基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控傳感器及雙環(huán)狀纖芯光纖的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的是一種基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控傳感器及雙環(huán)狀纖芯光纖。雙環(huán)狀纖芯光纖具備兩個雙狀纖芯，第一環(huán)狀纖芯[1]位于環(huán)狀包層[2]的內(nèi)壁，第二環(huán)狀纖芯[3]位于環(huán)狀包層[2]內(nèi)部，還具有作為樣品傳感場所的微流通道[4],環(huán)狀纖芯[1]的內(nèi)表面具有分子印跡敏感層[8]，雙環(huán)狀纖芯光纖光纖表面具有微孔[6]和[7]，兩個微孔位于雙環(huán)狀纖芯光纖同一側(cè)；雙環(huán)狀纖芯光纖[5]分別通過光纖拉錐點[9]和[10]連接入射光纖[11]及出射光纖[12]，入射光纖[11]連接光纖耦合器[16],光纖耦合器[16]連接光源[17],出射光纖[12]連接光譜儀[18]。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，體積小，可實現(xiàn)高選擇性的在線微流控檢測。
【專利說明】基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控傳感器及雙環(huán)狀纖芯光纖
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光纖內(nèi)微流控分子印跡傳感裝置，尤其是一種基于含有雙環(huán)狀芯光纖的高靈敏度、微量液體分子印跡微流控在線傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]光纖傳感器是當今科學(xué)研究的熱點領(lǐng)域之一，在生物、環(huán)境、化學(xué)等領(lǐng)域具有極其廣泛的應(yīng)用前景。光纖傳感器分為強度吸收型、熒光型及相位調(diào)制型等多種類型，其中基于干涉原理的光纖傳感器基于相位調(diào)制實現(xiàn)，通過被測物的濃度改變使在一個干涉臂內(nèi)傳輸?shù)墓獬袒蚋缮姹弁饨橘|(zhì)的折射率變化，進而改變兩束光的相位，造成干涉譜產(chǎn)生變化，從而檢測出待測物理量。集成式光纖內(nèi)干涉儀是光纖傳感器件中的一種重要類型，它能夠抑制模式噪聲和光源噪聲，并實現(xiàn)壓力、電壓、溫度、磁場等各種物理量的高精度測量。在先前技術(shù)中，Ai Zhou等設(shè)計了一種集成式光纖Michelson干涉儀結(jié)構(gòu)(Ai Zhou, YanhuiZhang, Guangping Li, Jun Yang 等，Optical refractometer based on an asymmetricaltwin-core fiber Michelson interferometer, Optics Letters, Vol.36, Issuel6, pp.3221-3223 (2011))。這種集成式干涉儀其中一根光纖位于包層內(nèi)，作為參考臂，另一根光纖裸露于光纖外表面，與被測物質(zhì)接觸，作為傳感臂。通過介質(zhì)折射率的變化，引起兩部分傳輸光路的光程差的變化，使干涉信號的譜產(chǎn)生移動。由這種特殊光纖構(gòu)成的Michelson型光纖干涉儀存在兩方面不足:(I)只要干涉臂外部的折射率發(fā)生變化，即可引起干涉信號的變化。然而，引起待測介質(zhì)的折射率變化的因素很多，所以造成了這種干涉儀結(jié)構(gòu)的選擇性差；(2)由于干涉臂位于光纖外表面，所以必須為傳感器設(shè)計樣品池，故系統(tǒng)占有較大體積，且系統(tǒng)結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜。
[0003]分子印跡技術(shù)可以對某一特定待測物質(zhì)的官能團、分子尺寸、空間結(jié)構(gòu)等特征形成具有“記憶效應(yīng)”的配位點，并且在高度選擇性和特異識別性的前提下，對待測分子進行識別。這種特定的配位結(jié)構(gòu)對模板分子具有特異性親和力，其表現(xiàn)與天然生物分子的分子識別過程類似(如酶催化、抗原、抗體等)。分子印跡技術(shù)的這種立體形狀、尺寸和官能團的特殊結(jié)合效應(yīng)使其在分子識別過程中具有預(yù)期性、特異識別性和高度實用性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種檢測靈敏度高，溫度穩(wěn)定性好，結(jié)構(gòu)簡單，體積小的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器。本發(fā)明的目的還在于提供一種雙環(huán)狀纖芯光纖。
[0005]本發(fā)明的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器包括光源[17]、光纖耦合器[16]、入射光纖[11]、出射光纖[12]、光譜儀[18]，還包括雙環(huán)狀纖芯光纖；所述雙環(huán)狀纖芯光纖具備兩個雙狀纖芯，第一環(huán)狀纖芯[I]位于環(huán)狀包層[2]的內(nèi)壁，第二環(huán)狀纖芯[3]位于環(huán)狀包層[2]內(nèi)部，還具有作為樣品傳感場所的微流通道[4]，第一環(huán)狀纖芯[1]的內(nèi)表面具有分子印跡敏感層[8]，雙環(huán)狀纖芯光纖光纖表面具有第一微孔[6]和第二微孔[7]，兩個微孔位于雙環(huán)狀纖芯光纖同一側(cè)；雙環(huán)狀纖芯光纖[5]分別通過第一光纖拉錐點[9]和第二光纖拉錐點[10]連接入射光纖[11]及出射光纖[12]，入射光纖[11]連接光纖耦合器[16]，光纖耦合器[16]連接光源[17]，出射光纖[12]連接光譜儀[18]，光譜儀[18]連接計算機[19];第一微孔[6]連接第一毛細管[13]，第一毛細管[13]連接注射泵[14]，第二微孔[7]連接第二毛細管[15]。
[0006]本發(fā)明的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器還可以包括:
[0007]1、所述雙環(huán)狀纖芯光纖的微流通道[4]的直徑為50-80 μ m,第一環(huán)狀纖芯[I]及第二環(huán)狀纖芯[2]的厚度為5 μ m，第一環(huán)狀纖芯[I]及第二環(huán)狀纖芯[3]延光纖切面直徑方向的距離為10 μ m,整根光纖的直徑為125 μ m。
[0008]2、所述的分子印跡敏感層[8]位于光纖空腔的內(nèi)部，為具有與待測分子具有特異性螯合作用的高分子膜，厚度為1-2 μ m。
[0009]3、第一微孔[6]和第二微孔[7]直徑為20-50 μ m,第一微孔[6]與第二微孔[7]之間的距離為10cm，兩微孔分別與相近的第一拉錐點[9]和第二拉錐點[10]的距離為1-2mmο
[0010]4、光源[17]為C+L波段的寬譜ASE光源。
[0011]本發(fā)明的雙環(huán)狀纖芯光纖具備兩個雙狀纖芯，第一環(huán)狀纖芯[I]位于環(huán)狀包層
[2]的內(nèi)壁，第一環(huán)狀纖芯[3]位于環(huán)狀包層[2]內(nèi)部，還具有作為樣品傳感場所的微流通道[4]，第一環(huán)狀纖芯[I]的內(nèi)表面具有分子印跡敏感層[8]，雙環(huán)狀纖芯光纖光纖表面具有第一微孔[6]和第二微孔[7],兩個微孔位于雙環(huán)狀纖芯光纖同一側(cè)。
[0012]本發(fā)明利用一種新型含雙環(huán)狀芯的光纖，通過在其中一個纖芯表面涂覆分子印跡敏感材料，設(shè)計了一種新型Mach-Zehnder干涉儀型光纖傳感器,利用特異性的干涉相位移動實現(xiàn)高靈敏度分子濃度檢測，這種集成式光纖干涉儀具有結(jié)構(gòu)簡單，體積小，系統(tǒng)集成的優(yōu)點，可實現(xiàn)高選擇性的在線微流控檢測。
[0013]本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)高度集成的基于Mach-Zehnder型光纖干涉儀的分子印跡光纖傳感器，尤其是一種具有雙環(huán)狀芯的光纖在線干涉式微流控光纖傳感器。用于生物、制藥、環(huán)境、工業(yè)等場合的分子識別及樣品濃度檢測。基于特殊設(shè)計的雙環(huán)狀芯光纖的這種Mach-Zehnder型集成式光纖干涉儀的干涉臂位于光纖孔道內(nèi)部,傳感過程發(fā)生在光纖內(nèi)部。因此，無需樣品池，能夠?qū)崿F(xiàn)微量在線檢測，且結(jié)構(gòu)簡單，操作簡便。特別是在傳感臂表面涂覆有分子印跡敏感高分子薄膜，首次在光纖內(nèi)部實現(xiàn)與檢測分子的特異性識別。所以，該傳感器具有高度的選擇性，整個傳感器基于干涉式相位檢測，所以具有極高的檢測靈敏度。
[0014]與先前技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點:
[0015]1.將分子印跡材料固定于特種光纖內(nèi)表面，利用分子印跡材料與待測分子的特異性結(jié)合實現(xiàn)高選擇性濃度檢測；
[0016]2.采用光纖表面開孔方式實現(xiàn)微流進樣，無需樣品池，使傳感器具有更加緊湊的結(jié)構(gòu)，顯著縮小了采樣量，并可實現(xiàn)在線檢測；標準光纖與雙環(huán)狀芯光纖通過熔融拉錐進行耦合，同樣縮小了器件體積；
[0017]3.利用集成式雙環(huán)形芯Mach-Zehnder光纖干涉儀結(jié)構(gòu),通過改變兩纖芯光程差造成干涉峰相位移動，干涉臂傳感內(nèi)表面積大，實現(xiàn)高靈敏度檢測；
[0018]4.溫度穩(wěn)定性良好。該集成式光纖傳感器的兩根纖芯位于同一根光纖內(nèi)部，環(huán)境溫度對兩干涉臂的影響為等效作用，可以有效抵消溫度引起的測量誤差。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1雙環(huán)狀芯光纖的端面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2雙環(huán)狀芯光纖表面微孔結(jié)構(gòu)不意圖。
[0021]圖3雙環(huán)狀芯光纖的微腔內(nèi)表面分子印跡高分子膜修飾結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖4雙環(huán)狀芯光纖的Mach-Zehnder型干涉儀光耦合示意圖。
[0023]圖5基于分子印跡的Mach-Zehnder型雙環(huán)狀芯光纖在線干涉?zhèn)鞲衅髡w示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖舉例對本發(fā)明做更詳細的描述。
[0025]本發(fā)明基于Mach-Zehnder型光纖干涉儀的分子印跡光纖在線傳感器是這樣實現(xiàn)的:采用含有雙環(huán)狀芯的光纖進行干涉光路的連接并進行傳感，其特征主要包括以下內(nèi)容:
[0026]結(jié)合圖1，傳感用雙環(huán)狀芯光纖端面具備的結(jié)構(gòu)主要特點是具有雙環(huán)狀纖芯及孔道結(jié)構(gòu)，纖芯具有大比表面積。纖芯[I]位于環(huán)狀包層[2]的內(nèi)表面，纖芯[3]位于環(huán)狀包層[2]內(nèi)部。如圖2所示，微流通道[4]表面利用CO2激光器打開兩個微口，其中微口 [6]用于進樣，微口 [7]作為樣品流出孔道。如圖3所示，通過入口 [6]和出口 [7]，將分子印跡高分子敏感材料注入雙環(huán)狀芯光纖[5]，在纖芯[I]內(nèi)壁形成分子印跡敏感膜[8]。光路的耦合連接如圖4所示。含雙環(huán)狀芯光纖[5]的兩端分別與兩根標準單模光纖[11]及
[12]熔融連接并進行拉錐耦合，構(gòu)成兩個3dB光纖耦合器，并組成一個臂長相等的串聯(lián)結(jié)構(gòu)的Mach-Zehnder光纖干涉儀。纖芯[I]和纖芯[3]分別構(gòu)成Mach-Zehnder干涉儀的敏感光路和參比光路。探測時，將微流氣體或液體樣品[20]由入口 [6]注入形成微流，并與分子印跡敏感層[8]作用。如圖5所示，本發(fā)明設(shè)計的基于雙環(huán)狀芯光纖的在線分子印跡傳感器整體包括ASE寬譜光源[17]，耦合器[16]、標準光纖[11]及[12]，含分子印跡敏感膜
[8]的雙環(huán)狀芯光纖[5]、樣品入口 [6]、樣品出口 [7]、注射泵[14]、毛細管[13]及[15]、高精度光譜儀[18]及計算機[19]。具體原理如下:ASE連續(xù)光經(jīng)過其中一個3dB耦合器后將光按50:50分光,一束光進入包層內(nèi)纖芯[3],另一束光進入纖芯[I]。然后兩束光經(jīng)過第二個3dB耦合器后形成干涉光譜，進入光纖光譜儀。
[0027]所述的雙環(huán)狀芯光纖包含的微流通道[4]的直徑為50-80 μ m，環(huán)狀纖芯[I]及環(huán)狀纖芯[2]的厚度為5 μ m，環(huán)狀纖芯[I]及環(huán)狀纖芯[3]延光纖切面直徑方向的距離為10 μ m,整根光纖的直徑為125 μ m。
[0028]所述的分子印跡敏感層[8]位于光纖空腔的內(nèi)部，為具有與待測分子具有特異性螯合作用的高分子膜，厚度為1-2 μ m。
[0029]利用雙環(huán)狀芯光纖表面微孔實現(xiàn)光纖微流檢測，其中微孔[6]作為樣品入口，微孔[7]作為樣品出口，微孔[6]和微孔[7]直徑為20-50μπι，微孔[6]和微孔[7]距離為10cm，兩微孔分別與相近的拉錐點[9]和[10]的距離為l_2mm。[0030]光經(jīng)過入射光纖[11]進入纖芯[I]及纖芯[2]，再進入出射光纖[12]發(fā)生干涉，構(gòu)成Mach-Zehnder型干涉光路。
[0031]根據(jù)分子印跡敏感層[8]與待測分子[20]的特異性螯合過程實現(xiàn)敏感層[8]的光學(xué)特性，尤其是光程的變化，當分子印跡高分子敏感膜[8]俘獲待測分子[20]后，纖芯
[1]表面介質(zhì)有效折射率η發(fā)生改變，Mach-Zehnder干涉儀兩臂纖芯[I]與纖芯[2]光程差Λ 1改變，干涉峰將產(chǎn)生波長差為Λ λ的移動，從而實現(xiàn)傳感過程。
[0032]所述入射光纖[11]及出射光纖[12]為單模光纖。
[0033]光源[17]為C+L波段的寬譜ASE光源。
[0034]光纖干涉儀的第m個干涉峰滿足:
[0035]2 (η山_n212) =N Ani
[0036]其中ηι及n2分別代表兩個環(huán)狀芯[I]及[3]的有效折射率，I1及I2分別代表纖芯[I]及[3]的長度，N為整數(shù)，λ 干涉峰波長。如果纖芯[I]周圍的折射率改變δη，響應(yīng)的纖芯[I]的折射率改變△!!，假設(shè)纖芯[I]的有效長度為1，則纖芯[I]隨外界環(huán)境波動的長度變化為Λη1，如果該波動值遠小于波長，則纖芯[I]和[3]的光程差變?yōu)?
[0037]2 Cn1I1-1i2I2) +2 Δ η1=Ν (入 J Δ λ )
[0038]相應(yīng)的波長移動描述為:
[0039]Λ λ =Λη1 λ JOi1 lrn212)
[0040]根據(jù)分子印跡敏感層與待測分子的特異性螯合過程實現(xiàn)敏感層光學(xué)特性，尤其是光程的變化，引起光纖兩路光干涉相位發(fā)生移動，根據(jù)移動量檢測待測物質(zhì)的濃度。當分子印跡高分子敏感膜[8]俘獲待測分子[20]后，纖芯[I]表面介質(zhì)有效折射率η發(fā)生改變，兩臂光程差A(yù)l改變，干涉峰將產(chǎn)生波長差Λ λ的移動，移動量與待測物濃度成正比。
[0041]基于雙環(huán)狀芯波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的光纖毒殺芬分子印跡微流控在線傳感器的制備:
[0042]毒殺芬是一種被大量使用的殺蟲劑，為全身抽搐性毒物。毒殺芬具有高毒性、高穩(wěn)定性、容易被生物富集等特性，廣泛存在于水體、土壤、大氣和動植物體中，給人類健康構(gòu)成了極大的安全隱患，從而得到了國際社會的廣泛關(guān)注。下面具體以檢測毒殺芬為例說明該種基于雙環(huán)狀芯光纖的分子印跡傳感器的實施。
[0043]截取1Ocm雙環(huán)狀芯光纖，利用光纖熔接機將其兩端與標準單模光纖進行熔融連接。然后，利用大功率CO2激光器在雙環(huán)狀芯光纖表面開微孔。具體操作為:
[0044]1將CO2激光光斑焦點對準雙環(huán)狀芯光纖距離熔接點3mm處，并利用顯微鏡調(diào)節(jié)纖芯位置，使其遠離開口位置；
[0045]2調(diào)節(jié)激光功率至50%，頻率為20kHz，掃描速度為200mm/s，進行掃描刻蝕，使掃描方向垂直于光纖，形成長70 μ m,寬20 μ m的微孔；
[0046]3如步驟2描述，在雙環(huán)狀芯光纖另一側(cè)刻蝕第二個微孔；
[0047]4利用光纖拉錐機將耦合點在氫氧焰下拉錐，拉錐區(qū)長度為2cm，并將光纖固定于基板上；
[0048]5從連接頭處依次注入蒸餾水，乙醇清洗光纖內(nèi)腔,并用氮氣吹干內(nèi)表面。
[0049]然后，選擇適當溶劑體系，使模板分子與聚合物單體通過共價或非共價作用形成模板-單體復(fù)合物。在交聯(lián)劑的引發(fā)作用下，形成預(yù)聚合體。再將預(yù)聚合物涂覆在光纖內(nèi)表面，繼續(xù)聚合生成高聚物，將模板分子包埋其中。最后，洗脫除去模板分子，在高聚物膜中形成與原模板分子在空間結(jié)構(gòu)上相匹配的三維分子空穴。具體過程為:
[0050]I在燒瓶中加入250mL氯仿，同時加入5g毒殺芬，IOg甲基丙烯酸和94g 二乙撐雙甲基丙烯酸甲酯，充分攪拌溶解；
[0051]2在真空條件下脫氣后加入0.1g偶氮二異丁腈引發(fā)劑，在60°C水浴聚合3h，形成預(yù)聚體；
[0052]3將預(yù)聚體吸入雙環(huán)狀芯光纖內(nèi)部，使其在光纖表面吸附成膜，然后至于干燥箱內(nèi)繼續(xù)在同樣條件下聚合24h;
[0053]4用甲醇和乙酸(體積比9:1)抽提模板分子，然后干燥光纖，即得分子印跡聚合物修飾的內(nèi)懸芯光纖。
[0054]ASE寬譜光[17]經(jīng)過耦合器[16]進入標準光纖[11]，然后在第一個熔融拉錐點
[9]將光按照50:50進行分光，一束光進入?yún)⒖脊饴穂3]，另一束光進入傳感光路[I]。兩束光經(jīng)過第二個熔融拉錐點[10]進入第二根標準單模光纖[9]，進入光纖光譜儀[15]，形成干涉光譜。
[0055]利用注射泵[14]，將含毒殺芬的溶液通過聚四氟乙烯(PTFE)毛細管[13]從光纖表面微孔[6]注入，在雙環(huán)狀芯光纖[5]內(nèi)部形成微流。反應(yīng)完畢，從微孔[7]流出。毒殺芬分子在雙環(huán)狀芯光纖[5]內(nèi)與修飾于纖芯[I]表面的分子印跡敏感層[8]發(fā)生作用，通過擴散進入膜內(nèi)部，占據(jù)之前在膜內(nèi)部形成的與之互相匹配的空穴。毒殺芬分子與空穴結(jié)合后，造成分子印跡敏感膜的折射率發(fā)生改變，并改變光纖[5]內(nèi)部的纖芯[I]與纖芯[3]的光程差，引起了干涉光譜峰位移動。檢測過程中，選擇毒殺芬濃度為零的溶液的第一個波峰進行監(jiān)測。然后，通入不同濃度的毒殺芬樣品，檢測第一干涉波峰的位置移動。隨著分子印跡膜俘獲毒殺芬分子量的增加，干涉峰位移動量增大。更換樣品前需對分子印跡膜內(nèi)毒殺芬分子進行洗脫，洗脫液仍選擇甲醇和乙酸(體積比9:1)，故該光纖傳感器可再生，檢測結(jié)果重復(fù)性較好。
【權(quán)利要求】
1.一種基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器，包括光源[17]、光纖耦合器[16]、入射光纖[11]、出射光纖[12]、光譜儀[18]，其特征是:還包括雙環(huán)狀纖芯光纖；所述雙環(huán)狀纖芯光纖具備兩個雙狀纖芯，第一環(huán)狀纖芯[I]位于環(huán)狀包層[2]的內(nèi)壁，第二環(huán)狀纖芯[3]位于環(huán)狀包層[2]內(nèi)部，還具有作為樣品傳感場所的微流通道[4]，第一環(huán)狀纖芯[I]的內(nèi)表面具有分子印跡敏感層[8]，雙環(huán)狀纖芯光纖光纖表面具有第一微孔[6]和第二微孔[7],兩個微孔位于雙環(huán)狀纖芯光纖同一側(cè)；雙環(huán)狀纖芯光纖[5]分別通過第一光纖拉錐點[9]和第二光纖拉錐點[10]連接入射光纖[11]及出射光纖[12]，入射光纖[11]連接光纖耦合器[16]，光纖耦合器[16]連接光源[17]，出射光纖[12]連接光譜儀[18]；第一微孔[6]連接第一毛細管[13]，第一毛細管[13]連接注射泵[14]，第二微孔[7]連接第二毛細管[15]。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器，其特征是:所述雙環(huán)狀纖芯光纖的微流通道[4]的直徑為50-80 μ m，第一環(huán)狀纖芯[I]及第二環(huán)狀纖芯[2]的厚度為5 μ m，第一環(huán)狀纖芯[I]及第二環(huán)狀纖芯[3]延光纖切面直徑方向的距離為10 μ m,整根光纖的直徑為125 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器，其特征是:所述的分子印跡敏感層[8]位于光纖空腔的內(nèi)部，為具有與待測分子具有特異性螯合作用的高分子膜，厚度為1-2 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器，其特征是:第一微孔[6]和第二微孔[7]直徑為20-50 μ m，第一微孔[6]與第二微孔[7]之間的距離為10cm，兩微孔分別與相近的第一拉錐點[9]和第二拉錐點[10]的距離為l_2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器，其特征是:第一微孔[6]和第二微孔[7]直徑為20-50μπι，第一微孔[6]與第二微孔[7]之間的距離為10cm，兩微孔分別與相近的第一拉錐點[9]和第二拉錐點[10]的距離為l_2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器，其特征是:光源[17]為C+L波段的寬譜ASE光源。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器，其特征是:光源[17]為C+L波段的寬譜ASE光源。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器，其特征是:光源[17]為C+L波段的寬譜ASE光源。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于雙環(huán)狀纖芯光纖的分子印跡微流控在線傳感器，其特征是:光源[17]為C+L波段的寬譜ASE光源。
10.一種雙環(huán)狀纖芯光纖，其特征是:具備兩個雙狀纖芯，第一環(huán)狀纖芯[I]位于環(huán)狀包層[2]的內(nèi)壁，第一環(huán)狀纖芯[3]位于環(huán)狀包層[2]內(nèi)部，還具有作為樣品傳感場所的微流通道[4]，第一環(huán)狀纖芯[I]的內(nèi)表面具有分子印跡敏感層[8]，雙環(huán)狀纖芯光纖光纖表面具有第一微孔[6]和第二微孔[7],兩個微孔位于雙環(huán)狀纖芯光纖同一側(cè)。
【文檔編號】G01N21/45GK103900993SQ201410136132
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2014年4月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月4日
【發(fā)明者】楊興華, 苑婷婷, 李恩濤, 劉春蘭, 趙恩銘, 苑立波 申請人:哈爾濱工程大學(xué)