電流傳感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠應(yīng)對(duì)大電流的小型并且檢測(cè)精度高的電流傳感器。電流傳感器具有：磁體的磁芯，其具有槽部，被測(cè)定電流流動(dòng)的平板狀的導(dǎo)體以使其板寬方向與槽部的深度方向一致的方式插穿槽部，檢測(cè)元件，其以使檢測(cè)方向沿著槽部的間隔方向的方式配置在槽部的比導(dǎo)體更靠近槽部的開(kāi)口部的一側(cè)，用于檢測(cè)磁場(chǎng)的強(qiáng)度；磁芯具有：U字狀部，該U字狀部的與導(dǎo)體相向的面平行于規(guī)定導(dǎo)體的板寬的面，寬度變窄部，其從該U字狀部的開(kāi)口部一側(cè)的兩端部朝向開(kāi)口部一側(cè)延伸而成，該寬度變窄部處的沿著槽部的間隔方向的槽寬逐漸變大，并且該寬度變窄部的沿著槽部的間隔方向的磁芯寬度逐漸減??；U字狀部與寬度變窄部之間的邊界部設(shè)置在與導(dǎo)體相向的位置。
【專利說(shuō)明】電流傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種測(cè)定在導(dǎo)體中流動(dòng)的電流的電流傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]用于驅(qū)動(dòng)混合動(dòng)力車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)所具有的馬達(dá)的電流或在工作機(jī)器的馬達(dá)等中流動(dòng)的電流非常大。在此，對(duì)于檢測(cè)這種電流的電流傳感器，要求其小型化、輕量化、多個(gè)電流傳感器的模塊化。然而，若為了滿足上述要求而將電流傳感器小型化，則會(huì)產(chǎn)生各種各樣的使傳感器性能劣化的因素。
[0003]例如，有利用磁體磁芯來(lái)作為這種小型的電流傳感器的技術(shù)。在這種電流傳感器中，在大電流流動(dòng)的情況下，由于磁體內(nèi)部的磁通密度接近飽和磁通密度，所以會(huì)失去磁體的磁性相對(duì)于被測(cè)定電流的線性特性。其結(jié)果為，若電流變大，則電流傳感器的檢測(cè)精度會(huì)劣化。另外，就這種電流傳感器而言，除了在上述這種流過(guò)大電流的情況下會(huì)導(dǎo)致傳感器性能劣化以外，因檢測(cè)元件感應(yīng)的外部磁場(chǎng)或流過(guò)被測(cè)定電流之后的殘留磁力而引起的磁體的遲滯(hysteresis)也會(huì)導(dǎo)致檢測(cè)精度劣化。
[0004]若通過(guò)將電流傳感器小型化來(lái)使磁體的橫截面積變小，則容易產(chǎn)生磁飽和，遲滯特性劣化，磁芯對(duì)外部磁場(chǎng)的屏蔽效果也下降。另外，就3相馬達(dá)等而言，小型化、多個(gè)電流傳感器的模塊化會(huì)導(dǎo)致與其它母線之間的間隔變窄，所以除了被測(cè)定對(duì)象的電流以外的在其它母線中流動(dòng)的電流 對(duì)磁場(chǎng)的影響變大。于是，探討出以下說(shuō)明的對(duì)策(例如，專利文獻(xiàn)1及 2)。
[0005]專利文獻(xiàn)I所述的電流傳感器構(gòu)成為具有被測(cè)定電流流動(dòng)的導(dǎo)體、以包圍所述導(dǎo)體的方式配置的具有間隙的環(huán)狀的磁性屏蔽板、配置在所述環(huán)狀的磁性屏蔽板內(nèi)側(cè)的磁電轉(zhuǎn)換元件。磁電轉(zhuǎn)換元件檢測(cè)因電流而產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁通密度。該磁電轉(zhuǎn)換元件配置在所述環(huán)狀的磁性屏蔽板的間隙與所述導(dǎo)體之間，配置在因?qū)w中流動(dòng)的電流而產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁通密度最小的位置附近。
[0006]專利文獻(xiàn)2所述的電流計(jì)測(cè)裝置構(gòu)成為具有磁體磁芯、第一及第二磁傳感器、電流檢測(cè)電路。磁體磁芯以包圍電流流動(dòng)的電流路徑的方式配置，且具有多個(gè)間隙。第一及第二磁傳感器分別配置于不同的間隙中。電流檢測(cè)電路在檢測(cè)電流路徑中流動(dòng)的電流時(shí)，根據(jù)第一磁傳感器的輸出和第二磁傳感器的輸出對(duì)磁體磁芯的殘留磁通密度進(jìn)行修正，以消除因遲滯而產(chǎn)生的誤差。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2008-151743號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2006-71457號(hào)公報(bào)
[0011]在專利文獻(xiàn)I所述的技術(shù)中，在磁性屏蔽板的間隙外配置磁電轉(zhuǎn)換元件，來(lái)降低磁性屏蔽板的磁飽和的影響。如果要降低到能夠忽略磁飽和的影響的程度，則需要使磁性屏蔽板遠(yuǎn)離磁電轉(zhuǎn)換元件，所以會(huì)導(dǎo)致磁傳感器大型化。[0012]在專利文獻(xiàn)2所述的技術(shù)中，磁體磁芯通過(guò)將兩個(gè)大致呈“ ^ ”字狀的磁體彼此相向來(lái)構(gòu)成兩個(gè)間隙。在采用這種結(jié)構(gòu)的情況下，例如，若接受在從相向的磁體的一個(gè)朝向另一個(gè)的方向上的外部磁場(chǎng)，則利用磁體聚磁的外部磁場(chǎng)到達(dá)第一及第二磁傳感器，對(duì)原本的測(cè)定帶來(lái)影響。另外，為了確保兩個(gè)磁傳感器與被測(cè)定電流路徑之間的絕緣距離，與磁傳感器為一個(gè)的情況相比，會(huì)變得大型化。
[0013]另外，在大電流通電時(shí)，為了確保直線性，考慮增大磁芯的橫截面積，而在這種情況下，磁芯會(huì)大型化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的，其目的是提供一種能夠應(yīng)對(duì)大電流的小型并且檢測(cè)精度高的電流傳感器。
[0015]用于達(dá)成上述目的的本發(fā)明的電流傳感器的特征結(jié)構(gòu)在于，具有:磁體的磁芯，其具有槽部，被測(cè)定電流流動(dòng)的平板狀的導(dǎo)體以使其板寬方向與所述槽部的深度方向一致的方式插穿所述槽部，檢測(cè)元件，其以使檢測(cè)方向沿著所述槽部的間隔方向的方式配置在所述槽部的比所述導(dǎo)體更靠近所述槽部的開(kāi)口部的一側(cè)，用于檢測(cè)磁場(chǎng)的強(qiáng)度；所述磁芯具有:u字狀部，該U字狀部的與所述導(dǎo)體相向的面平行于規(guī)定所述導(dǎo)體的板寬的面，寬度變窄部，其從所述U字狀部的靠近所述開(kāi)口部一側(cè)的兩端部朝向所述開(kāi)口部一側(cè)延伸而成，該寬度變窄部處的沿著所述槽部的間隔方向的槽寬逐漸變大，并且該寬度變窄部的沿著所述槽部的間隔方向的磁芯寬度逐漸減小；所述U字狀部與所述寬度變窄部之間的邊界部設(shè)置在與所述導(dǎo)體相向的位置。
[0016]根據(jù)這種特征結(jié)構(gòu)，由于在U字狀部處能夠減小槽寬，所以能夠增大與深度方向正交的橫截面積以降低磁通密度。另一方面，在寬度變窄部處，通過(guò)擴(kuò)大槽寬，增加槽部的磁阻，從而能夠降低磁通密度。因此，能夠構(gòu)成不易磁飽和的磁芯，所以能夠?qū)崿F(xiàn)即使大電流流動(dòng)，檢測(cè)精度也不易劣化并且小型的電流傳感器。
[0017]另外，優(yōu)選地，設(shè)置有磁體磁芯向間隔方向突出而成的突出部，該突出部與所述寬度變窄部的所述開(kāi)口部一側(cè)的端部彼此相向，所述突出部的彼此相向的面互相平行，在所述突出部之間配置有所述檢測(cè)元件。
[0018]根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠利用突出部來(lái)降低外部磁場(chǎng)的影響。因此，例如，即使在并排配置多個(gè)電流傳感器的情況下，也能夠降低多個(gè)中的一個(gè)電流傳感器的被測(cè)定電流以外的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的影響，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)檢測(cè)精度高的電流傳感器。
[0019]另外，優(yōu)選地，所述寬度變窄部延伸至比所述導(dǎo)體的所述開(kāi)口部一側(cè)的端部的位置更靠近所述開(kāi)口部一側(cè)的位置。
[0020]根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⑼怀霾吭O(shè)置在比導(dǎo)體更靠近開(kāi)口部的一側(cè)，所以突出部的槽寬不受導(dǎo)體的厚度的限制，通過(guò)減小突出部的槽寬，能夠進(jìn)一步降低外部磁場(chǎng)的影響。
[0021]另外，優(yōu)選地，所述邊界部設(shè)置成:在將所述槽部沿著槽部的深度方向三等分時(shí)位于開(kāi)口內(nèi)側(cè)的部分上，并且與所述導(dǎo)體相向。
[0022]根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠確保在磁芯內(nèi)的磁通密度大的地方維持較大的磁芯橫截面積的U字狀部，并且能夠確保增大槽部的磁阻的寬度變窄部。因此，在U字狀部及寬度變窄部都能夠降低磁通密度，所以能夠使用于導(dǎo)體中流動(dòng)的電流與磁通量之間的關(guān)系為線性的區(qū)域。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)檢測(cè)精度高的電流傳感器。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是示意性地示出電流傳感器的立體圖。
[0024]圖2是示意性地示出電流傳感器的主視圖。
[0025]圖3是磁通密度的仿真結(jié)果。
[0026]圖4是示出感度特性的圖。
[0027]圖5是示意性地示出其它實(shí)施方式的電流傳感器的圖。
[0028]圖6是示意性地示出其它實(shí)施方式的電流傳感器的圖。
[0029]圖7是示意性地示出其它實(shí)施方式的電流傳感器的圖。
[0030]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0031]10:導(dǎo)體，
[0032]20:磁芯，
[0033]21:槽部，
[0034]26:開(kāi) 口部，
[0035]30:檢測(cè)元件，
[0036]50:U 子狀部，
[0037]51:面，
[0038]55:邊界部，
[0039]60:寬度變窄部，
[0040]70:突出部，
[0041]71:面，
[0042]100:電流傳感器，
[0043]B:間隔方向。
【具體實(shí)施方式】
[0044]以下，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明的電流傳感器100構(gòu)成為能夠測(cè)定在導(dǎo)體中流動(dòng)的被測(cè)定電流。在此，在導(dǎo)體中流動(dòng)電流的情況下，根據(jù)該電流的大小，以導(dǎo)體為軸心產(chǎn)生磁場(chǎng)(安培的右手定則)。本電流傳感器100檢測(cè)這種磁場(chǎng)的強(qiáng)度，基于檢測(cè)出的磁場(chǎng)的強(qiáng)度，測(cè)定導(dǎo)體中流動(dòng)的電流(電流值)。
[0045]圖1示出了本實(shí)施方式的電流傳感器100的立體圖。圖1示出了由平板狀的導(dǎo)體構(gòu)成的導(dǎo)體10，將該導(dǎo)體10延伸的方向設(shè)為延伸方向A，將導(dǎo)體10的厚度方向設(shè)為B、將導(dǎo)體10的寬度方向(板寬方向)設(shè)為C。圖2示意性地示出了從導(dǎo)體10的延伸方向A觀察的電流傳感器100的圖。在此，省略了檢測(cè)元件30所具有的導(dǎo)線。以下，利用圖1及圖2進(jìn)行說(shuō)明。
[0046]本電流傳感器100構(gòu)成為具有磁芯20及檢測(cè)元件30。磁芯20由具有槽部21的磁體構(gòu)成，被測(cè)定電流流動(dòng)的平板狀的導(dǎo)體10以使其板寬方向與槽部21的深度方向一致的方式插穿槽部21。如上所述，導(dǎo)體10構(gòu)成為平板狀。例如，用于連接沒(méi)有圖示的3相馬達(dá)和向該3相馬達(dá)通電的逆變器(inverter)的母線相當(dāng)于該導(dǎo)體10。在導(dǎo)體10內(nèi)，沿著A方向流動(dòng)被測(cè)定電流，本電流傳感器100測(cè)定該電流。
[0047]導(dǎo)體10的板寬方向是指沿著構(gòu)成導(dǎo)體10的平板的寬度的方向，圖1中的C方向相當(dāng)于導(dǎo)體10的板寬方向。本實(shí)施方式的磁芯20通過(guò)沿著圖1及圖2的A方向?qū)盈B平板而形成，其中，上述平板由具有槽部21的金屬磁體構(gòu)成。上述金屬磁體為軟磁性的金屬，電磁鋼板(娃鋼板)、坡莫合金(口61'1]^1107)、波明德合金(口61'1]1611(11110等相當(dāng)于上述金屬磁體。
[0048]就磁芯20而言，槽部21具有在從圖1及圖2的A方向上無(wú)變化的形狀。在磁芯20中，導(dǎo)體10以使平行于AC面的導(dǎo)體10的面的延伸方向與槽部21的深度方向(C方向)一致并且使磁芯20的層疊方向(A方向)與被測(cè)定電流的流動(dòng)方向一致的方式向槽底部22一側(cè)插穿。插穿磁芯20的導(dǎo)體10構(gòu)成為至少與磁芯20的內(nèi)壁面24具有空隙。由此，能夠使磁芯20與導(dǎo)體10絕緣。因此，優(yōu)選根據(jù)在導(dǎo)體10中流動(dòng)的電流的大小來(lái)設(shè)定所述空隙。
[0049]在槽部21的比導(dǎo)體10更靠近槽部21的開(kāi)口部26的一側(cè)，以使檢測(cè)方向沿著槽部21的間隔方向(B方向)的方式配置檢測(cè)元件30。槽部21的開(kāi)口部26為槽部21的開(kāi)口端部。因此，檢測(cè)元件30配置在比導(dǎo)體10更靠近槽部21的開(kāi)口端部的一側(cè)。另外，在配置于磁芯20的槽部21的檢測(cè)元件30與導(dǎo)體10之間具有空隙。由此，能夠使檢測(cè)元件30與導(dǎo)體10絕緣。在此，在磁芯20，聚磁有因?qū)w10中流動(dòng)的電流而產(chǎn)生的磁場(chǎng)。在配置有檢測(cè)元件30的附近，被聚磁的磁場(chǎng)為沿著磁芯20的槽部21的間隔方向(B方向)的磁場(chǎng)。
[0050]檢測(cè)元件30配置成使其檢測(cè)方向與B方向一致。因此，能夠有效地檢測(cè)因?qū)w10中流動(dòng)的被測(cè)定電流而形成的磁場(chǎng)的強(qiáng)度。
[0051]本實(shí)施方式的磁芯20由U字狀部50、寬度變窄部60、突出部70構(gòu)成。U字狀部50的與導(dǎo)體10相向的面平行于規(guī)定導(dǎo)體10的板寬的面。從A方向觀察，U字狀部50構(gòu)成為U字狀。U字狀不限于槽底部22形成為圓弧狀的形狀，如圖1及圖2所示，還包括槽底部22形成為在圓弧狀的一部分中具有直線部分的形狀的情況。另外，與導(dǎo)體10相向的面為與導(dǎo)體10所具有的面中的AC面平行的面，在圖2中為利用附圖標(biāo)記51標(biāo)注的面。規(guī)定導(dǎo)體10的板寬的面為導(dǎo)體10所具有的面中與AC面平行的面。從A方向觀察時(shí)的U字狀部50的磁芯20的寬度(以下，稱為“磁芯寬度”)可以相同，也可以形成為槽底部22 —側(cè)的寬度大于面51 —側(cè)的寬度。
[0052]像這樣，通過(guò)構(gòu)成U字狀部50，能夠確保磁芯20與導(dǎo)體10之間的空隙很小，并能夠增大U字狀部50在圖3中的(a)的區(qū)域I的磁芯橫截面積，因此，能夠減少通過(guò)磁芯20內(nèi)的磁通密度。因此，不增大磁芯20的尺寸就能夠減少磁芯內(nèi)部的磁通密度，能夠抑制磁通量飽和。
[0053] 寬度變窄部60形成為:從U字狀部50的位于開(kāi)口部26側(cè)的端部朝向開(kāi)口部26一側(cè)，以使沿著槽部21的間隔方向的槽寬逐漸變大并且沿著槽部21的間隔方向的磁芯寬度逐漸變窄的方式延伸。U字狀部50的位于開(kāi)口部26側(cè)的端部為U字狀部50中最靠近開(kāi)口部26—側(cè)的部分。寬度變窄部60從該部分向開(kāi)口部26—側(cè)延伸。因此，該部分相當(dāng)于U字狀部50與寬度變窄部60之間的邊界部55。
[0054]在此，在本實(shí)施方式中，如上所述，U字狀部50形成為其與導(dǎo)體10相向的面平行于規(guī)定導(dǎo)體10的板寬的面。因此，邊界部55設(shè)置在與導(dǎo)體10相向的位置。在本實(shí)施方式中，例如，邊界部55設(shè)置在將槽部21沿著深度方向三等分時(shí)位于開(kāi)口內(nèi)側(cè)的部分上，并與導(dǎo)體10相向。
[0055]槽寬相當(dāng)于槽部21在B方向上的寬度。寬度變窄部60以使槽寬從開(kāi)口內(nèi)側(cè)朝向突出部70逐漸變寬的方式構(gòu)成。就開(kāi)口內(nèi)側(cè)而言，從開(kāi)口部26 —側(cè)觀看槽部21時(shí)，槽底部22 —側(cè)為開(kāi)口內(nèi)側(cè)。
[0056]在本實(shí)施方式中，寬度變窄部60以比導(dǎo)體10的靠近開(kāi)口部26—側(cè)的端部的位置更靠近開(kāi)口部26 —側(cè)的方式延伸設(shè)置。導(dǎo)體10的靠近開(kāi)口部26 —側(cè)的端部為導(dǎo)體10的結(jié)構(gòu)部位中的最靠近開(kāi)口部26的部位。在本實(shí)施方式中，在圖2中利用附圖標(biāo)記U表示的導(dǎo)體10的上端面11相當(dāng)于導(dǎo)體10的靠近開(kāi)口部26 —側(cè)的端部。因此，寬度變窄部60構(gòu)成為:B方向上的槽寬從邊界部55至少到導(dǎo)體10的上端面11的位置(U的位置)為止逐漸變大。
[0057]在此，本實(shí)施方式的磁芯20構(gòu)成為:在寬度變窄部60處，槽寬朝向開(kāi)口部26—側(cè)逐漸變大，并且槽部21處的間隔方向外側(cè)的外壁面23彼此平行。間隔方向外側(cè)為在與B方向垂直的方向上的磁芯20的外側(cè)。像這樣，通過(guò)使外壁面23彼此平行，與在不改變磁芯20的與C方向垂直地截?cái)鄷r(shí)的橫截面積的狀態(tài)下增大槽寬的情況相比，能夠?qū)⒋判?0小型化。此外，由于寬度變窄部60處的槽寬朝向開(kāi)口部26擴(kuò)大,所以磁芯20的與C方向垂直地截?cái)鄷r(shí)的橫截面積朝向開(kāi)口部26縮小。由于越朝向磁芯20的開(kāi)口部26，磁芯內(nèi)的磁通量越少，所以即使寬度變窄部60的靠近開(kāi)口部26側(cè)的橫截面積變小，傳感器性能也不易劣化。在此，寬度變窄部60的沿著B(niǎo)方向的磁芯寬度是指，在與C方向垂直地截?cái)鄬挾茸冋?0時(shí)所產(chǎn)生的面的與AC面垂直的方向上的長(zhǎng)度。
[0058]突出部70以與寬度變窄部60的靠近開(kāi)口部26—側(cè)的端部彼此相向的方式朝向間隔方向B突出。寬度變窄部60的靠近開(kāi)口部26 —側(cè)的端部是指，以至少到導(dǎo)體10的上端面11的位置(U的位置)為止在B方向上的寬度逐漸變大的方式構(gòu)成的端部。在圖2中，突出部70以縮小該端部的槽寬的方式朝向B方向突出。利用附圖標(biāo)記V標(biāo)注的位置相當(dāng)于寬度變窄部60的靠近開(kāi)口部26 —側(cè)的端部。由此，能夠利用突出部70降低外部磁場(chǎng)的影響。因此，例如，即使在并排配置多個(gè)電流傳感器100的情況下，也能夠降低多個(gè)中的一個(gè)電流傳感器100的被測(cè)定電流以外的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的影響，所以能夠?qū)崿F(xiàn)高檢測(cè)精度的電流傳感器100。
[0059]突出部70構(gòu)成為彼此相向的面71相互平行。在本實(shí)施方式中，面71分別與B方向正交。在這種突出部70之間，S卩，在彼此相向的面71之間配置檢測(cè)元件30。若采用這種結(jié)構(gòu)，則能夠緩和檢測(cè)元件30附近的在B方向上的磁通密度梯度。因此，能夠抑制因檢測(cè)元件30的位置變動(dòng)而引起的精度劣化。
[0060]圖3中的(a)示出了作用于以上述方式構(gòu)成的電流傳感器100的磁芯20的磁通量的仿真結(jié)果。另外，作為比較例，在圖3的(b)中還示出了以往所使用的不具有寬度變窄部60的磁芯20的仿真結(jié)果。此外，為了便于理解，在圖3中，以箭頭越粗、磁通密度越大的方式來(lái)表不磁通密度的大小。此外，在實(shí)際上，在磁芯20內(nèi)也產(chǎn)生磁通量,但在圖3中未不出。
[0061]以下，將U字狀部50中的彼此相向的部分設(shè)為區(qū)域I，將與寬度變窄部60對(duì)應(yīng)的部分設(shè)為區(qū)域II，將與突出部70對(duì)應(yīng)的部分設(shè)為區(qū)域III來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。另外，對(duì)于不具有寬度變窄部60的磁芯20的各部分，也與本實(shí)施方式的磁芯20相對(duì)應(yīng)地設(shè)為區(qū)域1-1II來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
[0062]如圖3的(b)所示，區(qū)域I與區(qū)域II及區(qū)域III相比，出入磁芯20的磁通量的磁通密度較小。由此，在區(qū)域I中，與如圖3的(a)的區(qū)域II示出的那樣增大寬度變窄部60的槽寬來(lái)增大槽部21的磁阻的情況相比，增大磁芯的橫截面積的情況下更有助于抑制磁飽和。就本實(shí)施方式的磁芯20而言，如圖3的(a)所示，區(qū)域II的磁通密度變小。由此可知，利用上述結(jié)構(gòu)能夠抑制磁飽和。
[0063]圖4示出了感度特性。利用(a)來(lái)表示本實(shí)施方式的電流傳感器100的特性。作為比較例，還利用(b)表示以往所使用的包括不具有寬度變窄部60的磁芯20的電流傳感器的感度特性。由圖4可知，具有本實(shí)施方式的磁芯20的電流傳感器100與以往的電流傳感器相比，即使被測(cè)定電流增加，也能夠確保感度的直線性。由此，本實(shí)施方式的電流傳感器100與以往的電流傳感器相比，能夠在大電流的情況下高精度地進(jìn)行測(cè)定。
[0064](其它的實(shí)施方式)
[0065]在上述實(shí)施方式中，在圖2中示出了寬度變窄部60的面向?qū)w10—側(cè)的面構(gòu)成為從邊界部55呈直線狀延伸。然而，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不限于此?？梢匀鐖D5所示，將寬度變窄部60的面向?qū)w10—側(cè)的面形成為凹狀，還可以如圖6所示，形成為凸?fàn)?。在這種情況下，也必然能夠以使槽寬逐漸變大的方式構(gòu)成寬度變窄部60。
[0066]在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了寬度變窄部60延伸至比導(dǎo)體10的靠近開(kāi)口部26 —側(cè)的端部(上端面11)的位置更靠近開(kāi)口部26—側(cè)的情況。然而，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不限于此。寬度變窄部60還能夠構(gòu)成為延伸至比導(dǎo)體10的靠近開(kāi)口部26 —側(cè)的端部(上端面11)的位置更靠近槽底部22 —側(cè)的位置。
[0067]在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了在寬度變窄部60的靠近開(kāi)口部26 —側(cè)的端部設(shè)置有突出部70的情況。然而，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不限于此。如圖7所示，還能夠不設(shè)置突出部70而直接構(gòu)成磁芯20。在該情況下，如圖7所示，磁芯20的開(kāi)口部26—側(cè)以寬度變窄部60作為端部。
[0068]在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了突出部70的彼此相向的面71平行的情況。然而，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不限于此。例如，突出部70的靠近開(kāi)口部26 —側(cè)的面還能夠以越靠近開(kāi)口端部一側(cè)、使槽寬變得越窄的方式設(shè)置。采用這種結(jié)構(gòu)，也能夠降低來(lái)自電流傳感器100外部的外部磁場(chǎng)的影響。
[0069]在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了將邊界部55設(shè)置在沿著深度方向?qū)⒉鄄?1三等分時(shí)位于開(kāi)口內(nèi)側(cè)的部分上并與導(dǎo)體10相向的情況。然而，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不限于此。還能夠在沿著深度方向?qū)⒉鄄?1三等分時(shí)位于開(kāi)口側(cè)的部分設(shè)置邊界部55，還能夠在沿著深度方向?qū)⒉鄄?1三等分時(shí)的中央部設(shè)置邊界部55。
[0070]本發(fā)明能夠用于測(cè)定導(dǎo)體中流動(dòng)的電流的電流傳感器。
【權(quán)利要求】
1.一種電流傳感器，其特征在于， 具有: 磁體的磁芯，其具有槽部，被測(cè)定電流流動(dòng)的平板狀的導(dǎo)體以使其板寬方向與所述槽部的深度方向一致的方式插穿所述槽部， 檢測(cè)元件，其以使檢測(cè)方向沿著所述槽部的間隔方向的方式配置在所述槽部的比所述導(dǎo)體更靠近所述槽部的開(kāi)口部的一側(cè)，用于檢測(cè)磁場(chǎng)的強(qiáng)度； 所述磁芯具有: U字狀部，該U字狀部的與所述導(dǎo)體相向的面平行于規(guī)定所述導(dǎo)體的板寬的面， 寬度變窄部，其從所述U字狀部的所述開(kāi)口部一側(cè)的兩端部朝向所述開(kāi)口部一側(cè)延伸而成，該寬度變窄部處的沿著所述槽部的間隔方向的槽寬逐漸變大，并且該寬度變窄部的沿著所述槽部的間隔方向的磁芯寬度逐漸減??； 所述U字狀部與所述寬度變窄部之間的邊界部設(shè)置在與所述導(dǎo)體相向的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其特征在于， 設(shè)置有所述磁芯向間隔方向突出而成的突出部，該突出部與所述寬度變窄部的所述開(kāi)口部一側(cè)的端部彼此相向，所述突出部的彼此相向的面互相平行，在所述突出部之間配置有所述檢測(cè)元件。
3.如權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其特征在于， 所述寬度變窄部延伸至比所述導(dǎo)體的所述開(kāi)口部一側(cè)的端部的位置更靠近所述開(kāi)口部一側(cè)的位置。
4.如權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其特征在于， 所述邊界部設(shè)置成:在將所述槽部沿著所述槽部的深度方向三等分時(shí)位于開(kāi)口內(nèi)側(cè)的部分上，并且與所述導(dǎo)體相向。
【文檔編號(hào)】G01R19/00GK104007305SQ201410058400
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年2月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月20日
【發(fā)明者】安井彰廣, 加藤學(xué) 申請(qǐng)人:愛(ài)信精機(jī)株式會(huì)社