光譜ct的檢測(cè)器陣列的制作方法
【專利摘要】一種輻射檢測(cè)器（24），包括上部閃爍體（30T）的二維陣列，其設(shè)置在面對(duì)x射線源的位置來接收輻射，將低能量輻射轉(zhuǎn)換成可見光并透射高能量輻射。下部閃爍體（30B）的二維陣列，其設(shè)置在與上部閃爍體（30T）相鄰并距離x射線源（14）較遠(yuǎn)的位置來將透射的高能量輻射轉(zhuǎn)換成可見光。上部和下部光電檢測(cè)器（38T、38B）光學(xué)耦合至位于閃爍體（30T、30B）內(nèi)側(cè)（60）上的各個(gè)上部和下部閃爍體（30T、30B）。光學(xué)元件（100）光學(xué)耦合至上部閃爍體（30T），來收集和引導(dǎo)從上部閃爍體（30T）發(fā)出的光進(jìn)入相應(yīng)的上部光電檢測(cè)器（38T）。
【專利說明】光譜CT的檢測(cè)器陣列
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種成像系統(tǒng)的應(yīng)用。本發(fā)明的主題涉及光譜計(jì)算機(jī)斷層造影(CT)掃描儀的特殊應(yīng)用，將在下文中詳細(xì)進(jìn)行描述。然而，本發(fā)明還涉及其與DF和RF成像、X射線熒光檢查法、X光照相術(shù)和其它成像系統(tǒng)組合用于醫(yī)學(xué)和非醫(yī)學(xué)檢查的用途。
【背景技術(shù)】
[0002]計(jì)算機(jī)斷層造影(CT)成像通常采用一個(gè)X射線源，其產(chǎn)生橫穿過檢查區(qū)域的X射線的扇形射束、楔形射束或錐形射束。安排在檢查區(qū)域中的對(duì)象與橫穿的X射線相互影響并吸收一部分的X射線。在X射線源對(duì)面設(shè)置了包括檢測(cè)器元件陣列的二維輻射檢測(cè)器。輻射檢測(cè)器包括測(cè)定傳輸?shù)腦射線的強(qiáng)度的閃爍體層和下層的光電檢測(cè)層。在雙能CT系統(tǒng)中，閃爍晶體分別粘附在兩個(gè)光電倍增管上，例如，氟化鈣(CaF)和碘化鈉(Nal)。兩種閃爍體可以并排設(shè)置，或者，如US4247774中所示的，閃爍體可局部交迭成形，使得一部分x射線通過兩種閃爍體。較低能量的X射線被上層CaF閃爍體吸收并在其中引起閃爍，而較高能量的X射線穿過NaI閃爍體并在其中閃爍。這種閃爍升高了相應(yīng)光電倍增管中的電流。
[0003]通常，X射線源和輻射檢測(cè)器安裝在旋轉(zhuǎn)托臺(tái)的相對(duì)兩側(cè)上，由此旋轉(zhuǎn)該托臺(tái)可獲得對(duì)象的一定角度范圍的投影視圖。在一些結(jié)構(gòu)中，X射線源安裝在旋轉(zhuǎn)托臺(tái)上，而輻射檢測(cè)器安裝在固定托臺(tái)上。在另一種結(jié)構(gòu)中，投影視圖利用過濾后的背面投影或其它重建方法根據(jù)電信號(hào)進(jìn)行重建，產(chǎn)生對(duì)象或其選定區(qū)域的三維圖像顯示。
[0004]在雙能CT系統(tǒng)中，可連續(xù)收集與較高和較低能量X射線相對(duì)應(yīng)的電信號(hào)并重建成自然對(duì)齊的單獨(dú)圖像。雙重能量切片數(shù)據(jù)還可用來產(chǎn)生射束硬化校正。
[0005]一些當(dāng)前使用的CT檢測(cè)器采用的是氧硫化釓(GOS)層。在光譜CT檢測(cè)器中，感應(yīng)低能X射線的上層通常構(gòu)建來吸收大量能量低于50keV的X射線光子，而將讓能量高于90keV的大量X射線光子通過。這些標(biāo)準(zhǔn)需要上層GOS薄于大約0.1mm才能符合。通常，每個(gè)光電檢測(cè)器的活性區(qū)域與相應(yīng)的閃爍體層的厚度相匹配。因?yàn)楣怆姍z測(cè)器的光收集效率與光電檢測(cè)器的活性區(qū)域直接成比例，光電檢測(cè)器的0.1mm高的活性區(qū)域?qū)a(chǎn)生不恰當(dāng)?shù)牡偷墓馐占省?br> [0006]本發(fā)明提出一種克服了上述問題以及其它問題的改進(jìn)的方法和設(shè)備。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]依據(jù)本發(fā)明的一方面，公開了一種輻射檢測(cè)器。在面對(duì)X射線源的地方設(shè)置了上部閃爍體來接受輻射，將低能輻射轉(zhuǎn)換成光并透射高能輻射。第一光電檢測(cè)器與上部閃爍體光學(xué)耦合來接受上部閃爍體發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。一個(gè)光學(xué)元件與上部閃爍體和第一光電檢測(cè)器光學(xué)耦合，以收集從上部閃爍體發(fā)出的光并將其導(dǎo)入第一光電檢測(cè)器中。在與上部閃爍體相鄰并遠(yuǎn)離X射線源的地方設(shè)置了下部閃爍體來將從上部閃爍體透射的高能輻射轉(zhuǎn)換成光。第二光電檢測(cè)器與下部閃爍體光學(xué)耦合，以接受下部閃爍體發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。[0008]依據(jù)本發(fā)明的另一方面，公開了一種制備輻射檢測(cè)器的方法。在上部和下部光電檢測(cè)器的光敏表面上構(gòu)造上部和下部閃爍體。一個(gè)光學(xué)元件與上部閃爍體耦合。該光學(xué)元件和上部閃爍體與上部光電檢測(cè)器光學(xué)稱合。下部閃爍體與下部光電檢測(cè)器光學(xué)I禹合。
[0009]本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是提供了節(jié)約成本的輻射檢測(cè)器。
[0010]另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是提供了高光學(xué)檢測(cè)效率的光譜CT。
[0011]另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是提供了一種X射線檢測(cè)器，其X射線光譜響應(yīng)基本不根據(jù)溫度發(fā)生變化。
[0012]另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是實(shí)質(zhì)改善了薄的閃爍體的光收集效率。
[0013]許多其它的優(yōu)勢(shì)和益處在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了以下優(yōu)選的實(shí)施例的詳細(xì)說明后將成為顯而易見的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]本發(fā)明具體化為多個(gè)部件和部件的排列，以及多個(gè)處理操作和處理操作的排列。附圖僅僅是出于圖解優(yōu)選實(shí)施例的目的，而不用來限制本發(fā)明。
[0015]圖1是一種成像系統(tǒng)的示意性圖解。
[0016]圖2是示意性圖解了輻射檢測(cè)器的一部分。
[0017]圖3示意性圖解了輻射檢測(cè)器的一部分的頂視圖。
[0018]圖4示意性圖解了輻射檢測(cè)器的替換實(shí)施例的一部分。
[0019]圖5示意性圖解了包括了多層閃爍體的輻射檢測(cè)器的一部分。
[0020]圖6A示意性圖解了具有柵格的輻射檢測(cè)器的側(cè)視圖。
[0021]圖6B示意性圖解了柵格的頂視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]參看圖1，計(jì)算機(jī)斷層造影(CT)成像設(shè)備或CT掃描器10包括托臺(tái)12。x射線源14和源準(zhǔn)直儀16配合產(chǎn)生導(dǎo)入檢查區(qū)域18的扇形、錐形、楔形或其它形狀的X射線射束，該區(qū)域包含諸如安排在對(duì)象平臺(tái)20上的患者的對(duì)象(未示出)。對(duì)象平臺(tái)20在z方向上線性移動(dòng)，而旋轉(zhuǎn)托臺(tái)22上的X射線源14圍繞z軸旋轉(zhuǎn)。
[0023]優(yōu)選地，旋轉(zhuǎn)托臺(tái)22與對(duì)象平臺(tái)20的線性前進(jìn)同時(shí)地旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生X射線源14和準(zhǔn)直儀16圍繞檢查區(qū)域18的通常為螺旋形的軌跡。然而，還可使用其它成像模式，諸如單-或多-切片成像模式，其中托臺(tái)22旋轉(zhuǎn)而對(duì)象平臺(tái)20保持固定，產(chǎn)生X射線源14的通常為圓形的軌跡，在其上獲得軸圖像。在獲得軸圖像后，對(duì)象平臺(tái)可選地在z方向上步進(jìn)預(yù)定距離，并重復(fù)進(jìn)行軸圖像的獲得以獲得沿著z方向離散步長上的體積數(shù)據(jù)。
[0024]輻射檢測(cè)器或檢測(cè)器陣列24設(shè)置在X射線源14對(duì)面的托臺(tái)22上。輻射檢測(cè)器24包括閃爍體或晶體28的閃爍陣列26。閃爍陣列26設(shè)置在層30中并橫跨選定的角度范圍，該角度范圍優(yōu)選與X射線射束的扇形角度相一致。輻射閃爍陣列26還沿著z方向延伸以形成η X m的閃爍體矩陣，諸如16 X 16，32 X 32，16 X 32等。閃爍陣列26的層30在與z方向基本垂直的方向上堆疊。輻射檢測(cè)器24當(dāng)托臺(tái)22旋轉(zhuǎn)時(shí)采集一系列投影視圖。還計(jì)劃在環(huán)繞旋轉(zhuǎn)托臺(tái)的托臺(tái)固定部分上設(shè)置輻射檢測(cè)器24，使得X射線在源旋轉(zhuǎn)期間持續(xù)入射在輻射檢測(cè)器的連續(xù)移動(dòng)部分上。防散射柵格32設(shè)置在閃爍陣列26的輻射接收表面上。柵格32具有允許輻射通過的孔徑34。光電二極管或其它光電檢測(cè)器38的單個(gè)或多個(gè)陣列36與閃爍體陣列26的每個(gè)閃爍體28光學(xué)耦合，形成檢測(cè)器元件或設(shè)素(dixel)。
[0025]重建處理器42利用過濾的背面投影、n-PI重建方法或其它重建方法來重建采集的投影數(shù)據(jù)，產(chǎn)生對(duì)象或其選定部分的三維圖像顯示，并存儲(chǔ)在圖像存儲(chǔ)器44中。視頻處理器46渲染或處理圖像顯示，產(chǎn)生顯示在用戶界面48或其他顯示裝置、印刷裝置等上由操作者瀏覽的人眼可視的圖像。
[0026]另外編程用戶界面48來使操作人員與CT掃描器12相互作用，以允許操作人員來初始化、執(zhí)行和控制CT成像會(huì)話(imaging session)。用戶界面48可選的與諸如醫(yī)院或臨床信息網(wǎng)絡(luò)的通訊網(wǎng)絡(luò)接口，經(jīng)由這種網(wǎng)絡(luò)可將圖像重建傳遞給醫(yī)務(wù)人員，可訪問患者信息數(shù)據(jù)庫等。
[0027]參看圖2，閃爍陣列26包括雙層結(jié)構(gòu)陣列，該陣列包括被層58分隔開的底部或下部閃爍層30b和頂部或上部閃爍層30τ。諸如娃光電檢測(cè)器、無定形娃、電荷I禹合裝置、CMOS、或其它半導(dǎo)體光電檢測(cè)器的光電檢測(cè)器38的光電檢測(cè)器陣列36與閃爍陣列26進(jìn)行光連接。更具體的，光電檢測(cè)器包括具有活性區(qū)域陣列的光敏層以及優(yōu)選地集成在芯片50上的模擬的第二層。
[0028]穿過檢查區(qū)域18的X射線沿著方向U撞擊頂部閃爍層30τ的頂部。最接近X射線源14的頂部閃爍層30τ將經(jīng)過檢查區(qū)域18的射束中最軟或最低能量的X射線轉(zhuǎn)換成光。離X射線源最遠(yuǎn)的底部閃爍層30β接收最硬的X射線。光電檢測(cè)器陣列36的相應(yīng)光電檢測(cè)器38檢測(cè)來自每個(gè)層30的設(shè)素的光信號(hào)。選定頂層30τ及其尺寸來將基本所有50keV或更小的X射線光子轉(zhuǎn)換成光并通過基本所有90keV或更高的光子達(dá)到底層30b。
[0029]光電檢測(cè)器陣列36沿著方向U在每個(gè)雙層結(jié)構(gòu)陣列26的內(nèi)側(cè)60上垂直地設(shè)置。光學(xué)I禹合鄰近光電檢測(cè)器38的頂部和底部閃爍層30t、30b的內(nèi)側(cè)60,以傳送光至光電檢測(cè)器陣列36?？捎霉鈱W(xué)環(huán)氧樹脂粘合劑來獲得光學(xué)耦合。反射涂層可起到分隔層58的作用。
[0030]繼續(xù)參看圖2并參看圖3，光電檢測(cè)器陣列36優(yōu)選是包括均為垂直芯片50的一部分的上部和下部光電檢測(cè)器陣列82、84的2D的陣列。每個(gè)硅芯片50包括一對(duì)相應(yīng)的上部和下部光電檢測(cè)器38t、38b。每個(gè)上部光電檢測(cè)器38t的活性區(qū)域94相對(duì)頂部閃爍層30τ設(shè)置并耦合至頂部閃爍層30τ，而每個(gè)下部光電檢測(cè)器38β的活性區(qū)域96相對(duì)底部閃爍層30β設(shè)置并耦合至底部閃爍層30β。硅芯片50優(yōu)選在Z方向上彼此平行安裝在閃爍陣列26的相鄰行之間。每個(gè)芯片和其承載的閃爍體形成線性瓦狀片段(tile) 98。芯片形成X射線的不靈敏區(qū)域；因此，每個(gè)都優(yōu)選是薄的，也就是0.1-0.15mm。
[0031]在一個(gè)實(shí)施例中，上部和下部光電檢測(cè)器38T、38B可以是后觸點(diǎn)的光電二極管并具有各自對(duì)閃爍引起的輻射很敏感的活性區(qū)域94、96。在其正面上優(yōu)選設(shè)置具有電觸點(diǎn)的正面光電檢測(cè)器，諸如光電二極管或電荷耦合裝置(CCD )檢測(cè)光并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，該電信號(hào)通過所述芯片的正表面上的導(dǎo)體傳輸至底部閃爍體之下的連接器。還可以設(shè)計(jì)成通過背部發(fā)光來轉(zhuǎn)換光的其他檢測(cè)器。
[0032]電子裝置，諸如特別應(yīng)用的集成電路(ASIC)(未示出)，產(chǎn)生電驅(qū)動(dòng)輸出來運(yùn)轉(zhuǎn)光電檢測(cè)器陣列36，并接收由光電檢測(cè)器陣列36產(chǎn)生的檢測(cè)器信號(hào)。ASIC執(zhí)行選定的檢測(cè)器信號(hào)處理，得到將光電檢測(cè)器電流轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。
[0033]從每個(gè)層30的設(shè)素發(fā)出的信號(hào)被加權(quán)并組合，以形成光譜加權(quán)的圖像數(shù)據(jù)。加權(quán)可包括將一個(gè)或多個(gè)設(shè)素層定為零點(diǎn)。通過在設(shè)素之間選擇不同的相對(duì)加權(quán)，產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)，其加強(qiáng)和削弱了能量譜圖的選定部分，即選定的X射線能量吸收范圍。通過適當(dāng)?shù)剡x擇加權(quán)，可在特別選定的X射線能量吸收范圍來重建CT圖像，以加強(qiáng)某些組織，同時(shí)在重建圖像中取代或基本抹去其他選定的組織。例如，可通過從單個(gè)設(shè)素加權(quán)中減去圖像或信號(hào)來加強(qiáng)各自吸收線的任何一側(cè)，以加強(qiáng)乳腺組織中的鈣和造影劑中的碘。雖然圖解了兩層，但是可以理解的是可以存在多個(gè)層來提供更多級(jí)別的能量辨別能力。
[0034]繼續(xù)參看圖2，在一個(gè)實(shí)施例中，頂部和底部閃爍層30t、30b由相同閃爍材料制成。頂部閃爍層30τ較底部閃爍層30β薄，以感應(yīng)低能量X射線并透射高能量X射線。例如,頂部閃爍層30τ應(yīng)吸收能量低于50keV的X射線，而透射75%或更多的能量高于90keV的x射線。在一個(gè)實(shí)施例中，用GOS來制備頂部和底部閃爍層30t、30b。在這種檢測(cè)器中，可通過比大約0.5mm更薄的GOS頂部閃爍層30T以及厚度在大約1.3-大約2.0mm之間的GOS底部閃爍層30B來達(dá)到吸收和透射標(biāo)準(zhǔn)。通常，光電檢測(cè)器活性區(qū)域94、96制成與頂部和底部閃爍層30t、30b的厚度分別匹配。
[0035]包括透明、無散射、與光電檢測(cè)器活性區(qū)域光學(xué)耦合的涂敷閃爍體的檢測(cè)器的光收集效率LC()1_eff與光電檢測(cè)器的活性區(qū)域Aa直接成比例，并可大概表述為:
【權(quán)利要求】
1.一種輻射檢測(cè)器(24)，包括: 上部閃爍體(30τ)，其設(shè)置在面對(duì)X射線源(14)的位置來接收輻射，將低能量輻射轉(zhuǎn)換成光并透射高能量輻射； 第一光電檢測(cè)器(38τ)，光學(xué)耦合至上部閃爍體(30τ)來接收上部閃爍體(30τ)發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)； 光學(xué)元件(100)，其與上部閃爍體的面對(duì)X射線源的上表面或者遠(yuǎn)離X射線源的下表面相鄰設(shè)置并且光稱合來收集從上部閃爍體(30τ)發(fā)出的光,并與第一光電檢測(cè)器(38τ)光率禹合，來引導(dǎo)光進(jìn)入第一光電檢測(cè)器；其中光學(xué)元件(100)是透明的低Z材料；其中在光學(xué)元件的不與上部閃爍體和第一光電檢測(cè)器接觸的表面上覆蓋有反射層(80); 下部閃爍體(30Β)，其設(shè)置在遠(yuǎn)離X射線源(14)的位置來將透射的高能量輻射轉(zhuǎn)換成光；以及 第二光電檢測(cè)器(38Β)，光學(xué)耦合至下部閃爍體(30Β)來接收下部閃爍體(30Β)發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測(cè)器，其中第一和第二光電檢測(cè)器(38Τ、38Β)相鄰垂直地設(shè)置在層狀閃爍體(30τ、30β)的內(nèi)側(cè)(60)上。
3.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測(cè)器，其中上部閃爍體(30τ)具有厚度(h2)，第一光電檢測(cè)器(38τ)具有其高度(hi)基本大于上部閃爍體厚度(h2)的活性區(qū)域(94)。
4.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測(cè)器，其中上部和下部閃爍體(30t、30b)由釓氧硫化物(GOS)制成。
5.如權(quán)利要求4所述的輻射檢測(cè)器，其中上部閃爍體厚度(h2)等于大約0.1mm，第一光電檢測(cè)器活性區(qū)域(94)的高度(h4)至少是0.65mm。
6.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測(cè)器，其中光學(xué)元件(100)包括下列至少之一: PMMA (PERSPEX,有機(jī)玻璃)、 環(huán)氧樹脂鑄型、 PET聚乙烯對(duì)苯二酸鹽、 聚碳酸酯(Lexan )、 聚苯乙烯、 YAG和 ZnSe0
7.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測(cè)器，還包括: 反射涂層(80)，設(shè)置在光學(xué)元件(100)的表面上不接觸上部閃爍體的地方以及設(shè)置在閃爍體(30t、30b)除了與光電檢測(cè)器(38t、38b)的光敏區(qū)域相鄰的表面(60)之外的全部側(cè)面上。
8.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測(cè)器，其中上部閃爍體(30τ)包括硒化鋅和釔鋁石榴石中的一種，以及下部閃爍體(30β)包括釓氧硫化物。
9.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測(cè)器，還包括: 設(shè)置在上部和下部閃爍體(30Τ、30Β)之間的連續(xù)層內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)中間閃爍體(3(V.302......30n)，其中每個(gè)連續(xù)的中間閃爍體接收由更靠近X射線源(14)的閃爍體透射的輻射，并將較低能量的輻射轉(zhuǎn)換成光并透射較高能量的輻射。
10.如權(quán)利要求9所述的輻射檢測(cè)器，還包括: 中間光電檢測(cè)器(38p382……38n)，其每個(gè)光學(xué)耦合至各個(gè)中間閃爍體UO1^O2……30n)，來接收從各個(gè)中間閃爍體(3(V302……30n)發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)；以及中間光學(xué)元件(IOO1UOO2……100n)，其每個(gè)與各個(gè)中間閃爍體UO1^O2……30n)的面對(duì)X射線源的上表面或者遠(yuǎn)離X射線源的下表面相鄰設(shè)置并光學(xué)耦合并且光學(xué)耦合至中間光電檢測(cè)器(381、382……38n)，來收集并引導(dǎo)從各個(gè)中間閃爍體UO1JO2……30n)發(fā)出的光進(jìn)入各個(gè)中間光電檢測(cè)器US1、382……38n)。
11.一種計(jì)算機(jī)斷層造影掃描儀(12)，包括權(quán)利要求1的輻射檢測(cè)器的陣列。
12.—種X射線成像系統(tǒng)，包括: X射線源；以及 如權(quán)利要求1所述的輻射檢測(cè)器的二維陣列。
13.—種制備福射檢測(cè)器的方法,包括: 在上部和下部光電檢測(cè)器的光敏表面上制作上部和下部閃爍體(30t、30b)； 將光學(xué)元件(100)光學(xué)耦合至上部閃爍體；其中光學(xué)元件(100)是透明的低Z材料； 將光學(xué)元件和上部閃爍體光學(xué)耦合至上部光電檢測(cè)器；以及 將下部閃爍體光學(xué)耦合至下部光電檢測(cè)器； 其中所述光學(xué)元件(100)設(shè)置成與上部閃爍體的面對(duì)X射線源的上表面或者遠(yuǎn)離X射線源的下表面相鄰設(shè)置并且光耦合來收集從上部閃爍體(30τ)發(fā)出的光，以及設(shè)置成與第一光電檢測(cè)器(38τ)光稱合，來引導(dǎo)光進(jìn)入第一光電檢測(cè)器； 其中在光學(xué)元件的不與上部閃爍體和第一光導(dǎo)檢測(cè)器接觸的表面上覆蓋有反射層(80)。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中上部閃爍體具有等于大約0.1Omm的厚度(h2)，上部光電檢測(cè)器具有其高度(hi)至少等于0.65mm的光敏表面(94)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中上部和下部閃爍體由相同閃爍材料制成。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中上部和下部閃爍體由釓氧硫化物(GOS)制成。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中上部閃爍體(30τ)具有厚度(h2)，每個(gè)上部光電檢測(cè)器光敏表面(94)具有基本上大于上部閃爍體厚度(h2)的高度(hi)。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括: 除了光學(xué)元件和上部閃爍體與上部光電檢測(cè)器耦合的表面之外，用反射涂層覆蓋上部閃爍體和光學(xué)元件作為一個(gè)單元。
19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中下部閃爍體包括GOS以及上部閃爍體包括以下至少之一:
GOS、
CdWO4、 ZnSe以及 YAG。
20.一種由權(quán)利要求13的方法制得的輻射檢測(cè)器。
21.一種輻射檢測(cè)器，包括: 多個(gè)彼此相鄰設(shè)置的瓦狀片段，每個(gè)瓦狀片段包括:閃爍體的上部陣列，其面對(duì)X射線源，以將低能量X射線轉(zhuǎn)換成可見光并透射高能量X射線； 閃爍體的下部陣列，與上層相鄰地設(shè)置在X射線源對(duì)面，以將高能量X射線轉(zhuǎn)換成可見光，閃爍體的上部陣列比閃爍體的下部陣列薄； 光電檢測(cè)器的上部陣列，每個(gè)光電檢測(cè)器具有相關(guān)聯(lián)的活性區(qū)域，其每個(gè)均光學(xué)耦合至相關(guān)聯(lián)的上部閃爍體，以感測(cè)上部閃爍體發(fā)出的可見光，每個(gè)上部光電檢測(cè)器活性區(qū)域較相關(guān)聯(lián)的上部閃爍體具有更大的垂直尺寸； 光電檢測(cè)器的下部陣列，每個(gè)均具有相關(guān)聯(lián)的活性區(qū)域，其活性區(qū)域光學(xué)耦合至下部閃爍體，以感測(cè)下部閃爍體發(fā)出的可見光；以及 光學(xué)元件，與每個(gè)上部閃爍體的面對(duì)X射線源的上表面或者遠(yuǎn)離X射線源的下表面相鄰設(shè)置并光學(xué)耦合至上部光電檢測(cè)器的相應(yīng)之一的活性區(qū)域，以收集從上部閃爍體發(fā)出的光并引導(dǎo)所收集的光到上部光電檢測(cè)器活性區(qū)域，因而提高了上部光電檢測(cè)器的活性區(qū)域的 光收集效率。
【文檔編號(hào)】G01T1/20GK103760588SQ201410038990
【公開日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2006年4月6日 優(yōu)先權(quán)日:2005年4月26日
【發(fā)明者】S.萊文, O.沙皮羅, A.阿爾特曼, N.韋納 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司