其內(nèi)壁鍍碳，徑向比為1:3?5 ;
[0014]所述的法拉第筒偏壓裝置為+10?100V的正偏壓裝置，進而法拉第筒可有效收集入射電子；法拉第筒偏壓裝置與收集極偏壓裝置的結(jié)構(gòu)相同。
[0015]所述的電子槍的能量范圍為10?lOkeV，輸出電流大小為nA量級；
[0016]電子槍具有直流和脈沖兩種工作模式，測量金屬材料時電子槍工作在直流模式，測量絕緣材料時電子槍工作在脈沖模式，脈寬為IOns?1ms。
[0017]所述的樣品臺與轉(zhuǎn)動平臺之間還設有加熱樣品的加熱裝置，加熱溫度范圍為30?300°C，用以測量不同溫度下的二次電子發(fā)射系數(shù)。
[0018]所述的轉(zhuǎn)動平臺為平面圓盤結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)動軸上設置的刻度對應樣品的測量位置，當轉(zhuǎn)動軸旋轉(zhuǎn)α角度時，實現(xiàn)樣品之間或樣品與法拉第筒的轉(zhuǎn)換，當轉(zhuǎn)動軸旋轉(zhuǎn)O?α之間的角度，測量一塊樣品上不同點處的二次電子發(fā)射系數(shù)。
[0019]所述的真空室測量時保持在10_3Pa的真空度，極限真空度為10_5Pa ；
[0020]所述的電流放大器實現(xiàn)nA量級電流的測量和信號轉(zhuǎn)換，電流放大器輸出的信號在電流顯示/數(shù)據(jù)采集處理裝置上顯示。
[0021]一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的測量方法，包括以下操作:
[0022]I)打開抽真空設備，待真空室保持在KT3Pa的真空度，將電子槍入射能量調(diào)節(jié)到設定值，先將電子槍設定在直流工作模式下，通過觀察熒光粉受到電子轟擊后所發(fā)光斑的位置和大小，調(diào)節(jié)電子槍參數(shù)，使得入射電子束垂直入射進入束斑小孔；然后將電子槍工作在脈沖模式下，打開法拉第筒偏壓裝置和收集極偏壓裝置；
[0023]2)利用轉(zhuǎn)動軸將法拉第筒轉(zhuǎn)至電子槍下面，電子槍在單次脈沖模式下，法拉第筒收集到一次電流，電流顯示/ 二次電子發(fā)射系數(shù)裝置顯示一次電流波形，記錄入射電子流；
[0024]3)利用轉(zhuǎn)動軸將樣品臺上的樣品轉(zhuǎn)至電子槍下面，單次脈沖觸發(fā)電子槍，收集極2獲得二次電流，并在電流顯示/ 二次電子發(fā)射系數(shù)裝置得到二次電流波形，記錄峰值電流；
[0025]4)利用轉(zhuǎn)動軸將第二塊樣品轉(zhuǎn)至電子槍下面，重復步驟3)的操作，直至到所有的樣品測試結(jié)束，得到各自的二次電流；該入射電子能量下所有樣品的二次電子發(fā)射系數(shù)通過計算可得到。
[0026]所述的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的測量方法，還包括以下操作:
[0027]5)改變電子槍的入射電子能量，重復步驟2)至4)的過程，得到樣品在不同入射電子能量下的二次電子發(fā)射系數(shù)曲線；
[0028]6)打開加熱裝置，將樣品溫度設定在設定值，待溫度恒定之后進行步驟2)至4)操作，即可獲得不同溫度下的二次電子發(fā)射系數(shù)。
[0029]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果:
[0030]本發(fā)明提供的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置及測量方法，采用平板收集極結(jié)構(gòu)，通過施加正偏壓，可以使收集極有效收集二次電子。收集極上表面涂有熒光粉，根據(jù)電子束在熒光粉上的光斑調(diào)節(jié)電子槍入射位置，使得入射電子束垂直入射進入小孔，電子槍的調(diào)節(jié)更加方便和直觀。收集極下表面鍍碳，防止收集到的二次電子打到收集極下表面從而再次產(chǎn)生二次電子，影響測量結(jié)果。
[0031]本發(fā)明提供的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置及測量方法，采用“高精度轉(zhuǎn)動平臺-多樣品”的設計結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)多塊樣品測量，節(jié)省更換樣品的時間，提高了測量的效率。通過轉(zhuǎn)動裝置，可以測量樣品不同點處的二次電子發(fā)射系數(shù)，避免同一點被入射電子轟擊兩次，克服電子轟擊后樣品表面帶電給測量結(jié)果帶來的誤差。
[0032]本發(fā)明提供的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置及測量方法，樣品臺的加熱裝置能夠精確控制樣品的溫度，用以研究溫度對二次電子發(fā)射系數(shù)的影響。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為本發(fā)明的測量裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]其中，I為電子槍；2為收集極；3為束斑小孔；4為樣品臺；5為加熱裝置；6為法拉第筒；7為轉(zhuǎn)動平臺；8為轉(zhuǎn)動軸；9為真空室；10為法拉第筒偏壓裝置；11為收集極偏壓裝置；12為電流放大器；13為電流顯示/數(shù)據(jù)采集處理裝置。
[0035]圖2為根據(jù)本裝置在室溫(20°C)獲得的氧化鋁樣品的二次電子發(fā)射系數(shù)測量結(jié)果。橫坐標為入射電子能量，縱坐標為二次電子發(fā)射系數(shù)(SEE)。【具體實施方式】
[0036]下面結(jié)合具體的實例對本發(fā)明做進一步的詳細說明，所述是對本發(fā)明的解釋而不是限定。
[0037]參見圖1，一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，包括在真空室9內(nèi)平行設置的樣品臺4和收集極2，收集極2上開設有束斑小孔3，電子槍I發(fā)射穿過束斑小孔3的電子束；樣品臺4的下端設有與轉(zhuǎn)動軸8相連接的轉(zhuǎn)動平臺7，樣品臺4上設有多個樣品放置位，法拉第筒6設置在轉(zhuǎn)動平臺7上，樣品臺4的樣品放置位、法拉第筒6通過轉(zhuǎn)動平臺7的轉(zhuǎn)動交替位于束斑小孔3的下方；收集極2、法拉第筒6分別與真空室9外的電流檢測裝置相連接。
[0038]進一步的，測量裝置主要由轉(zhuǎn)動平臺7、樣品臺4、加熱裝置5、法拉第筒6、電流放大器12及收集極2等組成。法拉第筒2與偏壓裝置10及電流放大裝置12相連，利用轉(zhuǎn)動平臺7，法拉第筒轉(zhuǎn)至電子槍I下面測量一次電流(入射電流)。法拉第筒I內(nèi)壁鍍有一層碳，端口與樣品臺4處于同樣的高度。樣品臺4可以一次放置5塊樣品，通過轉(zhuǎn)動裝置，每次測量時將樣品精確地轉(zhuǎn)至電子槍I下面。收集極2為平板圓形結(jié)構(gòu)，極板材料為不銹鋼。收集極2上表面涂有一層熒光粉，方便調(diào)節(jié)和聚焦電子束光斑；下表面鍍碳，抑制在收集過程中電子倍增現(xiàn)象的發(fā)生。收集極2與偏壓裝置11相聯(lián)，用以測量材料表面發(fā)射的二次電子流，經(jīng)過電流放大器12與電流顯示/數(shù)據(jù)采集處理裝置13連接。收集極中間有自上而下貫穿的束斑小孔3，其作用是限制入射電子光斑，孔軸線與電子槍入射方向一致。利用加熱裝置5對待測試品進行加熱，溫度控制裝置可以實現(xiàn)對樣品溫度的精確控制，溫度控制范圍30?300°C，精度為±0.5°C。
[0039]具體的，電子槍1、收集極2、束斑小孔3、樣品4、加熱裝置5、法拉第筒6、轉(zhuǎn)動平臺7和轉(zhuǎn)動軸8均在真空室9中；法拉第筒偏壓裝置10和收集極偏壓裝置11，電流放大器12和電流顯示/數(shù)據(jù)采集處理裝置13位于真空室9外。
[0040]裝置所用電子槍I的能量范圍為10?IOkeV,輸出電流大小為nA量級。電子槍I具有直流和脈沖兩種工作模式，脈沖模式下脈寬為IOns~1ms。對于金屬材料，測量時電子槍I工作在直流模式，測量絕緣材料采用脈沖方式。
[0041]收集極2為不銹鋼圓形平板結(jié)構(gòu)，直徑為Φ40.ι，厚度為2mm。收集極中間有自上而下貫穿的束斑小孔3，直徑為Φ2_。收集極上表面涂有熒光粉，熒光粉在受到電子轟擊后會發(fā)光，以此判別電子束是否垂直入射進入小孔3。下表面鍍碳，防止收集到的二次電子打到收集極2下表面從而再次產(chǎn)生二次電子，影響測量結(jié)果。收集極2與收集極偏壓裝置11相連接，收集極偏壓裝置11是由干電池組成的正偏壓裝置，電壓設定為+10~100V (t匕如設定為+50V)。由于正偏壓的存在，收集極能夠有效地收集材料表面產(chǎn)生的二次電子。
[0042]樣品臺4為圓柱形結(jié)構(gòu),直徑小于Φ 25mm,厚度為1mm。收集極2與樣品之間的距離保持為5_。樣品臺可以放置5塊樣品，其中一個樣品臺底部有加熱裝置5，為樣品加熱，溫度范圍為30~300°C，溫控裝置的精度為±0.5°C。
[0043]法拉第筒6內(nèi)徑為Φ6ι?πι,徑向比1:3~5,其內(nèi)壁鍍碳,抑制二次電子倍增。法拉第筒6與正偏壓裝置10相連，電壓設定為+10~100V (比如設定為+50V)，法拉第筒偏壓裝置10與偏壓裝置11結(jié)構(gòu)完全相同。由于正偏壓的作用，電子更易被法拉第筒6收集到，測量結(jié)果更加準確。法拉第筒6端口和樣品4處于同一水平高度。
[0044]轉(zhuǎn)動平臺7為平面圓盤結(jié)構(gòu)，與轉(zhuǎn)動抽8相連，轉(zhuǎn)動軸8上的刻度對應樣品的測量位置，當轉(zhuǎn)動軸旋轉(zhuǎn)α角度(比如60° )，可以實現(xiàn)一個樣品與另一個樣品或者法拉第筒的轉(zhuǎn)換。當轉(zhuǎn)動軸旋轉(zhuǎn)O~α (比如O~60。)角度，可以測量一塊樣品上不同點處的二次電子發(fā)射系數(shù)，避免同一點被入射電子轟擊兩次，避免電子轟擊后樣品表面帶電給測量結(jié)果帶來的誤差。
[0045]真空室9為圓柱形結(jié)構(gòu)，直徑Φ 400mm，高度為400mm，測量時保持在10_3Pa的真空度，極限真空度為10_5Pa。
[0046]電流放大器12實現(xiàn)nA`量級電流的測量和信號轉(zhuǎn)換。電流放大器12輸出的信號可以在示波器上顯示，或者數(shù)據(jù)采集處理裝置根據(jù)計算公式S=Is/Ip來進行二次電子發(fā)射系數(shù)的運算，Is是二次電流，Ip為一次電流。
[0047]以測量絕緣材料的二次電子發(fā)射系數(shù)為例，具體的測量過程說明如下:
[0048](I)將5塊樣品放直在樣品臺4上,打開抽真空設備，待真空室9保持在10 3Pa的真空度。打開加熱裝置5，將樣品溫度設定在實驗所需值。將電子槍I入射能量調(diào)節(jié)到實驗所需值，首先將電子槍I設定在直流工作模式下，通過觀察熒光粉上光斑的位置和大小，調(diào)節(jié)電子槍參數(shù)，使得入射電子束垂直入射進入小孔。然后，將電子槍I工作在脈沖方式，打開法拉第筒偏壓裝置10和收集極偏壓裝置11。
[0049](2)利用轉(zhuǎn)動軸8將法拉第筒6轉(zhuǎn)至電子槍下面。電子槍在單次脈沖模式下，法拉第筒6收集到一次電流，示波器顯示一次電流波形，記錄入射電子流Ipl。
[0050](3)利用轉(zhuǎn)動軸8將樣品4轉(zhuǎn)至電子槍下面。電子槍在單次脈沖模式下，收集極2獲得二次電流，并在示波器得到二次電流波形，記錄峰值電流Isl-P
[0051](4)利用轉(zhuǎn)動軸8將第二塊樣品轉(zhuǎn)至電子槍下面。重復上述(3)操作，直至到所有的樣品測試結(jié)束，得到Isl-2，…，Isl-5。
[0052]該入射電子能量下所有樣品的二次電子發(fā)射系數(shù)經(jīng)數(shù)據(jù)采集處理裝置通過計算公式S=Is/Ip得到。[0053](5 )改變電子槍I的陽極電壓，即改變?nèi)肷潆娮幽芰?，重復上?3 )至(4 )過程，得到5塊樣品在不同入射電子能量下的二次電子發(fā)射系數(shù)曲線。
[0054](6)如需測量不同溫度下的二次電子發(fā)射系數(shù)，通過加熱裝置5，將樣品溫度設定在所需值，待溫度恒定之后進行上述(2)- (5)操作。測量結(jié)束。
[0055]按照所述方法，在室溫(20°C)獲得的氧化鋁樣品的二次電子發(fā)射系數(shù)測量結(jié)果如圖2所示，其中橫坐標為入射電子能量，縱坐標為二次電子發(fā)射系數(shù)(SEE)。
【權(quán)利要求】
1.一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，其特征在于，包括在真空室(9)內(nèi)平行布置的樣品臺(4)和收集極(2)，收集極(2)上開設有束斑小孔(3)，電子槍(I)發(fā)射穿過束斑小孔(3)的電子束；樣品臺(4)的下端設有與轉(zhuǎn)動軸(8)相連接的轉(zhuǎn)動平臺(7)，樣品臺(4)上設有多個樣品放置位，法拉第筒(6)設置在轉(zhuǎn)動平臺(7)上，樣品臺(4)的樣品放置位、法拉第筒(6)通過轉(zhuǎn)動平臺(7)的轉(zhuǎn)動交替位于束斑小孔(3)的下方；收集極(2)、法拉第筒(6)分別與真空室(9)外的電流檢測裝置相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，其特征在于，所述的法拉第筒(6)通過法拉第筒偏壓裝置(10)與電流放大器(12)相連接，輸出一次電流Ip ; 收集極(2)通過收集極偏壓裝置(11)與電流放大器(12)相連接，輸出二次電流Is ； 電流放大器(12 )與電流顯示/數(shù)據(jù)采集處理裝置(13 )相連接。
3.如權(quán)利要求2所述的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，其特征在于，所述的收集極(2)的上表面涂有熒光粉，熒光粉在受到電子轟擊后會發(fā)光，通過熒光粉發(fā)光情況判別電子束是否垂直入射進入束斑小孔(3);收集極(2)的下表面鍍碳； 所述的束斑小孔(3)的孔軸線與電子槍的入射方向一致； 所述的收集極偏壓裝置(11)為+10~100V的正偏壓裝置，進而收集極(2)可有效收集其表面產(chǎn)生的二次電子。
4.如權(quán)利要求2或3所述的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，其特征在于，所述的法拉第筒(6)的端口與樣品臺(4)上的樣品處于同一水平高度，其內(nèi)壁鍍碳，徑向比為1:3 ~5 ; 所述的法拉第筒偏壓裝置(10)為+10~100V的正偏壓裝置，進而法拉第筒(6)可有效收集一次電子；法拉第筒偏壓裝置(10)與收集極偏壓裝置(11)的結(jié)構(gòu)相同。
5.如權(quán)利要求1所述的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，其特征在于，所述的電子槍(I)的能量范圍為10~lOkeV，輸出電流大小為nA量級； 電子槍(I)具有直流和脈沖兩種工作模式，測量金屬材料時電子槍(I)工作在直流模式，測量絕緣材料時電子槍(I)工作在脈沖模式，脈寬為IOns~1ms。
6.如權(quán)利要求1所述的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，其特征在于，所述的轉(zhuǎn)動平臺(7)內(nèi)或者樣品臺(4)與轉(zhuǎn)動平臺(7)之間還設有加熱樣品的加熱裝置(5)，加熱溫度范圍為30~300°C，用以測量不同溫度下的二次電子發(fā)射系數(shù)。
7.如權(quán)利要求1所述的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，其特征在于，所述的轉(zhuǎn)動平臺(7)為平面圓盤結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)動軸(8)上設置的刻度對應樣品的測量位置，當轉(zhuǎn)動軸(8)旋轉(zhuǎn)α角度時，實現(xiàn)樣品之間或樣品與法拉第筒(6)的轉(zhuǎn)換，當轉(zhuǎn)動軸旋轉(zhuǎn)O~α之間的角度，測量一塊樣品上不同點處的二次電子發(fā)射系數(shù)。
8.如權(quán)利要求1所述的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的平板型收集裝置，其特征在于，所述的真空室(9)測量時保持在10_3Pa的真空度，極限真空度為10_5Pa ； 所述的電流放大器(12)實現(xiàn)nA量級電流的測量和信號轉(zhuǎn)換，電流放大器(12)輸出的信號在電流顯示/數(shù)據(jù)采集處理裝置(13)上顯示。
9.一種測量二次電子發(fā)射系數(shù)的測量方法，其特征在于，包括以下操作: O打開抽真空設備，待真空室保持在KT3Pa的真空度，將電子槍入射能量調(diào)節(jié)到設定值，先將電子槍設定在直流工作模式下，通過觀察熒光粉受到電子轟擊后所發(fā)光斑的位置和大小，調(diào)節(jié)電子槍參數(shù)，使得入射電子束垂直入射進入束斑小孔；然后將電子槍工作在脈沖模式下，打開法拉第筒偏壓裝置和收集極偏壓裝置； 2)利用轉(zhuǎn)動軸將法拉第筒轉(zhuǎn)至電子槍下面，電子槍在單次脈沖模式下，法拉第筒收集到一次電流，電流顯示/ 二次電子發(fā)射系數(shù)裝置顯示一次電流波形，記錄一次電子流； 3)利用轉(zhuǎn)動軸將樣品臺上的樣品轉(zhuǎn)至電子槍下面，單次脈沖觸發(fā)電子槍，收集極獲得二次電流，并在電流顯示/ 二次電子發(fā)射系數(shù)裝置得到二次電流波形，記錄峰值電流； 4)利用轉(zhuǎn)動軸將第二塊樣品轉(zhuǎn)至電子槍下面，重復步驟3)的操作，直至到所有的樣品測試結(jié)束，得到各自的二次電流；該入射電子能量下所有樣品的二次電子發(fā)射系數(shù)通過計算可得到。
10.如權(quán)利要求9所述的測量二次電子發(fā)射系數(shù)的測量方法，其特征在于，還包括以下操作: 5)改變電子槍的入射電子能量，重復步驟2)至4)的過程，得到樣品在不同入射電子能量下的二次電子發(fā)射系數(shù)曲線； 6)打開加熱裝置，將樣品溫度加熱至設定值，待溫度恒定之后進行步驟2)至4)操作，即可獲得不同溫度下的二次電子發(fā) 射系數(shù)。
【文檔編號】G01N23/22GK103776858SQ201410023001
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月17日
【發(fā)明者】張冠軍, 宋佰鵬, 穆海寶, 鄧軍波, 申文偉, 卜忍安 申請人:西安交通大學