一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板及其制作方法，所述制作方法包括以下步驟：1）提供一基板，對所述基板進行預處理使其適于輻射晶體生長；2）于所述基板上生長輻射晶體；3）提供一防水防眩光膜，采用貼合或真空壓覆的方式將所述輻射晶體完全封裝于所述基板及防水防眩光膜之間，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水層及防眩光層，且所述防眩光層為最外層。本發(fā)明直接采用防水防眩光膜對輻射晶體進行封裝，封裝方法簡單高效率、封裝效果良好，可以大大減少工藝步驟以及生產成本，并且可以防止輻射晶體表面因二次反射引起的偽影問題。
【專利說明】一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及輻射成像【技術領域】，特別是涉及一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]輻射探測晶體與可見光傳感器(如CCD、非晶硅或者CMOS傳感器、光電倍增管)組合形成的輻射探測器，這些輻射探測器廣泛的應用與X射線，Y射線等輻射成像領域。它是輻射探測器的關鍵組成部分，其性能決定了輻射探測器的性能。
[0003]無論上述是那種醫(yī)療影像探測器，其光電轉換器件都無法拍攝X射線或者Y射線，輻射晶體轉換層的作用是將X射線或者Y射線轉換為熒光(可見光)這個過程必不可少。因此作為將X射線轉換或者Y射線成可見光的關鍵物質的輻射探測晶體的吸收效率，光子轉換效率、性能的長期穩(wěn)定性直接決定了探測器的最終性能。
[0004]但目前高性能的輻射探測器晶體都是易潮解的材料，如碘化銫材料溴化鑭等都是吸濕性材料，易吸收空氣中的水分而潮解，使閃爍體的光學性能變弱，特別是圖像分辨率大大降低，因此，如何有效的封裝這些輻射探測器晶體更尤為重要。特別是大面積面板性性的輻射探測器晶體的封裝成為決定大面積探測器性能的制約因素。
[0005]在目前有關輻射探測器晶體面板封裝方面，在通常的封裝方案中，一種方式是在晶體表面CVD方式封裝有機膜，CsI閃爍屏典型的代表封裝方式為Hamamatsu用CVD蒸鍍聚對二甲苯(perlin)蒸鍍、派射無機層(如Al、SiO2)、以及聚對二甲苯(perlin)蒸鍍,此技術于專利申請?zhí)枮?9808601以及200410002794.1的專利申請文件中所公開。然而，閃爍屏傳統(tǒng)工藝封裝中，用CVD方法進行聚對二甲苯生長時，其速度很慢，生長速度約100-2000埃每分鐘，以此速度計算，專利申請文件99808601以及200410002794.1中的聚對二甲苯生長需要100-2000分鐘，并且在封裝工藝中，需進行兩次CVD聚對二甲苯的生長以及一次SiO2的濺射生長，工藝步驟相當復雜繁瑣，而且效果不佳。有些封裝會對閃爍體本身的性能帶來影響，如聚對二甲苯會進入輻射晶體的結構間隙內，影響閃爍屏的光學性能等。
[0006]另一種常規(guī)做法了封裝防水透明膠帶，但是防水透明膠帶出光面為光滑層，在輻射探測器中會帶來偽影或者二次成像問題，這些偽影可能帶來醫(yī)學診斷中的誤診等事故的發(fā)生，因此這種做法已經很少在輻射探測器晶體的封裝方式中應用。
[0007]還有一種封裝方法是制作好晶體面板后，采用環(huán)氧樹脂或硅膠等對輻射晶體的側壁進行封裝，這種方法工藝也較復雜，而且工藝和時間成本較高。
[0008]為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種簡單高效率的、封裝效果良好的封裝方法，以大大減少工藝步驟以及生產成本。

【發(fā)明內容】

[0009]鑒于以上所述現有技術的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板及其制作方法，用于解決現有技術中輻射探測器晶體面板封裝工藝復雜、成本過高、成像質量不佳等問題。
[0010]為實現上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法，包括以下步驟:
[0011]I)提供一基板，對所述基板進行預處理使其適于輻射晶體生長；
[0012]2)于所述基板上生長輻射晶體；
[0013]3)提供一防水防眩光膜，采用貼合或真空壓覆的方式將所述輻射晶體完全封裝于所述基板及防水防眩光膜之間，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水層及防眩光層，且所述防眩光層為最外層。
[0014]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法的一種優(yōu)選方案，所述基板包括支撐板及感光器件；所述支撐板包括玻璃基板、鋁基板、碳基板、光纖板、塑料板、玻璃纖維板的一種或兩種以上組成的復合結構；所述感光器件包括光電二極管、光電倍增管、硅積光電倍增管、非晶硅TFT及CMOS光電二極管。
[0015]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法的一種優(yōu)選方案，步驟I)預處理至少包括對所述基板進行清洗及干燥的步驟。
[0016]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法的一種優(yōu)選方案，步驟2)采用真空生長的方式于所述基板上生長輻射晶體。
[0017]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法的一種優(yōu)選方案，所述輻射晶體為包括Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、Na1、NaI (Tl)等鹵系易潮解晶體。
[0018]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法的一種優(yōu)選方案，所述防水防眩光膜的透光率不小于80%。
[0019]本發(fā)明還提供一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板，包括:
[0020]基板；
[0021]輻射晶體，形成于所述基板上；
[0022]防水防眩光膜，覆蓋于所述輻射晶體，并將所述輻射晶體完全封裝于所述基板及防水防眩光膜之間，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水層及防眩光層，且所述防眩光層為最外層。
[0023]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的一種優(yōu)選方案，所述基板包括支撐板及感光器件；所述支撐板包括玻璃基板、鋁基板、碳基板、光纖板、塑料板、玻璃纖維板的一種或兩種以上組成的復合結構；所述感光器件包括光電二極管、光電倍增管、娃積光電倍增管、非晶硅TFT及CMOS光電二極管。
[0024]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的一種優(yōu)選方案，所述基板的厚度為0.1mm?3mm。
[0025]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的一種優(yōu)選方案，所述輻射晶體為包括 Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、Na1、NaI (Tl)等鹵系易潮解晶體。
[0026]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的一種優(yōu)選方案，所述輻射晶體的厚度為0.05mm?2mm。
[0027]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的一種優(yōu)選方案，所述防水防眩光膜的透光率不小于80%。
[0028]如上所述，本發(fā)明提供一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板及其制作方法，所述制作方法包括以下步驟:1)提供一基板，對所述基板進行預處理使其適于輻射晶體生長；2)于所述基板上生長輻射晶體；3)提供一防水防眩光膜，采用貼合或真空壓覆的方式將所述輻射晶體完全封裝于所述基板及防水防眩光膜之間，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水層及防眩光層，且所述防眩光層為最外層。本發(fā)明直接采用防水防眩光膜對輻射晶體進行封裝，封裝方法簡單高效率、封裝效果良好，可以大大減少工藝步驟以及生產成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1顯示為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法步驟流程示意圖。
[0030]圖2顯示為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法步驟I)所呈現的結構示意圖。
[0031]圖3顯示為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法步驟2)所呈現的結構示意圖。
[0032]圖4顯示為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法步驟3)所呈現的結構示意圖。
[0033]元件標號說明
[0034]10 基板
[0035]20輻射晶體
[0036]30防水防眩光膜
[0037]301防水層
[0038]302防眩光層
[0039]Sll?S13步驟I)?步驟3)
【具體實施方式】
[0040]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。
[0041]請參閱圖1?圖4。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。
[0042]如圖1?圖4所示，本實施例提供一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法，包括以下步驟:
[0043]如圖1及圖2所示，首先進行步驟1)S11，提供一基板10，對所述基板10進行預處理使其適于輻射晶體20生長。
[0044]作為示例，所述基板10包括支撐板或感光器件；所述支撐板包括玻璃基板、鋁基板、碳基板、光纖板、塑料板、玻璃纖維板的一種或兩種以上組成的復合結構；所述感光器件包括光電二極管、光電倍增管、娃積光電倍增管、非晶娃TFT及CMOS光電二極管,所述基板10的厚度為0.1mm?3mm。
[0045]在本實施例中，所述基板10為碳基板，并且所述基板10的厚度為1mm。
[0046]作為示例，所述預處理至少包括對所述基板10進行清洗及干燥的步驟。
[0047]另外，需要說明的是，對于特定的基板可以適當加入合適的工藝，使表面處理適于晶體生長；如以碳基板作為基板時，需將基板依次進行噴砂、光學膜的生長、反光膜的生長等工藝過程，使其滿足輻射晶體20生長并優(yōu)化相關光學性質的處理。
[0048]如圖1及圖3所示，然后進行步驟2)S12，于所述基板10上生長輻射晶體20。
[0049]作為示例，采用真空生長的方式于所述基板10上生長輻射晶體20。所述輻射晶體20為包括Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3 (CeBr3)、Na1、NaI (Tl)的鹵系易潮解晶體。所述輻射晶體20的厚度為0.05mm?2mm。
[0050]在本實施例中，所述輻射晶體20為CsI，采用的生長方式為真空PVD方法，生長的厚度為1mm。
[0051]如圖1及圖4所示，最后進行步驟3) S13，提供一防水防眩光膜30，采用貼合或真空壓覆的方式將所述輻射晶體20完全封裝于所述基板10及防水防眩光膜30之間，其中，所述防水防眩光膜30至少包括防水層301及防眩光層302，且所述防眩光層302為最外層。
[0052]作為示例，所述防水防眩光膜30的透光率不小于80%，這樣可以有效避免經輻射晶體20轉換出可見光的吸收問題，另外，本實施例的防眩光防水膜透氣率為不大于0.5g/(m2*day)，以保證其防水性能。需要說明的是，本實施例的防水防眩光膜30最外層即出光面必須為防眩光層302。
[0053]本實施例采用防水防眩光膜30對輻射晶體20進行封裝，即所述防水防眩光膜30完全將所述輻射晶體20包覆于所述基板10表面，不需要如環(huán)氧樹脂等其他的封裝步驟，步驟非常簡單，而且能達到非常好的防水及防眩光的效果，可以有效降低封裝成本。
[0054]如圖4所示，本實施例還提供一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板，包括:
[0055]基板10 ；
[0056]輻射晶體20，形成于所述基板10上；
[0057]防水防眩光膜30，覆蓋于所述輻射晶體20，并將所述輻射晶體20完全封裝于所述基板10及防水防眩光膜30之間，其中，所述防水防眩光膜30至少包括防水層301及防眩光層302，且所述防眩光層302為最外層。
[0058]作為示例，所述基板10包括支撐板或感光器件；所述支撐板包括玻璃基板、鋁基板、碳基板、光纖板、塑料板、玻璃纖維板的一種或兩種以上組成的復合結構；所述感光器件包括光電二極管、光電倍增管、娃積光電倍增管、非晶娃TFT及CMOS光電二極管。所述基板的厚度為0.1mm?3_。
[0059]在本實施例中，所述基板10為碳基板，并且所述基板10的厚度為1mm，并且，所述碳基板10表面還形成有噴砂、光學膜及反光膜。
[0060]作為示例，所述輻射晶體20 為包括 Cs1、CsI (Tl)、Lafc3、LaBr3 (CeBr3)、Na1、NaI (Tl)的鹵系易潮解晶體。所述輻射晶體20的厚度為0.05mm?2mm。
[0061]在本實施例中，所述輻射晶體20為CsI，其厚度為1mm。
[0062]作為本發(fā)明的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的一種優(yōu)選方案，所述防水防眩光膜30的透光率不小于80%，這樣可以有效避免經輻射晶體20轉換出可見光的吸收問題，另外，本實施例的防眩光防水膜透氣率為不大于0.5g/(m2*day)，以保證其防水性能。需要說明的是，本實施例的防水防眩光膜30最外層即出光面必須為防眩光層302。
[0063]本實施例采用防水防眩光膜30對輻射晶體20進行封裝，即所述防水防眩光膜30完全將所述輻射晶體20包覆于所述基板10表面，不需要如環(huán)氧樹脂等其他的封裝步驟，步驟非常簡單，而且能達到非常好的防水及防眩光的效果，可以有效降低封裝成本。
[0064]如上所述，本發(fā)明提供一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板及其制作方法，所述制作方法包括以下步驟:1)提供一基板10，對所述基板10進行預處理使其適于輻射晶體20生長；2)于所述基板10上生長輻射晶體20 ；3)提供一防水防眩光膜30，采用貼合或真空壓覆的方式將所述輻射晶體20完全封裝于所述基板10及防水防眩光膜30之間，其中，所述防水防眩光膜30至少包括防水層301及防眩光層302，且所述防眩光層302為最外層。本發(fā)明直接采用防水防眩光膜30對輻射晶體20進行封裝，封裝方法簡單高效率、封裝效果良好，可以大大減少工藝步驟以及生產成本。所以，本發(fā)明有效克服了現有技術中的種種缺點而具高度產業(yè)利用價值。
[0065]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術領域】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權利要求所涵蓋。
【權利要求】
1.一種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)提供一基板，對所述基板進行預處理使其適于輻射晶體生長； 2)于所述基板上生長輻射晶體； 3)提供一防水防眩光膜，采用貼合或真空壓覆的方式將所述輻射晶體完全封裝于所述基板及防水防眩光膜之間，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水層及防眩光層，且所述防眩光層為最外層。
2.根據權利要求1所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法，其特征在于:所述基板包括支撐板或感光器件；所述支撐板包括玻璃基板、鋁基板、碳基板、光纖板、塑料板、玻璃纖維板的一種或兩種以上組成的復合結構；所述感光器件包括光電二極管、光電倍增管、硅積光電倍增管、非晶硅TFT及CMOS光電二極管。
3.根據權利要求1所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法，其特征在于:步驟I)預處理至少包括對所述基板進行清洗及干燥的步驟。
4.根據權利要求1所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法，其特征在于:步驟2)采用真空生長的方式于所述基板上生長輻射晶體。
5.根據權利要求1所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法，其特征在于:所述輻射晶體為包括Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3) >NaI,NaI (Tl)的鹵系易潮解晶體。
6.根據權利要求1所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板的制作方法，其特征在于:所述防水防眩光膜的透光率不小于80%。
7.—種防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板，其特征在于，包括: 基板； 輻射晶體，形成于所述基板上； 防水防眩光膜，覆蓋于所述輻射晶體，并將所述輻射晶體完全封裝于所述基板及防水防眩光膜之間，其中，所述防水防眩光膜至少包括防水層及防眩光層，且所述防眩光層為最外層。
8.根據權利要求7所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板，其特征在于:所述基板包括支撐板及感光器件；所述支撐板包括玻璃基板、鋁基板、碳基板、光纖板、塑料板、玻璃纖維板的一種或兩種以上組成的復合結構；所述感光器件包括光電二極管、光電倍增管、娃積光電倍增管、非晶硅TFT及CMOS光電二極管。
9.根據權利要求7所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板，其特征在于:所述基板的厚度為0.1mm~3_。
10.根據權利要求7所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板，其特征在于:所述輻射晶體為包括 Cs1、CsI (Tl)、LaBr3、LaBr3(CeBr3)、Na1、NaI (Tl)的鹵系易潮解晶體。
11.根據權利要求7所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板，其特征在于:所述輻射晶體的厚度為0.05mm~2mm。
12.根據權利要求7所述的防眩光膜封裝輻射探測器晶體面板，其特征在于:所述防水防眩光膜的透光率不小于80%。
【文檔編號】G01T7/00GK104020486SQ201410256381
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年6月10日 優(yōu)先權日:2014年6月10日
【發(fā)明者】焦啟剛, 謝舒平 申請人:平生醫(yī)療科技（昆山）有限公司