磁傳感器測(cè)試裝置和方法
【專(zhuān)利摘要】提供一種磁傳感器測(cè)試裝置和磁傳感器測(cè)試方法。該磁傳感器測(cè)試裝置包括被配置成產(chǎn)生磁場(chǎng)的垂直線圈和至少一個(gè)外圍線圈。磁傳感器測(cè)試裝置和方法可以測(cè)試半導(dǎo)體晶片上的磁傳感器。
【專(zhuān)利說(shuō)明】磁傳感器測(cè)試裝置和方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)根據(jù)35USC119 Ca)主張2013年8月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2013-0094134號(hào)的權(quán)利，在此引入其全部公開(kāi)內(nèi)容作為參考以用于所有目的。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]以下描述涉及一種用于測(cè)試磁傳感器的磁傳感器測(cè)試裝置和方法。

【背景技術(shù)】
[0004]晶片可以與包括多個(gè)芯片的半導(dǎo)體襯底相對(duì)應(yīng)，并且多個(gè)芯片可以與磁傳感器相對(duì)應(yīng)。通常，磁傳感器將多個(gè)芯片中的每個(gè)芯片分開(kāi)，從而遵循封裝過(guò)程，并且在封裝之后可以測(cè)試每個(gè)磁傳感器。
[0005]磁傳感器的相關(guān)技術(shù)在美國(guó)申請(qǐng)第2013-0009659號(hào)中公開(kāi)。美國(guó)申請(qǐng)第2013-0009659號(hào)可以在探針卡中的多軸處配備線圈，以測(cè)試封裝狀態(tài)中的磁傳感器。
[0006]通常，在封裝過(guò)程期間或之后，當(dāng)磁傳感器被確定為異常傳感器時(shí)，用于重制正常磁傳感器的成本和時(shí)間增加。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
以簡(jiǎn)化形式介紹構(gòu)思的選擇，所述構(gòu)思會(huì)在下面的【具體實(shí)施方式】中進(jìn)一步描述。本
【發(fā)明內(nèi)容】
不旨在標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或本質(zhì)特征，也不旨在被用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。
[0008]在一個(gè)一般方面中，磁傳感器測(cè)試裝置包括:磁傳感器；垂直線圈；以及至少一個(gè)外圍線圈。
[0009]所述磁傳感器測(cè)試裝置可以包括:包括磁傳感器的晶片；以及探針卡，并且所述垂直線圈可以被安排在所述晶片之上并且所述至少一個(gè)外圍線圈可以被對(duì)稱(chēng)地安排在所述垂直線圈周?chē)?br> [0010]所述至少一個(gè)外圍線圈可以被配置成在所述晶片的水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)。
[0011 ] 所述至少一個(gè)外圍線圈可以被安排成與所述晶片的表面成銳角。
[0012]所述至少一個(gè)外圍線圈可以包括四個(gè)線圈。
[0013]所述銳角可以小于90度。
[0014]所述四個(gè)線圈可以包括:安排在第一軸方向中的一對(duì)第一線圈；以及安排在第二軸方向中的一對(duì)第二線圈，所述第二軸方向垂直于所述第一軸方向。
[0015]所述磁傳感器測(cè)試裝置可以包括被配置成檢測(cè)從所述磁傳感器輸出的測(cè)試信號(hào)的多個(gè)探針頂端。
[0016]所述至少一個(gè)外圍線圈可以與所述垂直線圈隔開(kāi)一定距離。
[0017]在另一個(gè)一般方面中，一種磁傳感器測(cè)試方法包括:在垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)；以及在水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)。
[0018]所述磁傳感器測(cè)試方法可以應(yīng)用于包括多個(gè)磁傳感器的晶片；在垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)可以包括在所述晶片的垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)；以及在水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)可以包括在所述晶片的水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)。
[0019]在垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)可以包括將電流施加到垂直線圈以測(cè)試磁場(chǎng)的垂直分量的強(qiáng)度。
[0020]在水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)可以包括將電流施加到所述第一和第二線圈對(duì)以測(cè)試磁場(chǎng)的水平分量的強(qiáng)度，該第一和第二線圈對(duì)被安排成與所述晶片的表面成銳角。
[0021]分別在垂直方向和水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)可以包括測(cè)試所述多個(gè)磁傳感器是否正常工作。
[0022]在垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)和在水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)的執(zhí)行順序可以互不相關(guān)。
[0023]在另一個(gè)一般方面中，一種磁傳感器測(cè)試裝置包括:探針；安排在所述探針的中心的垂直線圈；以及對(duì)稱(chēng)地安排在所述垂直線圈周?chē)膬蓚€(gè)或更多個(gè)外圍線圈。
[0024]所述磁傳感器測(cè)試裝置可以包括含有磁傳感器的晶片。
[0025]所述兩個(gè)或更多個(gè)外圍線圈可以安排成與所述晶片的表面成銳角。
[0026]所述兩個(gè)或更多個(gè)外圍線圈可以是離所述垂直線圈等距安排的四個(gè)外圍線圈。
[0027]所述兩個(gè)或更多個(gè)外圍線圈可以安排成45度角且產(chǎn)生均勻磁場(chǎng)。
[0028]根據(jù)下面的詳細(xì)描述、附圖和權(quán)利要求，其他特征和方面將是明顯的。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1示出了磁傳感器測(cè)試裝置的示例；
[0030]圖2示出了安排在磁傳感器測(cè)試裝置的探針卡中的多個(gè)線圈的示例；
[0031]圖3示出了在安排在磁傳感器測(cè)試裝置的探針卡中的線圈中產(chǎn)生的磁場(chǎng)的示例；
[0032]圖4示出了磁傳感器測(cè)試裝置中的磁傳感器測(cè)試過(guò)程的示例；
[0033]圖5A和5B示出了磁傳感器測(cè)試裝置的示例；
[0034]圖6示出了根據(jù)通過(guò)磁傳感器中心以外的磁傳感器測(cè)試裝置的第一和第二線圈而產(chǎn)生的角度的磁場(chǎng)強(qiáng)度的示例；
[0035]圖7示出了根據(jù)磁傳感器測(cè)試裝置中的第一和第二線圈的角度的、關(guān)于第一和第二軸的磁場(chǎng)均勻性的示例。
[0036]在整個(gè)附圖和詳細(xì)描述中，除非另有描述或提供，否則相同的附圖參考號(hào)碼應(yīng)當(dāng)理解為指相同的元素、特征和結(jié)構(gòu)。為了清楚、說(shuō)明和方便，附圖可能未按比例，并且可能夸大了元素的相對(duì)尺寸、比例和描繪。

【具體實(shí)施方式】
[0037]提供以下詳細(xì)描述以幫助讀者獲得對(duì)本文所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，本文所描述的系統(tǒng)、裝置和/或方法的各種改變、修改和等價(jià)物對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是顯而易見(jiàn)的。所描述的處理步驟和/或操作的進(jìn)展是示例性的；然而，處理步驟和/或操作的順序不限于本文闡述的順序，而是可以如現(xiàn)有技術(shù)中已知的那樣來(lái)更改，除了必須以特定順序進(jìn)行的步驟和/或操作之外。同樣，為了更加清楚和簡(jiǎn)明，可以省略本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的功能和構(gòu)造描述。
[0038]本文所描述的特征可以以不同形式來(lái)體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被看做是限于本文所描述的示例。相反，本文所描述的示例已經(jīng)被提供以使得本公開(kāi)徹底和完整，并且將本公開(kāi)的全部范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。
[0039]圖1是示出了磁傳感器測(cè)試裝置的示例的剖面圖，并且圖2是示出了安排在圖1的磁傳感器測(cè)試裝置的探針卡中的多個(gè)線圈的示例的透視圖。
[0040]參照?qǐng)D1和2，磁傳感器測(cè)試裝置100包括晶片10、探針卡20、至少一個(gè)外圍線圈110、垂直線圈120和多個(gè)探針定頂端130。
[0041]晶片10是包括磁傳感器的半導(dǎo)體薄板，并且可以在測(cè)試磁傳感器是否正常工作時(shí)被切割成特定大小。通過(guò)使用磁場(chǎng)來(lái)完成測(cè)試。根據(jù)安排在探針卡20中的垂直線圈120和至少一個(gè)外圍線圈110,來(lái)產(chǎn)生磁場(chǎng)。
[0042]探針卡20對(duì)應(yīng)于連接磁傳感器和用于測(cè)試半導(dǎo)體的工作(即測(cè)試磁傳感器的工作)的測(cè)試頭的設(shè)備。當(dāng)探針頂端130接觸安排在晶片10上的磁傳感器時(shí)，探針卡20可以送電。在該示例中，根據(jù)通過(guò)送電而接收的反饋信號(hào)，探針卡20選擇異常磁傳感器。探針卡20包括PCB (印刷電路板)20-1、支撐單元20-2和至少一個(gè)外圍線圈110。在該示例中，PCB20-1可以安排在探針卡20的上側(cè)上，并且可以通過(guò)與PCB20-1的兩個(gè)下側(cè)相連接的支撐單元20-2來(lái)支撐至少一個(gè)外圍線圈110。支撐單元20-2可以實(shí)現(xiàn)為“L”型。
[0043]至少一個(gè)外圍線圈110安排在探針卡20中，并且對(duì)稱(chēng)地安排在垂直線圈120周?chē)?br> [0044]至少一個(gè)外圍線圈110在安排在晶片10上的磁傳感器的上側(cè)上產(chǎn)生磁場(chǎng)，并且在探針卡20中被安排成與晶片10的表面成銳角“a”。銳角“a”可以關(guān)于在磁傳感器的上側(cè)上產(chǎn)生的磁場(chǎng)而提高至少一個(gè)外圍線圈110的發(fā)送和接收的靈敏度。所述磁傳感器包括根據(jù)霍爾效應(yīng)而作出反應(yīng)的霍爾元件。
[0045]當(dāng)至少一個(gè)外圍線圈110接收電流時(shí)，至少一個(gè)外圍線圈110產(chǎn)生磁場(chǎng)，并且至少一個(gè)外圍線圈110的兩端可以被分成N極和S極以產(chǎn)生磁場(chǎng)。在該示例中，磁場(chǎng)可以顯示為從N極指向S極的磁場(chǎng)磁力線的曲線，并且磁場(chǎng)磁力線可以被生成為不中斷且不彼此相交。
[0046]至少一個(gè)外圍線圈110可以以橢圓形而生成，并且可以在晶片10上產(chǎn)生水平方向的磁場(chǎng)。例如，至少一個(gè)外圍線圈I1可以包括二個(gè)或四個(gè)線圈。
[0047]至少一個(gè)外圍線圈110可以在水平方向的第一和第二軸方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)，以關(guān)于第一和第二軸方向的磁場(chǎng)而順次地或同時(shí)地測(cè)試所述磁場(chǎng)傳感器是否正常工作。例如，第一軸可以與笛卡爾坐標(biāo)系的X軸相對(duì)應(yīng)，而第二軸可以與笛卡爾坐標(biāo)系的Y軸相對(duì)應(yīng)。
[0048]至少一個(gè)外圍線圈110可以被傾斜地安排成朝向晶片10成銳角“a”。換句話說(shuō)，在晶片10的表面上，至少一個(gè)外圍線圈110可以不被安排成垂直或水平方向，而是可以安排成小于90°的傾斜。例如，至少一個(gè)外圍線圈110可以被安排成在線圈繞組方向和晶片10表面之間的小于90度的角。
[0049]當(dāng)探針頂端130的一側(cè)接觸晶片10的磁傳感器時(shí)，至少一個(gè)外圍線圈110可以關(guān)于第一軸方向(即X軸)和第二軸方向(即Y軸)而產(chǎn)生磁場(chǎng)，以測(cè)試磁傳感器是否正常工作。例如,至少一個(gè)外圍線圈I1可以產(chǎn)生磁傳感器的第一和第二軸的均勻磁場(chǎng)。至少一個(gè)外圍線圈110可以順序地或同時(shí)地關(guān)于第一和第二軸中的每一個(gè)而產(chǎn)生磁場(chǎng)。
[0050]在示例中，至少一個(gè)外圍線圈110可以安排成與晶片10表面成小于90度的角。例如，至少一個(gè)外圍線圈110可以安排成45度角。因此，當(dāng)至少一個(gè)外圍線圈110安排成45度角時(shí)，每個(gè)磁傳感器都可以通過(guò)至少一個(gè)外圍線圈110在晶片10中產(chǎn)生均勻的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
[0051]至少一個(gè)外圍線圈110可以包括被安排成與水平平行面以70至110度角彼此相對(duì)的不止一個(gè)外圍線圈110。至少一個(gè)外圍線圈110可以被實(shí)現(xiàn)為彼此電連接的亥姆霍茲線圈。例如，亥姆霍茲線圈與兩個(gè)同軸線圈中的每一個(gè)隔開(kāi)預(yù)定半徑，并且磁場(chǎng)可以在兩個(gè)同軸線圈之間被恒定地產(chǎn)生。
[0052]至少一個(gè)外圍線圈110可以與垂直線圈120隔開(kāi)一定距離。同樣，至少一個(gè)外圍線圈110可以與磁傳感器的上側(cè)隔開(kāi)相同距離。在示例中，所述距離可以與磁傳感器的總寬度成比例，以在磁傳感器處產(chǎn)生均勻磁場(chǎng)。參照?qǐng)D3a,至少一個(gè)外圍線圈110可以與磁傳感器的上側(cè)隔開(kāi)距離b，并且可以被安排在第一和第二軸中的每一個(gè)中。當(dāng)至少一個(gè)外圍線圈110接收要與N極和S極隔開(kāi)的電流時(shí)，至少一個(gè)外圍線圈110在隔開(kāi)的距離b之間產(chǎn)生磁場(chǎng)301a,以將均勻磁場(chǎng)301a施加于晶片10上的磁傳感器。圖3a不出了從被安排在第一或第二軸中的至少一個(gè)外圍線圈110產(chǎn)生的磁場(chǎng)301a的示例。
[0053]垂直線圈120被安排在晶片10中的探針卡20中，并且產(chǎn)生垂直方向的磁場(chǎng)。
[0054]垂直線圈120被實(shí)現(xiàn)為螺線管型的線圈、被安排在由探針卡20中的至少一個(gè)外圍線圈110所產(chǎn)生的磁場(chǎng)中并且覆蓋所述上側(cè)上的磁傳感器，以關(guān)于第三軸而測(cè)試磁傳感器是否正常工作。
[0055]在示例中，由于探針卡20通過(guò)利用至少一個(gè)外圍線圈110而關(guān)于第一和第二軸方向產(chǎn)生的磁場(chǎng)來(lái)測(cè)試磁傳感器是否正常工作，因此垂直線圈120可以接收電流以關(guān)于該磁傳感器的第三軸而測(cè)試該磁傳感器是否正常工作。例如，第一、第二和第三軸的執(zhí)行順序可以是彼此不相關(guān)的。
[0056]參照?qǐng)D3b，根據(jù)磁傳感器的總寬度，可以確定垂直線圈120的半徑。例如，垂直線圈120的半徑可以與磁傳感器的總寬度成比例。垂直線圈120的半徑可以覆蓋磁傳感器的總寬度以使磁場(chǎng)覆蓋磁傳感器的整個(gè)表面。在另一示例中，垂直線圈120的半徑可以覆蓋磁傳感器中心周?chē)拇艂鞲衅鞯目倢挾鹊囊徊糠?，以產(chǎn)生到磁傳感器的整個(gè)表面的磁場(chǎng)。
[0057]垂直線圈120可以被安排在磁傳感器表面上被安排成彼此相對(duì)的一個(gè)或多個(gè)外圍線圈110之間。當(dāng)垂直線圈120接收要與N極和S極隔開(kāi)的電流時(shí)，垂直線圈120可以產(chǎn)生磁場(chǎng)301b以在磁傳感器處施加均勻磁場(chǎng)。圖3b示出了從安排在第三軸中的垂直線圈120產(chǎn)生的磁場(chǎng)301b的示例。
[0058]根據(jù)至少一個(gè)外圍線圈110或垂直線圈120中產(chǎn)生的磁場(chǎng)，多個(gè)探針頂端130檢測(cè)從所述磁傳感器輸出的測(cè)試信號(hào)。
[0059]在示例中，多個(gè)探針頂端130可以發(fā)送用于利用測(cè)試頭來(lái)檢測(cè)被測(cè)試的磁傳感器是否正常工作的測(cè)試信號(hào)。被測(cè)試的磁傳感器是根據(jù)在至少一個(gè)外圍線圈110或垂直線圈120中產(chǎn)生的磁場(chǎng)來(lái)被測(cè)試的。例如，測(cè)試頭可以分析從多個(gè)探針頂端130接收的測(cè)試信號(hào)，以將接收的測(cè)試信號(hào)與反映磁傳感器正常工作的預(yù)定測(cè)試信號(hào)值進(jìn)行比較。當(dāng)從探針頂端130接收的測(cè)試信號(hào)值和反映正常工作的測(cè)試信號(hào)值相等時(shí)，測(cè)試頭可以將磁傳感器測(cè)量為正常工作。此外，當(dāng)從探針頂端130接收的測(cè)試信號(hào)值和反映正常工作的測(cè)試信號(hào)值不同時(shí)，測(cè)試頭可以將磁傳感器測(cè)量為故障。
[0060]圖4是示出了應(yīng)用于圖1的磁傳感器測(cè)試裝置的預(yù)先產(chǎn)生的磁傳感器測(cè)試過(guò)程的示例的流程圖。
[0061]參照?qǐng)D4，磁傳感器測(cè)試裝置100將電流或電壓施加到被安排在探針卡20上且與晶片10表面成銳角的第一線圈對(duì)110 (步驟S401)。
[0062]該第一線圈對(duì)110被對(duì)稱(chēng)地安排在垂直線圈120周?chē)牡谝惠S方向中，并且以橢圓形而被產(chǎn)生從而關(guān)于第一軸方向(即水平分量)的磁場(chǎng)強(qiáng)度而測(cè)試所述磁傳感器是否正常工作(步驟S402)。例如，所述第一軸可以與X軸相對(duì)應(yīng)。
[0063]磁傳感器測(cè)試裝置100將電流或電壓施加到被安排在探針卡20上且與晶片10表面成銳角的第二線圈對(duì)110 (步驟S403)。
[0064]該第二線圈對(duì)110被對(duì)稱(chēng)地安排在垂直線圈120周?chē)牡诙S方向中，并且以橢圓形而被產(chǎn)生從而關(guān)于第二軸方向(即垂直分量)的磁場(chǎng)強(qiáng)度而測(cè)試所述磁傳感器是否正常工作(步驟S404)。該第二軸方向具有與該第一軸方向的垂直關(guān)系。例如，該第二軸可以與Y軸相對(duì)應(yīng)。
[0065]參照?qǐng)D5a，外圍線圈對(duì)IlOa可以被安排用來(lái)在第一和第二軸的每個(gè)軸處產(chǎn)生節(jié)點(diǎn)。例如，與外圍線圈對(duì)IlOa的一側(cè)相垂直的延長(zhǎng)線可以與第一和第二軸(即X和Y軸)中的每一個(gè)相交以產(chǎn)生節(jié)點(diǎn)。外圍線圈對(duì)IlOa可以被安排成與晶片10表面成小于90度的角。外圍線圈對(duì)IlOa可以對(duì)應(yīng)于以45度安排的亥姆霍茲線圈，從而關(guān)于所述第一和第二軸方向中每一個(gè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度而測(cè)試磁傳感器是否正常工作。為方便起見(jiàn)而示出了 45度角，但其不應(yīng)當(dāng)用于限制本發(fā)明的范圍。
[0066]在示例中，在從左上角到多個(gè)探針頂端130的延長(zhǎng)線與從右下角到多個(gè)探針頂端130的延長(zhǎng)線之間，外圍線圈對(duì)IlOa與垂直線圈120隔開(kāi)相等的距離。在另一示例中，在從左下角到多個(gè)探針頂端130的延長(zhǎng)線與從右上角到多個(gè)探針頂端130的延長(zhǎng)線之間，外圍線圈對(duì)IlOa與垂直線圈120隔開(kāi)相等的距離。
[0067]參照?qǐng)D5b，第一線圈對(duì)IlOb-1可以被安排在第一軸中(即X)，該第一軸方向具有與第二軸方向(即Y)的垂直關(guān)系，并且第二線圈對(duì)110b-2可以被安排在第二軸中(即Y)，該第二軸方向具有與第一軸方向(即X)的垂直關(guān)系。在該示例中，第一線圈對(duì)IlOb-1和第二線圈對(duì)110b-2中的每一個(gè)都可以對(duì)應(yīng)于被安排在探針卡20的支撐單元20-2中且與晶片10表面成45度角的亥姆霍茲線圈。第一線圈對(duì)IlOb-1和第二線圈對(duì)110b-2中的每一個(gè)都可以關(guān)于第一和第二軸方向(即X和Y軸)中每一個(gè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度而順次地測(cè)試磁傳感器是否正常工作。第一線圈對(duì)IlOb-1和第二線圈對(duì)110b-2中的每一個(gè)都與垂直線圈120隔開(kāi)一定距離以被安排成彼此平行相對(duì)。
[0068]磁傳感器測(cè)試裝置100被安排在由第一線圈對(duì)IlOb-1和第二線圈對(duì)110b-2產(chǎn)生的磁場(chǎng)中，并且將電流施加到覆蓋上側(cè)上的磁傳感器的垂直線圈120 (步驟S405)。
[0069]垂直線圈120以圓形而被產(chǎn)生以關(guān)于第三軸方向(即垂直分量)的磁場(chǎng)強(qiáng)度而測(cè)試磁傳感器是否正常工作(步驟S406)。例如，該第三軸可以與Z軸相對(duì)應(yīng)。
[0070]圖6示出了根據(jù)通過(guò)朝向圖1的磁傳感器中心以外的磁傳感器測(cè)試裝置的第一和第二線圈而產(chǎn)生的角度的磁場(chǎng)強(qiáng)度示例。圖7示出了根據(jù)圖1的磁傳感器測(cè)試裝置中的第一和第二線圈的角度的關(guān)于第一和第二軸的磁場(chǎng)均勻性。
[0071]參照?qǐng)D6和圖7，第一和第二線圈對(duì)110中每一個(gè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度可以根據(jù)與被安排成朝向磁傳感器中心以外的晶片10的表面所成的銳角而變化。與當(dāng)?shù)谝缓偷诙€圈對(duì)110中的每一個(gè)都被安排成與磁傳感器中心成直角(即90度)時(shí)相比，當(dāng)?shù)谝缓偷诙€圈對(duì)110中的每一個(gè)都被安排成銳角(即10度至75度)時(shí)，該第一和第二線圈對(duì)110中每一個(gè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度可以增加。
[0072]例如，當(dāng)?shù)谝缓偷诙€圈對(duì)110中的每一個(gè)被安排成與磁傳感器中心成20度的銳角時(shí)，第一和第二線圈對(duì)110中的每一個(gè)都可以產(chǎn)生最大磁場(chǎng)強(qiáng)度，并且當(dāng)被安排成45度時(shí)可以產(chǎn)生到磁傳感器的均勻磁場(chǎng)。在圖7中，第一和第二線圈對(duì)110中的每一個(gè)都可以被安排成與晶片10表面成30度、45度或60度角，并且磁傳感器測(cè)試裝置100可以按照從磁傳感器中心到第一軸方向或第二軸方向的恒定間隔來(lái)測(cè)量在磁傳感器上側(cè)產(chǎn)生的磁場(chǎng)。在這種情況下，當(dāng)?shù)谝缓偷诙€圈對(duì)110中的每一個(gè)都被安排成與磁傳感器中心成45度角時(shí)，磁傳感器測(cè)試裝置100可以產(chǎn)生最恒定的磁場(chǎng)(恒定磁場(chǎng)與磁場(chǎng)的高均勻性相對(duì)應(yīng))。
[0073]通過(guò)使用一個(gè)或多個(gè)硬件組件、一個(gè)或多個(gè)軟件組件、或者一個(gè)或多個(gè)硬件組件和一個(gè)或多個(gè)軟件組件的組合，可以實(shí)現(xiàn)上述各種單元、模塊、元素和方法。
[0074]硬件組件可以例如是物理上執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作的物理設(shè)備，但不限于此。硬件組件的示例包括麥克風(fēng)、放大器、低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和處理設(shè)備。
[0075]軟件組件可以例如通過(guò)由執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作的軟件或指令所控制的處理設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，但不限于此。計(jì)算機(jī)、控制器或其他控制設(shè)備可以使處理設(shè)備運(yùn)行軟件或執(zhí)行指令。一個(gè)軟件組件可以由一個(gè)處理設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者兩個(gè)或更多個(gè)軟件組件可以由一個(gè)處理設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者一個(gè)軟件組件可以由兩個(gè)或更多個(gè)處理設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者兩個(gè)或更多個(gè)軟件組件可以由兩個(gè)或更多個(gè)處理設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0076]可以通過(guò)使用一個(gè)或多個(gè)通用或?qū)Ｓ糜?jì)算機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)處理設(shè)備，例如處理器、控制器和算術(shù)邏輯單元、數(shù)字信號(hào)處理器、微計(jì)算機(jī)、現(xiàn)場(chǎng)可編程陣列、可編程邏輯單元、微處理器，或者能夠運(yùn)行軟件或執(zhí)行指令的任何其他設(shè)備。處理設(shè)備可以運(yùn)行操作系統(tǒng)(OS)，并且可以運(yùn)行在該OS下操作的一個(gè)或多個(gè)軟件應(yīng)用程序。該處理設(shè)備當(dāng)運(yùn)行軟件或執(zhí)行指令時(shí)可以訪問(wèn)、存儲(chǔ)、操縱、處理和創(chuàng)建數(shù)據(jù)。為簡(jiǎn)便起見(jiàn)，在描述中可以使用單數(shù)術(shù)語(yǔ)“處理設(shè)備”，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，處理設(shè)備可以包括多個(gè)處理元件和多種類(lèi)型的處理元件。例如，處理設(shè)備可以包括一個(gè)或多個(gè)處理器、或者一個(gè)或多個(gè)處理器以及一個(gè)或多個(gè)控制器。此外，不同的處理配置是可能的，例如并行處理器或多核處理器。
[0077]被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A的處理設(shè)備可以包括被編程為運(yùn)行軟件或執(zhí)行指令以控制處理器執(zhí)行操作A的處理器。此外，被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A、操作B和操作C的處理設(shè)備可以具有各種配置，例如被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A、B和C的處理器；被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A的第一處理器，以及被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作B和C的第二處理器；被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A和B的第一處理器，以及被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作C的第二處理器；被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A的第一處理器，被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作B的第二處理器，以及被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作C的第三處理器；被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A、B和C的第一處理器，以及被配置成實(shí)現(xiàn)軟件組件以執(zhí)行操作A、B和C的第二處理器，或者每個(gè)都實(shí)現(xiàn)操作A、B和C中的一個(gè)或多個(gè)操作的一個(gè)或多個(gè)處理器的任何其他配置。盡管這些示例涉及三個(gè)操作A、B、C，然而可以被實(shí)現(xiàn)的操作的數(shù)量并不限于三個(gè)，而是可以是為達(dá)到期望結(jié)果或執(zhí)行期望任務(wù)所需要的任何數(shù)量的操作。
[0078]用于控制處理設(shè)備以實(shí)現(xiàn)軟件組件的軟件或指令可以包括用于獨(dú)立地或共同地指示或配置處理設(shè)備以執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)期望操作的計(jì)算機(jī)程序、代碼段、指令或者它們的一些組合。軟件或指令可以包括可由處理設(shè)備直接執(zhí)行的機(jī)器代碼，例如由編譯器產(chǎn)生的機(jī)器代碼，和/或可由使用解釋器的處理設(shè)備執(zhí)行的高級(jí)代碼。軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以在任何類(lèi)型的機(jī)器、組件、物理或虛擬設(shè)備、計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)或設(shè)備或者能夠?qū)⒅噶罨驍?shù)據(jù)提供給處理設(shè)備或由處理設(shè)備解釋的傳播信號(hào)波中永久地或臨時(shí)地體現(xiàn)。軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)還可以分布在聯(lián)網(wǎng)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上，以使得軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)能夠以分布式方式而被存儲(chǔ)和執(zhí)行。
[0079]例如，軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以被記錄、存儲(chǔ)或固定在一個(gè)或多個(gè)非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中。非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以是能夠存儲(chǔ)軟件或指令和任何關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)文件以及數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的任何數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，以便它們能夠被計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或處理設(shè)備讀取。非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的示例包括本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、閃存、CD-ROM、CD-R、CD+R、CD-RW、CD+鼎、DVD-ROM、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+鼎、DVD-RAM、BD-ROM、BD-R、BD-R LTH、BD-RE、磁帶、軟盤(pán)、磁光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備、光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備、硬盤(pán)、固態(tài)盤(pán)或者任何其他非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0080]基于本文提供的附圖及其相應(yīng)描述，示例所屬領(lǐng)域的編程技術(shù)人員可以容易地設(shè)想用于實(shí)現(xiàn)本文公開(kāi)的示例的功能程序、代碼和代碼段。
[0081]盡管本公開(kāi)包括指定示例，然而本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，在不脫離權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍的情況下，可以在這些示例中做出各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。本文所描述的示例只被認(rèn)為是描述性的，并且不用于限制的目的。每個(gè)示例中的特征或方面的描述被認(rèn)為是可適用于其他示例中的類(lèi)似的特征或方面。如果以不同的順序執(zhí)行所描述的技術(shù)，和/或如果所描述的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、設(shè)備或電路中的組件以不同方式被組合和/或由其他組件或其等同物來(lái)代替或補(bǔ)充，則可以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)慕Y(jié)果。因此，本公開(kāi)的范圍不由詳細(xì)描述來(lái)限定，而是由權(quán)利要求及其等同物來(lái)限定，并且在權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的所有變型都被看作是包含于本公開(kāi)中。
【權(quán)利要求】
1.一種磁傳感器測(cè)試裝置，包括: 磁傳感器； 垂直線圈；以及 至少一個(gè)外圍線圈。
2.如權(quán)利要求1所述的磁傳感器測(cè)試裝置，還包括: 包括所述磁傳感器的晶片；以及 探針卡， 其中，所述垂直線圈被安排在所述晶片之上，并且所述至少一個(gè)外圍線圈被對(duì)稱(chēng)地安排在所述垂直線圈周?chē)?br> 3.如權(quán)利要求2所述的磁傳感器測(cè)試裝置，其中，所述至少一個(gè)外圍線圈被配置成在所述晶片的水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)。
4.如權(quán)利要求2所述的磁傳感器測(cè)試裝置，其中，所述至少一個(gè)外圍線圈被安排成與所述晶片的表面成銳角。
5.如權(quán)利要求1所述的磁傳感器測(cè)試裝置，其中，所述至少一個(gè)外圍線圈包括四個(gè)線圈。
6.如權(quán)利要求4所述的磁傳感器測(cè)試裝置，其中，所述銳角小于90度。
7.如權(quán)利要求5所述的磁傳感器測(cè)試裝置，其中，所述四個(gè)線圈包括: 被安排在第一軸方向中的第一線圈對(duì)；以及 被安排在第二軸方向中的第二線圈對(duì)，所述第二軸方向垂直于所述第一軸方向。
8.如權(quán)利要求1所述的磁傳感器測(cè)試裝置，還包括: 被配置成檢測(cè)從所述磁傳感器輸出的測(cè)試信號(hào)的多個(gè)探針頂端。
9.如權(quán)利要求1所述的磁傳感器測(cè)試裝置，其中，所述至少一個(gè)外圍線圈與所述垂直線圈隔開(kāi)一定的距離。
10.一種磁傳感器測(cè)試方法,包括: 在垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)；以及 在水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)。
11.如權(quán)利要求10所述的磁傳感器測(cè)試方法，其中， 所述磁傳感器測(cè)試方法應(yīng)用于包括多個(gè)磁傳感器的晶片； 在垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)包括在所述晶片的垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)；以及 在水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)包括在所述晶片的水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)。
12.如權(quán)利要求10所述的磁傳感器測(cè)試方法，其中，在垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)包括將電流施加到垂直線圈以測(cè)試所述磁場(chǎng)的垂直分量的強(qiáng)度。
13.如權(quán)利要求11所述的磁傳感器測(cè)試方法，其中，在水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)包括將電流施加到第一線圈對(duì)和第二線圈對(duì)以測(cè)試所述磁場(chǎng)的水平分量的強(qiáng)度，所述第一線圈對(duì)和所述第二線圈對(duì)被安排成與所述晶片的表面成銳角。
14.如權(quán)利要求11所述的磁傳感器測(cè)試方法，其中，分別在垂直方向和水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)包括測(cè)試所述多個(gè)磁傳感器是否正常工作。
15.如權(quán)利要求10所述的磁傳感器測(cè)試方法，其中，在垂直方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)和在水平方向中產(chǎn)生磁場(chǎng)的執(zhí)行順序互不相關(guān)。
16.一種磁傳感器測(cè)試裝置，包括: 探針； 被安排在所述探針中心的垂直線圈；以及 被對(duì)稱(chēng)安排在所述垂直線圈周?chē)膬蓚€(gè)或更多個(gè)外圍線圈。
17.如權(quán)利要求16所述的磁傳感器測(cè)試裝置，還包括包含磁傳感器的晶片。
18.如權(quán)利要求17所述的磁傳感器測(cè)試裝置，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)外圍線圈被安排成與所述晶片的表面成銳角。
19.如權(quán)利要求16所述的磁傳感器測(cè)試裝置，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)外圍線圈是被安排成與所述垂直線圈等距的四個(gè)外圍線圈。
20.如權(quán)利要求16所述的磁傳感器測(cè)試裝置，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)外圍線圈被安排成45度角且產(chǎn)生均勻磁場(chǎng)。
【文檔編號(hào)】G01R35/00GK104345292SQ201410126752
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月8日
【發(fā)明者】廉基福, 崔永培, 成詠錫, 陳景奭 申請(qǐng)人:美格納半導(dǎo)體有限公司