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      一種腳跟試塊的制作方法

      文檔序號(hào):6225067閱讀:178來源:國(guó)知局
      一種腳跟試塊的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種腳跟試塊,包括半圓柱體(1)、第一平板(2)和第二平板(3),半圓柱體(1)的側(cè)面包括圓弧形面和第一平面,第一平面一側(cè)設(shè)置有第一平板(2)和第二平板(3),第一平板(2)的各部分厚度均相同,第二平板(3)的各部分厚度均相同,第一平板(2)和第二平板(3)均與第一平面平行設(shè)置,第一平板(2)和第二平板(3)分別設(shè)置在半圓柱體(1)的母線兩側(cè),第一平板(2)的厚度小于第二平板(3)的厚度。本發(fā)明的腳試塊結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可以對(duì)周向斜探測(cè)曲面鍛件角度、聲速及零點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)定,利用本發(fā)明的腳跟對(duì)比試塊標(biāo)定的儀器比例,滿足了儀器準(zhǔn)確校準(zhǔn)目的,更有利于曲面鍛件的超聲波缺陷定位探傷。
      【專利說明】一種腳跟試塊
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于空心類鍛件周向面方向斜入射超聲波探傷水平、垂直、聲程的精度定位領(lǐng)域,具體涉及一種腳跟試塊。
      【背景技術(shù)】
      [0002]超聲波探傷儀和探頭的標(biāo)定工作,目前主要的標(biāo)準(zhǔn)試塊為Vl(IIWl)船形試塊和V2(IIW2)牛角試塊,它們的作用主要為水平線性、垂直線性、動(dòng)態(tài)范圍、靈敏度余量、分辯力、盲區(qū)、探頭的入射點(diǎn)、折射角等,探頭的檢測(cè)面為平面。而腳跟試塊與船形試塊或牛角試塊的作用基本相同,但探頭的檢測(cè)面均為曲面。工件面的形狀通常為平面和曲面,平面作為檢測(cè)面的探傷工作,其儀器和探頭標(biāo)定為船形試塊和牛角試塊;曲面作為檢測(cè)面的探傷工作,其儀器和探頭標(biāo)定全世界范圍內(nèi)沒有檢測(cè)試塊。
      [0003]曲面鍛件的超聲波周向斜探測(cè)缺陷精確定位,在國(guó)際上一直沒有標(biāo)準(zhǔn)試塊調(diào)試。如何確定曲面鍛件檢測(cè)的角度、掃描速度及零點(diǎn),成為無損檢測(cè)領(lǐng)域重大難題。油氣鉆采設(shè)備零部件周向斜探測(cè)缺陷的檢測(cè),國(guó)際上采用的探傷方法主要是內(nèi)外徑缺口上獲得的第一個(gè)反射的峰值之間連接一條線,建立振幅的基準(zhǔn)線。但對(duì)缺陷的精度定位無法保證,現(xiàn)有的對(duì)比試塊均無法滿足角度、速度及零點(diǎn)標(biāo)定工作。
      [0004]因此,需要 一種新的對(duì)比試塊以解決上述問題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]發(fā)明目的:本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)比試塊均無法滿足角度、掃描速度及零點(diǎn)標(biāo)定的缺陷,提供一種可以對(duì)周向斜探測(cè)曲面鍛件角度、聲速及零點(diǎn)標(biāo)定的腳跟試塊。
      [0006]技術(shù)方案:為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的腳跟試塊采用如下技術(shù)方案:
      [0007]—種腳跟試塊,包括半圓柱體、第一平板和第二平板,所述半圓柱體的側(cè)面包括圓弧形面和第一平面,所述第一平面一側(cè)設(shè)置有所述第一平板和第二平板,所述第一平板的各部分厚度均相同,所述第二平板的各部分厚度均相同,所述第一平板和第二平板均與所述第一平面平行設(shè)置,所述第一平板和第二平板分別設(shè)置在所述半圓柱體的母線兩側(cè),所述第一平板的厚度小于所述第二平板的厚度。
      [0008]更進(jìn)一步的,還包括第三平板,所述第三平板的各部分厚度均相同,所述第三平板與所述第一平板平行設(shè)置,所述第三平板與所述第一平板之間具有空隙,所述第一平板、第三平板和空隙的厚度總和等于第二平板的厚度。此設(shè)計(jì)可以保證第三平板遠(yuǎn)離半圓柱體的平面與第一平板遠(yuǎn)離半圓柱體的平面平齊,方便腳跟試塊的放置。
      [0009]更進(jìn)一步的,所述空隙的厚度為5mm±0.5mm。
      [0010]更進(jìn)一步的,所述第一平板的的厚度為30mm±0.1mm,所述第二平板的的厚度為60mm±0.1mm。常見斜探頭最大晶片尺寸為13X 13mm2,探頭頻率為2.5MHz,因此λ =C/f = (3230X IO3)/(2.5X IO6) = 1.29mm。由于探頭角度測(cè)量時(shí),探頭與反射孔之間聲程須大于2倍探頭近場(chǎng)區(qū)距離,可以避免近場(chǎng)區(qū)影響而造成的測(cè)量結(jié)果誤差,所以必須N ^ d2/(4X λ) = 132/(4X 1.29) = 32.8mm。又因?yàn)閳A弧形半徑R—般是大于30mm,因此,間隙的矩形槽與半圓弧的中心間距為30mm,將滿足探頭角度測(cè)量誤差最低要求。半圓弧的中心與長(zhǎng)方體2R長(zhǎng)度的邊相距60mm是考慮30mm的2倍關(guān)系,即滿足大于2N。
      [0011]更進(jìn)一步的,所述半圓柱體的長(zhǎng)度、所述第一平板的寬度和所述第二平板的寬度相同。確保腳跟試塊各部分的厚度相同。
      [0012]更進(jìn)一步的,所述半圓柱體的上表面和下表面均為平面,所述上表面和/或下表面上設(shè)置有角度刻度。設(shè)置有角度刻度可以方便檢測(cè)斜探頭的入射角度。
      [0013]更進(jìn)一步的,所述第一平板和第二平板均為長(zhǎng)方體。
      [0014]更進(jìn)一步的,所述半圓柱體的半徑為R,所述第一平板和第二平板的長(zhǎng)度均為R。
      [0015]更進(jìn)一步的,所述半圓柱體的長(zhǎng)度、所述第一平板的寬度和所述第二平板的寬度均大于等于25mm。
      [0016]有益效果:本發(fā)明的腳試塊結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可以對(duì)周向斜探測(cè)曲面鍛件角度、聲速及零點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)定,利用本發(fā)明的腳跟對(duì)比試塊標(biāo)定的儀器比例,滿足了儀器準(zhǔn)確校準(zhǔn)目的,更有利于曲面鍛件的超聲波缺陷定位探傷。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0017]圖1是本發(fā)明的腳跟試塊的主視圖;
      [0018]圖2是本發(fā)明的腳跟試塊的后視圖;
      [0019]圖3是本發(fā)明的腳跟試塊的左視圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述:
      [0021]請(qǐng)參閱圖1、圖2和圖3所示,本發(fā)明的腳跟試塊,包括半圓柱體1、第一平板2和第二平板3,半圓柱體I的側(cè)面包括圓弧形面和第一平面,第一平面一側(cè)設(shè)置有第一平板2和第二平板3,第一平板2的各部分厚度均相同,第二平板3的各部分厚度均相同。第一平板2和第二平板3均與第一平面平行設(shè)置,第一平板2和第二平板3分別設(shè)置在半圓柱體I的母線兩側(cè)。第一平板2的厚度小于第二平板3的厚度。
      [0022]還包括第三平板4,第三平板4的各部分厚度均相同,第三平板4與第一平板2平行設(shè)置,第三平板4與第一平板2之間具有空隙,第一平板2、第三平板4和空隙的厚度總和等于第二平板3的厚度。此設(shè)計(jì)可以保證第三平板遠(yuǎn)離半圓柱體的平面與第一平板遠(yuǎn)離半圓柱體的平面平齊,方便腳跟試塊的放置。其中,第一平板2與第三平板4的距離為5mm。
      [0023]其中,第一平板2和第二平板3均為長(zhǎng)方體,半圓柱體I的上表面和下表面均為平面,
      [0024]圓弧形面遠(yuǎn)離第一平面的點(diǎn)為腳跟試塊的頂部;
      [0025]第二平板3遠(yuǎn)離半圓柱體I的平面為腳跟試塊的底部;
      [0026]第二平板3遠(yuǎn)離半圓柱體I的平面與半圓柱體I的圓弧形面遠(yuǎn)離第一平面的點(diǎn)之間的距離為腳跟試塊的高度;
      [0027]半圓柱體I的上表面和下表面之間的距離為腳跟試塊的厚度;
      [0028]半圓柱體I的平面與圓弧形面相接的線段之間的距離為腳跟試塊的寬度,腳跟試塊的寬度為半圓柱體I的半徑的兩倍;
      [0029]半圓柱體I的上表面和下表面之間的距離為半圓柱體I的高度;
      [0030]第一平板2靠近第二平板3的平面與第二平板2遠(yuǎn)離第二平板3的平面之間的距離為第二平板2的長(zhǎng)度;
      [0031]第二平板3靠近第一平板2的平面與第二平板3遠(yuǎn)離第二平板2的平面之間的距離為第二平板3的長(zhǎng)度;
      [0032]第二平板3遠(yuǎn)離半圓柱體I的平面與半圓柱體I的平面的距離為第二平板3的厚度;
      [0033]第一平板2遠(yuǎn)離半圓柱體I的平面與半圓柱體I的平面的距離為第一平板2的厚度;
      [0034]第一平板2與半圓柱體I的上表面和下表面相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)平面之間的距離為第一平板2的寬度;
      [0035]第二平板3與半圓柱體I的上表面和下表面相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)平面之間的距離為第二平板3的寬度。
      [0036]半圓柱體I的長(zhǎng)度、第一平板2的寬度和第二平板3的寬度相同。上表面和/或下表面上設(shè)置有角度刻度。設(shè)置有角度刻度可以方便檢測(cè)斜探頭的入射角度。半圓柱體I的有刻度面倒R2 = 0.5±0.Imm角,無刻度面倒Rl = 1 + 0.1mm角。第一平板2遠(yuǎn)離半圓柱體I的表面的平面度< 0.05mm,兩相對(duì)表面的平行度< 0.05mm,第二平板3遠(yuǎn)離半圓柱體I的表面的平面度< 0.05mm,兩相對(duì)表面的平行度< 0.05mm。
      [0037]半圓柱體I的半徑為R,第一平板2和第二平板3的長(zhǎng)度均為R。半圓柱體I的半徑R的公差為±0.1_。半圓柱體I的長(zhǎng)度、第一平板2的寬度和第二平板3的寬度均大于等于25mm。優(yōu)選的,半圓柱體I的長(zhǎng)度、第一平板2的寬度和第二平板3的寬度均為50±0.10mnin
      [0038]第一平板2的的厚度為30mm±0.1mm,第二平板3的的厚度為60mm±0.1mm。常見斜探頭最大晶片尺寸為13 X 13mm2,探頭頻率為2.5MHz,因此λ = C/f = 3230X 103/2.5 X IO6=1.29mm。由于探頭角度測(cè)量時(shí),探頭與反射孔之間聲程須大于2倍探頭近場(chǎng)區(qū)距離,可以避免近場(chǎng)區(qū)影響而造成的測(cè)量結(jié)果誤差,所以必須N>d2/4XX) = 13V4X1.29)=32.8mm。又因?yàn)閳A弧形半徑R—般是大于30mm,因此,間隙的矩形槽與半圓弧的中心間距為30mm,將滿足探頭角度測(cè)量誤差最低要求。第二平板2的厚度60mm是考慮30mm的2倍關(guān)系,即滿足大于2N。
      [0039]實(shí)施例1
      [0040]曲面鍛件角度、聲速及零點(diǎn)標(biāo)定對(duì)比試塊稱為腳跟試塊,腳跟試塊厚度等于2〃 (50mm),寬度為2R,高度為R+60。半圓柱體的上表面和/或下表面的角度長(zhǎng)刻線位置P的計(jì)算公式:P = RXSin(P);其中 β 為 20。、30°、40°、50°、60°、70°、80°。角度短刻線位置P的計(jì)算方法同角度長(zhǎng)刻線,短刻線分別為25°、35°、45°、55°、65°、75。,角度刻線位置P參數(shù)見下表I。
      [0041]表I半圓形側(cè)面的角度刻線位置制作參數(shù)
      [0042]
      【權(quán)利要求】
      1.一種腳跟試塊,其特征在于,包括半圓柱體(I)、第一平板(2)和第二平板(3),所述半圓柱體(I)的側(cè)面包括圓弧形面和第一平面,所述第一平面一側(cè)設(shè)置有所述第一平板(2)和第二平板(3),所述第一平板(2)的各部分厚度均相同,所述第二平板(3)的各部分厚度均相同,所述第一平板(2)和第二平板(3)均與所述第一平面平行設(shè)置,所述第一平板(2)和第二平板(3)分別設(shè)置在所述半圓柱體(I)的母線兩側(cè),所述第一平板(2)的厚度小于所述第二平板(3)的厚度。
      2.如權(quán)利要求1所述的腳跟試塊,其特征在于,還包括第三平板(4),所述第三平板(4)的各部分厚度均相同,所述第三平板(4)與所述第一平板(2)平行設(shè)置,所述第三平板(4)與所述第一平板(2)之間具有空隙,所述第一平板(2)、第三平板(4)和空隙的厚度總和等于第二平板(3)的厚度。
      3.如權(quán)利要求2所述的腳跟試塊,其特征在于,所述空隙的厚度為5mm±0.5mm。
      4.如權(quán)利要求1所述的腳跟試塊,其特征在于,所述第一平板(2)的的厚度為30_±0.1 mm,所述第二平板(3)的的厚度為60_±0.1 mm。
      5.如權(quán)利要求1所述的腳跟試塊,其特征在于,所述半圓柱體(I)的長(zhǎng)度、第一平板(2)的寬度和第二平板(3)的寬度相同。
      6.如權(quán)利要求1所述的腳跟試塊,其特征在于,所述半圓柱體(I)的上表面和下表面均為平面,所述上表面和/或下表面上設(shè)置有角度刻度。
      7.如權(quán)利要求1所述的腳跟試塊,其特征在于,所述第一平板(2)和第二平板(3)均為長(zhǎng)方體。
      8.如權(quán)利要求7所述的腳跟試塊,其特征在于,所述半圓柱體(I)的半徑為R,所述第一平板(2)和第二平板(3)的長(zhǎng)度均為R。
      9.如權(quán)利要求7所述的腳跟試塊,其特征在于,所述半圓柱體(I)的長(zhǎng)度、所述第一平板(2)的寬度和所述第二平板(3)的寬度均大于等于25mm。
      【文檔編號(hào)】G01N29/30GK103954695SQ201410166754
      【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年4月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月23日
      【發(fā)明者】張利, 陳昌華 申請(qǐng)人:南京迪威爾高端制造股份有限公司
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