一種測試器件群場效應(yīng)晶體管及其測試器件群測試方法
【專利摘要】一種測試器件群場效應(yīng)晶體管，包括：襯底；源極區(qū)，位于所述襯底之中；漏極區(qū)，位于所述襯底之中，并在所述襯底的水平方向上與所述源極區(qū)相對布置；介電層，在所述襯底的垂直方向上覆蓋于所述襯底之上；以及柵極區(qū)，在所述垂直方向上位于所述介電層之上，并在所述水平方向上位于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間，其中，所述柵極區(qū)遠離在所述水平方向上從所述源極區(qū)的中心區(qū)域指向所述漏極區(qū)的中心區(qū)域的軸線。一種測試器件群測試方法，用于測試所述場效應(yīng)晶體管。能夠測量測試器件群場效應(yīng)晶體管的邊緣處的可靠性和工作特性，能夠更全面地了解半導體器件的產(chǎn)品質(zhì)量，有利于半導體器件產(chǎn)品質(zhì)量的提高。
【專利說明】一種測試器件群場效應(yīng)晶體管及其測試器件群測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及一種場效應(yīng)晶體管，尤其涉及一種用于測試器件群(TEG:TestElement Group)的場效應(yīng)晶體管，以及用于對這種場效應(yīng)晶體管進行測試的測試器件群測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體器件生產(chǎn)過程中，經(jīng)常采用測試器件群來監(jiān)控半導體器件的產(chǎn)品特性或工藝表現(xiàn)。
[0003]例如，圖1示例性示出了一種現(xiàn)有技術(shù)中的測試器件群場效應(yīng)晶體管的俯視圖。圖2A和圖2B分別示例性示出了從圖1中的剖面線a-a向上看去的剖面圖和從圖1中的剖面線b-b向左看去的剖面圖，其中，剖面線a-a為測試器件群場效應(yīng)晶體管的電流通道(SP溝道)方向，剖面線b-b位于測試器件群場效應(yīng)晶體管的寬度方向上，并與剖面線a-a相互垂直。
[0004]結(jié)合圖1、圖2A和圖2B，可以看到，現(xiàn)有技術(shù)中的測試器件群場效應(yīng)晶體管FT包括:源極區(qū)S，通過外部引線(outside IeacOM連接到外部的測試墊Ps ;漏極區(qū)D，通過另一條外部引線M連接到外部的測試墊Pd ;柵極區(qū)G，通過又另一條外部引線M連接到外部的測試墊Pg。
[0005]如圖1中所示，柵極區(qū)G在測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的通道方向上位于源極區(qū)S和漏極區(qū)D之間，在測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的寬度方向上貫穿測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的整個寬度。
[0006]其中，圖2A例性示出了從圖1中的剖面線a-a向上看去的剖面圖。如圖2A中所示，測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的源極區(qū)S和漏極區(qū)D通常從襯底B的上表面延伸到襯底B之中，其上被介電層I覆蓋，柵極區(qū)G位于介電層I之上。
[0007]其中，圖2B示例性示出了從圖1中的剖面線b-b向左看去的剖面圖。為了突出顯示柵極區(qū)G與測試器件群場效應(yīng)晶體管FT在測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的寬度方向上的位置關(guān)系，在圖2B中，假設(shè)介電層I是透明的，以便能夠看到源極區(qū)S，并且，省略了各外部引線M。如圖2B中所示，柵極區(qū)G在測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的寬度方向上貫穿測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的整個寬度。如圖2B中也示出了靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的通道邊緣E。
[0008]圖3A和圖3B分別示例性示出了圖1中的測試器件群場效應(yīng)晶體管中的電場分布的示意圖和電流分布的示意圖。
[0009]如圖3A中所示，當在測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的柵極區(qū)G和源極區(qū)S之間施加電壓時，例如會產(chǎn)生如圖中箭頭所示的電場分布，由于柵極區(qū)G和源極區(qū)S的立體形狀具有一定的棱角，所以，在靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的通道邊緣E處所產(chǎn)生的電場會
更強一些。
[0010]如圖3B中所示，當測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的源極區(qū)S和漏極區(qū)D之間存在導通電流時，例如會產(chǎn)生如圖中箭頭所示的電流分布。電流通過源極區(qū)S和漏極區(qū)D之間一定寬度的立體通道中流過。而且，由于在靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的通道邊緣E處所產(chǎn)生的電場更強一些，所以在靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FT的通道邊緣E處所流過的電流也相應(yīng)地更大一些。
[0011]另一方面，由于工藝上的原因，靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管的通道邊緣處比通道中部更容易存在工藝缺陷，所以測試器件群場效應(yīng)晶體管的邊緣處的可靠性和工作特性會更差一些。當采用如圖1-圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)的測試器件群場效應(yīng)晶體管來進行測試器件群測試時，由于不區(qū)分測試器件群場效應(yīng)晶體管的邊緣處和中部可靠性和工作特性之間的差異，因此不能全面了解半導體器件的產(chǎn)品質(zhì)量，從而不利于半導體器件產(chǎn)品質(zhì)量的提聞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]為了解決上述技術(shù)問題之一，本公開提供了一種測試器件群場效應(yīng)晶體管，包括:襯底；源極區(qū)，位于所述襯底之中；漏極區(qū)，位于所述襯底之中，并在所述襯底的水平方向上與所述源極區(qū)相對布置；介電層，在所述襯底的垂直方向上覆蓋于所述襯底之上；以及柵極區(qū)，在所述垂直方向上位于所述介電層之上，并在所述水平方向上位于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間，其中，所述柵極區(qū)遠離在所述水平方向上從所述源極區(qū)的中心區(qū)域指向所述漏極區(qū)的中心區(qū)域的軸線。
[0013]其中，所述柵極區(qū)包括第一柵極區(qū)和第二柵極區(qū)，所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)分別布置在所述軸線的兩側(cè)。
[0014]其中，所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述源極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
[0015]其中，所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述漏極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
[0016]其中，所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接。
[0017]其中，所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)和所述柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
[0018]其中，所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)、所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
[0019]本公開還提供了一種測試器件群測試方法，用于測試測試器件群場效應(yīng)晶體管，所述測試器件群場效應(yīng)晶體管，包括:襯底；源極區(qū)，位于所述襯底之中；漏極區(qū)，位于所述襯底之中，并在所述襯底的水平方向上與所述源極區(qū)相對布置；介電層，在所述襯底的垂直方向上覆蓋于所述襯底之上；以及柵極區(qū)，在所述垂直方向上位于所述介電層之上，并在所述水平方向上位于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間，其中，所述柵極區(qū)遠離在所述水平方向上從所述源極區(qū)的中心區(qū)域指向所述漏極區(qū)的中心區(qū)域的軸線，其中，所述測試器件群測試方法包括:步驟S100，施加第一電壓于所述場效應(yīng)晶體管的所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間，并在預(yù)定時間長度之后停止施加所述第一電壓，以便測量所述場效應(yīng)晶體管的可靠性；以及步驟S200，施加第二電壓于所述場效應(yīng)晶體管的所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間，以便測量所述場效應(yīng)晶體管的工作特性。
[0020]其中，所述步驟SlOO中所述第一電壓為所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間最大可承受電壓的期望值，以及所述步驟S200中所述第二電壓為所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間工作電壓范圍中的一組值。
[0021]其中，所述步驟SlOO中所述第一電壓為20V，以及所述步驟S200的所述第二電壓為所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間工作電壓范圍-1OV至+IOV中的一組值。
[0022]其中，所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述柵極區(qū)包括第一柵極區(qū)和第二柵極區(qū)，所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)分別布置在所述軸線的兩側(cè)。
[0023]其中，所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述源極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
[0024]其中，所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述漏極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
[0025]其中，所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接。
[0026]其中，所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)和所述柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
[0027]其中，所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)、所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
[0028]通過采用本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管及其測試器件群測試方法，由于能夠測量測試器件群場效應(yīng)晶體管的邊緣處的可靠性和工作特性，因此能夠更全面地了解半導體器件的產(chǎn)品質(zhì)量，從而有利于半導體器件產(chǎn)品質(zhì)量的提高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]下面將參照所附附圖來描述本公開的實施例，其中:
[0030]圖1示例性示出了一種現(xiàn)有技術(shù)中的測試器件群場效應(yīng)晶體管的俯視圖；
[0031]圖2A和圖2B分別不例性不出了從圖1中的首I]面線a_a向上看去的首I]面圖和從圖1中的剖面線b-b向左看去的剖面圖；
[0032]圖3A和圖3B分別示例性示出了圖1中的測試器件群場效應(yīng)晶體管中的電場分布的不意圖和電流分布的不意圖；
[0033]圖4示例性示出了根據(jù)本公開一個實施例的測試器件群場效應(yīng)晶體管的俯視圖；
[0034]圖5A和圖5B分別示例性示出了從圖4中的剖面線a_a向上看去的剖面圖和從圖4中的剖面線b-b向左看去的剖面圖；
[0035]圖6A和圖6B分別示例性示出了圖4中的測試器件群場效應(yīng)晶體管中的電場分布的不意圖和電流分布的不意圖；
[0036]圖7示例性示出了根據(jù)本公開另一個實施例的測試器件群場效應(yīng)晶體管的俯視圖；
[0037]圖8A和圖8B分別示例性示出了從圖7中的剖面線a_a向上看去的剖面圖和從圖7中的剖面線b-b向左看去的剖面圖；
[0038]圖9A和圖9B分別示例性示出了圖7中的測試器件群場效應(yīng)晶體管中的電場分布的不意圖和電流分布的不意圖；以及
[0039]圖10示例性示出了本公開的測試器件群測試方法的流程圖?！揪唧w實施方式】
[0040]下面將結(jié)合圖4至圖10詳細描述本公開，其中相同的附圖標記表示相同或相似的設(shè)備、單元、材料或結(jié)構(gòu)。
[0041]圖4示例性示出了根據(jù)本公開一個實施例的測試器件群場效應(yīng)晶體管的俯視圖。圖5A和圖5B分別示例性示出了從圖4中的剖面線a-a向上看去的剖面圖和從圖4中的剖面線b-b向左看去的剖面圖，其中，剖面線a-a為測試器件群場效應(yīng)晶體管的電流通道方向，剖面線b-b位于測試器件群場效應(yīng)晶體管的寬度方向上，并與剖面線a-a相互垂直。
[0042]結(jié)合圖4、圖5A和圖5B，可以看到，本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl包括:襯底B ;源極區(qū)S，位于襯底B之中；漏極區(qū)D，位于襯底B之中，并在襯底B的水平方向(SP測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的電流通道方向)上與源極區(qū)S相對布置；介電層I，在襯底B的垂直方向上覆蓋于襯底B之上，即覆蓋于源極區(qū)S和漏極區(qū)D之上；以及柵極區(qū)Gl，在所述垂直方向上位于介電層I之上，并在所述水平方向上位于源極區(qū)S和漏極區(qū)D之間，其中，柵極區(qū)Gl遠離在所述水平方向上從源極區(qū)S的中心區(qū)域指向漏極區(qū)D的中心區(qū)域的軸線(即剖面線a-a)，也就是說，柵極區(qū)Gl在測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的寬度方向上偏離測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的通道的中部，而靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的通道邊緣E處。
[0043]其中，源極區(qū)S通過外部引線M連接到外部的測試墊Ps，漏極區(qū)D通過另一條外部引線M連接到外部的測試墊Pd，柵極區(qū)Gl通過又另一條外部引線M連接到外部的測試墊Pgo
[0044]其中，圖5B示例性示出了從圖4中的剖面線b-b向左看去的剖面圖。為了突出顯示柵極區(qū)Gl與測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl在測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的寬度方向上的位置關(guān)系，在圖5B中，假設(shè)介電層I是透明的，以便能夠看到源極區(qū)S，并且，省略了各外部引線M。如圖5B中所示，柵極區(qū)Gl在測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的寬度方向上偏離測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的通道的中部，而靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的通道邊緣E處。
[0045]圖6A和圖6B分別示例性示出了圖4中的測試器件群場效應(yīng)晶體管中的電場分布的示意圖和電流分布的示意圖。
[0046]如圖6A中所示，當在測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的柵極區(qū)Gl和源極區(qū)S之間施加電壓時，例如會產(chǎn)生如圖中箭頭所示的電場分布，電場主要存在于靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的通道一側(cè)的邊緣E處。
[0047]如圖6B中所示，當測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的源極區(qū)S和漏極區(qū)D之間存在導通電流時，例如會產(chǎn)生如圖中箭頭所示的電流分布，電流主要存在于靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的通道一側(cè)的邊緣E處。
[0048]圖7示例性示出了根據(jù)本公開另一個實施例的測試器件群場效應(yīng)晶體管的俯視圖。圖8A和圖8B分別示例性示出了從圖7中的剖面線a-a向上看去的剖面圖和從圖7中的剖面線b-b向左看去的剖面圖，其中，剖面線a-a為測試器件群場效應(yīng)晶體管的電流通道方向，剖面線b-b位于測試器件群場效應(yīng)晶體管的寬度方向上，并與剖面線a-a相互垂直。
[0049]結(jié)合圖7、圖8A和圖8B，可以看到，如圖7、圖8A和圖8B中所示的本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2與如圖4、圖5A和圖5B中所示的本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管FTl的不同在于，如圖7、圖8A和圖SB中所示的本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的柵極區(qū)除了包括柵極區(qū)Gl之外，還包括柵極區(qū)G2，柵極區(qū)Gl和柵極區(qū)G2分別布置在水平方向(即測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的電流通道方向)上從源極區(qū)S的中心區(qū)域指向漏極區(qū)D的中心區(qū)域的軸線(即剖面線a-a)的兩側(cè)，也就是說，柵極區(qū)Gl和柵極區(qū)G2在測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的寬度方向上分別偏離測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的通道的中部，而靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的通道邊緣E處。如圖7、圖8A和圖SB中所示，本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的源極區(qū)S、漏極區(qū)D、柵極區(qū)Gl和柵極區(qū)G2通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
[0050]作為一個實施例，如圖7、圖8A和圖8B中所示，本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的柵極區(qū)Gl和柵極區(qū)G2可以繞過漏極區(qū)D通過芯片內(nèi)布線(on-chip wire)連接。
[0051]此外，作為一個實施例，本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的柵極區(qū)Gl和柵極區(qū)G2也可以繞過源極區(qū)S通過芯片內(nèi)布線連接。
[0052]此外，作為一個實施例，本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的柵極區(qū)Gl和柵極區(qū)G2也可以分別通過外部引線連接在一起。
[0053]圖9A和圖9B分別示例性示出了圖7中的測試器件群場效應(yīng)晶體管中的電場分布的示意圖和電流分布的示意圖。
[0054]如圖9A中所示，當在測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的柵極區(qū)G1、G2和源極區(qū)S之間施加電壓時，例如會產(chǎn)生如圖中箭頭所示的電場分布，電場主要存在于靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的通道兩側(cè)的邊緣E處。
[0055]如圖9B中所示，當測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的源極區(qū)S和漏極區(qū)D之間存在導通電流時，例如會產(chǎn)生如圖中箭頭所示的電流分布，電流主要存在于靠近測試器件群場效應(yīng)晶體管FT2的通道兩側(cè)的邊緣E處。
[0056]采用如上所述的本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管，可以進行本公開的測試器件群測試。
[0057]圖10示例性示出了本公開的測試器件群測試方法的流程圖。如圖10中所示，本公開的測試器件群測試方法用于測試如圖4至圖9所示的測試器件群場效應(yīng)晶體管，包括:
[0058]步驟S100，在場效應(yīng)晶體管的柵極區(qū)和源極區(qū)之間施加第一電壓，并在預(yù)定時間長度之后停止施加第一電壓，以便測量場效應(yīng)晶體管的可靠性，例如氧化層的電壓承受能力。其中例如第一電壓為柵極區(qū)和源極區(qū)之間最大可承受電壓的期望值，例如20V的直流電壓。
[0059]步驟S200，在場效應(yīng)晶體管的柵極區(qū)和源極區(qū)之間施加第二電壓，以便測量場效應(yīng)晶體管正常使用時的工作特性，例如場效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性。其中例如第二電壓為柵極區(qū)和源極區(qū)之間工作電壓范圍中的一組值，例如從？10V至+IOV的一組直流電壓值。
[0060]此外，作為一個實施例，本公開的測試器件群測試方法中所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述柵極區(qū)包括第一柵極區(qū)和第二柵極區(qū)，所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)分別布置在所述軸線的兩側(cè)。
[0061]此外，作為一個實施例，本公開的測試器件群測試方法中所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述源極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
[0062]此外，作為一個實施例，本公開的測試器件群測試方法中所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述漏極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
[0063]此外，作為一個實施例，本公開的測試器件群測試方法中所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接。
[0064]此外，作為一個實施例，本公開的測試器件群測試方法中所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)和所述柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
[0065]此外，作為一個實施例，本公開的測試器件群測試方法中所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)、所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
[0066]通過采用本公開的測試器件群場效應(yīng)晶體管及其測試器件群測試方法，由于能夠測量測試器件群場效應(yīng)晶體管的邊緣處的可靠性和工作特性，因此能夠更全面地了解半導體器件的產(chǎn)品質(zhì)量，從而有利于半導體器件產(chǎn)品質(zhì)量的提高。
[0067]雖然已參照典型實施例描述了本公開，但應(yīng)當理解，所用的術(shù)語是說明和示例性、而非限制性的術(shù)語。由于本公開能夠以多種形式具體實施，所以應(yīng)當理解，上述實施例不限于任何前述的細節(jié)，而應(yīng)在隨附權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)廣泛地解釋，因此落入權(quán)利要求或其等同范圍內(nèi)的全部變化和改型都應(yīng)為隨附權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種測試器件群場效應(yīng)晶體管，包括: 襯底； 源極區(qū)，位于所述襯底之中； 漏極區(qū)，位于所述襯底之中，并在所述襯底的水平方向上與所述源極區(qū)相對布置； 介電層，在所述襯底的垂直方向上覆蓋于所述襯底之上；以及 柵極區(qū)，在所述垂直方向上位于所述介電層之上，并在所述水平方向上位于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間， 其中，所述柵極區(qū)遠離在所述水平方向上從所述源極區(qū)的中心區(qū)域指向所述漏極區(qū)的中心區(qū)域的軸線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試器件群場效應(yīng)晶體管，其中， 所述柵極區(qū)包括第一柵極區(qū)和第二柵極區(qū)，所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)分別布置在所述軸線的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所 述的測試器件群場效應(yīng)晶體管，其中， 所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述源極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測試器件群場效應(yīng)晶體管，其中， 所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述漏極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測試器件群場效應(yīng)晶體管，其中， 所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試器件群場效應(yīng)晶體管，其中， 所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)和所述柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項所述的測試器件群場效應(yīng)晶體管，其中， 所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)、所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
8.—種測試器件群測試方法，用于測試測試器件群場效應(yīng)晶體管，所述測試器件群場效應(yīng)晶體管，包括:襯底；源極區(qū)，位于所述襯底之中；漏極區(qū)，位于所述襯底之中，并在所述襯底的水平方向上與所述源極區(qū)相對布置；介電層，在所述襯底的垂直方向上覆蓋于所述襯底之上；以及柵極區(qū)，在所述垂直方向上位于所述介電層之上，并在所述水平方向上位于所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間，其中，所述柵極區(qū)遠離在所述水平方向上從所述源極區(qū)的中心區(qū)域指向所述漏極區(qū)的中心區(qū)域的軸線，其中，所述測試器件群測試方法包括: 步驟S100，施加第一電壓于所述場效應(yīng)晶體管的所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間，并在預(yù)定時間長度之后停止施加所述第一電壓，以便測量所述場效應(yīng)晶體管的可靠性；以及 步驟S200，施加第二電壓于所述場效應(yīng)晶體管的所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間，以便測量所述場效應(yīng)晶體管的工作特性。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測試器件群測試方法，其中， 所述步驟Sioo中所述第一電壓為所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間最大可承受電壓的期望值，以及所述步驟S200中所述第二電壓為所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間工作電壓范圍中的一組值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測試器件群測試方法，其中， 所述步驟SlOO中所述第一電壓為20V，以及所述步驟S200的所述第二電壓為所述柵極區(qū)和所述源極區(qū)之間工作電壓范圍-1OV至+IOV中的一組值。
11.根據(jù)權(quán)利要求8-10中任一項所述的測試器件群測試方法，其中， 所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述柵極區(qū)包括第一柵極區(qū)和第二柵極區(qū)，所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)分別布置在所述軸線的兩側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的測試器件群測試方法，其中， 所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述源極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的測試器件群測試方法，其中， 所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)繞過所述漏極區(qū)通過芯片內(nèi)布線連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的測試器件群測試方法，其中， 所述步驟SlOO中和所述步驟S200中所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求8-10中任一項所述的測試器件群測試方法，其中， 所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)和所述柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求11-15中任一項所述的測試器件群測試方法，其中， 所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)、所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)通過外部引線連接到各自的外部測試墊。
【文檔編號】G01R31/26GK103928523SQ201410143407
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年4月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月10日
【發(fā)明者】嚴進嶸, 孫魯男, 許嘉哲, 黃家琦 申請人:上海和輝光電有限公司