確定芯片的最低工作電壓的方法、裝置和芯片的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種確定芯片的最低工作電壓的方法、裝置和芯片。該方法包括：確定所述芯片在第一測(cè)試向量下測(cè)得的測(cè)試最低工作電壓；確定所述芯片內(nèi)部的電壓降；根據(jù)所述測(cè)試最低工作電壓和所述芯片內(nèi)部的電壓降，確定所述芯片的實(shí)際最低工作電壓。本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法、裝置和芯片，通過(guò)在芯片內(nèi)部集成電壓降監(jiān)測(cè)器來(lái)確定芯片內(nèi)部的電壓降，能夠根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
【專(zhuān)利說(shuō)明】確定芯片的最低工作電壓的方法、裝置和芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種確定芯片的最低工作電壓的方法、裝置和芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著芯片工藝發(fā)展和設(shè)計(jì)集成度的提升，芯片功耗問(wèn)題成為亟待解決的問(wèn)題。降低芯片功耗的技術(shù)除傳統(tǒng)的時(shí)鐘門(mén)控等技術(shù)外，自適應(yīng)電壓調(diào)整(AVS)技術(shù)作為新的有效而重要的技術(shù)而備受關(guān)注。
[0003]在AVS實(shí)施階段中，很重要的工作是確認(rèn)芯片工作的最低工作電壓(Vmin)，該最低工作電壓能夠滿足系統(tǒng)最?lèi)毫庸ぷ髑樾蜗碌陌踩?。在芯片的最低工作電壓基礎(chǔ)上增加適當(dāng)?shù)碾妷涸Ａ考纯勺鳛樾酒膶?shí)際工作電壓。
[0004]確定芯片工作的最低工作電壓，一般采用如下辦法:選擇合理的測(cè)試向量(集)；用該測(cè)試向量(集)進(jìn)行測(cè)試，得到芯片的測(cè)試最低工作電壓(Vmintest);由于芯片工作時(shí)存在電壓降(IR Drop)，且芯片運(yùn)行在不同場(chǎng)景下其電壓降不同，測(cè)試向量(集)所得到的電壓降不能完全覆蓋各種工作場(chǎng)景下的電壓降，為確保芯片能在最?lèi)毫訄?chǎng)景下運(yùn)行，需要在Vmin—test基礎(chǔ)上增加適當(dāng)?shù)碾妷涸Ａ?Vmin gb),即可得到芯片的最低工作電壓(Vmin)，在該最低工作電壓下各種代碼(工作場(chǎng)景)均可正常運(yùn)行。
[0005]在現(xiàn)有AVS技術(shù)方案中，在測(cè)試最低工作電壓基礎(chǔ)上增加的電壓裕量是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)得到的，無(wú)法進(jìn)行驗(yàn)證。另外，對(duì)于不同的芯片增加的電壓裕量是相同的，而在實(shí)際應(yīng)用中，不同的芯片實(shí)際需要增加的電壓裕量是不同的。因此，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)確定的芯片的最低工作電壓可能會(huì)對(duì)部分芯片失效，影響芯片工作的安全性，同時(shí)根據(jù)相同的電壓裕量確定的最低工作電壓對(duì)于其他芯片可能電壓值過(guò)高，從而造成不必要的功耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種確定芯片的最低工作電壓的方法、裝置和芯片，能夠根據(jù)芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0007]第一方面，提供了一種確定芯片的最低工作電壓的方法，芯片中集成了電壓降監(jiān)測(cè)器，電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)芯片內(nèi)部的電壓降，該方法包括:確定芯片在第一測(cè)試向量下測(cè)得的測(cè)試最低工作電壓；確定芯片內(nèi)部的電壓降；根據(jù)測(cè)試最低工作電壓和芯片內(nèi)部的電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0008]結(jié)合第一方面，在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，確定芯片內(nèi)部的電壓降，包括:確定芯片在測(cè)試最低工作電壓下在第一場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第一電壓降，第一場(chǎng)景為運(yùn)行第一測(cè)試向量的場(chǎng)景；基于測(cè)試最低工作電壓，確定芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第一場(chǎng)景與第二場(chǎng)景不同；其中，根據(jù)測(cè)試最低工作電壓和芯片內(nèi)部的電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，包括:根據(jù)測(cè)試最低工作電壓、第一電壓降和第二電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0009]結(jié)合第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，基于測(cè)試最低工作電壓，確定芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，包括:確定芯片在第一工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為根據(jù)第二測(cè)試向量模擬的工作場(chǎng)景，第一工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第一安全電壓裕量之和。
[0010]結(jié)合第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，基于測(cè)試最低工作電壓，確定芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，包括:確定芯片在第二工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為實(shí)際的工作場(chǎng)景，第二工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第二安全電壓裕量之和。
[0011]結(jié)合第一種至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，根據(jù)測(cè)試最低工作電壓、第一電壓降和第二電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，包括:根據(jù)以下公式確定芯片的最低工作電壓Vmin,
[001 2] Vmin Vmin—test+K* (Virdrop—run "^irdrop—test)+Vextern—gp，
[0013]其中，Vmin test芯片的測(cè)試最低工作電壓，K為預(yù)設(shè)值，Μ為第二電壓降，ViriMptest為第一電壓降，Vextern gp為預(yù)設(shè)的保護(hù)電壓。
[0014]第二方面，提供了一種確定芯片的最低工作電壓的裝置，芯片中集成了電壓降監(jiān)測(cè)器，電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)芯片內(nèi)部的電壓降，該裝置包括:第一確定模塊，用于確定芯片在第一測(cè)試向量下測(cè)得的測(cè)試最低工作電壓；第一確定模塊還用于根據(jù)電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定芯片內(nèi)部的電壓降；第二確定模塊，用于根據(jù)測(cè)試最低工作電壓和芯片內(nèi)部的電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0015]結(jié)合第二方面，在第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一確定模塊具體用于:確定芯片在測(cè)試最低工作電壓下在第一場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第一電壓降，第一場(chǎng)景為運(yùn)行第一測(cè)試向量的場(chǎng)景；基于測(cè)試最低工作電壓，確定芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第一場(chǎng)景與第二場(chǎng)景不同；第二確定模塊具體用于根據(jù)測(cè)試最低工作電壓、第一電壓降和第二電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0016]結(jié)合第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一確定模塊具體用于，確定芯片在第一工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為根據(jù)第二測(cè)試向量模擬的工作場(chǎng)景，第一工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第一安全電壓裕量之和。
[0017]結(jié)合第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一確定模塊具體用于，確定芯片在第二工作電壓下在第二場(chǎng)景中時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為實(shí)際的工作場(chǎng)景，第二工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第二安全電壓裕量之和。
[0018]結(jié)合第二方面的第一種至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第二確定模塊具體用于根據(jù)以下公式確定芯片的最低工作電壓Vmin,
[001 9] Vmin Vmin—test+K* (Virdrop—run "^irdrop—test)+Vextern—gp，
[0020] 其中，Vmin test芯片的測(cè)試最低工作電壓，K為預(yù)設(shè)值，Virtrop Μ為第二電壓降，ViriMptest為第一電壓降，Vextern gp為預(yù)設(shè)的保護(hù)電壓。[0021]第三方面，提供了一種芯片，該芯片包括:電壓降監(jiān)測(cè)器，電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)芯片內(nèi)部的電壓降。
[0022]結(jié)合第三方面，在第三方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該芯片還包括:第二方面或第二方面的第一種至第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的裝置。
[0023]基于上述技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例的確定最低工作電壓的方法、裝置和芯片，通過(guò)在芯片內(nèi)部集成電壓降監(jiān)測(cè)器來(lái)確定芯片內(nèi)部的電壓降，根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面所描述的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法的示意性流程圖。
[0026]圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法的示意性流程圖。
[0027]圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法的示意性流程圖。
[0028]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的工作場(chǎng)景的示意性框圖。
[0029]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置的示意性框圖。
[0030]圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置的示意性框圖。
[0031]圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的芯片的示意性框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0033]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法100的示意性流程圖。在本發(fā)明實(shí)施例中，芯片中集成了電壓降監(jiān)測(cè)器(IRDiop Detector)，電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)芯片內(nèi)部的電壓降。如圖1所示，方法100包括如下內(nèi)容。
[0034]110、確定芯片在第一測(cè)試向量下測(cè)得的測(cè)試最低工作電壓。
[0035]該測(cè)試最低工作電壓是能夠滿足芯片在最?lèi)毫庸ぷ髑樾蜗碌陌踩缘墓ぷ麟妷骸？梢赃x擇合適的測(cè)試向量對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，確定芯片的測(cè)試最低工作電壓。也可以選擇包含多個(gè)測(cè)試向量的測(cè)試向量集對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，從該測(cè)試向量集中搜索出該芯片在最?lèi)毫庸ぷ髑樾蜗碌臏y(cè)試最低工作電壓。
[0036]120、確定芯片內(nèi)部的電壓降。
[0037]例如，可以根據(jù)芯片中集成的電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定芯片內(nèi)部的電壓降。[0038]130、根據(jù)測(cè)試最低工作電壓和芯片內(nèi)部的電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0039]通常芯片內(nèi)部的電壓降是根據(jù)仿真得到，仿真時(shí)通常取最?lèi)毫拥那樾?，而該情形一般比?shí)際情況惡劣很多，使得仿真得到的芯片內(nèi)部的電壓降比芯片內(nèi)部實(shí)際的電壓降要高，從而根據(jù)仿真得到的電壓降確定的芯片的最低工作電壓要比芯片實(shí)際所需的最低工作電壓高。本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)在芯片中集成電壓降監(jiān)測(cè)器，能夠測(cè)得芯片內(nèi)部實(shí)際的電壓降，能夠根據(jù)實(shí)測(cè)的芯片內(nèi)部電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，因此從而能夠降低芯片的功耗，減少不必要的功耗。另外，根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和實(shí)測(cè)的芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，充分考慮到了不同芯片需要增加的電壓裕量不同的情況，根據(jù)芯片內(nèi)部的電壓降賦予每顆芯片不同的電壓裕量來(lái)確定實(shí)際最低工作電壓，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)在測(cè)試最低工作電壓上增加固定電壓裕量確定的實(shí)際最低工作電壓對(duì)部分芯片失效，對(duì)部分芯片則電壓值過(guò)高、低功耗效果較差的情況。
[0040]因此，本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法，通過(guò)在芯片內(nèi)部集成電壓降監(jiān)測(cè)器來(lái)確定芯片內(nèi)部的電壓降，能夠根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0041]芯片中可以集成一個(gè)電壓降監(jiān)測(cè)器，還可以集成多個(gè)電壓降監(jiān)測(cè)器，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限制。
[0042]芯片中集成的電壓降監(jiān)測(cè)器可以工作于均值、極值等模式下。在極值模式下，電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)芯片在最?lèi)毫庸ぷ髑樾蜗逻\(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的電壓降。在均值模式下，電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)芯片運(yùn)行一段時(shí)間內(nèi)的電壓降的平均值。在120中確定的芯片內(nèi)部的電壓降，可以是電壓降監(jiān)測(cè)器工作在均值模式下輸出的電壓降，也可以是電壓降監(jiān)測(cè)器工作在極值模式下輸出的電壓降。
[0043]具體地，作為另一實(shí)施例，在120中，確定芯片在測(cè)試最低工作電壓下在第一場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)該芯片內(nèi)部的第一電壓降，第一場(chǎng)景為運(yùn)行第一測(cè)試向量的場(chǎng)景；基于測(cè)試最低工作電壓，確定芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第一場(chǎng)景與第二場(chǎng)景不同。相應(yīng)地，在130中，根據(jù)測(cè)試最低工作電壓、第一電壓降和第二電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0044]其中，第一場(chǎng)景可以為測(cè)試場(chǎng)景，第二場(chǎng)景可以為工作場(chǎng)景。
[0045]由于芯片在不同場(chǎng)景下運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的電壓降不同，通過(guò)測(cè)試芯片在不同場(chǎng)景下運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的電壓降，進(jìn)而確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，能夠提高確定的實(shí)際最低工作電壓的準(zhǔn)確性，從而減少不必要的芯片功耗。
[0046]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)測(cè)試最低工作電壓、第一電壓降和第二電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，可以包括:根據(jù)以下公式(I)確定芯片的最低工作電壓Vmin,
[0047]Vmin Vmin—test+K* (Virdrop—run Virdrop—test)+Vextern—gp (丄)，
[0048]其中，Vmin test芯片的測(cè)試最低工作電壓，K為預(yù)設(shè)值，Virtrop Μ為第二電壓降，ViriMptest為第一電壓降，Vextern gp為預(yù)設(shè)的保護(hù)電壓。
[0049]芯片在正常運(yùn)行時(shí)，芯片的內(nèi)部電壓降可能會(huì)隨著不同工作場(chǎng)景狀態(tài)的變化而發(fā)生變化，K*(Virdrop run-Virdrop test)可以來(lái)修正芯片正常運(yùn)行時(shí)的內(nèi)部電壓降相對(duì)于測(cè)試電壓降的變化，從而能夠?qū)崟r(shí)修正芯片所需的電壓裕量。K是根據(jù)芯片的測(cè)試結(jié)果取值的，例如，在理想狀況下，K可以近似等于I。Vexten gp是根據(jù)芯片中元件的老化情況以及電源特性等確定的，例如，Vextem gp可以是電源電壓的保護(hù)電壓。
[0050]當(dāng)芯片中集成了多個(gè)電壓降監(jiān)測(cè)器時(shí)，該多個(gè)電壓降監(jiān)測(cè)器各自獨(dú)立工作，不同電壓降監(jiān)測(cè)器監(jiān)測(cè)到的芯片的電壓降可能不同，不同電壓降監(jiān)測(cè)器監(jiān)測(cè)到的芯片在不同場(chǎng)景下的電壓降的差值也可能不同。在本發(fā)明實(shí)施例中，在確定芯片的實(shí)際最低工作電壓時(shí)，根據(jù)不同場(chǎng)景下電壓降的變化范圍最大的電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定芯片的第一電壓降和第二電壓降。也就是說(shuō)，本發(fā)明實(shí)施例中當(dāng)芯片中集成了多個(gè)電壓降監(jiān)測(cè)器時(shí)，第一電壓降和第二電壓降是根據(jù)第二場(chǎng)景下的電壓降與第一場(chǎng)景下的電壓降的差值(即Viriraprun- Virdrop test)最大的電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定的。
[0051]對(duì)于上述第二場(chǎng)景，可以是通過(guò)運(yùn)行實(shí)際代碼模擬的工作場(chǎng)景，也可以是實(shí)際的工作場(chǎng)景。
[0052]作為另一實(shí)施例，基于測(cè)試最低工作電壓，確定芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，包括:確定芯片在第一工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為根據(jù)第二測(cè)試向量模擬的工作場(chǎng)景，第一工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第一安全電壓裕量之和。
[0053]該第二場(chǎng)景可以是模擬的工作場(chǎng)景。由于測(cè)試最低工作電壓是滿足系統(tǒng)最?lèi)毫庸ぷ髑樾蜗碌陌踩缘碾妷?，在?shí)際工作時(shí)，需要在芯片的測(cè)試最低工作電壓上增加適當(dāng)?shù)碾妷涸Ａ孔鳛樾酒膶?shí)際工作電壓。因此，在模擬實(shí)際工作場(chǎng)景的第二場(chǎng)景中，需要在測(cè)試最低工作電壓的基礎(chǔ)上加上第一安全電壓裕量。例如，該第一安全電壓裕量可以是根據(jù)芯片的仿真結(jié)果得到的。
[0054]在本發(fā)明實(shí)施例中，可以根據(jù)每個(gè)芯片的電壓降得到每個(gè)芯片各自的最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0055]可替代地，作為另一實(shí)施例，基于測(cè)試最低工作電壓，確定芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，包括:確定芯片在第二工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為實(shí)際的工作場(chǎng)景，第二工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第二安全電壓裕量之和。
[0056]該第二場(chǎng)景可以是實(shí)際的工作場(chǎng)景。芯片在實(shí)際運(yùn)行時(shí)，需要在測(cè)試最低工作電壓的基礎(chǔ)上加上適當(dāng)?shù)碾妷涸Ａ?。例如，第二安全電壓裕量可以是芯片的電源電壓的保護(hù)電壓。在本發(fā)明實(shí)施例中，確定芯片正常運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，能夠根據(jù)芯片所在系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài)實(shí)時(shí)調(diào)整芯片的最低工作電壓，從而能夠?qū)崿F(xiàn)芯片的最低工作電壓隨系統(tǒng)不同工作場(chǎng)景狀態(tài)的自適應(yīng)調(diào)整。
[0057]因此，本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法，通過(guò)在芯片內(nèi)部集成電壓降監(jiān)測(cè)器來(lái)確定芯片內(nèi)部的電壓降，能夠根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0058]下面結(jié)合圖2和圖3，詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法100的具體例子。
[0059]如圖2所示為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法200的示意性流程圖。在本發(fā)明實(shí)施例中，在芯片中集成了電壓降監(jiān)測(cè)器，該電壓降監(jiān)測(cè)器可工作于均值、極值等模式下，用于監(jiān)測(cè)芯片內(nèi)部的電壓降。如圖2所示，方法200包括如下內(nèi)容。
[0060]201、選擇合適的測(cè)試向量對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，搜索芯片的測(cè)試最低工作電壓Vmin
test °
[0061]202、使芯片在Vmin test下運(yùn)行該測(cè)試向量，并開(kāi)啟電壓降監(jiān)測(cè)器的均值模式，得到
電壓降均值Vjrdrop test O
[0062]203、使芯片在第一工作電壓下運(yùn)行實(shí)際代碼模擬工作場(chǎng)景進(jìn)行測(cè)試，并開(kāi)啟電壓降監(jiān)測(cè)器的均值模式，得到電壓降均值Virirop _，其中第一工作電壓為Vmin test和安全電壓裕量的和，該安全電壓裕量Vraiten gb是根據(jù)芯片的仿真結(jié)果得到的。
[0063]204、根據(jù)公式 Vmin = Vmin test+K* (Virdrop run-V




irdrop_test) +Vextern—gb?
得到芯片的最低工
作電壓Vmin，其中K為根據(jù)測(cè) 試結(jié)果取值的預(yù)設(shè)值。
[0064]在本發(fā)明實(shí)施例中，可以根據(jù)每個(gè)芯片的電壓降得到每個(gè)芯片各自的最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0065]因此，本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法，通過(guò)在芯片內(nèi)部集成電壓降監(jiān)測(cè)器來(lái)確定芯片內(nèi)部的電壓降，能夠根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0066]如圖3所示為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法300，方法300對(duì)應(yīng)于方法200。在本發(fā)明實(shí)施例中，在芯片中集成了電壓降監(jiān)測(cè)器和電壓控制器。如圖4所示為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的工作場(chǎng)景示意性框圖，該電壓降監(jiān)測(cè)器與該芯片中集成的電壓控制器(AVS Ctrl)相連，應(yīng)理解，電壓控制器也可以不集成在芯片中，可以將電壓控制器置于芯片的外部。在圖4中芯片中集成兩個(gè)電壓降監(jiān)測(cè)器，應(yīng)理解，可以根據(jù)需要在芯片中集成的不同數(shù)量的電壓降監(jiān)測(cè)器。如圖3所示，方法300包括如下內(nèi)容。
[0067]301、校準(zhǔn)階段通過(guò)選取合理的測(cè)試向量，確定芯片的測(cè)試最低工作電壓Vmin test,并配置電壓降監(jiān)測(cè)器為極值模式，得到芯片內(nèi)部的電壓降Vtetop test。
[0068]302、在電壓控制器中配置301中校準(zhǔn)階段得到的Vmin test和Vtetop test，及其他相應(yīng)的配置參數(shù)，如電源電壓的保護(hù)電壓Vexten gb，使芯片系統(tǒng)正常運(yùn)行。
[0069]303、芯片正常運(yùn)行時(shí)，將電壓降監(jiān)測(cè)器配置為極值模式，向電壓控制器輸出該芯片正常運(yùn)行時(shí)內(nèi)部的電壓降νωΜΡ
[0070]304、電壓控制器根據(jù)公式 Vmin = Vmin test+K* (Virdrop rm-V
irdrop_test) +Vextern—gb 得到最低
工作電壓Vmin,并控制電源管理單元(Power Management Unit, PMU)輸出的供電電壓，向該芯片輸出該最低工作電壓。
[0071]在本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)該芯片的工作場(chǎng)景的變化，能夠?qū)崟r(shí)調(diào)整芯片所需的最低工作電壓，能夠使芯片的功耗保持在最低狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)了芯片的最低工作電壓隨芯片系統(tǒng)不同工作場(chǎng)景狀態(tài)的自適應(yīng)調(diào)整。
[0072]因此，本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法，通過(guò)在芯片內(nèi)部集成電壓降監(jiān)測(cè)器來(lái)確定芯片內(nèi)部的電壓降，能夠根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的實(shí)際最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0073]應(yīng)注意，圖2和圖3的例子是為了幫助本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明實(shí)施例，而非要限制本發(fā)明實(shí)施例的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)所給出的圖2和圖3的例子，顯然可以進(jìn)行各種等價(jià)的修改或變化，這樣的修改或變化也落入本發(fā)明實(shí)施例的范圍內(nèi)。
[0074]應(yīng)理解，上述各過(guò)程的序號(hào)的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后，各過(guò)程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定，而不應(yīng)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施過(guò)程構(gòu)成任何限定。
[0075]上文描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的方法，下面結(jié)合圖5和圖6描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置。
[0076]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置500的示意性框圖。裝置500對(duì)應(yīng)于方法100，在本發(fā)明實(shí)施例中芯片中集成了電壓降監(jiān)測(cè)器，電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)芯片內(nèi)部的電壓降。如圖5所示，裝置500包括:第一確定模塊510和第二確定模塊520。
[0077]第一確定模塊510用于確定芯片在第一測(cè)試向量下測(cè)得的測(cè)試最低工作電壓。第一確定模塊510還用于根據(jù)電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定芯片內(nèi)部的電壓降。第二確定模塊520用于根據(jù)測(cè)試最低工作電壓和芯片內(nèi)部的電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0078]因此，本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置，通過(guò)根據(jù)芯片內(nèi)部集成的電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定芯片內(nèi)部的電壓降，能夠根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0079]應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的裝置500可以為獨(dú)立于芯片的裝置，也可以集成在芯片中，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限制。
[0080]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例中，第一確定模塊510具體用于:確定芯片在測(cè)試最低工作電壓下在第一場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第一電壓降，第一場(chǎng)景為運(yùn)行第一測(cè)試向量的場(chǎng)景；基于測(cè)試最低工作電壓，確定芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第一場(chǎng)景與第二場(chǎng)景不同。第二確定模塊520具體用于根據(jù)測(cè)試最低工作電壓、第一電壓降和第二電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0081]第二確定模塊520具體用于根據(jù)以下公式確定芯片的最低工作電壓Vmin,
[0082]Vmin Vmin—test+K* (Virdrop—run Virdrop—test)+Vextern—gp，
[0083]其中，Vmin test所述芯片的測(cè)試最低工作電壓，K為預(yù)設(shè)值，Virdrop run為所述第二電壓降，Virdrop test為所述第一電壓降，Vextern gp為預(yù)設(shè)的保護(hù)電壓。
[0084]具體地,在本發(fā)明實(shí)施例中，第一確定模塊510具體用于確定芯片在第一工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為根據(jù)第二測(cè)試向量模擬的工作場(chǎng)景，第一工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第一安全電壓裕量之和。
[0085]可替代地,作為另一實(shí)施例，第一確定模塊510具體用于確定芯片在第二工作電壓下在第二場(chǎng)景中時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為實(shí)際的工作場(chǎng)景，第二工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第二安全電壓裕量之和。
[0086]應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置500的第一確定模塊510和第二確定模塊520的上述和其他操作和/或功能可以參考上述圖1的方法100，為了避免重復(fù)，在此不再贅述。[0087]因此，本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置，通過(guò)根據(jù)芯片內(nèi)部集成的電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定芯片內(nèi)部的電壓降，能夠根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0088]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置600的示意性框圖。裝置600對(duì)應(yīng)于方法100，在本發(fā)明實(shí)施例中芯片中集成了電壓降監(jiān)測(cè)器，電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)芯片內(nèi)部的電壓降。如圖6所示，裝置600包括:處理器610和存儲(chǔ)器620。存儲(chǔ)器620用于存儲(chǔ)指令，處理器610用于執(zhí)行存儲(chǔ)器620存儲(chǔ)的指令。
[0089]處理器610用于:確定芯片在第一測(cè)試向量下測(cè)得的測(cè)試最低工作電壓；根據(jù)電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定芯片內(nèi)部的電壓降；根據(jù)測(cè)試最低工作電壓和芯片內(nèi)部的電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0090]因此，本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置，通過(guò)根據(jù)芯片內(nèi)部集成的電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定芯片內(nèi)部的電壓降，能夠根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0091 ] 應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，該處理器610可以是中央處理單元(CentralProcessing Unit，CPU)，該處理器610還可以是其他通用處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專(zhuān)用集成電路(ASIC)、現(xiàn)成可編程門(mén)陣列(FPGA)或者其他可編程邏輯器件、分立門(mén)或者晶體管邏輯器件、分立硬件組件等。通用處理器可以是微處理器或者該處理器也可以是任何常規(guī)的處理器等。
[0092]該存儲(chǔ)器620可以包括只讀存儲(chǔ)器和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，并向處理器610提供指令和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器620的一部分還可以包括非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。例如，存儲(chǔ)器620還可以存儲(chǔ)設(shè)備類(lèi)型的信息。
[0093]在實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，上述方法的各步驟可以通過(guò)處理器610中的硬件的集成邏輯電路或者軟件形式的指令完成。結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的方法的步驟可以直接體現(xiàn)為硬件處理器執(zhí)行完成，或者用處理器中的硬件及軟件模塊組合執(zhí)行完成。軟件模塊可以位于隨機(jī)存儲(chǔ)器，閃存、只讀存儲(chǔ)器，可編程只讀存儲(chǔ)器或者電可擦寫(xiě)可編程存儲(chǔ)器、寄存器等本領(lǐng)域成熟的存儲(chǔ)介質(zhì)中。該存儲(chǔ)介質(zhì)位于存儲(chǔ)器620，處理器610讀取存儲(chǔ)器620中的信息，結(jié)合其硬件完成上述方法的步驟。為避免重復(fù)，這里不再詳細(xì)描述。
[0094]應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的裝置600可以為獨(dú)立于芯片的裝置，也可以集成在芯片中，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限制。
[0095]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例中，處理器610具體用于:確定芯片在測(cè)試最低工作電壓下在第一場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第一電壓降，第一場(chǎng)景為運(yùn)行第一測(cè)試向量的場(chǎng)景；基于測(cè)試最低工作電壓，確定芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第一場(chǎng)景與第二場(chǎng)景不同；根據(jù)測(cè)試最低工作電壓、第一電壓降和第二電壓降，確定芯片的實(shí)際最低工作電壓。
[0096]處理器610具體用于根據(jù)以下公式確定芯片的最低工作電壓Vmin,
[0097]Vmin Vmin—test+K* (Virdrop—run Virdrop—test)+Vextern—gp，
[0098]其中，Vmin test所述芯片的測(cè)試最低工作電壓，K為預(yù)設(shè)值，Virdrop run為所述第二電壓降，Virdrop test為所述第一電壓降，Vextern gp為預(yù)設(shè)的保護(hù)電壓。
[0099]具體地,在本發(fā)明實(shí)施例中，處理器610具體用于確定芯片在第一工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為根據(jù)第二測(cè)試向量模擬的工作場(chǎng)景,第一工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第一安全電壓裕量之和。
[0100]可替代地，作為另一實(shí)施例，處理器610具體用于確定芯片在第二工作電壓下在第二場(chǎng)景中時(shí)芯片內(nèi)部的第二電壓降，第二場(chǎng)景為實(shí)際的工作場(chǎng)景，第二工作電壓為測(cè)試最低工作電壓與第二安全電壓裕量之和。
[0101]應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置600中的各個(gè)模塊的上述和其他操作和/或功能可以參考圖1的方法100，為了避免重復(fù)，在此不再贅述。
[0102]因此，本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置，通過(guò)根據(jù)芯片內(nèi)部集成的電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定芯片內(nèi)部的電壓降，能夠根據(jù)芯片的測(cè)試最低工作電壓和該芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0103]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的芯片700的示意性框圖。
[0104]如圖7所示，芯片700包括:電壓降監(jiān)測(cè)器710，該電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)芯片內(nèi)部的電壓降。
[0105]根據(jù)實(shí)際需要，芯片700中可以包括一個(gè)電壓降監(jiān)測(cè)器，也可以包括多個(gè)電壓降監(jiān)測(cè)器。本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。
[0106]因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的芯片，通過(guò)在芯片中集成電壓降監(jiān)測(cè)器，能夠確定芯片內(nèi)部的電壓降，以便于根據(jù)芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0107]可選地，作為另一實(shí)施例，芯片700中還包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的確定芯片的最低工作電壓的裝置400。
[0108]例如，芯片700中的裝置400可以為圖4所示的電壓控制器
[0109]芯片700中的裝置400的上述和其他操作和/或功能可以參考上述圖4的裝置400,為了避免重復(fù),在此不再贅述。
[0110]因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的芯片，通過(guò)在芯片中集成電壓降監(jiān)測(cè)器，能夠確定芯片內(nèi)部的電壓降，以便于根據(jù)芯片內(nèi)部的電壓降確定芯片的最低工作電壓，從而能夠使芯片在安全工作的前提下減少不必要的功耗。
[0111]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到，結(jié)合本文中所公開(kāi)的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或者二者的結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)，為了清楚地說(shuō)明硬件和軟件的可互換性，在上述說(shuō)明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來(lái)執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員可以對(duì)每個(gè)特定的應(yīng)用來(lái)使用不同方法來(lái)實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本發(fā)明的范圍。
[0112]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為了描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的系統(tǒng)、裝置和單元的具體工作過(guò)程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過(guò)程，在此不再贅述。
[0113]在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)、裝置和方法，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口、裝置或單元的間接耦合或通信連接，也可以是電的，機(jī)械的或其它的形式連接。
[0114]所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例方案的目的。
[0115]另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以是兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
[0116]通過(guò)以上的實(shí)施方式的描述，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本發(fā)明可以用硬件實(shí)現(xiàn)，或固件實(shí)現(xiàn)，或它們的組合方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)使用軟件實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以將上述功能存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中或作為計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的一個(gè)或多個(gè)指令或代碼進(jìn)行傳輸。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)和通信介質(zhì)，其中通信介質(zhì)包括便于從一個(gè)地方向另一個(gè)地方傳送計(jì)算機(jī)程序的任何介質(zhì)。存儲(chǔ)介質(zhì)可以是計(jì)算機(jī)能夠存取的任何可用介質(zhì)。以此為例但不限于:計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盤(pán)存儲(chǔ)、磁盤(pán)存儲(chǔ)介質(zhì)或者其他磁存儲(chǔ)設(shè)備、或者能夠用于攜帶或存儲(chǔ)具有指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式的期望的程序代碼并能夠由計(jì)算機(jī)存取的任何其他介質(zhì)。此外。任何連接可以適當(dāng)?shù)某蔀橛?jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。例如，如果軟件是使用同軸電纜、光纖光纜、雙絞線、數(shù)字用戶線(DSL)或者諸如紅外線、無(wú)線電和微波之類(lèi)的無(wú)線技術(shù)從網(wǎng)站、服務(wù)器或者其他遠(yuǎn)程源傳輸?shù)?，那么同軸電纜、光纖光纜、雙絞線、DSL或者諸如紅外線、無(wú)線和微波之類(lèi)的無(wú)線技術(shù)包括在所屬介質(zhì)的定影中。如本發(fā)明所使用的，盤(pán)(Disk)和碟(disc)包括壓縮光碟(⑶)、激光碟、光碟、數(shù)字通用光碟(DVD)、軟盤(pán)和藍(lán)光光碟，其中盤(pán)通常磁性的復(fù)制數(shù)據(jù)，而碟則用激光來(lái)光學(xué)的復(fù)制數(shù)據(jù)。上面的組合也應(yīng)當(dāng)包括在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0117]總之，以上所述僅為本發(fā)明技術(shù)方案的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種確定芯片的最低工作電壓的方法，其特征在于，所述芯片中集成了電壓降監(jiān)測(cè)器，所述電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)所述芯片內(nèi)部的電壓降，所述方法包括: 確定所述芯片在第一測(cè)試向量下測(cè)得的測(cè)試最低工作電壓； 確定所述芯片內(nèi)部的電壓降； 根據(jù)所述測(cè)試最低工作電壓和所述芯片內(nèi)部的電壓降，確定所述芯片的實(shí)際最低工作電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定所述芯片內(nèi)部的電壓降，包括: 確定所述芯片在所述測(cè)試最低工作電壓下在第一場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)所述芯片內(nèi)部的第一電壓降，所述第一場(chǎng)景為運(yùn)行所述第一測(cè)試向量的場(chǎng)景； 基于所述測(cè)試最低工作電壓，確定所述芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)所述芯片內(nèi)部的第二電壓降，所述第一場(chǎng)景與所述第二場(chǎng)景不同； 其中，所述根據(jù)所述測(cè)試最低工作電壓和所述芯片內(nèi)部的電壓降，確定所述芯片的實(shí)際最低工作電壓，包括: 根據(jù)所述測(cè)試最低工作電壓、所述第一電壓降和所述第二電壓降，確定所述芯片的實(shí)際最低工作電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述測(cè)試最低工作電壓，確定所述芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)所述芯片內(nèi)部的第二電壓降，包括: 確定所述芯片在第一工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)所述芯片內(nèi)部的第二電壓降，所述第二場(chǎng)景為根據(jù)第二測(cè)試向量模擬的工作場(chǎng)景，所述第一工作電壓為所述測(cè)試最低工作電壓與第一安全電壓裕量之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述測(cè)試最低工作電壓，確定所述芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)所述芯片內(nèi)部的第二電壓降，包括: 確定所述芯片在第二工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)所述芯片內(nèi)部的第二電壓降，所述第二場(chǎng)景為實(shí)際的工作場(chǎng)景，所述第二工作電壓為所述測(cè)試最低工作電壓與第二安全電壓裕量之和。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測(cè)試最低工作電壓、所述第一電壓降和所述第二電壓降確定所述芯片的實(shí)際最低工作電壓，包括: 根據(jù)以下公式確定所述芯片的最低工作電壓Vmin,
Vmin Vmin—test+K* (Virdrop—run Virdrop—test)+Vextern—gp， 其中，Vmin—test所述芯片的測(cè)試最低工作電壓，K為預(yù)設(shè)值，Virdroprun為所述第二電壓降，Virdrop_test為所述第一電壓降，Vextern gp為預(yù)設(shè)的保護(hù)電壓。
6.一種確定芯片的最低工作電壓的裝置，其特征在于，所述芯片中集成了電壓降監(jiān)測(cè)器，所述電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)所述芯片內(nèi)部的電壓降，所述裝置包括: 第一確定模塊，用于確定所述芯片在第一測(cè)試向量下測(cè)得的測(cè)試最低工作電壓； 所述第一確定模塊還用于根據(jù)所述電壓降監(jiān)測(cè)器的監(jiān)測(cè)結(jié)果確定所述芯片內(nèi)部的電壓降； 第二確定模塊，用于根據(jù)所述測(cè)試最低工作電壓和所述芯片內(nèi)部的電壓降，確定所述芯片的實(shí)際最低工作電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述第一確定模塊具體用于:確定所述芯片在所述測(cè)試最低工作電壓下在第一場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)所述芯片內(nèi)部的第一電壓降，所述第一場(chǎng)景為運(yùn)行所述第一測(cè)試向量的場(chǎng)景；基于所述測(cè)試最低工作電壓，確定所述芯片在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)所述芯片內(nèi)部的第二電壓降，所述第一場(chǎng)景與所述第二場(chǎng)景不同； 所述第二確定模塊具體用于根據(jù)所述測(cè)試最低工作電壓、所述第一電壓降和所述第二電壓降，確定所述芯片的實(shí)際最低工作電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第一確定模塊具體用于，確定所述芯片在第一工作電壓下在第二場(chǎng)景中運(yùn)行時(shí)所述芯片內(nèi)部的第二電壓降，所述第二場(chǎng)景為根據(jù)第二測(cè)試向量模擬的工作場(chǎng)景，所述第一工作電壓為所述測(cè)試最低工作電壓與第一安全電壓裕量之和。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第一確定模塊具體用于，確定所述芯片在第二工作電壓下在第二場(chǎng)景中時(shí)所述芯片內(nèi)部的第二電壓降，所述第二場(chǎng)景為實(shí)際的工作場(chǎng)景，所述第二工作電壓為所述測(cè)試最低工作電壓與第二安全電壓裕量之和。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述第二確定模塊具體用于根據(jù)以下公式確定所述芯片的最低工作電壓Vmin,
Vmin Vmin—test+K* (Virdrop—run Virdrop—test)+Vextern—gp， 其中，Vmin—test所述芯片的測(cè)試最低工作電壓，K為預(yù)設(shè)值，Virdroprun為所述第二電壓降，Virdrop_test為所述第一電壓降，Vextern gp為預(yù)設(shè)的保護(hù)電壓。
11.一種芯片，其特征 在于，包括:電壓降監(jiān)測(cè)器，所述電壓降監(jiān)測(cè)器用于監(jiān)測(cè)所述芯片內(nèi)部的電壓降。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的芯片，其特征在于，還包括:權(quán)利要求6至10中任一項(xiàng)所述的裝置。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK104020335SQ201410238291
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
【發(fā)明者】王新入, 謝謙, 金鑫 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司